研究工作主要集中在窄禁带半导体红外探测器和宽禁带半导体紫外探测器等方面，以研制航天碲镉汞红外探测器和氮化镓基紫外焦平面探测器以及提高其光电性能为主要内容和目标，研究工作覆盖材料、薄膜和芯片工艺及物理、测试和分析、焦平面器件电子学等多个领域，涉及固体物理、半导体物理、材料科学和微电子学器件和工艺等学科知识。

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080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理
080300-光学工程

红外光电材料与器件,紫外和可见光电探测器技术,专用集成电路技术
半导体材料,器件与物理，量子材料与量子调控，薄膜与纳米结构物理
微纳光子学，信息光学中的物理问题

1998-07--2000-09   中国科学院上海技术物理研究所   博士后
1992-09--1998-07   山东大学   硕士、博士
1987-09--1991-07   聊城师范学院   学士

   

2000-09~2022-12,中国科学院上海技术物理研究所, 研究人员
1991-07~1992-08,山东临清一中, 高中教师

2013-12-29-2024-05-24,上海科技大学特聘教授, 研究生导师

光电器件

   

（1） 红外微分探测器：超越BLIP极限的新模式, Infrared Differential Detectors:A New Paradigm Beyond the Limits of BLIP, 红外, 2025, 第 2 作者
（2） High-sensitivity GaN UV photodetector integrated with graphene, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2025, 第 13 作者
（3） 基于光频转换实现室温中波碲镉汞探测器大动态范围读出, Large-Dynamic-Range Readout for Room-Temperature Mid-Wave HgCdTe Detectors Using Light-to-Frequency Converters, 半导体光电, 2025, 第 3 作者
（4） 基于谐波测试法的光导探测器阻抗非线性研究, Photoconductive Impedance Nonlinearity Testing Using the Harmonic Method, 半导体光电, 2024, 第 3 作者
（5） Performance Optimization of Hg 1-x Cd x Te Photovoltaic Detectors Under Strong Illumination Considering Temperature and Wavelength Dependencies, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2024, 第 7 作者
（6） 主成分分析及聚类方法在碲镉汞晶片参数判别中的应用研究, Application of principal component analysis and clustering methods in the discrimination of parameters in HgCdTe crystals, 红外与毫米波学报, 2024, 第 3 作者
（7） 碲镉汞红外探测器前置放大电路低温稳定性研究, Low-Temperature Stability of Preamplifier Circuits for HgCdTe Infrared Detectors, 半导体光电, 2024, 第 6 作者
（8） 一种多档位自适应CMOS探测器的设计与性能测试, Design and Performance Testing of a Multi⁃level Adaptive CMOS Detector, 光电子技术, 2024, 第 2 作者
（9） 基于低温积分球的中红外陷阱探测器技术, Mid-infrared trap detector technology based on cryogenic integrating sphere, 应用光学, 2024, 第 5 作者
（10） 改进碲镉汞液相外延方法原位生长正组分梯度薄膜材料, Improved liquid phase epitaxy method for in-situ growth of HgCdTe with positive composition gradient, 红外与毫米波学报, 2024, 第 10 作者
（11） Multi-Physics Field Based Simulation on the Response and Saturation Properties of Hg 1-x Cd x Te Based Photovoltaic Detectors With Composition Gradients, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2024, 第 8 作者
（12） CMOS探测器自适应信号读出技术研究, Adaptive Signal Readout Technology for CMOS Detectors, 半导体光电, 2024, 第 3 作者
（13） 具有组分梯度的HgCdTe探测器在激光测量中的潜在应用, Potential application of HgCdTe detector with composition gradient in laser measurement, 应用光学, 2024, 第 9 作者
（14） Experimental identification of defect-induced destructive breakdown of AlGaN ultraviolet avalanche photodiodes, AIP ADVANCES, 2024, 第 4 作者  通讯作者
（15） 碲镉汞光导器件在风云气象卫星中的应用, 激光与红外, 2023, 第 8 作者
（16） Effect of the grating shape on the response spectrum of quantum well infrared detector focal plane array, OPTICS COMMUNICATIONS, 2023, 第 4 作者
（17） 室温中波红外碲镉汞探测器激光辐照饱和特性的仿真, Simulation on the saturation properties of room-temperature mid-wave infrared HgCdTe detectors, 红外与毫米波学报, 2023, 第 1 作者
（18） 碲锌镉衬底晶面极性对水平液相外延碲镉汞薄膜的影响, Effect of polarity of CdZnTe substrate on slider liquid phase epitaxy of HgCdTe, 红外与毫米波学报, 2023, 第 8 作者
（19） 小像元量子阱FPA抗光学串音的FDTD仿真, FDTD Simulation of the Performance on Anti-optical Crosstalk of Small Pixel Quantum Well Focal Plane Array, 半导体光电, 2023, 第 3 作者
（20） 具有组分梯度的HgCdTe探测器光电特性, Photoelectric characteristics of compositionally graded HgCdTe detector, 红外与毫米波学报, 2023, 第 10 作者
（21） 大气环境监测卫星宽幅成像仪高性能碲镉汞红外探测芯片, High Performance HgCdTe Infrared Detectors for Wide Swath Imager Instrument Onboard DQ-1 Satellite, 上海航天(中英文), 2023, 第 8 作者
（22） 碲镉汞线列光导器件的失效模式及原因分析, Failure modes and analysis for HgCdTe linear photoconductive detectors, 红外与毫米波学报, 2022, 第 18 作者
（23） 基于梯度能带结构的高速非制冷中波红外HgCdTe探测器, High speed uncooled MWIR infrared HgCdTe photodetector based on graded bandgap structure, 红外与毫米波学报, 2022, 第 4 作者
