基本信息
孔金霞 女 中国科学院半导体研究所
电子邮件: jxkong@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号半导体所
邮政编码:
电子邮件: jxkong@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号半导体所
邮政编码:
研究领域
大功率半导体激光器MOCVD外延生长技术、封装技术、光纤耦合技术和失效分析技术研究。
招生信息
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
大功率激光器封装,耦合,失效分析
教育背景
2007-09--2012-06 中国科学院半导体研究所 硕博连读
学历
博士研究生
学位
工学博士
工作经历
工作简历
2020-09~现在, 中国科学院半导体研究所, 高级工程师
2012-10~2020-08,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2012-10~2020-08,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 一种电镀夹具及其使用方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108360047A
( 2 ) 磨抛夹具, 外观设计, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106695554A
( 3 ) 半导体激光器微通道水冷叠阵的对齐组装装置, 发明专利, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106532427A
( 4 ) 用于单管芯激光二极管测试老化夹具及使用方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105628984A
( 5 ) 单管芯激光二极管测试老化夹具, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105699709A
( 6 ) 一种半导体激光器列阵烧结装置和烧结方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105428995A
( 7 ) 一种有多色响应的量子点红外探测器, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623523A
( 8 ) InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102064472A
( 9 ) 光伏型InAs量子点红外探测器结构, 发明专利, 2010, 第 9 作者, 专利号: CN101740655A
( 2 ) 磨抛夹具, 外观设计, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106695554A
( 3 ) 半导体激光器微通道水冷叠阵的对齐组装装置, 发明专利, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106532427A
( 4 ) 用于单管芯激光二极管测试老化夹具及使用方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105628984A
( 5 ) 单管芯激光二极管测试老化夹具, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105699709A
( 6 ) 一种半导体激光器列阵烧结装置和烧结方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105428995A
( 7 ) 一种有多色响应的量子点红外探测器, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623523A
( 8 ) InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102064472A
( 9 ) 光伏型InAs量子点红外探测器结构, 发明专利, 2010, 第 9 作者, 专利号: CN101740655A
出版信息
发表论文
[1] 王鑫, 朱凌妮, 赵懿昊, 孔金霞, 王翠鸾, 熊聪, 马骁宇, 刘素平. 915nm半导体激光器新型腔面钝化工艺. 红外与激光工程[J]. 2019, 第 4 作者77-81, https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFQ&dbname=CJFDLAST2019&filename=HWYJ201901012&v=MTM2ODRaTEc0SDlqTXJvOUVab1I4ZVgxTHV4WVM3RGgxVDNxVHJXTTFGckNVUjdxZVorUnZGaWpoVTd6SkxUclM=.
[2] Kong, JinXia, Liu, QiKun, Xiong, Cong, Qi, Qiong, Zhu, LingNi, Liu, SuPing, Ma, XiaoYu, Wang, ZhanGuo. Bulk Degradation of High Power InAlGaAs-AlGaAs Strained Quantum Well Lasers. JOURNALOFNANOSCIENCEANDNANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 第 1 作者 通讯作者 18(11): 7364-7368, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000443946600006.
[3] 刘启坤, 孔金霞, 朱凌妮, 熊聪, 刘素平, 马骁宇. 电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析. 发光学报[J]. 2018, 第 2 作者 通讯作者 39(2): 180-187, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000473919.
[4] 井红旗, 倪羽茜, 刘启坤, 仲莉, 孔金霞, 王鑫, 刘素平, 马骁宇. AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响. 发光学报[J]. 2018, 第 5 作者39(6): 850-854, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675509999.
[5] 倪羽茜, 井红旗, 孔金霞, 祁琼, 刘素平, 马骁宇. 高功率半导体激光器陶瓷封装散热性能研究. 发光学报[J]. 2016, 第 3 作者561-566, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=668760282.
[6] 唐光华, 徐波, 姜立稳, 孔金霞, 孔宁, 梁德春, 梁平, 叶小玲, 金鹏, 刘峰奇, 陈涌海, 王占国. A Photovoltaic InAs Quantum-Dot Infrared Photodetector. 中国物理快报:英文版[J]. 2010, 第 4 作者27(4): 219-222, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=33419748.
[2] Kong, JinXia, Liu, QiKun, Xiong, Cong, Qi, Qiong, Zhu, LingNi, Liu, SuPing, Ma, XiaoYu, Wang, ZhanGuo. Bulk Degradation of High Power InAlGaAs-AlGaAs Strained Quantum Well Lasers. JOURNALOFNANOSCIENCEANDNANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 第 1 作者 通讯作者 18(11): 7364-7368, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000443946600006.
[3] 刘启坤, 孔金霞, 朱凌妮, 熊聪, 刘素平, 马骁宇. 电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析. 发光学报[J]. 2018, 第 2 作者 通讯作者 39(2): 180-187, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000473919.
[4] 井红旗, 倪羽茜, 刘启坤, 仲莉, 孔金霞, 王鑫, 刘素平, 马骁宇. AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响. 发光学报[J]. 2018, 第 5 作者39(6): 850-854, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675509999.
[5] 倪羽茜, 井红旗, 孔金霞, 祁琼, 刘素平, 马骁宇. 高功率半导体激光器陶瓷封装散热性能研究. 发光学报[J]. 2016, 第 3 作者561-566, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=668760282.
[6] 唐光华, 徐波, 姜立稳, 孔金霞, 孔宁, 梁德春, 梁平, 叶小玲, 金鹏, 刘峰奇, 陈涌海, 王占国. A Photovoltaic InAs Quantum-Dot Infrared Photodetector. 中国物理快报:英文版[J]. 2010, 第 4 作者27(4): 219-222, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=33419748.