基本信息
李向阳 男 博导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： lixy@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市虹口区玉田路500号
邮政编码： 200083
电子邮件： lixy@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市虹口区玉田路500号
邮政编码： 200083
研究领域
研究工作主要集中在窄禁带半导体红外探测器和宽禁带半导体紫外探测器等方面，以研制航天碲镉汞红外探测器和氮化镓基紫外焦平面探测器以及提高其光电性能为主要内容和目标，研究工作覆盖材料、薄膜和芯片工艺及物理、测试和分析、焦平面器件电子学等多个领域，涉及固体物理、半导体物理、材料科学和微电子学器件和工艺等学科知识。
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理
080300-光学工程
070205-凝聚态物理
080300-光学工程
招生方向
红外光电材料与器件,紫外和可见光电探测器技术,专用集成电路技术
半导体材料,器件与物理，量子材料与量子调控，薄膜与纳米结构物理
微纳光子学，信息光学中的物理问题
半导体材料,器件与物理，量子材料与量子调控，薄膜与纳米结构物理
微纳光子学，信息光学中的物理问题
教育背景
1998-07--2000-09 中国科学院上海技术物理研究所 博士后
1992-09--1998-07 山东大学 硕士、博士
1987-09--1991-07 聊城师范学院 学士
1992-09--1998-07 山东大学 硕士、博士
1987-09--1991-07 聊城师范学院 学士
工作经历
工作简历
2000-09~2022-12,中国科学院上海技术物理研究所, 研究人员
1991-07~1992-08,山东临清一中, 高中教师
1991-07~1992-08,山东临清一中, 高中教师
社会兼职
2013-12-29-2024-05-24,上海科技大学特聘教授, 研究生导师
教授课程
光电器件
专利与奖励
奖励信息
（1） 新一代星载高精度大气探测光学载荷技术研究集体, 院级, 2017
（2） 星载宽光谱大气垂直探测关键技术（风云三号B星红外分光计）, 一等奖, 省级, 2011
（2） 星载宽光谱大气垂直探测关键技术（风云三号B星红外分光计）, 一等奖, 省级, 2011
专利成果
（ 1 ） 集成温度监测结构的红外探测器, 实用新型, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN219303681U
（ 2 ） 一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件, 发明专利, 2023, 第 9 作者, 专利号: CN116544294A
（ 3 ） 一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115513315A
（ 4 ） 一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113054057A
（ 5 ） 一种提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113013026A
（ 6 ） 一种矫正焦平面探测器倒焊工艺系统误差的工艺方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113013285A
（ 7 ） 一种用于红外宽光谱分光快速测温的碲镉汞光导器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN110931516B
（ 8 ） 一种低成本HgTe三维拓扑材料生长的方法, 发明专利, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN109750358A
（ 9 ） 有弯曲支撑腿微桥结构的锰钴镍氧热敏电阻探测器及方法, 发明专利, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN109238475A
（ 10 ） 一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法, 发明专利, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN109148623A
（ 11 ） 一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107978670A
（ 12 ） 一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件, 实用新型, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207676945U
（ 13 ） 具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器, 实用新型, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN206282868U
（ 14 ） 一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器, 发明专利, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN106449853A
（ 15 ） 具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法, 发明专利, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN105514156A
（ 16 ） 具有异质结结构的GaN基p型场效应管, 实用新型, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN205376534U
（ 17 ） 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器及制备方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104882455A
（ 18 ） 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器, 实用新型, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN204680670U
（ 19 ） 一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件, 发明专利, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103915433A
（ 20 ） 嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件, 实用新型, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN203883004U
（ 21 ） 一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103855251A
（ 22 ） 基于像素级模数转换的紫外焦平面读出电路, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203775318U
（ 23 ） 具有五靶头的磁控共溅射设备, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203768449U
（ 24 ） 基于像素级模数转换的紫外焦平面读出电路及其读出方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103856730A
（ 25 ） 一种具有五靶头的磁控共溅射设备, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103849843A
（ 26 ） 一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法, 发明专利, 2014, 第 11 作者, 专利号: CN103668448A
（ 27 ） 一种改善光谱平整度的红外探测器, 实用新型, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203631575U
（ 28 ） 一种改善光谱平整度的红外探测器结构, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103579406A
（ 29 ） 一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203456486U
（ 30 ） 一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103413839A
（ 31 ） 用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器, 实用新型, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN203250772U
（ 32 ） 一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103165724A
（ 33 ） 一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 实用新型, 2013, 第 8 作者, 专利号: CN203134797U
（ 34 ） 无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 发明专利, 2013, 第 8 作者, 专利号: CN103187424A
（ 35 ） 一种物理刻蚀工艺中的贴片方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103117241A
（ 36 ） 早期高压放电小型环境模拟试验箱, 实用新型, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN202975243U
（ 37 ） 一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102729132A
（ 38 ） 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器, 实用新型, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN202534671U
（ 39 ） 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102593233A
（ 40 ） 一种以碲镉汞为基底的薄膜附着力定量测试方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102543791A
（ 41 ） 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法, 发明专利, 2012, 第 10 作者, 专利号: CN102392294A
（ 42 ） 一种具有双面反射层的碲镉汞红外光电导探测器的参考元, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102354714A
（ 43 ） 具有双面反射层的碲镉汞光电导探测器的参考元, 实用新型, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN202405296U
（ 44 ） 用于紫外消毒柜的智能监控系统, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102266577A
（ 45 ） 用于紫外消毒柜的智能监控系统, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102266577A
（ 46 ） 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器, 实用新型, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN202134542U
（ 47 ） 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102201484A
（ 48 ） 一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器, 实用新型, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN202054924U
（ 49 ） 一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102181922A
