集成电路先导工艺技术
CMOS器件与工艺；半导体器件与工艺

材料、化学以及电子工程相关专业学生

140100-集成电路科学与工程

集成电路先导工艺技术

2006-09--2010-06   瑞典皇家工学院（KTH）   工学博士
2005-09--2006-09   复旦大学   博士在读
2002-09--2005-07   厦门大学   工学硕士
1999-09--2002-07   华中科技大学   管理学学士
1998-09--2002-07   中国地质大学（武汉）   工学学士

研究生

工学博士

   

2017-05~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2010-08~2017-04,中科院微电子所, 助理研究员/副研究员

2024-03-13-2029-03-13,Journal of Materials Science: Materials in Engineering主编, 主编
2023-06-01-2024-06-01,商务部两用物项出口管制专家, 两用物项出口管制专家
2023-04-19-2026-04-19,科技部“微纳电子技术”重点研发计划总体专家组专家, 副组长
2022-12-01-2025-12-31,滨州魏桥国科高等技术研究院兼职教授, 兼职教授
2020-09-27-2024-09-27,超弦存储器研究院副理事长, 副理事长
2019-06-30-今,Wiley series on Materials for Electronics and Photonics, 编辑
2017-10-31-今,Journal of Materials Science: Materials in Electronics副主编, 副主编

集成电路制造技术
集成电路制造工艺与研究方法
先进集成电路制造品质控制：理论与实务
半导体工艺与制造技术
半导体工艺与制造技术二班
先进半导体器件物理与工艺技术
Si基CMOS和光子学的新兴技术
高等计算电磁学
半导体制造技术
集成电路制造工艺与设备

   

（1） 中国电子学会科学技术奖技术发明奖, 一等奖, 省级, 2025
（2） 中国科学院科技促进发展奖, 院级, 2023
（3） 魏桥国科校长奖教金, 特等奖, 院级, 2022
（4） 中国电子信息科技创新团队, 一等奖, 部委级, 2019
（5） 中国科学院“朱李月华优秀教师奖”, 院级, 2017
（6） 中国专利优秀奖, 部委级, 2017

（ 1 ） 一种半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN116722029A

（ 2 ） 一种亚阈值区漏级电流的确定方法、装置及存储介质, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116609701A

（ 3 ） 一种半导体器件及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116646378A

（ 4 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116598296A

（ 5 ） 一种SiC MOSFET器件, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116487440A

（ 6 ） FinFET及其制造方法及包括FinFET的电子设备, 发明专利, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN116598360A

（ 7 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN116721921A

（ 8 ） 一种环栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116469938A

（ 9 ） 一种环栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116487439A

（ 10 ） 存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116419568A

（ 11 ） MRAM存储单元及其写入方法、读取方法和制备方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116669526A

（ 12 ） SOT-MRAM存储单元及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116456807A

（ 13 ） 一种铁电栅极叠层和铁电场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116544270A

（ 14 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116454136A

（ 15 ） 一种温湿度监测器, 发明专利, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN116429173A

（ 16 ） 一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法、制备方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN115884602A

（ 17 ） 半导体器件金属互连结构及其形成方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN115881627A

（ 18 ） 集成电路设备和半导体器件的制备方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN115881590A

（ 19 ） 涂胶方法和电子设备, 发明专利, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN115945367A

（ 20 ） 一种互连结构的制作方法、互连结构及半导体器件, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN115588648A

（ 21 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115513142A

（ 22 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN115621320A

（ 23 ） 电子束光刻方法、浅沟槽隔离及电极接触孔的形成方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN115639730A

（ 24 ） 新的叠层结构及其制备方法、图形转移方法、返工方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115547815A

（ 25 ） 具有量测对准图形的晶圆, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115360173A

（ 26 ） 一种动态随机存储器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115332252A

（ 27 ） 一种无电容动态随机存储器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115360233A

（ 28 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115172447A

（ 29 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115116956A

（ 30 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115117147A

（ 31 ） 一种无电容DRAM单元结构及制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114864583A

（ 32 ） 一种环栅晶体管的制造方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115020233A

（ 33 ） 一种环栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114899236A

（ 34 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114975282A

（ 35 ） 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115050818A

（ 36 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114883270A

（ 37 ） 一种晶体管的制造方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114709135A

（ 38 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114944392A

（ 39 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114823668A

（ 40 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114709175A

（ 41 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114613769A

（ 42 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114613770A

（ 43 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114709222A

（ 44 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114678329A

（ 45 ） 具有高驱动能力和陡峭SS特性的半导体器件及制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114566549A

（ 46 ） 一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114464574A

（ 47 ） 一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114464574A

（ 48 ） 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114497028A

（ 49 ） 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114497028A

（ 50 ） 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114497028A

（ 51 ） 存算一体单元及逻辑功能可重构的存算一体电路, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114244348A

（ 52 ） 一种基于薄膜晶体管的无电容DRAM单元结构及制造方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114334980A

（ 53 ） 一种半导体器件的制备方法及半导体器件, 发明专利, 2022, 专利号: CN114005835A

（ 54 ） 刻蚀梯形凹槽的方法及在衬底上形成金属线条的方法, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114171374A

（ 55 ） 一种半导体结构及其制备方法、三维存储器, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114023745A

（ 56 ） 在半导体衬底上制作交叉线的方法, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114171668A

（ 57 ） 自旋霍尔器件、霍尔电压的获取方法及最大池化的方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114184833A

（ 58 ） 一种半导体器件及其制备方法、电子设备, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114038911A

（ 59 ） 绝缘体上单晶薄膜制备方法及层叠结构, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113964020A

（ 60 ） 一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113707803A

（ 61 ） SOT-MRAM存储单元及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113690366A

（ 62 ） 一种基带RF一体化集成结构及集成方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113809070A

（ 63 ） 存储器电路及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113744776A

（ 64 ） 约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结, 发明专利, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113380942A

（ 65 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113363214A

（ 66 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113345840A

（ 67 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113345841A

（ 68 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113363214A

（ 69 ） 一种合束装置、激光加工设备和激光退火方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113422296A

（ 70 ） 一种激光退火设备及激光退火方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113421836A

（ 71 ） 一种激光退火设备和激光退火方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113471102A

（ 72 ） 键合半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380648A

（ 73 ） 一种铜互连结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380763A

（ 74 ） 芯片单元、芯片组件和芯片单元的制作方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380743A

（ 75 ） 空气隙制作方法、空气隙和电子设备, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380698A

（ 76 ） 半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380761A

（ 77 ） 一种键合结构、多晶圆三维集成结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380742A

（ 78 ） 半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380699A

（ 79 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113314423A

（ 80 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 专利号: CN113506774A

（ 81 ） 一种半导体器件的制造方法, 专利授权, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113314423A

（ 82 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113948467A

（ 83 ） 存储单元及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113328034A

（ 84 ） 基于底电极垂直向电压控制的SOT-MRAM及制造、写入方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113224232A

（ 85 ） 基于底电极平行向电压控制的SOT-MRAM及制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113178518A

（ 86 ） 一种掺杂缺陷去除方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113130309A

（ 87 ） 一种研磨装置及方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113001391A

（ 88 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113130298A

（ 89 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113130298A

（ 90 ） 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112802798A

（ 91 ） 一种测试元件组及其测试方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115083501A

（ 92 ） 碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113178414A

（ 93 ） 一种NMOS晶体管及其制造方法、三维异质集成芯片, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112864229A

（ 94 ） 一种Z 2 -FET器件及其制备方法、一种半导体器件, 发明专利, 2021, 第 13 作者, 专利号: CN113178489A

（ 95 ） 一种基于MTJ的真随机数发生器, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112835556A

（ 96 ） 一种MTJ及其驱动方法和制作方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112928206A

（ 97 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112885724A

（ 98 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112885715A

（ 99 ） 栅极及MOSFET的制造方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114678269A

（ 100 ） 栅叠层结构、栅极、DRAM及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114678268A

