专利成果
( 1 ) 一种半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN116722029A( 2 ) 一种亚阈值区漏级电流的确定方法、装置及存储介质, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116609701A( 3 ) 一种半导体器件及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116646378A( 4 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116598296A( 5 ) 一种SiC MOSFET器件, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116487440A( 6 ) FinFET及其制造方法及包括FinFET的电子设备, 发明专利, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN116598360A( 7 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN116721921A( 8 ) 一种环栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116469938A( 9 ) 一种环栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116487439A( 10 ) 存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116419568A( 11 ) MRAM存储单元及其写入方法、读取方法和制备方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116669526A( 12 ) SOT-MRAM存储单元及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116456807A( 13 ) 一种铁电栅极叠层和铁电场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116544270A( 14 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116454136A( 15 ) 一种温湿度监测器, 发明专利, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN116429173A( 16 ) 一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法、制备方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN115884602A( 17 ) 半导体器件金属互连结构及其形成方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN115881627A( 18 ) 集成电路设备和半导体器件的制备方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN115881590A( 19 ) 涂胶方法和电子设备, 发明专利, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN115945367A( 20 ) 一种互连结构的制作方法、互连结构及半导体器件, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN115588648A( 21 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115513142A( 22 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN115621320A( 23 ) 电子束光刻方法、浅沟槽隔离及电极接触孔的形成方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN115639730A( 24 ) 新的叠层结构及其制备方法、图形转移方法、返工方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115547815A( 25 ) 具有量测对准图形的晶圆, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115360173A( 26 ) 一种动态随机存储器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115332252A( 27 ) 一种无电容动态随机存储器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115360233A( 28 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115172447A( 29 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115116956A( 30 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115117147A( 31 ) 一种无电容DRAM单元结构及制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114864583A( 32 ) 一种环栅晶体管的制造方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115020233A( 33 ) 一种环栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114899236A( 34 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114975282A( 35 ) 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115050818A( 36 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114883270A( 37 ) 一种晶体管的制造方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114709135A( 38 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114944392A( 39 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114823668A( 40 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114709175A( 41 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114613769A( 42 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114613770A( 43 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114709222A( 44 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114678329A( 45 ) 具有高驱动能力和陡峭SS特性的半导体器件及制造方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114566549A( 46 ) 一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114464574A( 47 ) 一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114464574A( 48 ) 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114497028A( 49 ) 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114497028A( 50 ) 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114497028A( 51 ) 存算一体单元及逻辑功能可重构的存算一体电路, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114244348A( 52 ) 一种基于薄膜晶体管的无电容DRAM单元结构及制造方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114334980A( 53 ) 一种半导体器件的制备方法及半导体器件, 发明专利, 2022, 专利号: CN114005835A( 54 ) 刻蚀梯形凹槽的方法及在衬底上形成金属线条的方法, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114171374A( 55 ) 一种半导体结构及其制备方法、三维存储器, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114023745A( 56 ) 在半导体衬底上制作交叉线的方法, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114171668A( 57 ) 自旋霍尔器件、霍尔电压的获取方法及最大池化的方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114184833A( 58 ) 一种半导体器件及其制备方法、电子设备, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114038911A( 59 ) 绝缘体上单晶薄膜制备方法及层叠结构, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113964020A( 60 ) 一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113707803A( 61 ) SOT-MRAM存储单元及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113690366A( 62 ) 一种基带RF一体化集成结构及集成方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113809070A( 63 ) 存储器电路及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113744776A( 64 ) 约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结, 发明专利, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113380942A( 65 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113363214A( 66 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113345840A( 67 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113345841A( 68 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113363214A( 69 ) 一种合束装置、激光加工设备和激光退火方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113422296A( 70 ) 一种激光退火设备及激光退火方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113421836A( 71 ) 一种激光退火设备和激光退火方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113471102A( 72 ) 键合半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380648A( 73 ) 一种铜互连结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380763A( 74 ) 芯片单元、芯片组件和芯片单元的制作方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380743A( 75 ) 空气隙制作方法、空气隙和电子设备, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380698A( 76 ) 半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380761A( 77 ) 一种键合结构、多晶圆三维集成结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380742A( 78 ) 半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380699A( 79 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113314423A( 80 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 专利号: CN113506774A( 81 ) 一种半导体器件的制造方法, 专利授权, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113314423A( 82 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113948467A( 83 ) 存储单元及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113328034A( 84 ) 基于底电极垂直向电压控制的SOT-MRAM及制造、写入方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113224232A( 85 ) 基于底电极平行向电压控制的SOT-MRAM及制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113178518A( 86 ) 一种掺杂缺陷去除方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113130309A( 87 ) 一种研磨装置及方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113001391A( 88 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113130298A( 89 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113130298A( 90 ) 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112802798A( 91 ) 一种测试元件组及其测试方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115083501A( 92 ) 碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113178414A( 93 ) 一种NMOS晶体管及其制造方法、三维异质集成芯片, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112864229A( 94 ) 一种Z 2 -FET器件及其制备方法、一种半导体器件, 发明专利, 2021, 第 13 作者, 专利号: CN113178489A( 95 ) 一种基于MTJ的真随机数发生器, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112835556A( 96 ) 一种MTJ及其驱动方法和制作方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112928206A( 97 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112885724A( 98 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112885715A( 99 ) 栅极及MOSFET的制造方法, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114678269A( 100 ) 栅叠层结构、栅极、DRAM及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114678268A( 101 ) 形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112635314A( 102 ) MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112652663A( 103 ) 金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法, 发明授权, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN112652607B( 104 ) 金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112652607A( 105 ) 一种磁性隧道结及其制造方法、存储单元, 发明授权, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN112563411B( 106 ) 一种磁性隧道结及其制造方法、存储单元, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112563411A( 107 ) 半导体器件的形成方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112309871A( 108 ) 一种存储器件, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112054033A( 109 ) 一种振荡器及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112038483A( 110 ) 一种磁性随机存储器及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111952438A( 111 ) 一种刻蚀方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113838798A( 112 ) Ge基NMOS晶体管及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111463133A( 113 ) Ge基NMOS晶体管及其制作方法, 发明授权, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN111463133B( 114 ) 一种多晶硅的沉积方法及其应用, 发明授权, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN111430226B( 115 ) 一种多晶硅的沉积方法及其应用, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111430226A( 116 ) 一种存储器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111459864B( 117 ) 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 发明授权, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN111415902B( 118 ) 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111415902A( 119 ) 一种二极管、探测器及探测器的制作方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111244193B( 120 ) 一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111211110A( 121 ) 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111180520A( 122 ) 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111180519A( 123 ) 一种刻蚀方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111063798A( 124 ) 一种肖特基势垒晶体管及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111129126A( 125 ) 绝缘体上鳍片的制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112992681A( 126 ) 一种MOS器件、制造方法、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110931361A( 127 ) 一种鳍状结构及半导体器件的制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110896034A( 128 ) 一种Ge基CMOS晶体管制备方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110634868A( 129 ) 一种CMOS晶体管、CMOS晶体管的制备方法及电子设备, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110634866A( 130 ) 一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片, 发明专利, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110620033A( 131 ) 一种PMOS晶体管、PMOS晶体管的制备方法及电子设备, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110581175A( 132 ) SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDON ACCESS MEMORY AND METHOD AND APPARATUS FOR WRITING THE SAME, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: US20200152252(A1)( 133 ) STT-MRAM参考单元及其制备方法及包含该参考单元的芯片, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110277490A( 134 ) 基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110277115A( 135 ) 磁性单粒子探测装置及其制造方法、磁性单粒子探测方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110161113A( 136 ) 信号检测装置以及系统, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110058314A( 137 ) 一种磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110061128A( 138 ) 磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器, 发明授权, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN110061127B( 139 ) 磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110061127A( 140 ) 隧穿磁电阻传感器的调控方法及系统, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110109039A( 141 ) 一种多态存储器及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109904309A( 142 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2019, 专利号: CN109887884A( 143 ) 一种B掺杂的NiSi/n-Si光电阳极及其制备方法和应用, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109904251A( 144 ) 一种B掺杂的NiSi/n-Si光电阳极及其制备方法和应用, 发明授权, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN109904251B( 145 ) 半导体结构与其制作方法, 专利授权, 2019, 专利号: CN109920738A( 146 ) 半导体结构与其制作方法, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109950153A( 147 ) 芯片的切割方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109920759A( 148 ) 金属栅功函数的调节方法及MOSFET的制备方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109904233A( 149 ) 一种半导体器件单元以及图像识别装置, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109768065A( 150 ) 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109346409A( 151 ) 一种磁阻式随机存储器及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109713118A( 152 ) 一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109742229A( 153 ) 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109686658A( 154 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110349969A( 155 ) 