080903-微电子学与固体电子学

功率电子
极限表征

   

2019-05~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员，团委书记，上海市青联委员
2019-01~2019-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员，上海市青联委员
2016-10~2018-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员

   

（1） 上海市青年五四奖章, 省级, 2021
（2） 上海市科技青年35人引领计划, 省级, 2021
（3） 中国科学院优秀博士学位论文, , 部委级, 2018
（4） 中国电子教育学会优秀博士学位论文, , 其他, 2018
（5） 中国科学院院长特别奖, , 部委级, 2016

[1] 郑理, 游晋豪, 程新红, 俞跃辉. 一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法. CN: CN111739801B, 2021-08-10.

[2] 郑理, 游晋豪, 程新红, 俞跃辉. 一种SOI基凹栅增强型GaN功率开关器件的制备方法. CN: CN111739800B, 2021-08-10.

[3] 程新红, 王谦, 李静杰, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉. 基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法. CN: CN107507829B, 2020-11-06.

[4] 程新红, 王谦, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉. 沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法. CN: CN107564964B, 2020-03-31.

[5] 程新红, 王谦, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉. 一种MOS功率器件及其制备方法. CN: CN107393814B, 2020-03-24.

[6] 程新红, 王谦, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉. SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法. CN: CN107527803B, 2019-11-19.

[7] 沈玲燕, 程新红, 郑理, 张栋梁, 王谦, 顾子悦, 俞跃辉. 基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法. CN: CN110277445A, 2019-09-24.

[8] 郑理, 程新红, 宁志军, 徐大伟, 沈玲燕, 王谦, 张栋梁, 顾子悦, 俞跃辉. 一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法. CN: CN107359221B, 2019-03-01.

[9] 沈玲燕, 程新红, 郑理, 张栋梁, 王谦, 顾子悦, 俞跃辉. 基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件. 中国: CN207938616U, 2018.10.02.

[10] 程新红, 沈玲燕, 王中健, 曹铎, 郑理, 王谦, 张栋梁, 李静杰, 俞跃辉. 基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法. 中国: CN105304689B, 2018-09-25.

[11] 程新红, 王谦, 李静杰, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉. 一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法. 中国: CN107275196A, 2017.10.20.

[12] 程新红, 夏超, 王中健, 徐大伟, 曹铎, 郑理, 沈玲燕, 王谦, 俞跃辉. SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法. 中国: CN106158933A, 2016-11-23.

[13] 程新红, 郑理, 王中健, 曹铎, 王谦, 沈玲燕, 张栋梁, 俞跃辉. 一种基于薄膜半导体-石墨烯异质结的光电探测器制备方法. 中国: CN105206689A, 2015-12-30.

[14] 程新红, 郑理, 王中健, 曹铎, 王谦, 沈玲燕, 张栋梁, 俞跃辉. 一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法. 中国: CN105129788A, 2015-12-09.

[15] 程新红, 沈玲燕, 王中健, 夏超, 曹铎, 郑理, 王谦, 俞跃辉. 基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法. 中国: CN104599975A, 2015-05-06.

[16] 程新红, 郑理, 曹铎, 王中健, 徐大伟, 夏超, 沈玲燕, 俞跃辉. 一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管及其制备方法. 中国: CN103985741A, 2014-08-13.

[17] 程新红, 夏超, 王中健, 曹铎, 郑理, 贾婷婷, 俞跃辉. 一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法. 中国: CN103021864A, 2013-04-03.

[18] 程新红, 夏超, 王中健, 曹铎, 郑理, 贾婷婷, 俞跃辉. 一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法. 中国: CN102969244A, 2013-03-13.

[19] 程新红, 贾婷婷, 曹铎, 徐大伟, 王中健, 夏超, 郑理, 俞跃辉. 在InP衬底上制备高K栅介质薄膜和MIS电容的方法. 中国: CN102760657A, 2012-10-31.

   

