基本信息
李向阳  男  博导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: lixy@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市虹口区玉田路500号
邮政编码: 200083

研究领域

研究工作主要集中在窄禁带半导体红外探测器和宽禁带半导体紫外探测器等方面,以研制航天碲镉汞红外探测器和氮化镓基紫外焦平面探测器以及提高其光电性能为主要内容和目标,研究工作覆盖材料、薄膜和芯片工艺及物理、测试和分析、焦平面器件电子学等多个领域,涉及固体物理、半导体物理、材料科学和微电子学器件和工艺等学科知识。

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理
080300-光学工程
招生方向
红外光电子物理,紫外探测器技术,红外光电材料与器件
半导体材料,器件与物理,量子材料与量子调控,薄膜与纳米结构物理
微纳光子学,信息光学中的物理问题

教育背景

1998-07--2000-09   中国科学院上海技术物理研究所   博士后
1992-09--1998-07   山东大学   硕士、博士
1987-09--1991-07   聊城师范学院   学士

工作经历

   
工作简历
2000-09~2022-12,中国科学院上海技术物理研究所, 研究人员
1991-07~1992-08,山东临清一中, 高中教师
社会兼职
2013-12-30-2022-12-31,上海科技大学特聘教授, 研究生导师

教授课程

光电器件

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 新一代星载高精度大气探测光学载荷技术研究集体, 院级, 2017
(2) 星载宽光谱大气垂直探测关键技术(风云三号B星红外分光计), 一等奖, 省级, 2011
专利成果
( 1 ) 一种用于红外宽光谱分光快速测温的碲镉汞光导器件, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110931516A

( 2 ) 一种低成本HgTe三维拓扑材料生长的方法, 发明专利, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN109750358A

( 3 ) 一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件, 实用新型, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207676945U

( 4 ) 一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107978670A

( 5 ) 具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器, 实用新型, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN206282868U

( 6 ) 一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器, 发明专利, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN106449853A

( 7 ) 具有异质结结构的GaN基p型场效应管, 实用新型, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN205376534U

( 8 ) 具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法, 发明专利, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN105514156A

( 9 ) 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器, 实用新型, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN204680670U

( 10 ) 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器及制备方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104882455A

( 11 ) 嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件, 实用新型, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN203883004U

( 12 ) 基于像素级模数转换的紫外焦平面读出电路, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203775318U

( 13 ) 具有五靶头的磁控共溅射设备, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203768449U

( 14 ) 一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件, 发明专利, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103915433A

( 15 ) 一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103855251A

( 16 ) 基于像素级模数转换的紫外焦平面读出电路及其读出方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103856730A

( 17 ) 一种具有五靶头的磁控共溅射设备, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103849843A

( 18 ) 一种改善光谱平整度的红外探测器, 实用新型, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203631575U

( 19 ) 一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法, 发明专利, 2014, 第 11 作者, 专利号: CN103668448A

( 20 ) 一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203456486U

( 21 ) 一种改善光谱平整度的红外探测器结构, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103579406A

( 22 ) 一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103413839A

( 23 ) 用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器, 实用新型, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN203250772U

( 24 ) 一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 实用新型, 2013, 第 8 作者, 专利号: CN203134797U

( 25 ) 无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 发明专利, 2013, 第 8 作者, 专利号: CN103187424A

( 26 ) 一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103165724A

( 27 ) 用于紫外消毒柜的智能监控系统, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103143046A

( 28 ) 早期高压放电小型环境模拟试验箱, 实用新型, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN202975243U

( 29 ) 一种物理刻蚀工艺中的贴片方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103117241A

( 30 ) 一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102729132A

( 31 ) 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器, 实用新型, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN202534671U

( 32 ) 具有双面反射层的碲镉汞光电导探测器的参考元, 实用新型, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN202405296U

( 33 ) 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102593233A

( 34 ) 一种以碲镉汞为基底的薄膜附着力定量测试方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102543791A

( 35 ) 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法, 发明专利, 2012, 第 10 作者, 专利号: CN102392294A

( 36 ) 一种具有双面反射层的碲镉汞红外光电导探测器的参考元, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102354714A

( 37 ) 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器, 实用新型, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN202134542U

( 38 ) 从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器, 实用新型, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN201812821U

( 39 ) 用于紫外消毒柜的智能监控系统, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102266577A

( 40 ) 一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器, 实用新型, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN202054924U

