基本信息
李博 男 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： libo3@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
电子邮件： libo3@ime.ac.cn
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研究领域
半导体器件和集成电路辐照效应和抗辐射加固技术
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
140100-集成电路科学与工程
080902-电路与系统
140100-集成电路科学与工程
招生方向
抗辐射集成电路设计
抗辐射器件制造技术
高温集成电路与器件
抗辐射器件制造技术
高温集成电路与器件
教育背景
2008-08--2012-05 法国里昂国立应用科学院 博士
2005-09--2008-01 北京交通大学 硕士
2001-09--2005-07 北京交通大学 本科
2005-09--2008-01 北京交通大学 硕士
2001-09--2005-07 北京交通大学 本科
工作经历
工作简历
2023-08~现在, 中国科学院微电子研究所，抗辐照器件技术重点实验室, 主任
2020-11~现在, 中国科学院微电子研究所，硅器件中心, 副主任
2020-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2016-06~2016-09,法国国家科学院, 访问学者
2016-01~2020-08,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-10~2016-01,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2020-11~现在, 中国科学院微电子研究所，硅器件中心, 副主任
2020-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2016-06~2016-09,法国国家科学院, 访问学者
2016-01~2020-08,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-10~2016-01,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
社会兼职
2023-10-01-今,中国航天理事会, 理事
2023-10-01-今,中国宇航学会空间太阳能电站专业委员会, 委员
2023-06-01-今,国防科技工业抗辐照应用技术创新中心, 委员
2023-02-27-今,《Electronics》, 编委
2023-02-27-今,《原子能科学技术》, 青年编委
2023-02-01-今,中国科学院可靠性保障中心, 副主任
2021-11-01-今,中国科学院元器件专家组, 专家
2020-12-31-今,中国科学院青年创新促进会, 优秀会员
2019-12-31-今,《现代应用物理》, 青年编委
2023-10-01-今,中国宇航学会空间太阳能电站专业委员会, 委员
2023-06-01-今,国防科技工业抗辐照应用技术创新中心, 委员
2023-02-27-今,《Electronics》, 编委
2023-02-27-今,《原子能科学技术》, 青年编委
2023-02-01-今,中国科学院可靠性保障中心, 副主任
2021-11-01-今,中国科学院元器件专家组, 专家
2020-12-31-今,中国科学院青年创新促进会, 优秀会员
2019-12-31-今,《现代应用物理》, 青年编委
专利与奖励
奖励信息
（1） 中国计量测试学会科学技术进步奖, 二等奖, 部委级, 2023
（2） 中国科学院青年创新促进会优秀会员, 院级, 2020
（2） 中国科学院青年创新促进会优秀会员, 院级, 2020
出版信息
发表著作
（1） 非易失自旋集成电路技术, Spin Transfer Torque (STT) Based Devices, Circuits and Memory, 电子工业出版社, 2019-01, 第 3 作者
（2） 抗辐射集成电路设计, Integrated Circuit Design for Radiation Environments, 国防工业出版社, 2020-12, 第 2 作者
（3） 可靠性物理与工程--失效时间模型 第三版, Reliability Physics and Engineering Time-To-Failure Modeling (Third Edition), 国防工业出版社, 2020-12, 第 2 作者
（2） 抗辐射集成电路设计, Integrated Circuit Design for Radiation Environments, 国防工业出版社, 2020-12, 第 2 作者
（3） 可靠性物理与工程--失效时间模型 第三版, Reliability Physics and Engineering Time-To-Failure Modeling (Third Edition), 国防工业出版社, 2020-12, 第 2 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） SOI 工艺带隙基准损伤机理及加固方法研究, 负责人, 中国科学院计划, 2014-10--2017-12
（ 2 ） 堆叠纳米线围栅器件的辐射损伤机理及在线增强自修复机制研究, 负责人, 国家任务, 2019-01--2022-12
（ 3 ） SOI FinFET新结构器件研究, 负责人, 国家任务, 2019-06--2020-12
（ 4 ） 中国科学院青年创新促进会优秀会员, 负责人, 中国科学院计划, 2021-01--2023-12
（ 5 ） 空间高低温交变环境下深亚微米集成电路老化失效机理与模型研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 6 ） 某效应快速评估与自动加固研究, 负责人, 中国科学院计划, 2024-01--2025-12
（ 7 ） 某材料与工艺技术研究, 负责人, 国家任务, 2022-11--2027-11
（ 8 ） 极端环境关键核心芯片及X射线辐照模拟辁辇鬃此缨桥测试技术研究, 负责人, 研究所自主部署, 2023-11--2026-11
（ 2 ） 堆叠纳米线围栅器件的辐射损伤机理及在线增强自修复机制研究, 负责人, 国家任务, 2019-01--2022-12
（ 3 ） SOI FinFET新结构器件研究, 负责人, 国家任务, 2019-06--2020-12
（ 4 ） 中国科学院青年创新促进会优秀会员, 负责人, 中国科学院计划, 2021-01--2023-12
（ 5 ） 空间高低温交变环境下深亚微米集成电路老化失效机理与模型研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 6 ） 某效应快速评估与自动加固研究, 负责人, 中国科学院计划, 2024-01--2025-12
（ 7 ） 某材料与工艺技术研究, 负责人, 国家任务, 2022-11--2027-11
（ 8 ） 极端环境关键核心芯片及X射线辐照模拟辁辇鬃此缨桥测试技术研究, 负责人, 研究所自主部署, 2023-11--2026-11
参与会议
（1）Dependency of Temperature and Back-gate Bias on Single Event Upset Induced by Heavy Ion in a 0.2 μm DSOI CMOS Technology 2021-07-01
（2）Single-event Induced Failure Mode of PWM in DC/DC Converter 2020-10-01
（3） Two-dimensional Electrostatic Potential Model for Total Dose Ionization Effects in FOI FinFETs 2020-07-01
（4）An SEU (Single-event Upset) Mitigation Strategy on Read-Write Separation SRAM Cell for Low Power Consumption 2020-06-24
（5）Radiation Effects on the Static and Dynamic Characteristics of 850 nm 10 GHz GaAs Based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers 2020-06-18
（6）Generated Quantum Emitters in Hexagonal Boron Nitride via High Energy Ion Irradiation 2020-06-05