肖特基势垒晶体管及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115188813A( 156 ) CMOS器件及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109671621A( 157 ) 肖特基势垒晶体管及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109671780A( 158 ) 自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及写入方法、装置, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109585644A( 159 ) 一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109449285A( 160 ) 半导体器件与其制作方法, 发明授权, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN109346409B( 161 ) 半导体器件与其制作方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109545748A( 162 ) 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109473468A( 163 ) 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116705837A( 164 ) 一种存储器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 专利号: CN109545959A( 165 ) 自旋轨道转矩驱动器件, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109301063A( 166 ) 一种存储器件, 实用新型, 2019, 专利号: CN110061002A( 167 ) 一种存储器件, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110034117A( 168 ) 一种存储器件, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110061002B( 169 ) 半导体结构与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108807279A( 170 ) 半导体器件与其制作方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108807278A( 171 ) 一种纳米线的制作方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108807170A( 172 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108493111A( 173 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2019, 专利号: CN110364475A( 174 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108198782A( 175 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108389787A( 176 ) CMOS器件及其制备方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108428667A( 177 ) 基于应变调控的Ge光电探测器及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108063168A( 178 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108269737A( 179 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109671774A( 180 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN107871708B( 181 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106601820A( 182 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 专利号: CN107546121A( 183 ) 半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106952908A( 184 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN106952922B( 185 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106847682A( 186 ) 衬底及其制造方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106611739A( 187 ) 衬底及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN106611740B( 188 ) 衬底及其制造方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106611740A( 189 ) 一种III族氮化物电子器件低温欧姆接触的制作方法, 发明专利, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105390382A( 190 ) 高电子迁移率晶体管的制造方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105405761A( 191 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106504983A( 192 ) 侧墙形成方法和包括侧墙的半导体器件, 专利授权, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105632933A( 193 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105633157A( 194 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2016, 专利号: CN105633158A( 195 ) 石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105990091A( 196 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104810373A( 197 ) 石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105845543A( 198 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN104766864B( 199 ) 鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105789301A( 200 ) 鳍结构及其制造方法, 专利授权, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105789268A( 201 ) 衬底结构及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105789026A( 202 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105762188A( 203 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105762187A( 204 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105702725A( 205 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 专利号: CN105702729B( 206 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105702729A( 207 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN105702729B( 208 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105489493A( 209 ) 形成金属硅化物的方法及其湿法腐蚀混合液配方, 专利授权, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105336600A( 210 ) 传感装置, 实用新型, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104792845A( 211 ) 三维微纳结构、检测装置和检测方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105445250A( 212 ) 微流体通道、侧向层流检测器件和微流体阀, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105329836A( 213 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105336569A( 214 ) 一种细胞定位单元、阵列、器件及其形成方法, 专利授权, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104789443A( 215 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104299986A( 216 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104795330A( 217 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 专利号: CN104795330B( 218 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 专利号: CN104795329B( 219 ) 制造半导体器件的方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104779163A( 220 ) 具有改善粘附性能和填充性能的钨层沉积方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104766792A( 221 ) 半导体制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN104217947B( 222 ) 一种后栅工艺中ILD层的处理方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104637797A( 223 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104465374A( 224 ) 半导体制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN104217947A( 225 ) SiGe体区纵向1T-DRAM器件及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103972174A( 226 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN103972089A( 227 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN103972090A( 228 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103972091A( 229 ) 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103545373A( 230 ) 平坦化处理方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103854967A( 231 ) 平坦化处理方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103854966A( 232 ) 平坦化处理方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN103854965A( 233 ) 鳍结构制造方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109216181A( 234 ) 鳍结构制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103854981A( 235 ) 高电子迁移率晶体管及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103579328A( 236 ) 高电子迁移率晶体管及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681831A( 237 ) 