基本信息
刘福浩 男 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： fhliu@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市玉田路500号
邮政编码： 200083
研究领域
聚焦第三代半导体III族氮化物光电器件，开展材料物性分析，器件物理仿真，工艺路线实现，测试表征分析。基于电子束诱导电流（EBIC）技术，成功设计并建设了宽禁带半导体材料的碰撞离化系数测试系统，解决了AlN材料无法进行背照射导致的碰撞离化系数测试难题，在业内首次获得了AlN材料的碰撞离化系数。成功研制了基于子带跃迁的GaN/AlGaN红外/紫外双色器件，在30K可以测到明显的红外信号，有望降低告警系统的虚警率，提高探测距离。
招生信息
要求具有扎实的物理数学基础，熟悉半导体器件物理，掌握相关电子线路知识。目标培养出具有行业前沿眼光，自身基础知识扎实，动手操作能力较强，适应社会发展变化的复合型人才。
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
紫外探测器，红外探测器，光电器件
教育背景
2008-09--2013-06 中国科学院大学 博士
2004-08--2008-06 山东大学 学士
2004-08--2008-06 山东大学 学士
工作经历
专利与奖励
专利成果
[1] 刘福浩, 龚玮, 杨晓阳, 许金通, 罗毅, 蒋科, 陈心恬, 乔辉, 李向阳. 一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件. CN: CN116544294A, 2023-08-04.
[2] 刘福浩, 杨晓阳, 贾嘉, 蒋科, 罗毅, 龚玮, 陈心恬, 谢晶, 李向阳. 有弯曲支撑腿微桥结构的锰钴镍氧热敏电阻探测器及方法. CN: CN109238475A, 2019-01-18.
[3] 刘福浩, 杨晓阳, 许金通, 马丁, 张燕, 王玲, 孙晓宇, 刘诗嘉, 李向阳. 一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法. CN: CN109148623A, 2019-01-04.
[4] 赵水平, 李向阳, 贾嘉, 朱龙源, 刘福浩, 刘诗嘉, 汤亦聃, 刘向阳, 姜佩璐, 周青, 罗毅. 一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件及其制备方法. CN: CN107978670A, 2018-05-01.
[5] 赵水平, 李向阳, 贾嘉, 朱龙源, 刘福浩, 刘诗嘉, 汤亦聃, 刘向阳, 姜佩璐, 周青, 罗毅. 一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件. CN: CN207676945U, 2018-07-31.
[6] 刘福浩, 杨晓阳, 贾嘉, 蒋科, 罗毅, 刘诗嘉, 孙晓宇, 李向阳. 具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器. CN: CN206282868U, 2017-06-27.
[7] 刘福浩, 杨晓阳, 贾嘉, 蒋科, 罗毅, 刘诗嘉, 孙晓宇, 李向阳. 一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器. CN: CN106449853A, 2017-02-22.
[8] 徐鹏霄, 张可锋, 李向阳, 刘新智, 赵水平, 朱龙源, 刘福浩, 张立瑶. 用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器. CN: CN203250772U, 2013-10-23.
[9] 徐鹏霄, 张可锋, 李向阳, 刘新智, 赵水平, 朱龙源, 刘福浩, 张立瑶. 一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器. CN: CN103165724A, 2013-06-19.
[10] 刘福浩, 许金通, 李向阳, 王荣阳, 刘秀娟, 陶利友, 刘诗嘉, 孙晓宇. 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器. CN: CN202534671U, 2012-11-14.
[11] 刘福浩, 许金通, 李向阳, 王荣阳, 刘秀娟, 陶利友, 刘诗嘉, 孙晓宇. 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法. CN: CN102593233A, 2012-07-18.
[12] 李超, 李向阳, 许金通, 刘福浩, 张燕, 刘向阳, 乔辉. 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器. CN: CN202134542U, 2012-02-01.
[13] 李超, 李向阳, 许金通, 刘福浩, 张燕, 刘向阳, 乔辉. 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法. CN: CN102201484A, 2011-09-28.
[14] 王平, 许金通, 杨晓阳, 陆荣, 刘福浩, 李向阳. 一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法. CN: CN102134491A, 2011-07-27.
[2] 刘福浩, 杨晓阳, 贾嘉, 蒋科, 罗毅, 龚玮, 陈心恬, 谢晶, 李向阳. 有弯曲支撑腿微桥结构的锰钴镍氧热敏电阻探测器及方法. CN: CN109238475A, 2019-01-18.
[3] 刘福浩, 杨晓阳, 许金通, 马丁, 张燕, 王玲, 孙晓宇, 刘诗嘉, 李向阳. 一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法. CN: CN109148623A, 2019-01-04.
[4] 赵水平, 李向阳, 贾嘉, 朱龙源, 刘福浩, 刘诗嘉, 汤亦聃, 刘向阳, 姜佩璐, 周青, 罗毅. 一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件及其制备方法. CN: CN107978670A, 2018-05-01.