( 41 ) 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102201484A

( 42 ) 一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102181922A

( 43 ) 一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法, 发明专利, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102134491A

( 44 ) 具有参考元结构的碲镉汞红外光电导探测器, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102004002A

( 45 ) 具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器, 发明专利, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101997052A

( 46 ) 具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101976697A

( 47 ) 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101728403A

( 48 ) 氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构, 实用新型, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN201556629U

( 49 ) 背照式碲镉汞长波红外探测器, 实用新型, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN201556621U

( 50 ) PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法, 发明专利, 2010, 第 8 作者, 专利号: CN101777424A

( 51 ) GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法, 发明专利, 2010, 第 10 作者, 专利号: CN101769941A

( 52 ) PVDF有机聚合物薄膜电容器, 发明专利, 2010, 第 8 作者, 专利号: CN101752087A

( 53 ) 高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101728450A

( 54 ) 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法, 发明专利, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101707215

( 55 ) AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器, 发明专利, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100524842

( 56 ) 背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2009, 第 9 作者, 专利号: CN101494244

( 57 ) 甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法, 发明专利, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100461435

( 58 ) 一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法, 发明专利, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101226971

( 59 ) 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法, 发明专利, 2008, 第 8 作者, 专利号: CN101335308

( 60 ) 带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器, null, 2008, 第 7 作者, 专利号: CN100424894

( 61 ) 碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法, 发明专利, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101261998

( 62 ) 宽温度范围的高低温循环设备中的热传导机构, null, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN100401081

( 63 ) 铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器, 发明专利, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN101211958

( 64 ) 平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法, 发明专利, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101170150

( 65 ) 半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统, 发明专利, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101169370

( 66 ) 宽温度范围的高低温循环设备, null, 2008, 第 5 作者, 专利号: CN100359310

( 67 ) 单片机和多路模拟开关控制的宽温范围高低温循环设备, 发明专利, 2007, 第 5 作者, 专利号: CN1928525

( 68 ) 气压机自动输液氮装置, null, 2006, 第 5 作者, 专利号: CN2777341

( 69 ) 碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片, null, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN2760760

( 70 ) 氮化镓基可见/紫外双色光电探测器, 发明专利, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1598502

( 71 ) 带有自动补液氮的红外探测器老化装置, null, 2004, 第 5 作者, 专利号: CN2613043

( 72 ) 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法, 发明专利, 2003, 第 4 作者, 专利号: CN1426115

( 73 ) 碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片, null, 2003, 第 5 作者, 专利号: CN2529386