（24） 不同深宽比GaAs衬底的Al_（2）O_（3）/HfO_（2）复合薄膜材料原子层沉积及能谱分析, ALD Deposition and Energy Dispersive Spectrum Analysis of Al_(2)O_(3)/HfO_(2) Composite Films on GaAs Substrates with Different Aspect Ratios, 红外, 2021, 第 5 作者
（25） 具有绝热结构的高性能锰钴镍氧热敏探测器的制备及特性研究, Fab rication and Characterization of Infrared Bolometer Based on Mn-Co-Ni-O Thin Films with Thermal Isolation Structure, 半导体光电, 2021, 第 6 作者
（26） 利用AlGaN薄膜透射谱提取材料参数的研究, Extraction of Material Parameters by Transmission Spectra of AlGaN Film, 光学学报, 2021, 第 4 作者
（27） 一种面向大面阵焦平面阵列的低功耗多功能读出电路设计, A Low Power Multi-Function Readout Circuit for Large Format Focal Plane Array, 半导体光电, 2020, 第 5 作者
（28） 1024×1024 AlGaN紫外焦平面读出电路的超低功耗设计, Design of ultra-low-power readout circuit for 1 024×1 024 UV AlGaN focal plane arrays, 红外与激光工程, 2020, 第 4 作者
（29） 室温350~850 nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析, Cathodoluminescence(CL) analysis of ZnSe crystal from 350 nm to 850nm at room temperature, 红外与毫米波学报, 2020, 第 6 作者
（30） GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55μm红外焦平面探测器, GaAs/AlGaAs QWIP IRFPA for 10.55μm long wavelength, 红外与激光工程, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（31） HgCdTe柔性中波红外探测器放大电路设计及噪声分析, Amplification Circuit Design and Noise Analysis for An HgCdTe Flexible Medium Wave Infrared Detector, 红外技术, 2019, 第 4 作者
（32） 盖革模式雪崩光电二极管的主动淬灭电路研究, Research on Active Quenching Circuit of Geiger Mode Avalanche Photodiode, 红外技术, 2019, 第 3 作者
（33） High Resolution Investigation on the NiAu Ohmic Contact to p-AlGaN|GaN Heterostructure, PHYSICS OF THE SOLID STATE, 2019, 第 2 作者
（34） 基于水平集方法的离子束刻蚀碲镉汞的轮廓演变模拟, Simulation of profile evolution in HgCdTe ion beam etching by the level set method, 红外与毫米波学报, 2019, 第 5 作者
（35） 天宫二号ZnTe：Cu晶体生长及能谱分析, Energy spectrum analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity on TG-2 spacecraft, 红外与毫米波学报, 2019, 第 5 作者
（36） 微重力条件下红外材料的空间生长, Infrared Materials Growth under Microgravity in Spaceormalsize, 空间科学学报, 2018, 第 4 作者
（37） Materials Experiment on Tiangong-2 Space Laboratory, Materials Experiment on Tiangong-2 Space Laboratory, 空间科学学报, 2018, 第 1 作者
（38） ESD design of radiation-hardened for UV AlGaN focal plane arrays readout circuit, OPTICAL SENSING AND IMAGING TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS, 2018, 第 6 作者
（39） 天宫二号碲化锌晶体生长, Growth of ZnTe Crystal in Microgravity on Tiangong-2 Spaceshipormalsize, 空间科学学报, 2018, 第 5 作者
（40） Cathodoluminescence characterization analysis and growth of ZnTe : Cu under Microgravity, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 4 作者
（41） AlGaN基日盲紫外探测器成像系统设计与实现, 光学与光电技术, 2018, 第 6 作者
（42） 基于硅雪崩光电二极管的紫外盖革模式电路的研制, Development of Geiger Mode Circuit with Silicon Avalanche Photodiode for Ultraviolet Optical Communication, 红外技术, 2018, 第 3 作者
（43） Reduction of Structural Thermal Resistance for Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Ceramic Substrate via Copper-Filled Thermal Holes, IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, 2018, 第 8 作者
（44） Study of monolithic integrated solar blind GaN-based photodetectors, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2018, 第 6 作者
（45） 微重力ZnTe： Cu晶体生长及阴极荧光光谱（CL）分析, Cathodoluminescence characterization analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 4 作者
（46） 具有低带外响应的640×8元可见盲AlGaN紫外焦平面（英文）, 红外与激光工程, 2018, 第 5 作者
（47） 紫外焦平面探测器读出电路抗辐照加固设计, Radiation-Hardened Design for Ultraviolet Focal Plane Array Readout Integrated Circuit, 半导体光电, 2018, 第 5 作者
（48） Modeling of frequency-dependent negative differential capacitance in InGaAs/InP photodiode, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者
（49） 具有低带外响应的640×8元可见盲AIGaN紫外焦平面, Visible blind AIGaN 640×8 pixel ultraviolet focal plane arrays with low out- of- band response, 红外与激光工程, 2018, 第 5 作者
（50） Review of Geostationary Interferometric Infrared Sounder, Review of Geostationary Interferometric Infrared Sounder, 中国光学快报：英文版, 2018, 第 15 作者
