基本信息
李彬  男    中国科学院微电子研究所
电子邮件: libin1@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
硅光子技术

教育背景

2012-09--2016-09   北京交通大学   博士

工作经历

   
工作简历
2019-01~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2016-10~2019-01,中国科学院微电子研究所, 博士后

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN202210089673.3

( 2 ) 一种波导层间耦合结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN202110673125.0

( 3 ) 一种波导器件及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN202110604680.8

( 4 ) 氮化硅膜的生长方法及厚膜氮化硅波导器件的制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112680715A

( 5 ) 一种光电探测器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112563349A

( 6 ) 一种厚膜氮化硅波导的挖槽制备方法, 专利授权, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110441860B

( 7 ) 一种区域厚膜氮化硅的制备方法, 专利授权, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110456451B

( 8 ) 一种厚膜氮化硅的区域挖槽制备方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110459464A

( 9 ) 一种厚膜氮化硅波导的制备方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110456450A

出版信息

   
发表论文
(1) Broadband Silicon Nitride Power Splitter Based on Bent Directional Couplers with Low Thermal Sensitivity, Micromachines, 2022, 通讯作者
(2) Characteristics of Crack-Free Silicon Nitride Films Deposited by LPCVD for Photonic Applications, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 通讯作者
(3) Towards monolithic low-loss silicon nitride waveguides on a mature 200 mm CMOS platform, Optik, 2021, 第 1 作者
(4) Study on silicon photonic devices for photonic neural network, Proc. SPIE. 11556, Nanophotonics and Micro/Nano Optics VI, 2020, 第 1 作者
(5) 高性能波导集成型锗/硅水平APD, High-Performance Waveguide-Integrated Ge/Si Lateral Avalance Photodiode, 微纳电子技术, 2020, 第 5 作者
(6) CMOS工艺兼容的8英寸硅光平台, CMOS compatible 8-inch silicon photonics platform, 微纳电子与智能制造, 2019, 第 2 作者
(7) Optimized fabrication of wafer-level Si waveguides based on 200 mm CMOS platform, OPTIK, 2018, 第 1 作者
(8) 硅基狭缝脊形波导的几何尺寸对光场分布的影响, Influence of Geometric Dimension of Slot Ridge Waveguide on Light Field Distribution, 电子科技, 2018, 第 3 作者
(9) Silicon Photonics Technology on 200-mm CMOS Platform for High Integration Applications, OPTOELECTRONIC DEVICES AND INTEGRATION VII, 2018, 

科研活动