出版信息

   
发表论文
(1) 一种面向大面阵焦平面阵列的低功耗多功能读出电路设计, A Low Power Multi-Function Readout Circuit for Large Format Focal Plane Array, 半导体光电, 2020, 第 5 作者
(2) Cathodoluminescence(CL) analysis of ZnSe crystal from 350 nm to 850nm at room temperature, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2020, 第 6 作者
(3) 1024×1024 AlGaN紫外焦平面读出电路的超低功耗设计, Design of ultra-low-power readout circuit for 1 024×1 024 UV AlGaN focal plane arrays, 红外与激光工程, 2020, 第 4 作者
(4) 室温350~850nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析, Cathodoluminescence(CL)analysis of ZnSe crystal from 350 nm to 850nm at room temperature, 红外与毫米波学报, 2020, 第 6 作者
(5) GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55μm红外焦平面探测器, GaAs/AlGaAs QWIP IRFPA for 10.55μm long wavelength, 红外与激光工程, 2020, 通讯作者
(6) HgCdTe柔性中波红外探测器放大电路设计及噪声分析, Amplification Circuit Design and Noise Analysis for An HgCdTe Flexible Medium Wave Infrared Detector, 红外技术, 2019, 第 4 作者
(7) 天宫二号ZnTe: Cu晶体生长及能谱分析, Energy spectrum analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity on TG-2 spacecraft, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 5 作者
(8) 盖革模式雪崩光电二极管的主动淬灭电路研究, Research on Active Quenching Circuit of Geiger Mode Avalanche Photodiode, 红外技术, 2019, 第 3 作者
(9) High Resolution Investigation on the NiAu Ohmic Contact to p-AlGaN|GaN Heterostructure, PHYSICS OF THE SOLID STATE, 2019, 第 2 作者
(10) 基于水平集方法的离子束刻蚀碲镉汞的轮廓演变模拟, Simulation of profile evolution in HgCdTe ion beam etching by the level set method, 红外与毫米波学报, 2019, 第 5 作者
(11) Simulation of profile evolution in HgCdTe ion beam etching by the level set method, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 5 作者
(12) 天宫二号ZnTe:Cu晶体生长及能谱分析, Energy spectrum analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity on TG-2 spacecraft, 红外与毫米波学报, 2019, 第 5 作者
(13) 天宫二号ZnTe: Cu晶体生长及能谱分析, Energy spectrum analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity on TG-2 spacecraft, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 5 作者
(14) 天宫二号碲化锌晶体生长, Growth of ZnTe Crystal in Microgravity on Tiangong-2 Spaceship, 空间科学学报, 2018, 第 5 作者
(15) Cathodoluminescence characterization analysis and growth of ZnTe : Cu under Microgravity, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 4 作者
(16) 基于硅雪崩光电二极管的紫外盖革模式电路的研制, Development of Geiger Mode Circuit with Silicon Avalanche Photodiode for Ultraviolet Optical Communication, 红外技术, 2018, 第 3 作者
(17) Reduction of Structural Thermal Resistance for Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Ceramic Substrate via Copper-Filled Thermal Holes, IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, 2018, 第 8 作者
(18) Study of monolithic integrated solar blind GaN-based photodetectors, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2018, 第 6 作者
(19) 微重力ZnTe: Cu晶体生长及阴极荧光光谱(CL)分析, Cathodoluminescence characterization analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 4 作者
(20) 具有低带外响应的640×8元可见盲AlGaN紫外焦平面(英文), 红外与激光工程, 2018, 第 5 作者
(21) 紫外焦平面探测器读出电路抗辐照加固设计, Radiation-Hardened Design for Ultraviolet Focal Plane Array Readout Integrated Circuit, 半导体光电, 2018, 第 5 作者
(22) Modeling of frequency-dependent negative differential capacitance in InGaAs/InP photodiode, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者
(23) 具有低带外响应的640×8元可见盲AIGaN紫外焦平面, Visible blind AIGaN 640×8 pixel ultraviolet focal plane arrays with low out- of- band response, 红外与激光工程, 2018, 第 5 作者
(24) Review of Geostationary Interferometric Infrared Sounder, Review of Geostationary Interferometric Infrared Sounder, 中国光学快报:英文版, 2018, 第 15 作者
(25) AlN gradient interlayer design for the growth of high-quality AlN epitaxial film on sputtered AlN/sapphire substrate, CRYSTENGCOMM, 2018, 其他(合作组作者)
(26) 微重力条件下红外材料的空间生长, Infrared Materials Growth under Microgravity in Space, 空间科学学报, 2018, 第 4 作者
(27) Materials Experiment on Tiangong-2 Space Laboratory, Materials Experiment on Tiangong-2 Space Laboratory, 空间科学学报, 2018, 第 1 作者
(28) Optimization of InGaAs/InAlAs Avalanche Photodiodes, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 第 5 作者
(29) 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟, 半导体光电, 2017, 第 4 作者
