基本信息
李喜  男    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: ituluck@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号8414室
邮政编码:

研究领域

相变存储器,存算一体,芯片设计、测试、应用、失效分析

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
存储器,存内计算,芯片设计,芯片测试,芯片失效分析,半导体器件物理

教育背景

2009-09--2014-06   中国科学院大学   工学博士
2005-09--2009-06   同济大学   工学学士

工作经历

   
工作简历
2021-01~2022-07,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2014-07~2019-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 奥林帕斯先锋奖, 一等奖, 其他, 2021
(2) 相变存储芯片制造核心技术及嵌入式应用, 二等奖, 省级, 2019
(3) 八面体基元理论指导发现新型相变材料与其在128Mb存储芯片中应用, 一等奖, 部委级, 2019
专利成果
( 1 ) 一种实现sigmoid激活函数的电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113162607A

( 2 ) 一种低压高精度带隙基准电路, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112859996A

( 3 ) 相变存储器的多级存储读写方法及系统, 专利授权, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN110335636B

( 4 ) 相变存储器的数据读出电路及方法, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN109903801B

( 5 ) 一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器及其工作方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112350728A

( 6 ) 一种相变存储器的故障诊断方法, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN109935270B

( 7 ) 一种基于忆阻器的神经网络容错方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112199234A

( 8 ) 相变存储器的高速数据读出电路及读出方法, 专利授权, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN108922574B

( 9 ) 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 专利授权, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110098832B

( 10 ) 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法, 专利授权, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN107591179B

( 11 ) 三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法, 专利授权, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN106898371B

( 12 ) 一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110794673A

( 13 ) 一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110619907A

( 14 ) 一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110619908A

( 15 ) 多级相变存储器的读出电路及读出方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110619906A

( 16 ) 存储器片内自测试方法、装置和存储器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109903805A

( 17 ) 相变存储器的整体擦除装置, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106816172B

( 18 ) 基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN104616690B

( 19 ) 增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN106410773B

( 20 ) 一种相变存储器读出电路及读出方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN106205684B

( 21 ) 存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105632551B

( 22 ) 行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN105913119B

( 23 ) 三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107644664A

( 24 ) 开关电源电感的电流过零检测电路, 实用新型, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN206948183U

( 25 ) 具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN104715792B

( 26 ) 一种相变存储器的读出电路及读出方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN104347113B

( 27 ) 具有实时触发器状态保存功能的触发器电路, 发明专利, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN104282332B

( 28 ) 存储设备及其数据读写方法, 发明专利, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN104317753B

( 29 ) 开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法, 发明专利, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN107147286A

( 30 ) 一种相变存储器读出电路及方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105931665A

( 31 ) 基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104318955A

( 32 ) 相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103871463A

( 33 ) 相变存储器系统, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103824591A

( 34 ) 一种SPI接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103794245A

( 35 ) 一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103794244A

( 36 ) 一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103646668A

( 37 ) 一种相变存储器的编程系统及方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102982841A

( 38 ) 一种相变存储器的读写转换系统及方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102831929A

( 39 ) 相变存储器的数据读出电路, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102820055A

( 40 ) 相变存储器的数据读出电路, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102820056A

( 41 ) 相变存储单元的数据读出电路及读出方法, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101976578A

( 42 ) 相变存储器单元的SPICE模型系统, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101976724A

( 43 ) 相变存储器的数据读出方法及读出电路, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101916590A