高电子迁移率晶体管的制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681323A( 238 ) 高电子迁移率晶体管及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681831A( 239 ) SOI衬底制作方法及SOI衬底, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681447A( 240 ) 一种制造交叉点器件的方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103682088A( 241 ) 栅电极的形成方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103632944A( 242 ) 浅沟槽隔离及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103633009A( 243 ) 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103632972A( 244 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN103515214A( 245 ) Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: US2013082310A1( 246 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103377943A( 247 ) 金属硅化物制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103377894A( 248 ) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: US2014357027(A1)( 249 ) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: US20140357027(A1)( 250 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103311280A( 251 ) 半导体场效应晶体管及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103296083A( 252 ) Semiconductor device and manufacturing method thereof, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: US9012965(B2)( 253 ) 一种半导体结构, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN202651088U( 254 ) Transistor with primary and semiconductor spacer, method for manufacturing transistor, and semiconductor chip comprising the transistor, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: US8835316(B2)( 255 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103137486A( 256 ) Semiconductor device and manufacturing method thereof, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: US8816326(B2)( 257 ) 具有抬升硅化物源漏接触的MOSFET及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103137668A( 258 ) Semiconductor device structure, method for manufacturing the same, and method for manufacturing Fin, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: US9070719B2( 259 ) 半导体器件, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103094326A( 260 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103077919A( 261 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN103077919B( 262 ) Schottky junction source/drain transistor and method of making, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: US8697529(B2)( 263 ) 低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103000675A( 264 ) 低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102983163A( 265 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102386189A( 266 ) 半导体器件结构及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102956458A( 267 ) 半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102956457A( 268 ) 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102956451A( 269 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102938415A( 270 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102938416A( 271 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN102931086B( 272 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102931085A( 273 ) Transistor with primary and semiconductor spacer, method for manufacturing transistor, and semiconductor chip comprising the transistor, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: US8835316B2( 274 ) 一种晶体管和包括该晶体管的半导体芯片, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN202749347U( 275 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102891176A( 276 ) 多栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN102881724B( 277 ) 多栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102881724A( 278 ) 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102867748A( 279 ) 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102832127A( 280 ) 纳米线制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102826504A( 281 ) 传感装置, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102778585A( 282 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102779751A( 283 ) 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102769033A( 284 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN102760762B( 285 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102760652A( 286 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102760762A( 287 ) 一种半导体结构, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN202487541U( 288 ) 热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102693917A( 289 ) 改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102693916A( 290 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102194881A( 291 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN102593174B( 292 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102593174A( 293 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN102593173B( 294 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102593000A( 295 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN102593000B( 296 ) 半导体器件的形成方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN102543745B( 297 ) 一种晶体管的制造方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102130011A( 298 ) MOS晶体管及其制作方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102569087A( 299 ) 自对准金属硅化物的形成方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102569048A( 300 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102544089A( 301 ) 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102487014A( 302 ) 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102487015A( 303 ) 一种晶体管的制造方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102130009A( 304 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102479818A( 305 ) 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102479812A( 306 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102437183A( 307 ) 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN103871993B( 308 ) 形成超薄可控的金属硅化物的方法, 发明专利, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101764058A( 309 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101740633A( 310 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101587896A( 311 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102017130A( 312 ) 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101652833A( 313 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101051637A( 314 ) 半导体器件制造方法, 专利授权, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100481321C( 315 