（51） AlN gradient interlayer design for the growth of high-quality AlN epitaxial film on sputtered AlN/sapphire substrate, CRYSTENGCOMM, 2018, 第 12 作者
（52） Optimization of InGaAs/InAlAs Avalanche Photodiodes, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 第 5 作者
（53） 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟, Fabrication and Numerical Simulation of Back-Illuminated InGaN Ultraviolet Photodetector, 半导体光电, 2017, 第 5 作者
（54） Optimization of GaN/InGaN Heterojunction Phototransistor, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 第 4 作者
（55） GaN基紫外探测器读出电路注入效率, Injection efficiency of Ga N based ultraviolet detector readout circuit, 红外与激光工程, 2017, 第 3 作者
（56） Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector, OPTICALANDQUANTUMELECTRONICS, 2017, 第 5 作者
（57） Diode-pumped passively Q-switched Nd:YVO4 laser using a reticularly ordered single-walled carbon nanotube saturable absorber, OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
（58） 子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究, Study of the Dark Current Characteristics of Sub-pixel Structure HgCdTe Photovoltaic Detectors, 红外技术, 2017, 第 2 作者
（59） 化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究, Study of the sub-surface damage of HgCdTe induced by chemical-mechanical polishing method, 红外与激光工程, 2016, 第 7 作者
（60） Electrical characteristics of mid-wavelength hgcdte photovoltaic detectors exposed to gamma irradiation, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 
（61） 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性, Abnormality of Photoresist Mask Exposed to Inductively Coupled Plasma Dry Etching, 半导体光电, 2016, 第 8 作者
（62） Anisotropic optical polarization dependence on internal strain in AlGaN epilayer grown on AlxGa1-xN templates, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 9 作者
（63） 金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究, Study of Vapor Phase Epitaxy Growth of Au-doped Hg_(1-x)Cd_xTe and its Secondary Ion Mass Spectrum, 红外, 2016, 第 7 作者
（64） 二次退火对Au/Ni/Au/Ni/p-AlGaN欧姆接触组织结构的影响, Effect of secondary annealing on the microstructure of Au/Ni/Au/Ni/p-AlGaN ohmic contact, 光电子·激光, 2016, 第 4 作者
（65） AlGaN紫外探测器p电极的Ni/Au/Ni/Au欧姆接触结构研究, Research on Ni/Au/Ni/Au Ohmic Contact Structures of p-AlGaN Ultraviolet Detector, 红外, 2016, 第 4 作者
（66） 中波碲镉汞光伏探测器的实时gamma辐照效应, Dynamic gamma irradiation effects on mid-wavelength HgCdTe photovoltaic detectors, 红外与毫米波学报, 2016, 第 4 作者
（67） 中波碲镉汞光伏探测器的实时gamma辐照效应, Dynamic gamma irradiation effects on mid-wavelength HgCdTe photovoltaic detectors, 红外与毫米波学报, 2016, 第 4 作者
（68） 1.1 MW peak power in doubly QML composite Nd:YVO4/Nd:YVO4/Nd:YVO4/KTP sub-nanosecond green laser with EO and Bi-GaAs, OPTICS EXPRESS, 2016, 第 5 作者
（69） Analysis and Design of Low Noise Column Stage in CMOS ROIC for UV GaN Focal Plane Array, SELECTED PAPERS FROM CONFERENCES OF THE PHOTOELECTRONIC TECHNOLOGY COMMITTEE OF THE CHINESE SOCIETY OF ASTRONAUTICS 2014, PT I, 2015, 第 7 作者
（70） Improving the aspect ratio of ion beam etched trenches in HgCdTe, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 5 作者
（71） ICPCVD-SiN_x对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究, Study on the ICPCVD-SiNx Passivation of InGaN Ultraviolet Detector, 半导体光电, 2015, 第 3 作者
（72） 地平仪用薄膜型红外热敏探测器的制备研究, Research on Fabrication Technologies of Thin Film Infrared Thermistor Detectors for Horizon Sensors, 红外, 2015, 第 2 作者
（73） 利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性, Characterization of silicon oxide film grown on GaN deposited by ICPCVD, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 3 作者
（74） CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响, Influence of CdZnTe substrateon surface topography of Hg1-x Cdx Te by vapor phase epitaxial, 激光与红外, 2015, 第 9 作者