（ 50 ） 一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法, 发明专利, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102134491A
（ 51 ） 具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101976697A
（ 52 ） 具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器, 发明专利, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101997052A
（ 53 ） 具有参考元结构的碲镉汞红外光电导探测器, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102004002A
（ 54 ） GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法, 发明专利, 2010, 第 10 作者, 专利号: CN101769941A
（ 55 ） PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法, 发明专利, 2010, 第 8 作者, 专利号: CN101777424A
（ 56 ） PVDF有机聚合物薄膜电容器, 发明专利, 2010, 第 8 作者, 专利号: CN101752087A
（ 57 ） 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101728403A
（ 58 ） 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法, 发明专利, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101707215A
（ 59 ） 高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101728450A
（ 60 ） 氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构, 实用新型, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN201556629U
（ 61 ） 从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器, 实用新型, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN201812821U
（ 62 ） 背照式碲镉汞长波红外探测器, 实用新型, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN201556621U
（ 63 ） 背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2009, 第 9 作者, 专利号: CN101494244A
（ 64 ） 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2008, 第 8 作者, 专利号: CN101335308A
（ 65 ） 碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法, 发明专利, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101261998A
（ 66 ） 一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法, 发明专利, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101226971A
（ 67 ） 铝镓氮－锆钛酸铅焦平面探测器, 发明专利, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN101211958A
（ 68 ） 平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法, 发明专利, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101170150A
（ 69 ） 半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统, 发明专利, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101169370A
（ 70 ） AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器, 发明专利, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101075647A
（ 71 ） 单片机和多路模拟开关控制的宽温范围高低温循环设备, 发明专利, 2007, 第 5 作者, 专利号: CN1928525A
（ 72 ） 甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法, 发明专利, 2007, 第 3 作者, 专利号: CN1937233A
（ 73 ） 宽温度范围的高低温循环设备中的热传导机构, 发明专利, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1800868A
（ 74 ） 带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器, 发明专利, 2006, 第 7 作者, 专利号: CN1812137A
（ 75 ） 碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片, 发明专利, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN2760760Y
（ 76 ） 气压机自动输液氮装置, 发明专利, 2006, 第 5 作者, 专利号: CN2777341Y
（ 77 ） 宽温度范围的高低温循环设备, 发明专利, 2005, 第 5 作者, 专利号: CN1603778A
（ 78 ） 氮化镓基可见/紫外双色光电探测器, 发明专利, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1598502A
（ 79 ） 带有自动补液氮的红外探测器老化装置, 发明专利, 2004, 第 5 作者, 专利号: CN2613043Y
（ 80 ） 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法, 发明专利, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1288760C
（ 81 ） 碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片, 发明专利, 2003, 第 5 作者, 专利号: CN2529386Y
（ 2 ） 一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件, 发明专利, 2023, 第 9 作者, 专利号: CN116544294A
（ 3 ） 一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115513315A
（ 4 ） 一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113054057A
（ 5 ） 一种提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113013026A
（ 6 ） 一种矫正焦平面探测器倒焊工艺系统误差的工艺方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113013285A
（ 7 ） 一种用于红外宽光谱分光快速测温的碲镉汞光导器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN110931516B
（ 8 ） 一种低成本HgTe三维拓扑材料生长的方法, 发明专利, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN109750358A
（ 9 ） 有弯曲支撑腿微桥结构的锰钴镍氧热敏电阻探测器及方法, 发明专利, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN109238475A
（ 10 ） 一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法, 发明专利, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN109148623A
（ 11 ） 一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107978670A
（ 12 ） 一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件, 实用新型, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207676945U
（ 13 ） 具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器, 实用新型, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN206282868U
（ 14 ） 一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器, 发明专利, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN106449853A
（ 15 ） 具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法, 发明专利, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN105514156A
（ 16 ） 具有异质结结构的GaN基p型场效应管, 实用新型, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN205376534U
（ 17 ） 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器及制备方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104882455A
（ 18 ） 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器, 实用新型, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN204680670U
（ 19 ） 一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件, 发明专利, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103915433A
（ 20 ） 嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件, 实用新型, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN203883004U
（ 21 ） 一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103855251A
（ 22 ） 基于像素级模数转换的紫外焦平面读出电路, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203775318U
（ 23 ） 具有五靶头的磁控共溅射设备, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203768449U
（ 24 ） 基于像素级模数转换的紫外焦平面读出电路及其读出方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103856730A
（ 25 ） 一种具有五靶头的磁控共溅射设备, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103849843A
（ 26 ） 一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法, 发明专利, 2014, 第 11 作者, 专利号: CN103668448A