(30) Optimization of GaN/InGaN Heterojunction Phototransistor, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 第 4 作者
(31) GaN基紫外探测器读出电路注入效率, Injection efficiency of Ga N based ultraviolet detector readout circuit, 红外与激光工程, 2017, 第 3 作者
(32) Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 第 5 作者
(33) Diode-pumped passively Q-switched Nd:YVO4 laser using a reticularly ordered single-walled carbon nanotube saturable absorber, OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
(34) 子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究, Study of the Dark Current Characteristics of Sub-pixel Structure HgCdTe Photovoltaic Detectors, 红外技术, 2017, 第 2 作者
(35) Electrical characteristics of mid-wavelength hgcdte photovoltaic detectors exposed to gamma irradiation, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 
(36) 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性, Abnormality of Photoresist Mask Exposed to Inductively Coupled Plasma Dry Etching, 半导体光电, 2016, 第 8 作者
(37) 金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究, Study of Vapor Phase Epitaxy Growth of Au-doped Hg_(1-x)Cd_xTe and its Secondary Ion Mass Spectrum, 红外, 2016, 第 7 作者
(38) Anisotropic optical polarization dependence on internal strain in AlGaN epilayer grown on AlxGa1-xN templates, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 9 作者
(39) 二次退火对Au/Ni/Au/Ni/p-AlGaN欧姆接触组织结构的影响, Effect of secondary annealing on the microstructure of Au/Ni/Au/Ni/p-AlGaN ohmic contact, 光电子·激光, 2016, 第 4 作者
(40) Dynamic gamma irradiation effects on mid-wavelength HgCdTe photovoltaic detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 4 作者
(41) AlGaN紫外探测器p电极的Ni/Au/Ni/Au欧姆接触结构研究, Research on Ni/Au/Ni/Au Ohmic Contact Structures of p-AlGaN Ultraviolet Detector, 红外, 2016, 第 4 作者
(42) 中波碲镉汞光伏探测器的实时gamma辐照效应, Dynamic gamma irradiation effects on mid-wavelength HgCdTe photovoltaic detectors, 红外与毫米波学报, 2016, 第 4 作者
(43) 中波碲镉汞光伏探测器的实时gamma辐照效应, Dynamic gamma irradiation effects on mid-wavelength HgCdTe photovoltaic detectors, 红外与毫米波学报, 2016, 第 4 作者
(44) 1.1 MW peak power in doubly QML composite Nd:YVO4/Nd:YVO4/Nd:YVO4/KTP sub-nanosecond green laser with EO and Bi-GaAs, OPTICS EXPRESS, 2016, 第 5 作者
(45) 地平仪用薄膜型红外热敏探测器的制备研究, Research on Fabrication Technologies of Thin Film Infrared Thermistor Detectors for Horizon Sensors, 红外, 2015, 第 2 作者
(46) Improving the aspect ratio of ion beam etched trenches in HgCdTe, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 5 作者
(47) ICPCVD-SiN_x对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究, Study on the ICPCVD-SiN_x Passivation of InGaN Ultraviolet Detector, 半导体光电, 2015, 第 3 作者
(48) 利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性, Characterization of silicon oxide film grown on GaN deposited by ICPCVD, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 3 作者
(49) CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响, Influence of CdZnTe substrateon surface topography of Hg1-x Cdx Te by vapor phase epitaxial, 激光与红外, 2015, 第 9 作者
(50) Growth of Au-doped Hg1-x Cd-x Te epitaxial crystals and its Raman spectrum, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 10 作者
(51) Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能, Growth of Au-doped Hg_(1-x)Cd_x Te epitaxial crystals and its Raman spectrum, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 10 作者
(52) 离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究, Study on electrical properties of ion-beam-etched HgCdTe crystal, ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 第 5 作者
(53) 离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究, 物理学报, 2015, 第 5 作者
(54) 集成浸没透镜结构碲镉汞光伏器件的研制, Development of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Integrated Immersion Lens Structure, 红外, 2015, 第 5 作者
(55) Characterization of silicon oxide film grown on GaN deposited by ICPCVD, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 3 作者
(56) Passive Q-switching with GaAs or Bi-doped GaAs saturable absorber in Tm : LuAG laser operating at 2 mu m wavelength, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 5 作者