（7）Radiation-induced Degradations in FinFET Devices with Hafnium-based Dielectric using Multiple-scale Characterization 2020-04-01
（8）Double-gate SOI: A promising candidate for high reliable microelectronics 2020-03-01
（9）The soft errors in the microelectronic devices for high reliable applications 2019-12-01
（10）Towards a Characterization of Vulnerability of XCR4C ASIC on Heavy-Ion Induced Transient Events 2019-09-01
（11）Impact of Total Ionizing Dose on the Threshold Voltage of FOI FinFET with a Property of Tunable Interface Defects 2019-07-08
（12）Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 2018-10-01
（13）堆叠纳米线围栅器件的辐射与自加热协同效应仿真研究 第三届全国辐射物理学术交流会CRPS2018 2018-07-21
（14）The dependence of single event effect on heavy ion angular irradiation by Geant4 simulation 2018-05-17
（15）Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs 2017-10-02
（16）An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure 2017-10-01
（17）The current observer design for buck converter 2016-09-28
（18）An SEE Prognostic Cell Embedded Rad-hard Digital Controller for Next Generation DC-DC Converter in Space 2015-07-09
（19）A Digital Direct Controller for Buck Converter 2014-10-08
（20）An FPGA Prototype of Current and Voltage Predictive Controller for High Switching Frequency Buck Converter 2012-10-25
（21）MASH Δ-Σ DPWM Based Sliding-mode Controller Dedicating to High Frequency SMPS 2011-08-30
（22）Design and Implementation of the Digital Controller for Boost Converter based on FPGA 2011-06-27
（2）Single-event Induced Failure Mode of PWM in DC/DC Converter 2020-10-01
（3） Two-dimensional Electrostatic Potential Model for Total Dose Ionization Effects in FOI FinFETs 2020-07-01
（4）An SEU (Single-event Upset) Mitigation Strategy on Read-Write Separation SRAM Cell for Low Power Consumption 2020-06-24
（5）Radiation Effects on the Static and Dynamic Characteristics of 850 nm 10 GHz GaAs Based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers 2020-06-18
（6）Generated Quantum Emitters in Hexagonal Boron Nitride via High Energy Ion Irradiation 2020-06-05
（7）Radiation-induced Degradations in FinFET Devices with Hafnium-based Dielectric using Multiple-scale Characterization 2020-04-01
（8）Double-gate SOI: A promising candidate for high reliable microelectronics 2020-03-01
（9）The soft errors in the microelectronic devices for high reliable applications 2019-12-01
（10）Towards a Characterization of Vulnerability of XCR4C ASIC on Heavy-Ion Induced Transient Events 2019-09-01
（11）Impact of Total Ionizing Dose on the Threshold Voltage of FOI FinFET with a Property of Tunable Interface Defects 2019-07-08
（12）Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 2018-10-01
（13）堆叠纳米线围栅器件的辐射与自加热协同效应仿真研究 第三届全国辐射物理学术交流会CRPS2018 2018-07-21
（14）The dependence of single event effect on heavy ion angular irradiation by Geant4 simulation 2018-05-17
（15）Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs 2017-10-02
（16）An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure 2017-10-01
（17）The current observer design for buck converter 2016-09-28
（18）An SEE Prognostic Cell Embedded Rad-hard Digital Controller for Next Generation DC-DC Converter in Space 2015-07-09
（19）A Digital Direct Controller for Buck Converter 2014-10-08
（20）An FPGA Prototype of Current and Voltage Predictive Controller for High Switching Frequency Buck Converter 2012-10-25
（21）MASH Δ-Σ DPWM Based Sliding-mode Controller Dedicating to High Frequency SMPS 2011-08-30
（22）Design and Implementation of the Digital Controller for Boost Converter based on FPGA 2011-06-27
指导学生
已指导学生
高鹤 硕士研究生 085208-电子与通信工程
郎丰涛 硕士研究生 085208-电子与通信工程
张悦 硕士研究生 085208-电子与通信工程
丁皓南 硕士研究生 085209-集成电路工程
王振伟 硕士研究生 085209-集成电路工程
王治安 硕士研究生 085209-集成电路工程
赵天伟 硕士研究生 085209-集成电路工程
李昱辰 硕士研究生 085209-集成电路工程
现指导学生
陈天乐 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
俸超平 硕士研究生 085400-电子信息
张心铭 硕士研究生 085400-电子信息
张超 硕士研究生 085400-电子信息
罗泽坤 硕士研究生 085400-电子信息
高玥鹏 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
吴宇辰 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
孙赫 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学