（ 101 ） 形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112635314A

（ 102 ） MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112652663A

（ 103 ） 金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法, 发明授权, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN112652607B

（ 104 ） 金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112652607A

（ 105 ） 一种磁性隧道结及其制造方法、存储单元, 发明授权, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN112563411B

（ 106 ） 一种磁性隧道结及其制造方法、存储单元, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112563411A

（ 107 ） 半导体器件的形成方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112309871A

（ 108 ） 一种存储器件, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112054033A

（ 109 ） 一种振荡器及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112038483A

（ 110 ） 一种磁性随机存储器及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111952438A

（ 111 ） 一种刻蚀方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113838798A

（ 112 ） Ge基NMOS晶体管及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111463133A

（ 113 ） Ge基NMOS晶体管及其制作方法, 发明授权, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN111463133B

（ 114 ） 一种多晶硅的沉积方法及其应用, 发明授权, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN111430226B

（ 115 ） 一种多晶硅的沉积方法及其应用, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111430226A

（ 116 ） 一种存储器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111459864B

（ 117 ） 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 发明授权, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN111415902B

（ 118 ） 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111415902A

（ 119 ） 一种二极管、探测器及探测器的制作方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111244193B

（ 120 ） 一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111211110A

（ 121 ） 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111180520A

（ 122 ） 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111180519A

（ 123 ） 一种刻蚀方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111063798A

（ 124 ） 一种肖特基势垒晶体管及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111129126A

（ 125 ） 绝缘体上鳍片的制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112992681A

（ 126 ） 一种MOS器件、制造方法、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110931361A

（ 127 ） 一种鳍状结构及半导体器件的制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110896034A

（ 128 ） 一种Ge基CMOS晶体管制备方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110634868A

（ 129 ） 一种CMOS晶体管、CMOS晶体管的制备方法及电子设备, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110634866A

（ 130 ） 一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片, 发明专利, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110620033A

（ 131 ） 一种PMOS晶体管、PMOS晶体管的制备方法及电子设备, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110581175A

（ 132 ） SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDON ACCESS MEMORY AND METHOD AND APPARATUS FOR WRITING THE SAME, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: US20200152252(A1)

（ 133 ） STT-MRAM参考单元及其制备方法及包含该参考单元的芯片, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110277490A

（ 134 ） 基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110277115A

（ 135 ） 磁性单粒子探测装置及其制造方法、磁性单粒子探测方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110161113A

（ 136 ） 信号检测装置以及系统, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110058314A

（ 137 ） 一种磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110061128A

（ 138 ） 磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器, 发明授权, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN110061127B

（ 139 ） 磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110061127A

（ 140 ） 隧穿磁电阻传感器的调控方法及系统, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110109039A

（ 141 ） 一种多态存储器及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109904309A

（ 142 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2019, 专利号: CN109887884A

（ 143 ） 一种B掺杂的NiSi/n-Si光电阳极及其制备方法和应用, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109904251A

（ 144 ） 一种B掺杂的NiSi/n-Si光电阳极及其制备方法和应用, 发明授权, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN109904251B

（ 145 ） 半导体结构与其制作方法, 专利授权, 2019, 专利号: CN109920738A

（ 146 ） 半导体结构与其制作方法, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109950153A

（ 147 ） 芯片的切割方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109920759A

（ 148 ） 金属栅功函数的调节方法及MOSFET的制备方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109904233A

（ 149 ） 一种半导体器件单元以及图像识别装置, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109768065A

（ 150 ） 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109346409A

（ 151 ） 一种磁阻式随机存储器及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109713118A

（ 152 ） 一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109742229A

（ 153 ） 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109686658A

（ 154 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110349969A

（ 155 ） 肖特基势垒晶体管及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115188813A

（ 156 ） CMOS器件及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109671621A

（ 157 ） 肖特基势垒晶体管及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109671780A

（ 158 ） 自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及写入方法、装置, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109585644A

（ 159 ） 一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109449285A

（ 160 ） 半导体器件与其制作方法, 发明授权, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN109346409B

（ 161 ） 半导体器件与其制作方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109545748A

（ 162 ） 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109473468A

（ 163 ） 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116705837A

（ 164 ） 一种存储器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 专利号: CN109545959A

（ 165 ） 自旋轨道转矩驱动器件, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109301063A

（ 166 ） 一种存储器件, 实用新型, 2019, 专利号: CN110061002A

（ 167 ） 一种存储器件, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110034117A

（ 168 ） 一种存储器件, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110061002B

（ 169 ） 半导体结构与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108807279A

（ 170 ） 半导体器件与其制作方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108807278A

（ 171 ） 一种纳米线的制作方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108807170A

（ 172 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108493111A

（ 173 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2019, 专利号: CN110364475A

（ 174 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108198782A

（ 175 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108389787A

（ 176 ） CMOS器件及其制备方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108428667A

（ 177 ） 基于应变调控的Ge光电探测器及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108063168A

（ 178 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108269737A

（ 179 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109671774A

（ 180 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN107871708B

（ 181 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106601820A

（ 182 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 专利号: CN107546121A

（ 183 ） 半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106952908A

（ 184 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN106952922B

（ 185 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106847682A

（ 186 ） 衬底及其制造方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106611739A

（ 187 ） 衬底及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN106611740B

（ 188 ） 衬底及其制造方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106611740A

（ 189 ） 一种III族氮化物电子器件低温欧姆接触的制作方法, 发明专利, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105390382A

（ 190 ） 高电子迁移率晶体管的制造方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105405761A

（ 191 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106504983A

（ 192 ） 侧墙形成方法和包括侧墙的半导体器件, 专利授权, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105632933A

（ 193 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105633157A

（ 194 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2016, 专利号: CN105633158A

（ 195 ） 石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105990091A

（ 196 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104810373A

（ 197 ） 石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105845543A

（ 198 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN104766864B

（ 199 ） 鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105789301A

（ 200 ） 鳍结构及其制造方法, 专利授权, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105789268A

（ 201 ） 衬底结构及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105789026A

（ 202 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105762188A

（ 203 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105762187A

（ 204 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105702725A

（ 205 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 专利号: CN105702729B

（ 206 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105702729A

（ 207 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN105702729B

（ 208 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105489493A

（ 209 ） 形成金属硅化物的方法及其湿法腐蚀混合液配方, 专利授权, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105336600A

（ 210 ） 传感装置, 实用新型, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104792845A

（ 211 ） 三维微纳结构、检测装置和检测方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105445250A

（ 212 ） 微流体通道、侧向层流检测器件和微流体阀, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105329836A

（ 213 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105336569A

（ 214 ） 一种细胞定位单元、阵列、器件及其形成方法, 专利授权, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104789443A

（ 215 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104299986A

（ 216 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104795330A

（ 217 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 专利号: CN104795330B

（ 218 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 专利号: CN104795329B

（ 219 ） 制造半导体器件的方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104779163A

（ 220 ） 具有改善粘附性能和填充性能的钨层沉积方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104766792A

（ 221 ） 半导体制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN104217947B

（ 222 ） 一种后栅工艺中ILD层的处理方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104637797A

（ 223 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104465374A

（ 224 ） 半导体制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN104217947A

（ 225 ） SiGe体区纵向1T-DRAM器件及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103972174A

（ 226 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN103972089A

（ 227 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN103972090A

（ 228 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103972091A

（ 229 ） 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103545373A

（ 230 ） 平坦化处理方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103854967A

（ 231 ） 平坦化处理方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103854966A

（ 232 ） 平坦化处理方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN103854965A

（ 233 ） 鳍结构制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109216181A

（ 234 ） 鳍结构制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103854981A

（ 235 ） 高电子迁移率晶体管及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103579328A

（ 236 ） 高电子迁移率晶体管及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681831A

（ 237 ） 高电子迁移率晶体管的制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681323A

（ 238 ） 高电子迁移率晶体管及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681831A

（ 239 ） SOI衬底制作方法及SOI衬底, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681447A

（ 240 ） 一种制造交叉点器件的方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103682088A