[5] 赵水平, 李向阳, 贾嘉, 朱龙源, 刘福浩, 刘诗嘉, 汤亦聃, 刘向阳, 姜佩璐, 周青, 罗毅. 一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件. CN: CN207676945U, 2018-07-31.
[6] 刘福浩, 杨晓阳, 贾嘉, 蒋科, 罗毅, 刘诗嘉, 孙晓宇, 李向阳. 具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器. CN: CN206282868U, 2017-06-27.
[7] 刘福浩, 杨晓阳, 贾嘉, 蒋科, 罗毅, 刘诗嘉, 孙晓宇, 李向阳. 一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器. CN: CN106449853A, 2017-02-22.
[8] 徐鹏霄, 张可锋, 李向阳, 刘新智, 赵水平, 朱龙源, 刘福浩, 张立瑶. 用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器. CN: CN203250772U, 2013-10-23.
[9] 徐鹏霄, 张可锋, 李向阳, 刘新智, 赵水平, 朱龙源, 刘福浩, 张立瑶. 一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器. CN: CN103165724A, 2013-06-19.
[10] 刘福浩, 许金通, 李向阳, 王荣阳, 刘秀娟, 陶利友, 刘诗嘉, 孙晓宇. 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器. CN: CN202534671U, 2012-11-14.
[11] 刘福浩, 许金通, 李向阳, 王荣阳, 刘秀娟, 陶利友, 刘诗嘉, 孙晓宇. 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法. CN: CN102593233A, 2012-07-18.
[12] 李超, 李向阳, 许金通, 刘福浩, 张燕, 刘向阳, 乔辉. 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器. CN: CN202134542U, 2012-02-01.
[13] 李超, 李向阳, 许金通, 刘福浩, 张燕, 刘向阳, 乔辉. 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法. CN: CN102201484A, 2011-09-28.
[14] 王平, 许金通, 杨晓阳, 陆荣, 刘福浩, 李向阳. 一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法. CN: CN102134491A, 2011-07-27.
出版信息
发表论文
[1] 刘福浩. 具有绝热结构的高性能锰钴镍氧热敏探测器制备及特性研究. 半导体光电. 2021, 第 1 作者
[2] 刘福浩, 杨晓阳, 高燕, 杨荣, 许金通, 李向阳. 具有绝热结构的高性能锰钴镍氧热敏探测器的制备及特性研究. 半导体光电[J]. 2021, 第 1 作者42(5): 615-619,623, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106110266.
[3] 马丁, 许金通, 刘福浩, 张燕, 李向阳. 具有低带外响应的640×8元可见盲AlGaN紫外焦平面（英文）. 红外与激光工程[J]. 2018, 第 3 作者107-112, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=72878974504849568349484956.
[4] 马丁, 乔辉, 刘福浩, 张燕, 李向阳. 紫外焦平面探测器读出电路抗辐照加固设计. 半导体光电[J]. 2018, 第 3 作者39(4): 502-505,510, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=676211183.
[5] 马丁, 许金通, 刘福浩, 张燕, 李向阳. 具有低带外响应的640×8元可见盲AIGaN紫外焦平面. 红外与激光工程[J]. 2018, 第 3 作者47(A01): 99-104, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675852942.
[6] Tan, Bo, Hu, Jiahui, Zhang, Jun, Zhang, Yi, Long, Hanling, Chen, Jingwen, Du, Shida, Dai, Jiangnan, Chen, Changqing, Xu, Jintong, Liu, Fuhao, Li, Xiangyang. AlN gradient interlayer design for the growth of high-quality AlN epitaxial film on sputtered AlN/sapphire substrate. CRYSTENGCOMM[J]. 2018, 第 11 作者20(41): 6557-6564, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000448408800022.
[7] 马丁, 刘福浩, 李向阳, 张燕. GaN基紫外探测器读出电路注入效率. 红外与激光工程[J]. 2017, 第 2 作者46(11): 161-166, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673852071.
[8] 刘福浩. AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究. 红外与毫米波学报. 2014, 第 1 作者
[9] Liu FuHao, Xu JinTong, Liu Fei, Wang LiWei, Zhang Yan, Li XiangYang. Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2014, 第 1 作者 通讯作者 33(4): 386-390, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000341123900011.
[10] Liu FuHao, Xu JinTong, Liu Fei, Wang LiWei, Zhang Yan, Li XiangYang. Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2014, 第 1 作者 通讯作者 33(4): 386-390, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000341123900011.
[11] 刘福浩, 许金通, 王玲, 王荣阳, 李向阳. GaN基雪崩光电二极管及其研究进展. 红外与激光工程[J]. 2014, 第 1 作者43(4): 1215-1221, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=49437477.
[12] 陶利友, 张燕, 刘福浩, 李向阳. 日盲型AlGaN pin串联紫外探测器. 半导体光电[J]. 2013, 第 3 作者34(5): 738-741, http://www.semiopto.net/bdtgz/article/abstract/20130504?st=article_issue.