（1） Silicon: quantum dot photovoltage triodes, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 通讯作者
（2） Bandgap engineering of two-dimensional C3N bilayers, NATURE ELECTRONICS, 2021, 第 8 作者
（3） Ambient stability improvement of CQD photodetectors by low-temperature deposited graphene encapsulation, MATERIALS LETTERS, 2021, 通讯作者
（4） Graphene-induced positive shift of the flat band voltage in recessed gate AlGaN/GaN structures, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 通讯作者
（5） Optimized JFET regions of 4H-SiC VDMOS with reduced on-resistance and improved gate oxide reliability, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 通讯作者
（6） High quality silicon: Colloidal quantum dot heterojunction based infrared photodetector, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 通讯作者
（7） PbS colloidal quantum dots patterning technique with low vertical leakage current for the photodetection applications, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
（8） Graphene Quantum Dots Promoted the Synthesis of Heavily n-Type Graphene for Near-Infrared Photodetectors, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2020, 第 7 作者
（9） In situ synthesis of monolayer graphene on silicon for near-infrared photodetectors, RSC ADVANCES, 2019, 第 5 作者
（10） Corrigendum to "Effects of polycrystalline AlN film on the dynamic performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors" Mat. Des. 148(2018) 1–7, Materials & Design, 2019, 第 3 作者
（11） Barrier-assisted ion beam synthesis of transfer-free graphene on an arbitrary substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 4 作者
（12） Band alignment regulation of HfO2/SiC heterojunctions induced by PEALD with in situ NH3-plasma passivation, PHYSICS LETTERS A, 2019, 通讯作者
（13） Ambipolar Graphene-Quantum Dot Phototransistors with CMOS Compatibility, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 通讯作者
（14） Influence of LaSiOx passivation interlayer on band alignment between PEALD-Al2O3 and 4H-SiC determined by X-ray photoelectron spectroscopy, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 通讯作者
（15） p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀, Inductively Coupled Plasma Etching of p-GaN Using Different Masks and Etching Gases, 半导体技术, 2018, 第 3 作者
（16） Low temperature growth of three-dimensional network of graphene for high-performance supercapacitor electrodes, MATERIALS LETTERS, 2018, 通讯作者
（17） Enhanced interfacial and electrical characteristics of 4H-SiC MOS capacitor with lanthanum silicate passivation interlayer, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 通讯作者
（18） Performance Improvement and Current Collapse Suppression of Al2O3/AlGaN/GaN HEMTs Achieved by Fluorinated Graphene Passivation, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 第 4 作者
（19） Interfacial chemistry and energy band alignment of TiAlO on 4H-SiC determined by X-ray photoelectron spectroscopy, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 通讯作者
（20） Band alignment between PEALD-AlNO and AlGaN/GaN determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 
（21） Morphology improvement of SiC trench by inductively coupled plasma etching using Ni/Al2O3 bilayer mask, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 第 4 作者
（22） 基于水基ALD技术石墨烯/高κ介质异质结直接形成方法和机理研究, H2O-Based ALD Induced Direct Fabrication of Graphene/High-κ Dielectric Heterojuctions and Its Mechanism, 2016, 第 1 作者
（23） Controlled direct growth of Al2O3-doped HfO2 films on graphene by H2O-based atomic layer deposition, PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2015, 第 1 作者
（24） Direct growth of sb2te3 on graphene by atomic layer deposition, RSC ADVANCES, 2015, 第 1 作者
（25） Fluorinated graphene in interface engineering of ge-based nanoelectronics, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2015, 第 5 作者
（26） Al2O3-Gd2O3 double-films grown on graphene directly by H2O-assisted atomic layer deposition, RSC ADVANCES, 2014, 第 1 作者
（27） Properties of HfLaO MOS capacitor deposited on SOI with plasma enhanced atomic layer deposition, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2014, 第 4 作者
（28） Growth of controlled thickness graphene by ion implantation for field-effect transistor, MATERIALS LETTERS, 2013, 第 6 作者
（29） PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征, Interface Optimization and Characterization of PEALD HfO_2 Gate Dielectric Film, 半导体技术, 2013, 第 4 作者
（30） Total-Dose Radiation Response of HfLaO Films Prepared by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2013, 第 4 作者

   

（ 1 ） 针对多层MoS2的低能等离子体可控掺杂机理及原位缺陷修饰研究, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12
（ 2 ） 大尺寸高性能SOI基GaN晶圆研究及单芯片集成半桥开关验证, 主持, 省级, 2019-09--2021-08
（ 3 ） 青促会, 主持, 部委级, 2020-01--2023-12
（ 4 ） 原子层沉积系统自匹配等离子体装置开发, 主持, 部委级, 2018-09--2019-09
（ 5 ） 石墨烯/复合高k介质异质结直接形成方法和机理研究, 主持, 省级, 2017-05--2020-04
（ 6 ） ALD等离子体系统原位钝化SiC界面及快慢双能态陷阱共轭抑制机理研究, 主持, 国家级, 2021-01--2024-12
（ 7 ） 19-H863-04-ZD-013-001-04, 主持, 国家级, 2020-01--2022-12
（ 8 ） SiC 界面原位钝化及快慢双能级陷阱共轭抑制机理研究（上海市启明星）, 主持, 省级, 2021-07--2024-06

现指导学生

张峻  硕士研究生  085400-电子信息