（ 241 ） 栅电极的形成方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103632944A

（ 242 ） 浅沟槽隔离及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103633009A

（ 243 ） 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103632972A

（ 244 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN103515214A

（ 245 ） Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: US2013082310A1

（ 246 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103377943A

（ 247 ） 金属硅化物制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103377894A

（ 248 ） METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: US2014357027(A1)

（ 249 ） METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: US20140357027(A1)

（ 250 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103311280A

（ 251 ） 半导体场效应晶体管及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103296083A

（ 252 ） Semiconductor device and manufacturing method thereof, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: US9012965(B2)

（ 253 ） 一种半导体结构, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN202651088U

（ 254 ） Transistor with primary and semiconductor spacer, method for manufacturing transistor, and semiconductor chip comprising the transistor, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: US8835316(B2)

（ 255 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103137486A

（ 256 ） Semiconductor device and manufacturing method thereof, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: US8816326(B2)

（ 257 ） 具有抬升硅化物源漏接触的MOSFET及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103137668A

（ 258 ） Semiconductor device structure, method for manufacturing the same, and method for manufacturing Fin, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: US9070719B2

（ 259 ） 半导体器件, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103094326A

（ 260 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103077919A

（ 261 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN103077919B

（ 262 ） Schottky junction source/drain transistor and method of making, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: US8697529(B2)

（ 263 ） 低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103000675A

（ 264 ） 低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102983163A

（ 265 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102386189A

（ 266 ） 半导体器件结构及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102956458A

（ 267 ） 半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102956457A

（ 268 ） 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102956451A

（ 269 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102938415A

（ 270 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102938416A

（ 271 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN102931086B

（ 272 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102931085A

（ 273 ） Transistor with primary and semiconductor spacer, method for manufacturing transistor, and semiconductor chip comprising the transistor, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: US8835316B2

（ 274 ） 一种晶体管和包括该晶体管的半导体芯片, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN202749347U

（ 275 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102891176A

（ 276 ） 多栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN102881724B

（ 277 ） 多栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102881724A

（ 278 ） 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102867748A

（ 279 ） 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102832127A

（ 280 ） 纳米线制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102826504A

（ 281 ） 传感装置, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102778585A

（ 282 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102779751A

（ 283 ） 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102769033A

（ 284 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN102760762B

（ 285 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102760652A

（ 286 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102760762A

（ 287 ） 一种半导体结构, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN202487541U

（ 288 ） 热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102693917A

（ 289 ） 改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102693916A

（ 290 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102194881A

（ 291 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN102593174B

（ 292 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102593174A

（ 293 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN102593173B

（ 294 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102593000A

（ 295 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN102593000B

（ 296 ） 半导体器件的形成方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN102543745B

（ 297 ） 一种晶体管的制造方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102130011A

（ 298 ） MOS晶体管及其制作方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102569087A

（ 299 ） 自对准金属硅化物的形成方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102569048A

（ 300 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102544089A

（ 301 ） 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102487014A

（ 302 ） 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102487015A

（ 303 ） 一种晶体管的制造方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102130009A

（ 304 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102479818A

（ 305 ） 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102479812A

（ 306 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102437183A

（ 307 ） 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN103871993B

（ 308 ） 形成超薄可控的金属硅化物的方法, 发明专利, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101764058A

（ 309 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101740633A

（ 310 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101587896A

（ 311 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102017130A

（ 312 ） 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101652833A

（ 313 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101051637A

（ 314 ） 半导体器件制造方法, 专利授权, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100481321C

（ 315 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1877838A

（ 316 ） 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1862804A

（ 317 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100511647C

（ 318 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1822384A

（ 319 ） 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1649159A

（ 320 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1614765A

（ 321 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2002, 第 2 作者, 专利号: CN1383215A

（ 322 ） 半导体器件, 发明专利, 2000, 第 1 作者, 专利号: CN1245976A

（ 323 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN118367023A

（ 324 ） 一种扩散炉支撑桨的校准方法和扩散炉, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN118224864A

（ 325 ） 一种3D-NAND存储器及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN118368899A

（ 326 ） 基于自整流MRAM的数据隐藏的方法及装置, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118280407A

（ 327 ） 基于SOT-MTJ的反相器及其驱动方法、制备方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118302031A

（ 328 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118299267A

（ 329 ） 一种磁阻随机访问存储单元及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118201368A

（ 330 ） 一种半导体器件制备方法, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN118299260A

（ 331 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118299379A

（ 332 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118299380A

（ 333 ） 一种JBS二极管器件的结构及其制造方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118073428A

（ 334 ） 半导体器件及制造方法, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN118173579A

（ 335 ） 一种改善钨金属栅均匀性的方法及晶体管的制备方法, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN118366866A

（ 336 ） 一种硅基纳米真空计及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN118108175A

（ 337 ） 双钉扎层存储单元及其制备方法、存储器和电子设备, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN117979808A

（ 338 ） 一种膜厚监控方法、装置及设备, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117936404A

（ 339 ） 一种样品膜厚自动测试系统及方法, 发明专利, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN117928453A

（ 340 ） 磁性隧道结结构及其形成方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117597012A

（ 341 ） 一种双重图形化的方法、半导体器件及电子设备, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117912938A

（ 342 ） 一种自对准双重图形化的方法、半导体器件及电子设备, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117912937A

（ 343 ） 一种双重图形化的方法、半导体器件及电子设备, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117936369A

（ 344 ） 磁随机存储器结构及其形成方法、电路及其工作方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117794252A

（ 345 ） 一种纳米片环栅晶体管及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 8 作者, 专利号: CN117995903A

（ 346 ） 一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法, 发明专利, 2024, 第 9 作者, 专利号: CN117727625A

（ 347 ） 一种GeSn/SiGe量子阱激光器及其制作方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117895334A

（ 348 ） 存储单元及其写入、读取、计算方法、存储器, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN117649866A

（ 349 ） 一种光刻方法、半导体结构以及电子设备, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117724296A

（ 350 ） 基于SOT-MTJ的逻辑运算单元和实现逻辑运算方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117746939A

（ 351 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117729838A

（ 352 ） 一种梯形凹槽的刻蚀方法及金属线条的制备方法, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117912936A

（ 353 ） 一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体结构, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117908335A

（ 354 ） 一种同时制备多种晶体管的方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117613004A

（ 355 ） 一种微孔结构的制造方法及多晶硅的制造方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117612934A

（ 356 ） 一种磁随机存取存储单元的控制电路、控制方法及存储器, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN117636930A

（ 357 ） 一种可控随机可重构的加密电路及其控制方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN117614621A

（ 358 ） 一种半导体器件的制作方法及半导体器件, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117524863A

（ 359 ） 一种单晶薄膜及其制备方法和装置, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117448934A

（ 360 ） 一种高密度纳米尺度线条的获得方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117524867A

（ 361 ） 一种利用激光获得纳米尺度线条的方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117457480A

（ 362 ） 纳米尺度深孔的制备方法及纳米器件, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117747540A

（ 363 ） 薄膜晶体管和制备方法, 发明专利, 2024, 第 8 作者, 专利号: CN117542897A

（ 364 ） 一种环栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN117096196A

（ 365 ） 一种细胞筛结构制备方法以及细胞筛结构, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN117180988A

（ 366 ） 一种三维垂直结构存储器结构及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN117241575A

（ 367 ） 一种三维垂直结构存储器结构及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN117098395A

（ 368 ） 一种纳米线模板制备方法以及纳米线模板, 发明专利, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN117049469A

（ 369 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116884847A

（ 370 ） 一种半导体器件及其制备方法和低温ISSG工艺的应用, 发明专利, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN116845088A

（ 371 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116936478A

（ 372 ） 半导体器件及其制备方法, 发明授权, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN115831876B

（ 373 ） 存储器电路及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备, 发明授权, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN113744776B

（ 374 ） 半导体器件及其制备方法, 发明授权, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN113380699B

（ 375 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明授权, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN113506774B

