聚焦第三代半导体III族氮化物光电器件，开展材料物性分析，器件物理仿真，工艺路线实现，测试表征分析。基于电子束诱导电流（EBIC）技术，成功设计并建设了宽禁带半导体材料的碰撞离化系数测试系统，解决了AlN材料无法进行背照射导致的碰撞离化系数测试难题，在业内首次获得了AlN材料的碰撞离化系数。成功研制了基于子带跃迁的GaN/AlGaN红外/紫外双色器件，在30K可以测到明显的红外信号，有望降低告警系统的虚警率，提高探测距离。

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要求具有扎实的物理数学基础，熟悉半导体器件物理，掌握相关电子线路知识。目标培养出具有行业前沿眼光，自身基础知识扎实，动手操作能力较强，适应社会发展变化的复合型人才。

080903-微电子学与固体电子学

紫外探测器，红外探测器，光电器件

2008-09--2013-06   中国科学院大学   博士
2004-08--2008-06   山东大学   学士

   

   

（ 1 ） 一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法, 发明, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN 109148623 B

   

（1） AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究, 红外与毫米波学报, 2014, 第 1 作者
（2） GaN 基雪崩光电二极管及其研究进展, 红外与激光工程, 2014, 第 1 作者
（3） Characteristics of GaN-based p-i-n photodetector at low temperature and performances of MCT/GaN-based infrared/ultraviolet dual-colour detector, 3rd International Photonics & OptoElectronics Meetings, 2011, 第 1 作者

   

（ 1 ） 氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究, 参与, 国家级, 2018-04--2021-06