（75） Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能, Growth of Au-doped Hg_(1-x)Cd_x Te epitaxial crystals and its Raman spectrum, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 10 作者
（76） Growth of Au-doped Hg1-x Cd-x Te epitaxial crystals and its Raman spectrum, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 10 作者
（77） 离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究, Study on electrical properties of ion-beam-etched HgCdTe crystal, ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 第 5 作者
（78） 离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究, Study on electrical properties of ion-beam-etched HgCdTe crystal, 物理学报, 2015, 第 5 作者
（79） 集成浸没透镜结构碲镉汞光伏器件的研制, Development of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Integrated Immersion Lens Structure, 红外, 2015, 第 5 作者
（80） Characterization of silicon oxide film grown on GaN deposited by ICPCVD, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 3 作者
（81） Passive Q-switching with GaAs or Bi-doped GaAs saturable absorber in Tm : LuAG laser operating at 2 mu m wavelength, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 5 作者
（82） 海面溢油紫外推扫相机航空遥感监测校飞结果分析, Analysis of Experimental Results From Airborne Remote Sensing Monitoring of Oceanic Oil Spill by Using Ultraviolet Push-Broom Camera (UPC), 海洋科学进展, 2014, 第 5 作者
（83） AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究, Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 6 作者
（84） Study of gain and photoresponse characteristics for back-illuminated separate absorption and multiplication GaN avalanche photodiodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 7 作者
（85） Performance improvement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes by using staggered quantum wells, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2014, 第 6 作者
（86） 金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究, Growth and Raman spectrum of Au-doped Hg1-xCdxTe epitaxial crystals, 红外与激光工程, 2014, 第 7 作者
（87） GaN基雪崩光电二极管及其研究进展, GaN-based avalanche photodiodes and its recent development, 红外与激光工程, 2014, 第 5 作者
（88） 干湿结合法在CdZnTe衬底上制备折射型红外微透镜的研究, Study on Infrared Refractive Micro-lens Prepared by Dry and Wet Etching on Cdznte Substrate, 半导体光电, 2014, 第 7 作者
（89） Diode-pumped passively Q-switched Nd:GGG laser with a Bi-doped GaAs semiconductor saturable absorber, OPTICS COMMUNICATIONS, 2014, 第 5 作者
（90） 离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度, Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe, 红外与毫米波学报, 2014, 第 8 作者
（91） The effects of substrate nitridation on the growth of nonpolar alpha-plane GaN on r-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 13 作者
（92） Electron Transport in CdSe Nanoribbons Measured by Terahertz Spectroscopy, INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOSCIENCE, 2014, 第 3 作者
（93） Passively Q-switched and mode-locked Nd:GGG laser with a Bi-doped GaAs saturable absorber, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 5 作者
（94） 碲镉汞光导器件振动噪声, Vibration noise in HgCdTe photoconductive devices, 红外与毫米波学报, 2014, 第 5 作者
（95） 利用二次阳极氧化方法降低N型碲镉汞材料表面复合速度, Reducing the surface recombination velocity of N-HgCdTe by second anodization, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 3 作者
（96） AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究, Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 6 作者
（97） Vibration noise in HgCdTe photoconductive devices, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 5 作者
（98） Fabrication of low-density GaN/AlN quantum dots via GaN thermal decomposition in MOCVD, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 10 作者
（99） Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 7 作者
（100） 一种低功耗GaN基紫外焦平面读出电路设计, Design of a Low-power Readout Circuit for GaN-based UV FPA, 科学技术与工程, 2013, 第 4 作者