（ 376 ） 基于底电极垂直向电压控制的SOT-MRAM及制造、写入方法, 发明授权, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN113224232B

（ 377 ） 一种Z2-FET器件及其制备方法、一种半导体器件, 发明授权, 2024, 第 13 作者, 专利号: CN113178489B

（ 378 ） 一种半导体器件的制备方法及半导体器件, 发明授权, 2023, 第 13 作者, 专利号: CN113178488B

（ 379 ） 一种基于MTJ的真随机数发生器, 发明授权, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN112835556B

（ 380 ） MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法, 发明授权, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN112652663B

（ 381 ） 一种振荡器及其制造方法, 发明授权, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN112018231B

（ 382 ） 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 发明授权, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN111180519B

（ 383 ） 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 发明授权, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN111180520B

（ 384 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN119230408A

（ 385 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN119230409A

（ 386 ） 一种半导体器件, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN119230554A

   

（1） Materials, processes, devices and applications of magnetoresistive random access memory, INTERNATIONAL JOURNAL OF EXTREME MANUFACTURING, 2025, 第 4 作者  通讯作者
（2） Achieving ultralow contact resistance and reducing residual hydrogen by surface doping, Applied Surface Science, 2024, 第 3 作者  通讯作者
（3） Optimizing Cobalt Silicide Interfaces with Carbon PAI: Enhanced Thermal Stability and Reduced Specific Contact Resistivity for DRAM Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2024, 第 12 作者  通讯作者
（4） A Common Source 3D FeFET with Disturb Inhibition Program and Erase Method, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2024, 第 17 作者
（5） 环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述, An Overview of SiGe Selective Etching Technology Used for the Preparation of Gate-All-Around Transistor, 材料导报, 2024, 第 7 作者
（6） Dissolution-induced surface reconstruction of Ni0.95Pt0.05Si/p-Si photocathode for efficient photoelectrochemical H2 production, Small, 2024, 第 9 作者  通讯作者
（7） The fabrication of spin transfer torque-based magnetoresistive random access memory cell with ultra-low switching power, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 第 12 作者  通讯作者
（8） Comparative Cryogenic Investigation of FD-SOI Devices with Doped Epitaxial and Metallic Source/Drain, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2024, 第 14 作者
（9） XOR spin logic operated by unipolar current based on field-free spin-orbit torque switching induced by a lateral interface, XOR spin logic operated by unipolar current based on field-free spin-orbit torque switching induced by a lateral interface, RARE METALS, 2024, 第 8 作者  通讯作者
（10） Sub-5-�� La 2 O 3 In Situ Dipole Technique for Large V FB Modulation With EOT Reduction and Improved Interface for HKMG Technology, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2024, 第 8 作者
（11） Manipulation of Synthetic Antiferromagnetic Skyrmion by Reduced Voltage via Design of Double Interface Structure, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 第 8 作者  通讯作者
（12） Field-free magnetic switching dependence on lateral interfaces in synthetic antiferromagnets by ion implantation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 第 8 作者  通讯作者
（13） A Study on the Channel Holes' Diameter Effects of High-Performance Vertical-Channel Flash Memory Cells, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2024, 第 13 作者
（14） Role of ultra-thin tungsten interlayer in blocking nitrogen diffusion and reducing specific contact resistivity in titanium/n+-Si ohmic contacts, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2024, 第 10 作者  通讯作者
（15） Materials, Processes, Devices and Applications of Magnetoresistive Random Access Memory, International Journal of Extreme Manufacturing, 2024, 第 4 作者  通讯作者
（16） Enhanced Thermal Stability and Reduced Specific Contact Resistivity in Titanium-Based Ohmic Contact With an Ultra-Thin Molybdenum Interlayer, Ieee Electron Device Letters, 2024, 第 10 作者  通讯作者
（17） Preparation of Large Grain Size Polysilicon Using Long-Pulse Green Laser Annealing for 3-D Integration Technology, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2024, 第 14 作者  通讯作者
（18） 2.5D/3D硅基光电子集成技术及应用, Silicon Photonic 2.5D/3D Integration Technology and Its Applications, 光通信研究, 2023, 第 5 作者
（19） The effect of ��-ray irradiation on voltage-controlled magnetism of HfZrO/CoFeB Hall bar device, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2023, 第 13 作者  通讯作者
（20） Tuning crystal orientation and chiral spin order in Mn3Ge by annealing process and ion implantation, NANOTECHNOLOGY, 2023, 第 9 作者  通讯作者
（21） Ultralow-Power Compact Artificial Synapse Based on a Ferroelectric Fin Field-Effect Transistor for Spatiotemporal Information Processing, ADVANCED INTELLIGENT SYSTEMS, 2023, 第 18 作者
（22） Local Manipulation of Skyrmion Nucleation in Microscale Areas of a Thin Film with Nitrogen-Ion Implantation, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2023, 第 12 作者
（23） A Refined Ladder Transmission Line Model for the Extraction of Significantly Low Specific Contact Resistivity, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 第 2 作者  通讯作者
（24） Investigation of Fabricated CMOS FishboneFETs and TreeFETs With Strained SiGe Nano-Fins on Bulk-Si Substrate, Ieee Electron Device Letters, 2023, 第 15 作者
（25） Insight into over Repair of Hot Carrier Degradation by GIDL Current in Si p-FinFETs Using Ultra-Fast Measurement Technique, NANOMATERIALS, 2023, 第 12 作者
（26） Investigation of ultrathin yttrium silicide for NMOS source/drain contacts, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2023, 第 12 作者  通讯作者
（27） Highly Reliable Logic-in-Memory by Bidirectional Built-in Electric- Field-Modulated Multistate IGZO/AFE Nonvolatile Memory, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2023, 第 16 作者
（28） Vertical N-Type and P-Type Nanosheet FETs With C-Shaped Channel, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 
（29） Annealing effect on the magneto-electric properties of SOT-MTJs from micro to nano-sized dimensions, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2023, 第 5 作者
（30） Hybrid integrated Si nanosheet GAA-FET and stacked SiGe/Si FinFET using selective channel release strategy, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2023, 第 7 作者
（31） Effectiveness of Repairing Hot Carrier Degradation in Si p-FinFETs Using Gate Induced Drain Leakage, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 第 11 作者
（32） Enhancement of Magnetic and Electric Transport Performance of Perpendicular Spin-Orbit Torque Magnetic Tunnel Junction by Stop-on-MgO Etching Process, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 第 12 作者  通讯作者
（33） Study of Selective Dry Etching Effects of 15-Cycle Si0.7Ge0.3/Si Multilayer Structure in Gate-All-Around Transistor Process, NANOMATERIALS, 2023, 第 19 作者
（34） Investigation of Reducing Interface State Density in 4H-SiC by Increasing Oxidation Rate, NANOMATERIALS, 2023, 第 2 作者  通讯作者
（35） First Demonstration of Vertical Sandwich GAA TFETs with Self-Aligned High-k Metal Gates and Abrupt Doping Tunneling Junctions, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 第 18 作者
（36） 面向水平GAA内侧墙模块的干法Si0.7Ge0.3选择性刻蚀研究, Dry Selective Etching of Si0.7Ge0.3for Horizontal GAA Inner Spacer Module, 真空科学与技术学报, 2023, 第 15 作者
（37） Formation of Highly-Activated N-Type Shallow Junction in Germanium Using Nanosecond Laser Annealing and Fluorine Co-Doping, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 第 12 作者  通讯作者
（38） Sub-5-�� La 2 O 3 In Situ Dipole Technique for Large V FB Modulation With EOT Reduction and Improved Interface for HKMG Technology, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 第 8 作者
（39） Charge-mediated voltage modulation of magnetism in Hf0.5Zr0.5O2/Co multiferroic heterojunction, Charge-mediated voltage modulation of magnetism in Hf0.5Zr0.5O2/Co multiferroic heterojunction, Chinese Physics B, 2023, 第 18 作者  通讯作者
（40） Ultradense One-Memristor Ternary-Content-Addressable Memory Based on Ferroelectric Diodes, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 第 9 作者
（41） Si Interlayers Trimming Strategy in Gate-all-around Device Architecture for Si and SiGe Dual-Channel CMOS Integration, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 第 13 作者
（42） Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) for Co0.65Ti0.35 as a single barrier/liner in local Co interconnects, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2022, 第 13 作者  通讯作者
（43） Electrochemical surface reconstructed Ptx(x=2,3)Si/PtSi/p-Si photocathodes for achieving high efficiency in photoelectrochemical H-2 generation, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A, 2022, 第 6 作者  通讯作者
（44） Field-Free Deterministic Writing of Spin-Orbit Torque Magnetic Tunneling Junction by Unipolar Current, Ieee Electron Device Letters, 2022, 第 3 作者  通讯作者