（ 27 ） 一种改善光谱平整度的红外探测器, 实用新型, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203631575U
（ 28 ） 一种改善光谱平整度的红外探测器结构, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103579406A
（ 29 ） 一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203456486U
（ 30 ） 一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103413839A
（ 31 ） 用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器, 实用新型, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN203250772U
（ 32 ） 一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103165724A
（ 33 ） 一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 实用新型, 2013, 第 8 作者, 专利号: CN203134797U
（ 34 ） 无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 发明专利, 2013, 第 8 作者, 专利号: CN103187424A
（ 35 ） 一种物理刻蚀工艺中的贴片方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103117241A
（ 36 ） 早期高压放电小型环境模拟试验箱, 实用新型, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN202975243U
（ 37 ） 一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102729132A
（ 38 ） 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器, 实用新型, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN202534671U
（ 39 ） 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102593233A
（ 40 ） 一种以碲镉汞为基底的薄膜附着力定量测试方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102543791A
（ 41 ） 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法, 发明专利, 2012, 第 10 作者, 专利号: CN102392294A
（ 42 ） 一种具有双面反射层的碲镉汞红外光电导探测器的参考元, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102354714A
（ 43 ） 具有双面反射层的碲镉汞光电导探测器的参考元, 实用新型, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN202405296U
（ 44 ） 用于紫外消毒柜的智能监控系统, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102266577A
（ 45 ） 用于紫外消毒柜的智能监控系统, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102266577A
（ 46 ） 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器, 实用新型, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN202134542U
（ 47 ） 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102201484A
（ 48 ） 一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器, 实用新型, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN202054924U
（ 49 ） 一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102181922A
（ 50 ） 一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法, 发明专利, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102134491A
（ 51 ） 具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101976697A
（ 52 ） 具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器, 发明专利, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101997052A
（ 53 ） 具有参考元结构的碲镉汞红外光电导探测器, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102004002A
（ 54 ） GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法, 发明专利, 2010, 第 10 作者, 专利号: CN101769941A
（ 55 ） PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法, 发明专利, 2010, 第 8 作者, 专利号: CN101777424A
（ 56 ） PVDF有机聚合物薄膜电容器, 发明专利, 2010, 第 8 作者, 专利号: CN101752087A
（ 57 ） 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101728403A
（ 58 ） 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法, 发明专利, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101707215A
（ 59 ） 高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101728450A
（ 60 ） 氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构, 实用新型, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN201556629U
（ 61 ） 从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器, 实用新型, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN201812821U
（ 62 ） 背照式碲镉汞长波红外探测器, 实用新型, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN201556621U
（ 63 ） 背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2009, 第 9 作者, 专利号: CN101494244A
（ 64 ） 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2008, 第 8 作者, 专利号: CN101335308A
（ 65 ） 碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法, 发明专利, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101261998A
（ 66 ） 一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法, 发明专利, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101226971A
（ 67 ） 铝镓氮－锆钛酸铅焦平面探测器, 发明专利, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN101211958A
（ 68 ） 平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法, 发明专利, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101170150A
（ 69 ） 半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统, 发明专利, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101169370A
（ 70 ） AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器, 发明专利, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101075647A
（ 71 ） 单片机和多路模拟开关控制的宽温范围高低温循环设备, 发明专利, 2007, 第 5 作者, 专利号: CN1928525A
（ 72 ） 甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法, 发明专利, 2007, 第 3 作者, 专利号: CN1937233A
（ 73 ） 宽温度范围的高低温循环设备中的热传导机构, 发明专利, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1800868A
（ 74 ） 带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器, 发明专利, 2006, 第 7 作者, 专利号: CN1812137A
（ 75 ） 碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片, 发明专利, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN2760760Y
（ 76 ） 气压机自动输液氮装置, 发明专利, 2006, 第 5 作者, 专利号: CN2777341Y
（ 77 ） 宽温度范围的高低温循环设备, 发明专利, 2005, 第 5 作者, 专利号: CN1603778A
（ 78 ） 氮化镓基可见/紫外双色光电探测器, 发明专利, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1598502A
（ 79 ） 带有自动补液氮的红外探测器老化装置, 发明专利, 2004, 第 5 作者, 专利号: CN2613043Y
（ 80 ） 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法, 发明专利, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1288760C
（ 81 ） 碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片, 发明专利, 2003, 第 5 作者, 专利号: CN2529386Y
出版信息
发表论文
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发表著作
（1） 航天红外成像探测器, Infrared Imaging Detectors for Space Applications, 科学出版社, 2016-07, 第 2 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） 紫外探测器, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
（ 2 ） 航天工程用红外探测器研制、航天工程用紫外探测器研制, 负责人, 国家任务, 2015-01--2022-12
（ 3 ） 碲镉汞制冷红外探测器, 负责人, 国家任务, 2023-12--2026-11
（ 2 ） 航天工程用红外探测器研制、航天工程用紫外探测器研制, 负责人, 国家任务, 2015-01--2022-12
（ 3 ） 碲镉汞制冷红外探测器, 负责人, 国家任务, 2023-12--2026-11