​新型存储（芯片）技术，存算一体与存内计算，半导体器件物理

   

080903-微电子学与固体电子学

新型存储技术
存内计算与存算一体
半导体物理

2009-09--2014-06   中国科学院大学   工学博士
2005-09--2009-06   同济大学   工学学士

   

2024-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2020-01~2023-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2014-07~2019-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员

   

（1） 中科院杰出科技成就奖, , 院级, 2022
（2） 华为“奥林帕斯先锋奖”, 一等奖, 其他, 2021
（3） 上海市技术发明奖, 二等奖, 省级, 2019
（4） 中国材料学会科技奖, 一等奖, 部委级, 2019

（ 1 ） 一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN115631776A

（ 2 ） 一种基于阻变存储器的卷积计算电路及计算方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN115564033A

（ 3 ） 一种低压高精度带隙基准电路, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN112859996B

（ 4 ） 一种差分相变存储单元结构、相变存储器及驱动方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113948136A

（ 5 ） 一种无片外电容型LDO瞬态响应增强电路, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113485520A

（ 6 ） 一种相变存储单元布尔逻辑的图像处理装置及方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113380296A

（ 7 ） 一种非易失布尔逻辑两位乘法器及运算方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113380298A

（ 8 ） 一种相变存储器时序可重构布尔逻辑电路、方法及装置, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113315506A

（ 9 ） 一种实现sigmoid激活函数的电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113162607A

（ 10 ） 一种低压高精度带隙基准电路, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112859996A

（ 11 ） 一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器及其工作方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112350728A

（ 12 ） 一种基于忆阻器的神经网络容错方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112199234A

（ 13 ） 一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110794673A

（ 14 ） 一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110619907A

（ 15 ） 一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110619908A

（ 16 ） 多级相变存储器的读出电路及读出方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110619906A

（ 17 ） 相变存储器的多级存储读写方法及系统, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110335636A

（ 18 ） 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110098832A

（ 19 ） 一种相变存储器的故障诊断方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109935270A

（ 20 ） 相变存储器的数据读出电路及方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109903801A

（ 21 ） 存储器片内自测试方法、装置和存储器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109903805A

（ 22 ） 相变存储器的高速数据读出电路及读出方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108922574A

（ 23 ） 三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107644664A

（ 24 ） 开关电源电感的电流过零检测电路, 实用新型, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN206948183U

（ 25 ） 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107591179A

（ 26 ） 开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法, 发明专利, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN107147286A

（ 27 ） 三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106898371A

（ 28 ） 相变存储器的整体擦除装置, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106816172A

（ 29 ） 增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106410773A

（ 30 ） 一种相变存储器读出电路及读出方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN106205684A

（ 31 ） 一种相变存储器读出电路及方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105931665A

（ 32 ） 行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105913119A

（ 33 ） 存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105632551A

（ 34 ） 具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104715792A

（ 35 ） 基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104616690A

（ 36 ） 一种相变存储器的读出电路及读出方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104347113A

（ 37 ） 基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104318955A

（ 38 ） 存储设备及其数据读写方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104317753A

（ 39 ） 具有实时触发器状态保存功能的触发器电路, 发明专利, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN104282332A

（ 40 ） 相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103871463A

（ 41 ） 相变存储器系统, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103824591A

（ 42 ） 一种SPI接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103794245A

（ 43 ） 一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103794244A

（ 44 ） 一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103646668A

（ 45 ） 一种相变存储器的编程系统及方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102982841A

（ 46 ） 一种相变存储器的读写转换系统及方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102831929A

（ 47 ） 相变存储器的数据读出电路, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102820055A

（ 48 ） 相变存储器的数据读出电路, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102820056A

（ 49 ） 相变存储单元的数据读出电路及读出方法, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101976578A

（ 50 ） 相变存储器单元的SPICE模型系统, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101976724A

（ 51 ） 相变存储器的数据读出方法及读出电路, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101916590A

   