（45） Highly efficient voltage-controlled magnetism in HfZrO/CoFeB hybrid film and Hall device, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2022, 第 16 作者  通讯作者
（46） Temperature response of non-hysteresis magnetic switching by electrical current, JOURNALOFMATERIALSSCIENCEMATERIALSINELECTRONICS, 2022, 第 3 作者
（47） Current controlled non-hysteresis magnetic switching in the absence of magnetic field, Applied Physics Letters, 2022, 第 5 作者  通讯作者
（48） The heavy ions irradiation effects on advanced spin transfer torque materials, JOURNALOFMAGNETISMANDMAGNETICMATERIALS, 2022, 第 6 作者  通讯作者
（49） Spin Logic Operated by Unipolar Voltage Inputs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 第 11 作者  通讯作者
（50） Low-Temperature (���500 ��C) Complementary Schottky Source/Drain FinFETs for 3D Sequential Integration, NANOMATERIALS, 2022, 第 16 作者
（51） Narrow Sub-Fin Technique for Suppressing Parasitic-Channel Effect in Stacked Nanosheet Transistors, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2022, 第 11 作者
（52） 超薄Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜制备及在ETSOI器件应用研究, Fabrication of Ultra-Thin Hf0.5Zr0.5O2 Film and Its Application on ETSOI Devices, 稀有金属, 2022, 第 6 作者
（53） Improved Subthreshold Characteristics by Back-Gate Coupling on Ferroelectric ETSOI FETs, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2022, 第 10 作者
（54） Advanced Process and Electron Device Technology, Advanced process and electron device technology, TSINGHUA SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 22 作者
（55） Experimental Investigation of Ultrathin Al2O3 Ex-Situ Interfacial Doping Strategy on Laminated HKMG Stacks via ALD, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 14 作者
（56） Colossal Nernst power factor in topological semimetal NbSb2, NATURE COMMUNICATIONS, 2022, 第 4 作者
（57） Insertion of Hafnium Interlayer to Improve the Thermal Stability of Ultrathin TiSix in TiSix/n(+)-Si Ohmic Contacts, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 11 作者  通讯作者
（58） Scallop-shaped p-type FinFETs with improved short-channel effects immunity and driving current, MATERIALSSCIENCEINSEMICONDUCTORPROCESSING, 2022, 第 15 作者
（59） First-principles study of oxygen vacancy defects in orthorhombic Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$/SiO$_2$/Si gate stack, 2022, 第 10 作者
（60） 4-Levels Vertically Stacked SiGe Channel Nanowires Gate-All-Around Transistor with Novel Channel Releasing and Source and Drain Silicide Process, NANOMATERIALS, 2022, 第 9 作者
（61） Low-temperature (���550��C) p-channel Schottky barrier SOI FinFETs for monolithic 3D integration, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2022, 第 16 作者
（62） Different correlations between spin Hall angle measured by the 2nd harmonic method and by the critical current density due to dimension effect in W/Ta multilayers, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2022, 第 10 作者
（63） Ultralow Contact Resistivity on Ga-Doped Ge with Contact Co-Implantation of Ge and B, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 19 作者
（64） Low-Temperature (<= 500 degrees C) Complementary Schottky Source/Drain FinFETs for 3D Sequential Integration, NANOMATERIALS, 2022, 第 16 作者
（65） First-principles study of oxygen vacancy defects in orthorhombic Hf0.5Zr0.5O2/SiO2/Si gate stack, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2022, 第 11 作者
（66） Effects of Shallow Carbon and Deep N plus plus Layer on the Radiation Hardness of IHEP-IME LGAD Sensors, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 第 22 作者
（67） Improved Ferroelectricity and Endurance of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films in Low Thermal Budget with Novel Bottom Electrode Doping Technology, ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2022, 第 14 作者
（68） A Polarization-Switching, Charge-Trapping, Modulated Arithmetic Logic Unit for In-Memory Computing Based on Ferroelectric Fin Field-Effect Transistors, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 第 21 作者
（69） 全球集成电路技术合作研发的发展现状及其经验启示, Status of Global Research and Development Cooperation in Integrated Circuits and Its Inspiration, 前瞻科技, 2022, 第 2 作者
（70） Mechanism Analysis of Ultralow Leakage and Abnormal Instability in InGaZnO Thin-Film Transistor Toward DRAM, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 16 作者
（71） Improving Driving Current with High-Efficiency Landing Pads Technique for Reduced Parasitic Resistance in Gate-All-Around Si Nanosheet Devices, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 24 作者
（72） The effect ofγ-ray irradiation on the SOT magnetic films and Hall devices, The effect of��-ray irradiation on the SOT magnetic films and Hall devices, 半导体学报：英文版, 2021, 第 9 作者
（73） Fabrication and selective wet etching of Si0.2Ge0.8/Ge multilayer for Si0.2Ge0.8 channel gate-all-around MOSFETs, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 12 作者
（74） Optimization of Structure and Electrical Characteristics for Four-Layer Vertically-Stacked Horizontal Gate-All-Around Si Nanosheets Devices, NANOMATERIALS, 2021, 第 19 作者
（75） NiSi/p(+)-Si(n(+)-Si)/n-Si(p-Si) Diodes With Dopant Segregation (DS): p-n or Schottky Junctions?, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 13 作者  通讯作者
（76） A Novel Method to Reduce Specific Contact Resistivity of TiSix/n(+)-Si Contacts by Employing an In-Situ Steam Generation Oxidation Prior to Ti Silicidation, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 15 作者  通讯作者
（77） NiSi2/p-Si Schottky Junction Photocathode with a High-Quality Epitaxial Interface for Efficient Hydrogen Evolution, ACS APPLIED ENERGY MATERIALS, 2021, 第 10 作者  通讯作者
（78） All-Linear Multistate Magnetic Switching Induced by Electrical Current, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2021, 第 3 作者  通讯作者
（79） Experimental Investigation of As Preamorphization Implant on Electrical Property of Ti-Based Silicide Contacts, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 19 作者
（80） Field-Free Deterministic Writing of SOT-MTJ by Unipolar Current, 2021, 第 9 作者
（81） Thermal stability issue of ultrathin Ti-based silicide for its application in prospective DRAM peripheral 3D FinFET transistors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 14 作者  通讯作者
（82） Cryogenic Transport Characteristics of P-Type Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs, NANOMATERIALS, 2021, 第 15 作者
（83） Alleviation of Negative-Bias Temperature Instability in Si p-FinFETs With ALD W Gate-Filling Metal by Annealing Process Optimization, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2021, 第 12 作者
（84） Thermal stability of SOT-MTJ thin films tuning by multiple interlayer couplings, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2021, 第 7 作者
（85） Metal Silicidation in Conjunction with Dopant Segregation: A Promising Strategy for Fabricating High-Performance Silicon-Based Photoanodes, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 9 作者  通讯作者
（86） Investigation of Barrier Property of Amorphous Co-Ti Layer as Single Barrier/Liner in Local Co Interconnects, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 15 作者  通讯作者
（87） Insights Into the Effect of TiN Thickness Scaling on DC and AC NBTI Characteristics in Replacement Metal Gate pMOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2020, 第 13 作者
（88） Design impact on the performance of Ge PIN photodetectors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 5 作者  通讯作者
（89） Impact of Charges at Ferroelectric/Interlayer Interface on Depolarization Field of Ferroelectric FET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Gate-Stack, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 10 作者
（90） Role of Carbon Pre-Germanidation Implantation on Enhancing the Thermal Stability of NiGe Films Below 10 nm Thickness, ECS Journal of Solid State ence and Technology, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（91） Investigation of Ultrathin Ni Germanosilicide for Advanced pMOS Contact Metallization, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 17 作者
（92） Investigation on thermal stability of Si0.7Ge0.3/Si stacked multilayer for gate-all-around MOSFETS, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 15 作者
（93） Investigation on the formation technique of SiGe Fin for the high mobility channel FinFET device, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 15 作者
（94） Understanding Frequency Dependence of Trap Generation Under AC Negative Bias Temperature Instability Stress in Si p-FinFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 14 作者
（95） Specific Contact Resistivity Improvement by As Preamorphization Implantation for Ti-Based Ohmic Contacts on n(+)-Si, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 14 作者  通讯作者