[13] Xia, Hui, Lu, ZhenYu, Li, TianXin, Parkinson, Patrick, Liao, ZhiMing, Liu, FuHao, Lu, Wei, Hu, WeiDa, Chen, PingPing, Xu, HongYi, Zou, Jin, Jagadish, Chennupati. Distinct Photocurrent Response of Individual GaAs Nanowires Induced by n-Type Doping. ACS Nano[J]. 2012, 第 6 作者6(7): 6005-6013, http://202.127.1.142/handle/181331/7015.
[14] 王荣阳, 刘福浩, 李向阳. 紫外光通信误码率测试系统设计. 半导体光电[J]. 2012, 第 2 作者33(5): 707-710, http://sciencechina.cn/gw.jsp?action=detail.jsp&internal_id=4698709&detailType=1.
[15] 叶柏松, 钱大憨, 贾嘉, 陈柳炼, 刘福浩, 刘飞, 张立瑶, 李向阳. 光电器件薄膜附着力评价方法的研究进展. 红外[J]. 2011, 第 5 作者32(1): 10-15, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=36353239.
[16] Liu Fuhao. Characteristics of GaN-based p-i-n photodetector at low temperature and performances of MCT/GaN-based infrared/ultraviolet dual-colour detector. 3rd International Photonics & OptoElectronics Meetings. 2011, 第 1 作者
[2] 刘福浩, 杨晓阳, 高燕, 杨荣, 许金通, 李向阳. 具有绝热结构的高性能锰钴镍氧热敏探测器的制备及特性研究. 半导体光电[J]. 2021, 第 1 作者42(5): 615-619,623, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106110266.
[3] 马丁, 许金通, 刘福浩, 张燕, 李向阳. 具有低带外响应的640×8元可见盲AlGaN紫外焦平面（英文）. 红外与激光工程[J]. 2018, 第 3 作者107-112, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=72878974504849568349484956.
[4] 马丁, 乔辉, 刘福浩, 张燕, 李向阳. 紫外焦平面探测器读出电路抗辐照加固设计. 半导体光电[J]. 2018, 第 3 作者39(4): 502-505,510, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=676211183.
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[7] 马丁, 刘福浩, 李向阳, 张燕. GaN基紫外探测器读出电路注入效率. 红外与激光工程[J]. 2017, 第 2 作者46(11): 161-166, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673852071.
[8] 刘福浩. AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究. 红外与毫米波学报. 2014, 第 1 作者
[9] Liu FuHao, Xu JinTong, Liu Fei, Wang LiWei, Zhang Yan, Li XiangYang. Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2014, 第 1 作者 通讯作者 33(4): 386-390, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000341123900011.
[10] Liu FuHao, Xu JinTong, Liu Fei, Wang LiWei, Zhang Yan, Li XiangYang. Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2014, 第 1 作者 通讯作者 33(4): 386-390, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000341123900011.
[11] 刘福浩, 许金通, 王玲, 王荣阳, 李向阳. GaN基雪崩光电二极管及其研究进展. 红外与激光工程[J]. 2014, 第 1 作者43(4): 1215-1221, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=49437477.
[12] 陶利友, 张燕, 刘福浩, 李向阳. 日盲型AlGaN pin串联紫外探测器. 半导体光电[J]. 2013, 第 3 作者34(5): 738-741, http://www.semiopto.net/bdtgz/article/abstract/20130504?st=article_issue.
[13] Xia, Hui, Lu, ZhenYu, Li, TianXin, Parkinson, Patrick, Liao, ZhiMing, Liu, FuHao, Lu, Wei, Hu, WeiDa, Chen, PingPing, Xu, HongYi, Zou, Jin, Jagadish, Chennupati. Distinct Photocurrent Response of Individual GaAs Nanowires Induced by n-Type Doping. ACS Nano[J]. 2012, 第 6 作者6(7): 6005-6013, http://202.127.1.142/handle/181331/7015.
[14] 王荣阳, 刘福浩, 李向阳. 紫外光通信误码率测试系统设计. 半导体光电[J]. 2012, 第 2 作者33(5): 707-710, http://sciencechina.cn/gw.jsp?action=detail.jsp&internal_id=4698709&detailType=1.
[15] 叶柏松, 钱大憨, 贾嘉, 陈柳炼, 刘福浩, 刘飞, 张立瑶, 李向阳. 光电器件薄膜附着力评价方法的研究进展. 红外[J]. 2011, 第 5 作者32(1): 10-15, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=36353239.
[16] Liu Fuhao. Characteristics of GaN-based p-i-n photodetector at low temperature and performances of MCT/GaN-based infrared/ultraviolet dual-colour detector. 3rd International Photonics & OptoElectronics Meetings. 2011, 第 1 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） 氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究, 参与, 国家级, 2018-04--2021-06