(57) Passively Q-switched and mode-locked Nd:GGG laser with a Bi-doped GaAs saturable absorber, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 5 作者
(58) 碲镉汞光导器件振动噪声, Vibration noise in HgCdTe photoconductive devices, 红外与毫米波学报, 2014, 第 5 作者
(59) 利用二次阳极氧化方法降低N型碲镉汞材料表面复合速度, Reducing the surface recombination velocity of N-HgCdTe by second anodization, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 3 作者
(60) Fabrication of low-density GaN/AlN quantum dots via GaN thermal decomposition in MOCVD, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 10 作者
(61) Vibration noise in HgCdTe photoconductive devices, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 5 作者
(62) AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究, Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 6 作者
(63) Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 7 作者
(64) 海面溢油紫外推扫相机航空遥感监测校飞结果分析, Analysis of Experimental Results From Airborne Remote Sensing Monitoring of Oceanic Oil Spill by Using Ultraviolet Push-Broom Camera (UPC), 海洋科学进展, 2014, 第 5 作者
(65) AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究, Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 6 作者
(66) Study of gain and photoresponse characteristics for back-illuminated separate absorption and multiplication GaN avalanche photodiodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 7 作者
(67) Performance improvement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes by using staggered quantum wells, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2014, 第 6 作者
(68) GaN基雪崩光电二极管及其研究进展, GaN-based avalanche photodiodes and its recent development, 红外与激光工程, 2014, 第 5 作者
(69) 金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究, Growth and Raman spectrum of Au-doped Hg1-xCdxTe epitaxial crystals, 红外与激光工程, 2014, 第 7 作者
(70) Diode-pumped passively Q-switched Nd:GGG laser with a Bi-doped GaAs semiconductor saturable absorber, OPTICS COMMUNICATIONS, 2014, 第 5 作者
(71) 干湿结合法在CdZnTe衬底上制备折射型红外微透镜的研究, Study on Infrared Refractive Micro-lens Prepared by Dry and Wet Etching on Cdznte Substrate, 半导体光电, 2014, 第 7 作者
(72) 离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度, Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe, 红外与毫米波学报, 2014, 第 8 作者
(73) The effects of substrate nitridation on the growth of nonpolar alpha-plane GaN on r-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 13 作者
(74) 一种低功耗GaN基紫外焦平面读出电路设计, Design of a Low-power Readout Circuit for GaN-based UV FPA, 科学技术与工程, 2013, 第 4 作者
(75) 结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究, Novel solar-blind photodetector using AlGaN in combination with a PVDF film, 红外与激光工程, 2013, 第 6 作者
(76) Electrical properties of a MIS structure consisting of AOF/ZnS and LWIR HgCdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 5 作者
(77) 空间微重力汽相生长CdZnTe的研究进展, Research Advances in Vapor Phase Growth of CdZnTe under Microgravity, 红外, 2013, 第 2 作者
(78) HgCdTe轴温探测器噪声的温度特性研究, Study on temperature characteristic of noise of HgCdTe shaft temperature detector, 传感器与微系统, 2013, 第 4 作者
(79) 日盲型AlGaN pin串联紫外探测器, AlGaN pin Solar-blind Series Connection Ultraviolet Detectors, 半导体光电, 2013, 第 4 作者
(80) Temperature and frequency dependence of negative differential capacitance in a planar GaN-based p-i-n photodetector, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 第 6 作者
(81) 表面处理工艺对于N型HgCdTe材料和光导器件的影响, The difference between etching bromine and polishing on HgCdTe material and photoconductive detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 3 作者
(82) 一种便携式电晕检测紫外相机的设计, Design of a Portable UV Camera for Corona Detection, 红外, 2013, 第 5 作者
(83) 两种不同方法测试HgCdTe材料少数载流子寿命, Minority carrier lifetime of HgCdTe measured by two different methods, 红外与激光工程, 2012, 第 6 作者
(84) 航天先进红外探测器组件技术及应用, Advanced technology and application of spaceborne infrared detectors, 红外与激光工程, 2012, 第 3 作者
(85) 紫外光通信误码率测试系统设计, Design of BER Measurement System for UV Communication, 半导体光电, 2012, 第 3 作者
(86) 中波HgCdTe光导探测器组件的故障树和失效研究, Study on HgCdTe Detector Assemble Fault Tree and Failure Analysis, 半导体光电, 2012, 第 5 作者