（96） Experimental investigation of fundamental film properties for Co1-xTix alloying films with different compositions (0 <= x <= 1), JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 3 作者  通讯作者
（97） Effects of Ni Film Thickness on the Properties of Ni-Based Silicides Formed on Both Highly Doped n- and p-Si Substrate, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 15 作者
（98） Selective wet etching in fabricating SiGe nanowires with TMAH solution for gate-all-around MOSFETs, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 10 作者
（99） Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors, NANOMATERIALS, 2020, 第 25 作者
（100） Impact of Ge pre-amorphization implantation on Co/Co-Ti/n(+)-Si contacts in advanced Co interconnects, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 18 作者  通讯作者
（101） Surface Modification of Monolayer MoS(2)by Baking for Biomedical Applications, FRONTIERS IN CHEMISTRY, 2020, 第 5 作者
（102） High thermoelectric power factor of p-type amorphous silicon thin films dispersed with ultrafine silicon nanocrystals, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 6 作者
（103） An Improved Rosin Transfer Process for the Reduction of Residue Particles for Graphene, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2020, 第 7 作者  通讯作者
（104） Fabrication technique of the Si0.5Ge0.5 Fin for the high mobility channel FinFET device, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 15 作者
（105） Influence of TaN films deposited using different N2 flow rates on the properties of Ta and Cu films in advanced 3D NAND memory, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 6 作者  通讯作者
（106） Growth of SiGe layers in source and drain regions for 10 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS), JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 3 作者
（107） An Improved Dimensional Measurement Method of Staircase Patterns With Higher Precision in 3D NAND, IEEE ACCESS, 2020, 第 3 作者
（108） Investigation of NiGe Films Formed on Both n(+)- and p(+)-Ge with P and B Ion Implantation before Germanidation, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 13 作者  通讯作者
（109） A novel three-layer graded SiGe strain relaxed buffer for the high crystal quality and strained Si0.5Ge0.5 layer epitaxial grown, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 第 12 作者
（110） Experimental investigation of fundamental film properties for Co1���xTix alloying films with different compositions (0 ��� x���1), Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 第 1 作者  通讯作者
（111） Effects of Ar Plasma Treatment on the Properties of TaN/Ta Barrier for Copper Interconnects in Advanced 3D NAND Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 4 作者  通讯作者
（112） Ni基硅化物受退火方式影响的研究, Study on the Influence of Heating Modes on Ni-Based Silicide, 微电子学, 2019, 第 2 作者
（113） Impact of Post High-kappa Deposition Anneal (PDA) and Post High-kappa Capping Anneal (PCA) on the xBTI Performance in HfO2-Based FinFETs, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 2 作者  通讯作者
（114） 基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究, Study on Interface Charge Characteristics of Three-Dimensional Devices Based on Charge Pumping Technology, 半导体技术, 2019, 第 2 作者
（115） Process optimization of the Si0.7Ge0.3 Fin Formation for the STI first scheme, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 9 作者
（116） Exploration of the impact of interface states density on the specific contact resistivity in TiSix/n(+)-Si Ohmic contacts through high-low frequency method, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 11 作者  通讯作者
（117） Titanium-based ohmic contacts in advanced CMOS technology, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 第 2 作者  通讯作者
（118） 一种新型电压倍增电路的设计, Design of a New Voltage Doubler Circuit, 微电子学, 2019, 第 2 作者
（119） Effect of interfacial Ni between graphene and Pt/Au on reducing specific contact resistivity, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 11 作者  通讯作者
（120） Impacts of Ge Preamorphization Implantation and Si Capping on the Specific Contact Resistivity of Ni(Pt) SiGe/p(+)-SiGe Contacts, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 第 11 作者  通讯作者
（121） β-Ga2O3欧姆接触的研究进展, Research Progress on Ohmic Contact for��-Ga2O3, 微纳电子技术, 2019, 第 4 作者
（122） Influence of Polysilicon Deposition Conditions on Advanced 3D NAND, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 6 作者  通讯作者
（123） 40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善, Electric Stability Improvement of High Aspect Ratio Contact Hole Etching in 40 nm Process Node, 半导体技术, 2019, 第 5 作者
（124） Effects of Different Ion Irradiation on the Contact Resistance of Pd/Graphene Contacts, MATERIALS, 2019, 第 6 作者  通讯作者
（125） Co-sputtering Co-Ti alloy as a single barrier/liner for Co interconnects and thermal stability enhancement using TiN metal capping, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 第 12 作者  通讯作者
（126） 新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望, Progresses and Prospects of New-Generation Power Semiconductor��-Ga2O3 Devices, 微纳电子技术, 2019, 第 4 作者
（127） Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 第 13 作者  通讯作者
（128） A Study of High-Low Frequency Charge Pumping Method on Evaluating Interface Traps in Bulk FinFETs, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者  通讯作者
（129） Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2018, 第 12 作者  通讯作者
（130） On the manifestation of Ge pre-amorphization implantation (PAI) impact on both the formation of ultrathin TiSix and the specific contact resistivity in TiSix/n-Si contacts for sub-16/14 nm nodes and beyond, 2018 18th International Workshop on Junction Technology (IWJT), 2018, 第 1 作者
（131） Tuning of Schottky Barrier Height at NiSi/Si Contact by Combining Dual Implantation of Boron and Aluminum and Microwave Annealing, MATERIALS, 2018, 第 5 作者
（132） Switching of Exchange-Coupled Perpendicularly Magnetized Layers Under Spin-Orbit Torque, IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2018, 第 3 作者
（133） Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 13 作者  通讯作者
（134） Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSi��� and the Specific Contact Resistivity in TiSi���/n-Si Contacts, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 第 1 作者  通讯作者
（135） Edge-Contact Formed by Oxygen Plasma and Rapid Thermal Annealing to Improve Metal-Graphene Contact Resistance, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 5 作者
（136） Role of Ti Electrode on the Electrical Characterization of Filament within Al2O3 Based Antifuse, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 5 作者
（137） Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGex on both n- and p-Ge substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 12 作者  通讯作者
（138） Hot Implantations of P into Ge: Impact on the Diffusion Profile, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 2 作者  通讯作者
（139） 基于CVD单层MoS2 FET的光电探测器, 微纳电子技术, 2017, 第 2 作者
（140） PMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 第 2 作者
（141） Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 第 2 作者
（142） Understanding the microwave annealing of silicon, AIP ADVANCES, 2017, 第 8 作者
（143） On the manifestation ofGe Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 4 作者  通讯作者
（144） Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs, INTERNATIONAL JOURNAL OF HIGH SPEED ELECTRONICS AND SYSTEMS, 2017, 第 2 作者
（145） FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain, 2017, 第 5 作者
（146） Two methods of tuning threshold voltage of bulk FinFETs with replacement high-k metal-gate stacks, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 第 11 作者
（147） Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFET, IEEE TRANSACTRIONS ON ELELCTRON DIVECES, 2017, 第 4 作者
（148） 用于FET的PECVD SiNx掺杂MoS2的有效性与可控性, 微纳电子技术, 2017, 第 4 作者
（149） A Modified Scheme to Reduce the Specific Contact Resistivity of NiSi/Si Contacts by Means of Dopant Segregation Technique, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 3 作者  通讯作者
（150） Low frequency noise characterization of 22nm PMOS featuring with filling W gate using different precursor, 2017, 第 6 作者
（151） Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 第 5 作者
（152） Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs, ECS TRANSACTIONS, 2016, 第 2 作者
（153） Junction Control by Carbon and Phosphorus Co-Implantation in Pre-Amorphized Germanium, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TEHCHNOLOGY, 2016, 第 2 作者
（154） Numerical Simulation of Dean Flow in Spiral Microchannels for Cancer Cell Sorting, IEEE-INEC, 2016, 第 3 作者
（155） Impact of the Effective Work Function Gate Metal on the Low-Frequency Noise of Gate-All-Around Silicon-on-Insulator NWFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 第 7 作者
（156） Evaluation of PMMA Residues as a Function of Baking Temperature and a Graphene Heat-Free-Transfer Process to Reduce Them, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TEHCHNOLOGY, 2016, 第 2 作者