出版信息

   
发表论文
(1) In-Memory Realization of Eligibility Traces Based on Conductance Drift of Phase Change Memory for Energy-Efficient Reinforcement Learning, ADVANCED MATERIALS, 2022, 第 2 作者
(2) Phase Change Random Access Memory for Neuro-Inspired Computing, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 第 6 作者
(3) An Ultra-Low Quiescent Current Resistor-Less Power on Reset Circuit, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 第 4 作者
(4) Accelerated Local Training of CNNs by Optimized Direct Feedback Alignment Based on Stochasticity of 4 Mb C-doped Ge2Sb2Te5 PCM Chip in 40 nm Node, 2020 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2020, 第 2 作者
(5) BIST-Based Fault Diagnosis for PCM With Enhanced Test Scheme and Fault-Free Region Finding Algorithm, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2020, 通讯作者
(6) Enhancing Performances of Phase Change Memory for Embedded Applications, physica status solidi (RRL), 2019, 
(7) 一种基于相变存储器的高速读出电路设计, A High-Speed Read Circuit for Phase-Change Random-Access Memory, 上海交通大学学报, 2019, 第 4 作者
(8) 相变存储器预充电读出方法, Pre-charge read scheme for phase change memory, 浙江大学学报:工学版, 2018, 第 4 作者
(9) High Endurance Phase Change Memory Chip Implemented based on Carbon-doped Ge2Sb2Te5 in 40 nm Node for Embedded Application, 2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2018, 
(10) 一种用于PCRAM的嵌入式片内电容电荷泵, An Embedded On-Chip Capacitor Charge Pump for PCRAM, 微电子学, 2017, 第 4 作者
(11) 带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计, Design of Boost DC-DC Converter with Frequency Hopping at Light Load, 上海交通大学学报, 2017, 第 4 作者
(12) 基于反激式原边反馈控制结构的过零检测方法及实现, Zero-crossing detecting method and achievement based on primary-side controlled flyback structure, 电子设计工程, 2017, 第 4 作者
(13) 基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源, High Speed Programmable Pulsed Current Source Based on PCM Unit Test, 固体电子学研究与进展, 2017, 第 4 作者
(14) Optimization of a PCRAM Chip for high-speed read and highly reliable reset operations, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 3 作者
(15) 一种新型低漏电ESD电源箝位电路, A Novel Low-Leakage ESD Power-Rail Clamp Circuit, 微电子学, 2016, 第 3 作者
(16) 一种适用于SoC的瞬态增强型线性稳压器, A Transient Response Enhanced LDO for SoC, 微电子学, 2016, 第 4 作者
(17) A Novel Standby Mode Detection Scheme with Light Load Efficiency Improvement, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 4 作者
(18) Soft-start Mechanism with Coefficients Ki Optimization for DC-DC Power Converters, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 4 作者
(19) An efficiency-enhanced 2X/1.5X SC charge pump with auto-adjustable output regulation for PCM, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 3 作者
(20) Methods to speed up read operation in a 64 Mbit phase change memory chip, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 2 作者
(21) 基于相变存储器的SD卡系统设计, Design of Secure Digital Memory Card System Based on Phase Change Memory, 半导体光电, 2015, 第 5 作者
(22) A smart primary side current sensing strategy for single stage isolated PFC controller, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 4 作者
(23) 高速低功耗相变存储器芯片设计研究, Research of High-Speed Low-Power Phase Change Memory Design, 2014, 第 1 作者
(24) Optimization of periphery circuits in a 1K-bit PCRAM chip for highly reliable write and read operations, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2014, 第 4 作者
(25) 大电流负载的片上LDO系统设计, Design of an On-Chip LDO System with Large Loading Current, 电子学报, 2013, 第 3 作者
(26) Optimal Design of Phase Change Random Access Memory based on 130nm CMOS Technology, 2012 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION STORAGE AND NINTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2013, 第 7 作者
(27) 基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路, A Write Driver for Phase Change Memory Based on Programming Current or Voltage, 微电子学, 2013, 第 8 作者
(28) 一种相变存储器读出电路及其快速读出方法, A Readout Circuit for Phase Change Memory and Its Rapid Read Method, 微电子学, 2012, 第 1 作者
(29) A novel low ripple charge pump with a 2X/1.5X booster for PCM, A novel low ripple charge pump with a 2X/1.5X booster for PCM, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 8 作者
(30) 基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器, An 8 Mb Phase Change Random Access Memory Based on 0. 13 μm Technology, 固体电子学研究与进展, 2011, 第 8 作者
(31) 用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵, A Switched-Capacitor Charge Pump with 1.5X/2X/3X Booster for PCM, 微电子学, 2011, 第 7 作者
(32) Circuit design for 128Mb PCRAM based on 40nm technology, 2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVMTS 2011.2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVMTS 2011, 2011, 第 3 作者
(33) A Compact Spice Model with Verilog-A for Phase Change Memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于相变存储的模拟存内计算芯片, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
( 2 ) 相变存储器神经形态关键技术研, 参与, 国家任务, 2020-01--2023-12
( 3 ) 新型存储的高密度集成, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
( 4 ) 基于多值相变存储的神经形态芯片研究, 参与, 地方任务, 2019-11--2022-10
( 5 ) 高性能PCM芯片与OTS研究, 负责人, 企业委托, 2021-03--2022-12