(87) HgCdTe材料的溴-甲醇抛光工艺研究, Study on Bromine-Methanol Polishing Process of HgCdTe Wafers, 半导体光电, 2012, 第 3 作者
(88) 平面型GaN p-n结探测器的制备与性能, Fabrication and properties of planar GaN p-n detector, 红外与毫米波学报, 2011, 第 5 作者
(89) Dependence of dark current and photoresponse characteristics on polarization charge density for GaN-based avalanche photodiodes, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 第 6 作者
(90) “弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究, Study of Mobility Spectra of Slight p-Type and Low Mobility n-Type Bulk HgCdTe Materials, 红外, 2011, 第 8 作者
(91) h A compact signal transmitter for UV communication system, 3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 2011, 
(92) Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长及太赫兹性能研究, Growth and terahertz characterization of Hg_(1-x)Cd_x Te crystal, 红外与毫米波学报, 2011, 第 8 作者
(93) Fabrication and properties of planar GaN p-n detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 5 作者
(94) 弱p型碲镉汞材料和陷阱模式光导探测器, Slight p-Type HgCdTe and Trapping-Mode Photoconductive HgCdTe Detectors, 激光与光电子学进展, 2011, 第 8 作者
(95) Growth and terahertz characterization of Hg1-x Cd-x Te crystal, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 8 作者
(96) 光电器件薄膜附着力评价方法的研究进展, Recent Progress in Evaluation of Thin Film Adhesion in Optoelectronic Devices, 红外, 2011, 第 8 作者
(97) Study on p-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 8 作者
(98) Influence of hydrogenation on the dark current mechanism of HgCdTe photovoltaic detectors, Influence of hydrogenation on the dark current mechanism of HgCdTe photovoltaic detectors, 半导体学报, 2010, 第 4 作者
(99) 紫外DPS中DA控制器的NiosⅡ-IP核设计与实现, Design and implementation of DAC controller IP core based on NiosⅡ for UV DPS, 激光与红外, 2010, 第 5 作者
(100) STUDY ON gamma IRRADIATION EFFECTS OF LONG-WAVELENGTH HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS WITH DIFFERENT PASSIVATE LAYERS, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 6 作者
(101) 正、背照射日盲型肖特基探测器, Solar-blind GaN-based Schottky diodes with front and back illumination, 红外与激光工程, 2010, 第 3 作者
(102) GaN基肖特基器件中的反常电容特性, ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES, 红外与毫米波学报, 2010, 第 4 作者
(103) 紫外DPS中DA控制器的NiosII-IP核设计与实现, Design and implementation of DAC controller IP core based on NiosII for UV DPS, 激光与红外, 2010, 第 5 作者
(104) 不同钝化层结构的长波碲镉汞光伏探测器的γ辐照效应, STUDY ON γ IRRADIATION EFFECTS OF LONG-WAVELENGTH HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS WITH DIFFERENT PASSIVATE LAYERS, 红外与毫米波学报, 2010, 第 1 作者
(105) Influence of hydrogenation on the dark current mechanism of HgCdTe photovoltaic detectors, Influence of hydrogenation on the dark current mechanism of HgCdTe photovoltaic detectors, 半导体学报, 2010, 第 1 作者
(106) ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 4 作者
(107) Fabrication and characterization of an A1GaN/PZT detector, Fabrication and characterization of an A1GaN/PZT detector, 半导体学报, 2010, 第 6 作者
(108) GaN基紫外数字像素光电传感器设计与实现, Design and implementation of GaN-based UV digital pixel sensor, 激光与红外, 2010, 第 5 作者
(109) 日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性, Capacitance characteristics of solar-blind AlGaN PIN UV detector, 红外与激光工程, 2010, 第 5 作者
(110) KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响, The effect of KOH solution process on dark current of AlGaN ultraviolet photodetectors, 光电子.激光, 2009, 第 5 作者
(111) Effects of the intrinsic layer width on the band-to-band tunneling current in p-i-n GaN-based avalanche photodiodes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2009, 第 8 作者
(112) GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究, Transmission Spectra of GaN and AIGaN Films, 光子学报, 2009, 第 4 作者
(113) γ辐射对碲镉汞光伏探测器的暂态损伤与永久损伤, Transient and permanent defects of HgCdTe photovoltaic detectors by γ irradiation, 激光与红外, 2009, 第 6 作者
(114) 新型的AlGaN/PZT材料紫外/红外双波段探测器, New AlGaN/PZT ultraviolet/infrared dual-band detector, 红外与激光工程, 2009, 第 6 作者
(115) STUDY OF RELIABLE PACKAGING FOR IRFPA DETECTOR, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2009, 第 8 作者