（157） Defect engineering for shallow n���type junctions in germanium: Facts and fiction, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 第 4 作者
（158） FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin, 2016 IEEE International Electron Devices Meeting: IEDM 2016, San Francisco, California, USA, 3-7 December 2016, pages 452-929, v.2, 2016, 第 3 作者
（159） Enhanced End-Contacts by Helium Ion Bombardment to Improve Graphene-Metal Contacts, NANOMATERIALS, 2016, 第 7 作者  通讯作者
（160） Schottky Barrier Height Tuning via the Dopant Segregation Technique through Low-Temperature Microwave Annealing, MATERIALS, 2016, 第 7 作者
（161） Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 第 4 作者  通讯作者
（162） Evaluation of PMMA Residues as a Function of Baking Temperature and a Graphene Heat-Free-Transfer Process to Reduce Them, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 2 作者
（163） Defect engineering for shallow n���type junctions in germanium: Facts and fiction, PHYSICA STATUS SOLIDI (A), 2016, 第 3 作者
（164） Reduction of NiGe/n-and p-Ge Specific Contact Resistivity by Enhanced Dopant Segregation in the Presence of Carbon During Nickel Germanidation, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 第 2 作者  通讯作者
（165） Atomic layer deposition assisted pattern transfer technology for ultra-thin block copolymer films, THIN SOLID FILMS, 2016, 第 2 作者
（166） On the Manipulation of Phosphorus Diffusion as Well as the Reduction of Specific Contact Resistivity in Ge by Carbon Co-Doping, ECS TRANSACTIONS, 2016, 第 1 作者
（167） Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 14 nm node FinFETs, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2016, 第 4 作者
（168） Impact of the Effective Work Function Gate Metal on the Low-Frequency Noise of Gate-All-Around Silicon-on-Insulator NWFETs, IEEE ELETRCON DEVICE LETTERS, 2016, 第 2 作者
（169） Application of ALD W films as gate filling metal in 22 nm HKMG-last integration: Evaluation and improvement of the adhesion in CMP process, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2015, 第 2 作者
（170） Integration of highly-strained SiGe materials in 14 nm and beyond nodes FinFET technology, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2015, 第 5 作者  通讯作者
（171） Silicon-film-related random telegraph noise in UTBOX silicon-on-insulator nMOSFETs, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 5 作者
（172） Low frequency noise characterization of GeOx passivated germanium MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 9 作者
（173） 用于单个纳米颗粒检测的固态纳米孔器件的仿真与优化, 传感技术学报, 2015, 第 5 作者
（174） Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 8 作者
（175） Simulation and characterization of stress in FinFETs using novel LKMC and nanobeam diffraction methods, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 4 作者
（176） 在SixGe1-xC0.02衬底上直接生长石墨烯, 半导体技术, 2015, 第 4 作者
（177） Effects of carbon pre-germanidation implant into Ge on the thermal stability of NiGe films, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2015, 第 8 作者  通讯作者
（178） Effects of defects and thermal treatment on the properties of graphene, VACUUM, 2015, 第 4 作者
（179） Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22 nm node pMOSFETs, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2015, 第 5 作者
（180） Optimization of a two-step Ni(5% Pt) germanosilicidation process and the redistribution of Pt in Ni(Pt)Si1-xGex Germanosilicide, VACUUM, 2015, 第 7 作者
（181） Effects of carbon pre-germanidation implantation on the thermal stability of NiGe and dopant segregation on both n- and p-type Ge substrate, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 7 作者
（182） Distinction between silicon and oxide traps using single-trap spectroscopy, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2015, 第 4 作者
（183） Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22nm and beyond nodes CMOS technology, VACUUM, 2015, 第 2 作者
（184） Effect of hydrogen carrier gas on AlN and AlGaN growth in AMEC Prismo D-Blue�� MOCVD platform, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 第 5 作者
（185） Effect of hydrogen carrier gas on AlN and AlGaN growth in AMEC Prismo D-Blue (R) MOCVD platform, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 第 5 作者
（186） 近红外波段Ge光电探测器的研究进展, Research Progress on Ge Photodetectors in Near Infrared Band, 半导体技术, 2015, 第 2 作者
（187） FinFETs using reverse substrate layer with improved gate capacitance characteristics for subthreshold application, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2015, 第 3 作者
（188） Solid-State Nanopore: The Next-Generation Sequencing Technology - Principles, Fabrication and Challenges, 中国科学：生命科学, 2014, 第 2 作者
（189） Variation of Schottky barrier height induced by dopant segregation monitored by contact resistivity measurements, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 第 1 作者  通讯作者
（190） Two-terminal vertical memory cell for cross-point static random access memory applications, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 第 2 作者
（191） Mechanism of TMAl pre-seeding in AlN epitaxy on Si (111) substrate, VACUUM, 2014, 第 2 作者  通讯作者
（192） Self-assembling morphologies of symmetrical PS-b-PMMA in different sized confining grooves, RSC ADVANCES, 2014, 第 2 作者
（193） A modified scheme to tune the Schottky Barrier Height of NiSi by means of dopant segregation technique, VACUUM, 2014, 第 8 作者  通讯作者
（194） Mitigation of reverse short channel effect with multilayer TiN Ti TiN metal gates in gate last Pmosfets, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 28 作者
（195） Application of Atomic Layer Deposition Tungsten (ALD W) as Gate Filling Metal for 22 nm and Beyond Nodes CMOS Technology, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2014, 第 13 作者
（196） 等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用, 半导体技术, 2014, 第 3 作者
（197） Innovatively composite hard mask to feature sub-30 nm gate patterning, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 第 4 作者
（198） Effects of carbon pre-silicidation implant into Si substrate on NiSi, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 第 1 作者  通讯作者
（199） 杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制, 半导体技术, 2013, 第 2 作者
（200） Application of Atomic Layer Deposition Tungsten (ALD W) as Gate Filling Metal for 22 nm and Beyond Nodes CMOS Technology, ATOMIC LAYER DEPOSITION APPLICATIONS 9, 2013, 第 4 作者
（201） Evaluation of TaN as the Wet Etch Stop Layer during the 22nm HKMG Gate Last CMOS Integrations, SEMICONDUCTOR CLEANING SCIENCE AND TECHNOLOGY 13 (SCST 13), 2013, 第 9 作者
（202） 100mm直径硅衬底上MOCVD外延生长无裂纹GaN, 半导体技术, 2013, 第 6 作者
（203） Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究, 半导体技术, 2013, 第 6 作者
（204） Ultra-shallow junctions formed using microwave annealing, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
（205） Gap Fill Capability of Ni PVD Based on Silicide-last Process, 2012 IEEE 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT-2012), 2012, 第 2 作者
（206） Extensive Raman spectroscopic investigation of ultrathin Co1-xNixSi2 films grown on Si(100), JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2012, 第 7 作者
（207） Performance Breakthrough in Gate-All-Around Nanowire n- and p-Type MOSFETs Fabricated on Bulk Silicon Substrate, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 第 3 作者
（208） Vertically stacked individually tunable nanowire field effect transistors for low power operation with ultrahigh radio frequency linearity, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 2 作者
（209） Mobility Enhancement Technology for Scaling of CMOS Devices: Overview and Status, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2011, 第 4 作者
（210） On Different Process Schemes for MOSFETs With a Controllable NiSi-Based Metallic Source/Drain, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2011, 第 1 作者  通讯作者
（211） Thermal stability and dopant segregation for Schottky diodes with ultrathin epitaxial NiSi2-y, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 第 1 作者  通讯作者
（212） Surface-energy triggered phase formation and epitaxy in nanometer-thick Ni1-xPtx silicide films, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 第 1 作者  通讯作者
（213） Interaction of NiSi with dopants for metallic source/drain applications, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 第 1 作者
（214） Effects of Carbon on Schottky Barrier Heights of NiSi Modified by Dopant Segregation, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2009, 第 1 作者  通讯作者
（215） 预烧温度对BZN微波陶瓷介电性能的影响, Effects of calcining temperatures on microwave properties of Ba(Zn1/3Nb2/3)O3 ceramics, 功能材料, 2004, 第 1 作者
（216） 混配型茂基稀土氯化物Ln（C5H5）（C5H4CH3）Cl（Ln=Y，Gd，Er，Yb）的合成和结构研究, Synthesis and Strucrture Study of Mixed-dicyclopentadienyl Lanthanide Chloride Complexes Ln (C_5H_5) (C_5H_4CH_3)Cl (Ln = Y, Gd, Er, Yb), 复旦学报：自然科学版, 2003, 第 3 作者
（217） 固态纳米孔： 下一代DNA测序技术-原理、工艺与挑战, 中国科学: 生命科学, 第 2 作者