（101） 结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究, Novel solar-blind photodetector using AlGaN in combination with a PVDF film, 红外与激光工程, 2013, 第 6 作者
（102） Electrical properties of a MIS structure consisting of AOF/ZnS and LWIR HgCdTe film, JOURNALOFINFRAREDANDMILLIMETERWAVES, 2013, 第 5 作者
（103） 空间微重力汽相生长CdZnTe的研究进展, Research Advances in Vapor Phase Growth of CdZnTe under Microgravity, 红外, 2013, 第 2 作者
（104） HgCdTe轴温探测器噪声的温度特性研究, Study on temperature characteristic of noise of HgCdTe shaft temperature detector, 传感器与微系统, 2013, 第 4 作者
（105） 日盲型AlGaN pin串联紫外探测器, AlGaN pin Solar-blind Series Connection Ultraviolet Detectors, 半导体光电, 2013, 第 4 作者
（106） Temperature and frequency dependence of negative differential capacitance in a planar GaN-based p-i-n photodetector, JOURNALOFALLOYSANDCOMPOUNDS, 2013, 第 6 作者
（107） 表面处理工艺对于N型HgCdTe材料和光导器件的影响, The difference between etching bromine and polishing on HgCdTe material and photoconductive detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 3 作者
（108） 一种便携式电晕检测紫外相机的设计, Design of a Portable UV Camera for Corona Detection, 红外, 2013, 第 5 作者
（109） 两种不同方法测试HgCdTe材料少数载流子寿命, Minority carrier lifetime of HgCdTe measured by two different methods, 红外与激光工程, 2012, 第 6 作者
（110） 航天先进红外探测器组件技术及应用, Advanced technology and application of spaceborne infrared detectors, 红外与激光工程, 2012, 第 3 作者
（111） 中波HgCdTe光导探测器组件的故障树和失效研究, Study on HgCdTe Detector Assemble Fault Tree and Failure Analysis, 半导体光电, 2012, 第 5 作者
（112） 紫外光通信误码率测试系统设计, Design of BER Measurement System for UV Communication, 半导体光电, 2012, 第 3 作者
（113） HgCdTe材料的溴-甲醇抛光工艺研究, Study on Bromine-Methanol Polishing Process of HgCdTe Wafers, 半导体光电, 2012, 第 3 作者
（114） Analysis of Oversampling for Noise Reduction of UV Image, 6TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED OPTICAL MANUFACTURING AND TESTING TECHNOLOGIES: OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING, IMAGING, AND SOLAR ENERGY, 2012, 第 5 作者
（115） Dependence of dark current and photoresponse characteristics on polarization charge density for GaN-based avalanche photodiodes, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 第 6 作者
（116） 平面型GaN p-n结探测器的制备与性能, Fabrication and properties of planar GaN p-n detector, 红外与毫米波学报, 2011, 第 5 作者
（117） h A compact signal transmitter for UV communication system, 3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 2011, 第 5 作者
（118） “弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究, Study of Mobility Spectra of Slight p-Type and Low Mobility n-Type Bulk HgCdTe Materials, 红外, 2011, 第 8 作者
（119） Hg1-xCdxTe 晶体生长及太赫兹性能研究, Growth and terahertz characterization of Hg1-xCdxTe crystal, 红外与毫米波学报, 2011, 第 8 作者
（120） Fabrication and properties of planar GaN p-n detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 5 作者
（121） Growth and terahertz characterization of Hg1-x Cd-x Te crystal, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 8 作者
（122） 弱p型碲镉汞材料和陷阱模式光导探测器, Slight p-Type HgCdTe and Trapping-Mode Photoconductive HgCdTe Detectors, 激光与光电子学进展, 2011, 第 8 作者
（123） 光电器件薄膜附着力评价方法的研究进展, Recent Progress in Evaluation of Thin Film Adhesion in Optoelectronic Devices, 红外, 2011, 第 8 作者
（124） Study on p-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 8 作者
（125） Influence of hydrogenation on the dark current mechanism of HgCdTe photovoltaic detectors, Influence of hydrogenation on the dark current mechanism of HgCdTe photovoltaic detectors, 半导体学报, 2010, 第 4 作者
（126） 紫外DPS中DA控制器的NiosⅡ-IP核设计与实现, Design and implementation of DAC controller IP core based on NiosⅡ for UV DPS, 激光与红外, 2010, 第 5 作者
（127） STUDY ON gamma IRRADIATION EFFECTS OF LONG-WAVELENGTH HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS WITH DIFFERENT PASSIVATE LAYERS, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 6 作者
（128） 正、背照射日盲型肖特基探测器, Solar-blind GaN-based Schottky diodes with front and back illumination, 红外与激光工程, 2010, 第 3 作者