(116) 512元GaN基紫外线列阵探测器信息获取技术, Information acquisition technology of the 512 pixels GaN based UV Linear Detector, 红外与激光工程, 2009, 第 6 作者
(117) The effect of incident laser energy on pulsed laser deposition of HgCdTe films, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2009, 第 4 作者
(118) 红外焦平面可靠性封装技术, STUDY OF RELIABLE PACKAGING FOR IRFPA DETECTOR, 红外与毫米波学报, 2009, 第 8 作者
(119) GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件, GaN-based 512×1 Ultroviolet linear Focal Plane Arrays, 光学学报, 2009, 第 7 作者
(120) 碲镉汞光伏型探测器的变面积氢化研究, STUDY ON VARIABLE-AREA HYDROGENATION OF HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS, 红外与毫米波学报, 2008, 第 5 作者
(121) Real-time study of gamma irradiation on Hg1-x Cd-x Te focal plane photodiodes, ACTA PHYSICA SINICA, 2008, 第 7 作者
(122) Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究, Cl2/Ar/BCl3 Inductively Coupled Plasma-induced Etch Damage of AIGaN, 固体电子学研究与进展, 2008, 第 4 作者
(123) GaN紫外焦平面CTIA结构读出电路小面积设计及仿真, Small Pixel Area FPA ROIC with CTIA Design of GaN UV Structure and Simulation, 激光与红外, 2008, 第 3 作者
(124) GaN基紫外探测器的电子辐照效应, Effect of electron irradiation on the GaN-based p-i-n UV detector, 红外与激光工程, 2008, 第 4 作者
(125) GaN肖特基器件电学性质的模拟研究, Numerical Modeling of Electric Characteristics of GaN-based Schottky Device, 激光与红外, 2008, 第 4 作者
(126) Development of solar-blind AlGaN 128×128 Ultraviolet Focal Plane Arrays, Science in China. Series E: Technological Sciences, 2008, 第 4 作者
(127) Development of solar-blind AlGaN 128x128 ultraviolet focal plane arrays, SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2008, 第 4 作者
(128) 光导型碲镉汞探测器的氢化研究, Hydrogenation on HgCdTe photoconductive detectors, 红外与激光工程, 2008, 第 4 作者
(129) STUDY ON VARIABLE-AREA HYDROGENATION OF HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2008, 第 4 作者
(130) 碲镉汞焦平面光伏器件的实时γ辐照效应研究, Real-time study of γ irradiation on Hg1-xCdxTe focal plane photodiodes, 物理学报, 2008, 第 7 作者
(131) Surface passivation of variable-area HgCdTe photovoltaic detectors, Surface passivation of variable-area HgCdTe photovoltaic detectors, Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 第 4 作者
(132) AlGaN/GaN P-I-N紫外探测器的电子辐照效应, Effect of Electron Irradiation on the AlGaN/GaN P-I-N UV Detector, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
(133) 碲镉汞霍耳测试副效应及其与组分的关系, Vice-effects on Hall measurements in Hg1-xCdxTe samples and relations with the composition of Cd, 红外与激光工程, 2007, 第 3 作者
(134) Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀AlGaN的研究, Study of ICP Etching of AIGaN with Cl2/Ar/BCl3, 微纳电子技术, 2007, 第 5 作者
(135) Study of hydrogenation on HgCdTe photovoltaic detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2007, 第 4 作者
(136) 氮化镓基雪崩光电二极管的研制, Fabrication and Device Characteristics of GaN-based Avalanche Photodiodes, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
(137) 非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象, Negative Persistent Photoconductivity in Unintentionally Doped n-Type GaN, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(138) AlGaN/GaN异质结紫外探测器, 红外与激光工程, 2007, 第 6 作者
(139) 低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响, Effects of annealing on HgCdTe detectors after γ irradiation, 强激光与粒子束, 2007, 第 3 作者
(140) 紫外双光谱演示成像系统设计, Multi-UV-spectrums Demo Imaging System Design, 激光与红外, 2007, 第 6 作者
(141) 不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究, Study of Hydrogenation on HgCdTe Photoconductive Detectors Passivated with Different Dielectrics, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
(142) 碲镉汞红外探测器高低温循环特性研究, Study on the Thermal Cycle Characteristic of HgCdTe Detector, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
(143) 航天红外探测器温度循环自动控制系统, Automatic Thermal Cycle System for Space Borne Infrared Detectors, 微计算机信息, 2007, 第 5 作者
(144) 高性能背照式GaN/AIGaNP-i-n紫外探测器的制备与性能, Fabrication and characterization of back-illuminated GaN/AIGaN p A-n UV detectors with high performance, 红外与激光工程, 2007, 第 5 作者
(145) 表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响, Influence of Second Anodization on Characteristics of HgCdTe Photoconductive Detectors, 半导体光电, 2007, 第 7 作者