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1877838A( 316 ) 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1862804A( 317 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100511647C( 318 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1822384A( 319 ) 半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1649159A( 320 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1614765A( 321 ) 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2002, 第 2 作者, 专利号: CN1383215A( 322 ) 半导体器件, 发明专利, 2000, 第 1 作者, 专利号: CN1245976A( 323 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN118367023A( 324 ) 一种扩散炉支撑桨的校准方法和扩散炉, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN118224864A( 325 ) 一种3D-NAND存储器及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN118368899A( 326 ) 基于自整流MRAM的数据隐藏的方法及装置, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118280407A( 327 ) 基于SOT-MTJ的反相器及其驱动方法、制备方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118302031A( 328 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118299267A( 329 ) 一种磁阻随机访问存储单元及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118201368A( 330 ) 一种半导体器件制备方法, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN118299260A( 331 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118299379A( 332 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118299380A( 333 ) 一种JBS二极管器件的结构及其制造方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118073428A( 334 ) 半导体器件及制造方法, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN118173579A( 335 ) 一种改善钨金属栅均匀性的方法及晶体管的制备方法, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN118366866A( 336 ) 一种硅基纳米真空计及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN118108175A( 337 ) 双钉扎层存储单元及其制备方法、存储器和电子设备, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN117979808A( 338 ) 一种膜厚监控方法、装置及设备, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117936404A( 339 ) 一种样品膜厚自动测试系统及方法, 发明专利, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN117928453A( 340 ) 磁性隧道结结构及其形成方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117597012A( 341 ) 一种双重图形化的方法、半导体器件及电子设备, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117912938A( 342 ) 一种自对准双重图形化的方法、半导体器件及电子设备, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117912937A( 343 ) 一种双重图形化的方法、半导体器件及电子设备, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117936369A( 344 ) 磁随机存储器结构及其形成方法、电路及其工作方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117794252A( 345 ) 一种纳米片环栅晶体管及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 8 作者, 专利号: CN117995903A( 346 ) 一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法, 发明专利, 2024, 第 9 作者, 专利号: CN117727625A( 347 ) 一种GeSn/SiGe量子阱激光器及其制作方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117895334A( 348 ) 存储单元及其写入、读取、计算方法、存储器, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN117649866A( 349 ) 一种光刻方法、半导体结构以及电子设备, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117724296A( 350 ) 基于SOT-MTJ的逻辑运算单元和实现逻辑运算方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117746939A( 351 ) 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117729838A( 352 ) 一种梯形凹槽的刻蚀方法及金属线条的制备方法, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117912936A( 353 ) 一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体结构, 发明专利, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117908335A( 354 ) 一种同时制备多种晶体管的方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117613004A( 355 ) 一种微孔结构的制造方法及多晶硅的制造方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117612934A( 356 ) 一种磁随机存取存储单元的控制电路、控制方法及存储器, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN117636930A( 357 ) 一种可控随机可重构的加密电路及其控制方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN117614621A( 358 ) 一种半导体器件的制作方法及半导体器件, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117524863A( 359 ) 一种单晶薄膜及其制备方法和装置, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117448934A( 360 ) 一种高密度纳米尺度线条的获得方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117524867A( 361 ) 一种利用激光获得纳米尺度线条的方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117457480A( 362 ) 纳米尺度深孔的制备方法及纳米器件, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117747540A( 363 ) 薄膜晶体管和制备方法, 发明专利, 2024, 第 8 作者, 专利号: CN117542897A( 364 ) 一种环栅晶体管及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN117096196A( 365 ) 一种细胞筛结构制备方法以及细胞筛结构, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN117180988A( 366 ) 一种三维垂直结构存储器结构及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN117241575A( 367 ) 一种三维垂直结构存储器结构及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN117098395A( 368 ) 一种纳米线模板制备方法以及纳米线模板, 发明专利, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN117049469A( 369 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116884847A( 370 ) 一种半导体器件及其制备方法和低温ISSG工艺的应用, 发明专利, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN116845088A( 371 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116936478A( 372 ) 半导体器件及其制备方法, 发明授权, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN115831876B( 373 ) 存储器电路及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备, 发明授权, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN113744776B( 374 ) 半导体器件及其制备方法, 发明授权, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN113380699B( 375 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明授权, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN113506774B( 376 ) 基于底电极垂直向电压控制的SOT-MRAM及制造、写入方法, 发明授权, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN113224232B( 377 ) 一种Z2-FET器件及其制备方法、一种半导体器件, 发明授权, 2024, 第 13 作者, 专利号: CN113178489B( 378 ) 一种半导体器件的制备方法及半导体器件, 发明授权, 2023, 第 13 作者, 专利号: CN113178488B( 379 ) 一种基于MTJ的真随机数发生器, 发明授权, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN112835556B( 380 ) MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法, 发明授权, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN112652663B( 381 ) 一种振荡器及其制造方法, 发明授权, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN112018231B( 382 ) 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 发明授权, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN111180519B( 383 ) 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 发明授权, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN111180520B( 384 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN119230408A( 385 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN119230409A( 386 ) 一种半导体器件, 发明专利, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN119230554A