（1） Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs, World Scientific Publishing Company, 2017-06, 第 2 作者
（2） CMOS: Past, Present and Future, Woodhead Publishing, 2018-04, 第 2 作者
（3） CMOS, 上海科技出版社, 2021-03, 第 2 作者
（4） Spintronics: Materials, Devices and Applications, WILEY, 2022-07, 第 3 作者
（5） 三维集成电路制造技术, 电子工业出版社, 2022-08, 第 2 作者
（6） 半导体工艺与集成电路制造技术, 科学出版社, 2023-03, 第 2 作者

   

（ 1 ） 国家集成电路先导工艺研发平台, 负责人, 中国科学院计划, 2024-01--2030-12
（ 2 ） GAA和FDSOI器件与先进制造核心技术, 负责人, 中国科学院计划, 2022-11--2024-12
（ 3 ） GAA晶体管核心工艺技术, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 4 ） 基于2X纳米及以下FDSOI技术的先导工艺研究及低功耗物联网特色引导芯片研发, 负责人, 地方任务, 2021-09--2024-09
（ 5 ） 面向先进逻辑制程的STT-eMRAM存储单元设计和工艺技术研究, 负责人, 境内委托项目, 2021-05--2024-04
（ 6 ） 基于FDSOI工艺的物联网智能感知与 嵌入式存储电路的核心技术研究, 负责人, 地方任务, 2021-05--2024-05
（ 7 ） 自旋逻辑器件结构设计、磁隧道结制备及性能优化, 负责人, 国家任务, 2020-05--2021-05
（ 8 ） 1X纳米FDSOI先导工艺研究, 负责人, 研究所自主部署, 2020-05--2022-05
（ 9 ） 自旋轨道矩随机存取存储器研究, 负责人, 境内委托项目, 2020-05--2022-05
（ 10 ） 青促会优秀会员, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2023-01
（ 11 ） 自旋逻辑器件结构设计、磁隧道结制备及性能优化, 负责人, 其他国际合作项目, 2018-01--2018-12
（ 12 ） 新型低温MRAM器件研究, 负责人, 中国科学院计划, 2018-01--2023-01
（ 13 ） 5纳米可集成堆叠纳米线环栅器件和新型FinFET及关键工艺, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
（ 14 ） 基于微纳电子技术, 参与, 中国科学院计划, 2015-08--2019-09
（ 15 ） 高k金属栅与全硅化物Fin源漏, 参与, 国家任务, 2015-01--2018-12
（ 16 ） 14纳米FinFET关键工艺技术优化研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2018-12
（ 17 ） 癌症患者血循环肿瘤细胞装置的应用研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12
（ 18 ） 采用RPCVD外研法在硅衬底直接制备石墨烯的研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12
（ 19 ） 场发射枪扫描电子显微镜, 参与, 国家任务, 2013-09--2018-09
（ 20 ） 体硅FinFET 与关键工艺研究, 参与, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 21 ） 先导集成电路器件及电路, 参与, 中国科学院计划, 2012-12--2016-12
（ 22 ） 青年创新促进会, 负责人, 中国科学院计划, 2011-01--2020-12

（1）Technical Challenges of GAA and R&D Progress at IMECAS   中国国际半导体技术大会   罗军   2023-06-26
（2）先进CMOS接触工艺技术   全国半导体物理学术会议   Jun Luo   2021-07-09
（3）Impact of Ge Pre-amorphization Implantation (PAI) on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity (c) in TiSix/n+-Si Contacts   Jun Luo   2018-06-18
（4）Improved Ti Germanosilicidation by Ge Pre-Amorphization Implantation (PAI) for Advanced Contact Technology   Jun Luo   2018-03-18
（5）Improved Ti Silicidation by Ge Pre-amorphization Implantation (PAI) for Advanced Contact Technologies   Jun Luo   2018-03-08
（6）Advanced Silicide/Germanide technology for sub­16/14 nm node devices   Jun Luo   2017-10-18
（7）On the Manipulation of Phosphorus Diffusion As Well As the Reduction of Specific Contact Resistivity in Ge By Carbon Co-Doping   2016-10-02

已指导学生

李昱东  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张韫韬  硕士研究生  085209-集成电路工程  

王文  硕士研究生  085209-集成电路工程  

田阳雨  硕士研究生  085209-集成电路工程  

盛捷  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张国栋  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

孙祥烈  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

马浩东  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

何国伟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

侯西亮  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李梦华  硕士研究生  085209-集成电路工程  

于沛玥  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈佳  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

谭鑫广  硕士研究生  085209-集成电路工程  

孔梦娟  硕士研究生  085400-电子信息  

孙祥烈  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘金彪  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李帅  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

周雪冰  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘靖雄  硕士研究生  085400-电子信息  

李海荣  硕士研究生  085400-电子信息  

杨腾智  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹纬  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵磊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张丹  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王欣哲  硕士研究生  085400-电子信息  

刘耀东  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

高海粟  硕士研究生  085400-电子信息  

丰蜜  硕士研究生  085400-电子信息  

杨博文  硕士研究生  085400-电子信息  

陈博涵  硕士研究生  085400-电子信息  

李彦如  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈旭  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

徐步青  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

熊文娟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

张毅文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

何燕萍  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄真  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

申博文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘超  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

邹思楠  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张文俊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘建宏  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄靖淞  硕士研究生  085400-电子信息  

刘锐  硕士研究生  085400-电子信息  

占超妮  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

尹雨生  硕士研究生  085400-电子信息  

刘思蓉  硕士研究生  140100-集成电路科学与工程  

阮晓欣  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张馨月  博士研究生  140100-集成电路科学与工程  

韩雅轩  博士研究生  085400-电子信息  

高海粟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘祥圣  硕士研究生  140100-集成电路科学与工程  

王奥博  硕士研究生  085403-集成电路工程  

曾思源  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

邱志坤  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

余冯意  硕士研究生  085403-集成电路工程  

王昊宇  硕士研究生  085403-集成电路工程  

童克友  博士研究生  140100-集成电路科学与工程  

龚帅宇  博士研究生  140100-集成电路科学与工程