（129） GaN基肖特基器件中的反常电容特性, ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaNBASED SCHOTTKY DIODES, 红外与毫米波学报, 2010, 第 4 作者
（130） 不同钝化层结构的长波碲镉汞光伏探测器的γ辐照效应, STUDY ON γ IRRADIATION EFFECTS OF LONG-WAVELENGTH HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS WITH DIFFERENT PASSIVATE LAYERS, 红外与毫米波学报, 2010, 第 6 作者
（131） 紫外DPS中DA控制器的NiosII-IP核设计与实现, Design and implementation of DAC controller IP core based on NiosII for UV DPS, 激光与红外, 2010, 第 5 作者
（132） Influence of hydrogenation on the dark current mechanism of HgCdTe photovoltaic detectors, Influence of hydrogenation on the dark current mechanism of HgCdTe photovoltaic detectors, 半导体学报, 2010, 第 1 作者
（133） ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 4 作者
（134） Fabrication and characterization of an A1GaN/PZT detector, Fabrication and characterization of an A1GaN/PZT detector, 半导体学报, 2010, 第 6 作者
（135） GaN基紫外数字像素光电传感器设计与实现, Design and implementation of GaN-based UV digital pixel sensor, 激光与红外, 2010, 第 5 作者
（136） 日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性, Capacitance characteristics of solar-blind AlGaN PIN UV detector, 红外与激光工程, 2010, 第 5 作者
（137） Research on APD-based Non-Line-of-Sight UV communication System, 5TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED OPTICAL MANUFACTURING AND TESTING TECHNOLOGIES: OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES FOR DETECTOR, IMAGER, DISPLAY, AND ENERGY CONVERSION TECHNOLOGY, 2010, 第 8 作者
（138） Optical characterization of GaN/AlGaN bilayer by transmission and reflection spectra, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 5 作者
（139） KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响, The effect of KOH solution process on dark current of AlGaN ultraviolet photodetectors, 光电子．激光, 2009, 第 5 作者
（140） Effects of the intrinsic layer width on the band-to-band tunneling current in p-i-n GaN-based avalanche photodiodes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2009, 第 8 作者
（141） GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究, Transmission Spectra of GaN and AIGaN Films, 光子学报, 2009, 第 4 作者
（142） γ辐射对碲镉汞光伏探测器的暂态损伤与永久损伤, Transient and permanent defects of HgCdTe photovoltaic detectors by γ irradiation, 激光与红外, 2009, 第 6 作者
（143） 新型的AlGaN／PZT材料紫外／红外双波段探测器, New AlGaN/PZT ultraviolet/infrared dual-band detector, 红外与激光工程, 2009, 第 6 作者
（144） STUDY OF RELIABLE PACKAGING FOR IRFPA DETECTOR, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2009, 第 8 作者
（145） 512元GaN基紫外线列阵探测器信息获取技术, Information acquisition technology of the 512 pixels GaN based UV Linear Detector, 红外与激光工程, 2009, 第 6 作者
（146） The effect of incident laser energy on pulsed laser deposition of HgCdTe films, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2009, 第 4 作者
（147） GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件, GaN-based 512×1 Ultroviolet linear Focal Plane Arrays, 光学学报, 2009, 第 7 作者
（148） 红外焦平面可靠性封装技术, STUDY OF RELIABLE PACKAGING FOR IRFPA DETECTOR, 红外与毫米波学报, 2009, 第 8 作者
（149） 碲镉汞光伏型探测器的变面积氢化研究, STUDY ON VARIABLE-AREA HYDROGENATION OF HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS, 红外与毫米波学报, 2008, 第 4 作者
（150） Cl2／Ar／BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究, Cl2/Ar/BCl3 Inductively Coupled Plasma-induced Etch Damage of AIGaN, 固体电子学研究与进展, 2008, 第 4 作者
（151） Real-time study of gamma irradiation on Hg1-x Cd-x Te focal plane photodiodes, ACTA PHYSICA SINICA, 2008, 第 7 作者
（152） GaN紫外焦平面CTIA结构读出电路小面积设计及仿真, Small Pixel Area FPA ROIC with CTIA Design of GaN UV Structure and Simulation, 激光与红外, 2008, 第 3 作者
（153） GaN基紫外探测器的电子辐照效应, Effect of electron irradiation on the GaN-based p-i-n UV detector, 红外与激光工程, 2008, 第 4 作者
（154） GaN肖特基器件电学性质的模拟研究, Numerical Modeling of Electric Characteristics of GaN-based Schottky Device, 激光与红外, 2008, 第 4 作者
（155） Development of solar-blind AlGaN 128×128 Ultraviolet Focal Plane Arrays, SCIENCE IN CHINA. SERIES E: TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2008, 第 4 作者