(146) 紫外线列探测器的演示成像系统, Demo imaging system based on UV linear detectors, 红外与激光工程, 2007, 第 2 作者
(147) 碲镉汞光伏型探测器的氢化处理研究, STUDY OF HYDROGENATION ON HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS, 红外与毫米波学报, 2007, 第 3 作者
(148) GaN基紫外探测器及其研究进展, GaN based ultraviolet detectors and its recent development, 红外与激光工程, 2006, 第 1 作者
(149) 碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析, Chemical structure of HgCdTe-anodic oxide, 红外与激光工程, 2006, 第 3 作者
(150) HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究, Study of plasma treatment on multi-layer film for HgCdTe photovoltaic detector, 光学仪器, 2006, 第 7 作者
(151) 微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性, 半导体光电, 2006, 第 5 作者
(152) Study on oxidation order of the different elements in anodic native oxide of HgCdTe, CONFERENCE DIGEST OF THE 2006 JOINT 31ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED AND MILLIMETER WAVES AND 14TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON TERAHERTZ ELECTRONICS, 2006, 
(153) Effects of tensile stress induced by SiO2 passivation layer on the properties of AlGaN/GaN heterostructure photodiode, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 第 5 作者
(154) 空间用紫外探测及A lGaN探测器的研究进展, 激光与红外, 2006, 第 10 作者
(155) 快照模式紫外焦平面读出电路电容优化设计, Optimal design of capacitors in readout integrated circuit for snapshot UV FPA, 红外与激光工程, 2006, 第 3 作者
(156) 可见光对GaN基紫外焦平面读出电路的影响, Effect of Visible Light on Readout Integrated Circuit for GaN-based UV Focal Plane Array, 半导体光电, 2006, 第 4 作者
(157) 背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能, 激光与红外, 2006, 第 9 作者
(158) Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备, Epitaxial growth of Ge graded Si1-x-yGexCy alloy film on Si(100) by chemical vapor deposition, 材料研究学报, 2006, 第 4 作者
(159) Reduction of ohmic contact resistivity on p-GaN using N-2 plasma surface treatment at room temperature, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2006, 第 5 作者
(160) 氮化镓基薄膜材料的测试和评价, 激光与红外, 2006, 第 1 作者
(161) AlGaN材料金属接触的性能和界面结构研究, The Properties and Interface Microstructure of AlGaN Contacts to Metals, 激光与红外, 2005, 第 6 作者
(162) AlGaN材料的MOCVD生长研究, AlCaN Films Grown on C-plane Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, 激光与红外, 2005, 第 4 作者
(163) 低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响, 红外与激光工程, 2005, 第 5 作者
(164) GaN外延膜的红外椭偏光谱研究, GaN epilayer by infrared spectroscopic ellipsometry, 红外与激光工程, 2005, 第 2 作者
(165) MOCVD系统中AlN生长速率的研究, Effect of Parasitic Reaction on the Growth Rate of AIN by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, 激光与红外, 2005, 第 4 作者
(166) 1MeV电子辐照对短波Hg1-xCdxTe光伏探测器的影响, 强激光与粒子束, 2005, 第 4 作者
(167) 快速热退火对Ti/Al—GaN接触的影响, Effect of Rapid Thermal Annealing on Ti/Al-GaN Contacts, 半导体学报, 2004, 第 4 作者
(168) 1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响, 红外与毫米波学报, 2004, 第 4 作者
(169) GaN紫外探测器的Ti/Al接触的电学特性, Electrical properties of Ti/Al contacts on GaN UV detector, 红外与激光工程, 2004, 第 5 作者
(170) 有自动补液氮功能的红外探测器老化装置, 科技开发动态, 2004, 第 5 作者
(171) 激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响, Changes of the electric parameters of LWIR GgCdTe PC detector by laser irradiation, 红外与激光工程, 2002, 第 3 作者
(172) 碲镉汞p—on—n光伏器件优化掺杂的理论计算, 红外与毫米波学报, 2002, 第 1 作者
(173) 激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响, 功能材料与器件学报, 2000, 第 2 作者
(174) 离子注入碲镉汞迁移率谱的研究, 红外与激光工程, 2000, 第 1 作者
(175) 砷注入碲镉汞的激光退火, 红外技术, 2000, 第 2 作者
(176) 砷离子注入体材料碲镉汞的二次离子质谱分析, 红外与毫米波学报, 2000, 第 3 作者
(177) γ辐照室温短波HgCdTe光伏器件的导纳谱研究, 物理学报, 1999, 第 1 作者
(178) 砷注入碲镉汞P—on—N结的电流电压特性, 红外与激光工程, 1999, 第 5 作者
(179) 质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究, 功能材料与器件学报, 1999, 第 6 作者
(180) 短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响, 红外与毫米波学报, 1999, 第 7 作者
(181) 低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究, 红外与毫米波学报, 1998, 第 3 作者
(182) 利用Hg1—xCdxTe本征区反射峰确定其截止波数和组分, 红外与毫米波学报, 1998, 第 1 作者
发表著作
(1) 航天红外成像探测器, Infrared Imaging Detectors for Space Applications, 科学出版社, 2016-07, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 紫外探测器, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
( 2 ) 航天工程用红外探测器研制、航天工程用紫外探测器研制, 负责人, 国家任务, 2015-01--2022-12