（1） Nonideality Suppression and 16-State Multilevel Cell Storage Optimization in Phase Change Memory With Linear-Like Circuit, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 通讯作者
（2） Reliable Ge_(2)Sb_(2)Te_(5) based phase-change electronic synapses using carbon doping and programmed pulses, Reliable Ge2Sb2Te5 based phase-change electronic synapses using carbon doping and programmed pulses, JOURNAL OF MATERIOMICS, 2022, 第 7 作者
（3） Read Optimization Enables Ultralow Resistance Drift for Phase Change Memory, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 通讯作者
（4） A Fully Integrated Low-Dropout Regulator with Improved Load Regulation and Transient Responses, MICROMACHINES, 2022, 第 5 作者
（5） In-Memory Realization of Eligibility Traces Based on Conductance Drift of Phase Change Memory for Energy-Efficient Reinforcement Learning, ADVANCED MATERIALS, 2022, 通讯作者
（6） Phase Change Random Access Memory for Neuro-Inspired Computing, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 第 6 作者
（7） An Ultra-Low Quiescent Current Resistor-Less Power on Reset Circuit, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 第 4 作者
（8） Accelerated Local Training of CNNs by Optimized Direct Feedback Alignment Based on Stochasticity of 4 Mb C-doped Ge2Sb2Te5 PCM Chip in 40 nm Node, 2020 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2020, 第 2 作者
（9） BIST-Based Fault Diagnosis for PCM With Enhanced Test Scheme and Fault-Free Region Finding Algorithm, IEEETRANSACTIONSONVERYLARGESCALEINTEGRATIONVLSISYSTEMS, 2020, 通讯作者
（10） Enhancing Performances of Phase Change Memory for Embedded Applications, physica status solidi (RRL), 2019, 
（11） 一种基于相变存储器的高速读出电路设计, A High-Speed Read Circuit for Phase-Change Random-Access Memory, 上海交通大学学报, 2019, 第 4 作者
（12） 相变存储器预充电读出方法, Pre-charge read scheme for phase change memory, 浙江大学学报：工学版, 2018, 第 4 作者
（13） High Endurance Phase Change Memory Chip Implemented based on Carbon-doped Ge2Sb2Te5 in 40 nm Node for Embedded Application, 2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2018, 
（14） 一种用于PCRAM的嵌入式片内电容电荷泵, An Embedded On-Chip Capacitor Charge Pump for PCRAM, 微电子学, 2017, 第 4 作者
（15） 带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计, Design of Boost DC-DC Converter with Frequency Hopping at Light Load, 上海交通大学学报, 2017, 第 4 作者
（16） 基于反激式原边反馈控制结构的过零检测方法及实现, Zero-crossing detecting method and achievement based on primary-side controlled flyback structure, 电子设计工程, 2017, 第 4 作者
（17） 基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源, High Speed Programmable Pulsed Current Source Based on PCM Unit Test, 固体电子学研究与进展, 2017, 第 4 作者
（18） Optimization of a PCRAM Chip for high-speed read and highly reliable reset operations, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 3 作者
（19） 一种新型低漏电ESD电源箝位电路, A Novel Low-Leakage ESD Power-Rail Clamp Circuit, 微电子学, 2016, 第 3 作者
（20） 一种适用于SoC的瞬态增强型线性稳压器, A Transient Response Enhanced LDO for SoC, 微电子学, 2016, 第 4 作者
（21） A Novel Standby Mode Detection Scheme with Light Load Efficiency Improvement, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 4 作者
（22） Soft-start Mechanism with Coefficients Ki Optimization for DC-DC Power Converters, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 4 作者
（23） An efficiency-enhanced 2X/1.5X SC charge pump with auto-adjustable output regulation for PCM, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 3 作者
（24） Methods to speed up read operation in a 64 Mbit phase change memory chip, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 2 作者
（25） 基于相变存储器的SD卡系统设计, Design of Secure Digital Memory Card System Based on Phase Change Memory, 半导体光电, 2015, 第 5 作者
（26） A smart primary side current sensing strategy for single stage isolated PFC controller, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 4 作者
（27） Optimization of periphery circuits in a 1K-bit PCRAM chip for highly reliable write and read operations, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2014, 第 4 作者
（28） Optimal Design of Phase Change Random Access Memory based on 130nm CMOS Technology, 2012INTERNATIONALWORKSHOPONINFORMATIONSTORAGEANDNINTHINTERNATIONALSYMPOSIUMONOPTICALSTORAGE, 2013, 第 7 作者
（29） 大电流负载的片上LDO系统设计, Design of an On-Chip LDO System with Large Loading Current, 电子学报, 2013, 第 3 作者
（30） 基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路, A Write Driver for Phase Change Memory Based on Programming Current or Voltage, 微电子学, 2013, 第 8 作者
（31） 一种相变存储器读出电路及其快速读出方法, A Readout Circuit for Phase Change Memory and Its Rapid Read Method, 微电子学, 2012, 第 1 作者
（32） A novel low ripple charge pump with a 2X/1.5X booster for PCM, A novel low ripple charge pump with a 2X/1.5X booster for PCM, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 8 作者
（33） 基于0．13μm工艺的8Mb相变存储器, An 8 Mb Phase Change Random Access Memory Based on 0. 13 μm Technology, 固体电子学研究与进展, 2011, 第 8 作者
（34） 用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵, A Switched-Capacitor Charge Pump with 1.5X/2X/3X Booster for PCM, 微电子学, 2011, 第 7 作者
（35） Circuit design for 128Mb PCRAM based on 40nm technology, 2011 11TH ANNUAL NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY SYMPOSIUM, NVMTS 2011.2011 11TH ANNUAL NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY SYMPOSIUM, NVMTS 2011, 2011, 第 3 作者
（36） A Compact Spice Model with Verilog-A for Phase Change Memory, CHINESEPHYSICSLETTERS, 2011, 第 3 作者

   

（ 1 ） 基于相变存储的模拟存内计算芯片, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 2 ） 相变存储器神经形态关键技术研, 参与, 国家任务, 2020-01--2023-12
（ 3 ） 新型存储的高密度集成, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
（ 4 ） 基于多值相变存储的神经形态芯片研究, 参与, 地方任务, 2019-11--2022-10
（ 5 ） 高性能PCM芯片与OTS研究, 负责人, 境内委托项目, 2021-03--2023-12
（ 6 ） 基于存算一体的可扩展异构多核SoC芯片, 负责人, 国家任务, 2023-12--2024-11

（1）多阻态相变存储器特性与存算一体应用   第二十四届全国半导体物理学术会议   李喜   2023-07-14