（156） Development of solar-blind AlGaN 128x128 ultraviolet focal plane arrays, SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2008, 第 4 作者
（157） 碲镉汞焦平面光伏器件的实时γ辐照效应研究, Real-time study of γ irradiation on Hg1-xCdxTe focal plane photodiodes, 物理学报, 2008, 第 7 作者
（158） 光导型碲镉汞探测器的氢化研究, Hydrogenation on HgCdTe photoconductive detectors, 红外与激光工程, 2008, 第 4 作者
（159） STUDY ON VARIABLE-AREA HYDROGENATION OF HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2008, 第 4 作者
（160） Surface passivation of variable-area HgCdTe photovoltaic detectors, CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2008, 第 4 作者
（161） AlGaN/GaN P-I-N紫外探测器的电子辐照效应, Effect of Electron Irradiation on the AlGaN/GaN P-I-N UV Detector, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
（162） 碲镉汞霍耳测试副效应及其与组分的关系, Vice-effects on Hall measurements in Hg1-xCdxTe samples and relations with the composition of Cd, 红外与激光工程, 2007, 第 3 作者
（163） Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀AlGaN的研究, Study of ICP Etching of AIGaN with Cl2/Ar/BCl3, 微纳电子技术, 2007, 第 5 作者
（164） Study of hydrogenation on HgCdTe photovoltaic detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2007, 第 4 作者
（165） AlGaN／GaN异质结紫外探测器, 红外与激光工程, 2007, 第 6 作者
（166） 非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象, Negative Persistent Photoconductivity in Unintentionally Doped n-Type GaN, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
（167） 氮化镓基雪崩光电二极管的研制, Fabrication and Device Characteristics of GaN-based Avalanche Photodiodes, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
（168） 低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响, Effects of annealing on HgCdTe detectors after γ irradiation, 强激光与粒子束, 2007, 第 3 作者
（169） 紫外双光谱演示成像系统设计, Multi-UV-spectrums Demo Imaging System Design, 激光与红外, 2007, 第 6 作者
（170） 不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究, Study of Hydrogenation on HgCdTe Photoconductive Detectors Passivated with Different Dielectrics, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
（171） 碲镉汞红外探测器高低温循环特性研究, Study on the Thermal Cycle Characteristic of HgCdTe Detector, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
（172） 航天红外探测器温度循环自动控制系统, Automatic Thermal Cycle System for Space Borne Infrared Detectors, 微计算机信息, 2007, 第 5 作者
（173） 高性能背照式GaN／AIGaNP-i-n紫外探测器的制备与性能, Fabrication and characterization of back-illuminated GaN/AIGaN p A-n UV detectors with high performance, 红外与激光工程, 2007, 第 5 作者
（174） 表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响, Influence of Second Anodization on Characteristics of HgCdTe Photoconductive Detectors, 半导体光电, 2007, 第 7 作者
（175） 紫外线列探测器的演示成像系统, Demo imaging system based on UV linear detectors, 红外与激光工程, 2007, 第 2 作者
（176） 碲镉汞光伏型探测器的氢化处理研究, STUDY OF HYDROGENATION ON HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS, 红外与毫米波学报, 2007, 第 4 作者
（177） GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应, Proton Irradiation Effect on GaN-based PIN UV Detector, 激光与红外, 2007, 第 5 作者
（178） 高Al组分N—AlxGa1-xN材料的欧姆接触, The Ohmic Contacts of High Al Contents on N-AlxGa1-xN Materials, 激光与红外, 2007, 第 6 作者
（179） 128×128元氮化镓紫外焦平面读出电路的设计与封装研究, 128μ128 GaN UV focal plane array readout circuit study of design and encapsulation, 红外与激光工程, 2007, 第 4 作者
（180） GaN基薄膜材料的均匀性测试系统, Uniformity testing system to GaN-based epitaxy materials, 红外与激光工程, 2007, 第 7 作者
（181） 湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用, Application of Wet Chemical Etching in GaN-based Materials, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
（182） GaN基紫外探测器及其研究进展, GaN based ultraviolet detectors and its recent development, 红外与激光工程, 2006, 第 1 作者
（183） 碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析, Chemical structure of HgCdTe-anodic oxide, 红外与激光工程, 2006, 第 3 作者
