基本信息

贺科科  男    中国科学院微电子研究所
电子邮件： hekeke@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号D804
邮政编码： 100029

研究领域

研究方向/兴趣: 半导体器件物理;磁电自旋电子器件;自旋-光子界面

  • ​基于AI/神经网络加速的器件物理仿真模拟
  • ​载流子自旋输运（自旋霍尔效应、（非常规）反常霍尔效应、量子自旋霍尔效应等）和量子输运（量子限制效应、量子干涉、隧穿效应等）机理
  • 磁电随机存取存储器/磁电自旋场效应管(ME-RAM/Spin-FET) 

研究技术:
• 基于非平衡格林函数（NEGF）的全量子输运理论
• 微纳器件加工;低温、强磁场下的光学及电学探测


教育背景

2017-08--2022-09   美国纽约州立大学布法罗分校电子工程系   哲学博士
2013-08--2016-07   北京大学物理学院   理学硕士
2008-09--2012-07   西北大学物理学院   理学学士

工作经历

工作简历
2025-02~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2022-10~2024-10,美国加州大学伯克利分校电子工程系, 博士后研究员