（184） HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究, Study of plasma treatment on multi-layer film for HgCdTe photovoltaic detector, 光学仪器, 2006, 第 7 作者
（185） 微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性, 半导体光电, 2006, 第 5 作者
（186） Study on oxidation order of the different elements in anodic native oxide of HgCdTe, CONFERENCE DIGEST OF THE 2006 JOINT 31ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED AND MILLIMETER WAVES AND 14TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON TERAHERTZ ELECTRONICS, 2006, 第 2 作者
（187） Effects of tensile stress induced by SiO2 passivation layer on the properties of AlGaN/GaN heterostructure photodiode, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 第 5 作者
（188） 空间用紫外探测及A lGaN探测器的研究进展, 激光与红外, 2006, 第 10 作者
（189） 快照模式紫外焦平面读出电路电容优化设计, Optimal design of capacitors in readout integrated circuit for snapshot UV FPA, 红外与激光工程, 2006, 第 3 作者
（190） 可见光对GaN基紫外焦平面读出电路的影响, Effect of Visible Light on Readout Integrated Circuit for GaN-based UV Focal Plane Array, 半导体光电, 2006, 第 4 作者
（191） 背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能, 激光与红外, 2006, 第 9 作者
（192） Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备, Epitaxial growth of Ge graded Si1-x-yGexCy alloy film on Si(100) by chemical vapor deposition, 材料研究学报, 2006, 第 4 作者
（193） Reduction of ohmic contact resistivity on p-GaN using N-2 plasma surface treatment at room temperature, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2006, 第 5 作者
（194） 氮化镓基薄膜材料的测试和评价, 激光与红外, 2006, 第 1 作者
（195） AlGaN材料金属接触的性能和界面结构研究, The Properties and Interface Microstructure of AlGaN Contacts to Metals, 激光与红外, 2005, 第 6 作者
（196） AlGaN材料的MOCVD生长研究, AlCaN Films Grown on C-plane Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, 激光与红外, 2005, 第 4 作者
（197） 低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响, 红外与激光工程, 2005, 第 5 作者
（198） MOCVD系统中AlN生长速率的研究, Effect of Parasitic Reaction on the Growth Rate of AIN by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, 激光与红外, 2005, 第 4 作者
（199） GaN外延膜的红外椭偏光谱研究, GaN epilayer by infrared spectroscopic ellipsometry, 红外与激光工程, 2005, 第 2 作者
（200） 1MeV电子辐照对短波Hg1-xCdxTe光伏探测器的影响, 强激光与粒子束, 2005, 第 4 作者
（201） 快速热退火对Ti／Al—GaN接触的影响, Effect of Rapid Thermal Annealing on Ti/Al-GaN Contacts, 半导体学报, 2004, 第 4 作者
（202） 1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响, 红外与毫米波学报, 2004, 第 4 作者
（203） GaN紫外探测器的Ti／Al接触的电学特性, Electrical properties of Ti/Al contacts on GaN UV detector, 红外与激光工程, 2004, 第 5 作者
（204） 有自动补液氮功能的红外探测器老化装置, 科技开发动态, 2004, 第 5 作者
（205） 激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响, Changes of the electric parameters of LWIR GgCdTe PC detector by laser irradiation, 红外与激光工程, 2002, 第 3 作者
（206） 碲镉汞p—on—n光伏器件优化掺杂的理论计算, THEORETICAL CALCULATION OF DOPING OPTIMIZATION FOR p-on-n HgCdTe PHOTODIODE, 红外与毫米波学报, 2002, 第 1 作者
（207） 激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响, 功能材料与器件学报, 2000, 第 2 作者
（208） 离子注入碲镉汞迁移率谱的研究, 红外与激光工程, 2000, 第 1 作者
（209） 砷注入碲镉汞的激光退火, The Study of Arsenic Implanted HgCdTe for Laser Annealing, 红外技术, 2000, 第 2 作者
（210） 砷离子注入体材料碲镉汞的二次离子质谱分析, 红外与毫米波学报, 2000, 第 3 作者
（211） γ辐照室温短波HgCdTe光伏器件的导纳谱研究, GAMMA IRRADIATION ON ROOM TEMPERATURE SHOPR-WAVELENGTH HgCdTe PHOTOVOLTAIC DEVICE STUDIED BY ADMITTANCE SPECTROSCOPY, 物理学报, 1999, 第 4 作者
（212） 砷注入碲镉汞P—on—N结的电流电压特性, 红外与激光工程, 1999, 第 5 作者
（213） 质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究, 功能材料与器件学报, 1999, 第 6 作者
（214） 短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响, 红外与毫米波学报, 1999, 第 7 作者
（215） 低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究, 红外与毫米波学报, 1998, 第 3 作者
（216） 利用Hg1—xCdxTe本征区反射峰确定其截止波数和组分, DETERMINATION OF CUTOFF WAVENUMBER AND COMPOSITION FOR HgCdTe USING THE PEAK OF THE REFLECTANCE SPECTRUM IN THE INTRINSIC REGION, 红外与毫米波学报, 1998, 第 1 作者

（1） 航天红外成像探测器, Infrared Imaging Detectors for Space Applications, 科学出版社, 2016-07, 第 2 作者