紫外光电材料与器件

招收有志从事宽禁带半导体材料与器件研究的全日制硕士

080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理
140100-集成电路科学与工程

半导体紫外光电材料与器件
氮化物半导体材料
日盲紫外探测器

2014-09--2019-06   中国科学院长春光学精密机械与物理研究所   研究生/博士学位
2010-09--2014-06   厦门大学   本科/学士学位

研究生

理学博士

   

2022-09~现在, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 副研究员
2019-07~2022-08,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 助理研究员

   

（1） 吉林省技术发明一等奖, 一等奖, 省级, 2023
（2） 中国科学院青年创新促进会会员, 一等奖, 院级, 2022
（3） 吉林省优秀青年基金项目, 一等奖, 省级, 2022
（4） 中国半导体十大研究进展, 一等奖, 国家级, 2021
（5） 中国科协青年人才托举工程项目, 一等奖, 国家级, 2020
（6） 中国科学院院长特别奖, 特等奖, 院级, 2019

（ 1 ） 一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113948535A

（ 2 ） 一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113948604A

（ 3 ） 一种氮化物横向极性结及其制备方法、深紫外发光二极管, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113948543A

（ 4 ） 一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113284959A

（ 5 ） 一种探测芯片及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113140652A

（ 6 ） 单片集成氮化物发光波长可调节的白光LED及制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112802869A

（ 7 ） 一种单光子探测器死时间设置与噪声滤除的系统, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112945379A

（ 8 ） 一种二维第三主族金属氮化物实现单光子发射的方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112928187A

（ 9 ） 一种N极性氮化物模板、N极性氮化物器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112786751A

（ 10 ） 一种紫外/红外双色探测器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112670357A

（ 11 ） 一种低欧姆接触电阻的深紫外发光二极管及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112563381A

（ 12 ） 一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112822351A

（ 13 ） 一种中子辐射探测器, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112599620A

（ 14 ） 一种半导体辐射电池, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112489848A

（ 15 ） 一种基于石墨烯电极的垂直结构深紫外LED及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112242469A

（ 16 ） 一种喷淋头清洁装置, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112317196A

（ 17 ） 一种垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111987194A

（ 18 ） AlGaN基深紫外发光二极管及其AlGaN外延片和制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111987197A

（ 19 ） 基于微图案化石墨烯的Micro-LED阵列及其制备方法、显示装置, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112103305A

（ 20 ） 一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112071965A

（ 21 ） 一种多色柔性光电探测器及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112086529A

（ 22 ） 一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112086343A

（ 23 ） 一种AlGaN单极载流子日盲紫外探测器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112038448B

（ 24 ） 一种AlGaN单极载流子日盲紫外探测器及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112038448B

（ 25 ） 一种超薄量子阱结构AlGaN日盲紫外探测器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111785797B

（ 26 ） 一种光伏型紫外红外双色探测器及处理方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111952382A

（ 27 ） SBD器件结构及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN111785785B

（ 28 ） 基于范德华外延的GaN基单片集成白光LED及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111816741B

（ 29 ） 一种360度超大广角紫外探测器, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111668336A

（ 30 ） 一种用于半导体材料外延生长设备中的托盘, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111455353A

（ 31 ） 基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN111370508B

（ 32 ） 一种具有石墨烯插入层的AlGaN基紫外探测器及其制备方法, 专利授权, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111370509B

（ 33 ） 单层石墨烯的双面掺杂及多层石墨烯的双侧掺杂方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111333058A

（ 34 ） 一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111223788A

（ 35 ） 基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110963484A

（ 36 ） AlGaN基同质集成光电子芯片及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN110993737B

（ 37 ） 应力调控氮化镓基红外-紫外双色光探测器及制备方法, 专利授权, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110797429B

（ 38 ） 单片双波段集成式传感器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110797430B

（ 39 ） 一种基于氮化硼的紫外/红外双色探测器, 专利授权, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN110649108B

（ 40 ） 一种制备同质集成光通信芯片的方法, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110600582A

（ 41 ） 一种实现氮化物可控成核的二维材料复合衬底制备系统, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110349840A

（ 42 ） 一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109360798A

（ 43 ） 一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109378361A

（ 44 ） 一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109300980A

   

（1） Realizing high zero-bias gain in a GaN-based bipolar phototransistor through thin-base configuration for ultraviolet imaging, Journal of Materials Chemistry C, 2024, 通讯作者
（2） Solar-blind ultraviolet emission-detection monolithic integration of AlGaN multiple-quantum-well diodes via concentric ring-circle configuration, Applied Physics Letters, 2024, 通讯作者
（3） The AlN lattice-polarity inversion in a high-temperature-annealed c-oriented AlN-sapphire originated from the diffusion of Al and O atoms from sapphire, Nanoscale Advances, 2024, 第 1 作者
（4） Nonvolatile and reconfigurable two-terminal electro-optic duplex memtristor based on III-nitride semiconductors, Light: Science & Applications, 2024, 通讯作者
（5） The Insertion of an AlN Spacer between the Barrier and the Channel layer for a Polarization-Enhanced AlGaN-based Solar-blind Ultraviolet Detector, ACS Applied Electronic Materials, 2024, 通讯作者
（6） Rapid inactivation of human respiratory RNA viruses by deep ultraviolet irradiation from light emitting diodes on a high temperature annealed AlN_Sapphire template, Opto-ELectronic Advance, 2023, 第 1 作者
（7） Optimizing metal-n-AlGaN contact by recessed AlGaN heterostructure with a polarization effect, Nanoscale Advances, 2023, 通讯作者
（8） Valence subbands profile regulation in AlGaN quanttum well based on k.p theory, Physica Scripta, 2023, 通讯作者
（9） Recent Progress on AlGaN Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Below 250 nm, Crystals, 2022, 通讯作者
（10） Quantum engineering of non-equilibrium efficient p-doping in ultra-wide band-gap nitrides, Light: Science & Applications, 2021, 第 1 作者
（11） 高温热处理a面AlN表面形貌演变机理, Mechanism of a-AlN Surface Morphology Evolution by High Temperature Annealing, 发光学报, 2021, 第 4 作者
（12） Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer, Applied Physics Letters, 2021, 第 1 作者
（13） Multiple-quantum-well-induced unipolar carrier transport multiplication in AlGaN ultraviolet photodiode, Photonics Research, 2021, 通讯作者
（14） AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件, AlGaN Based Wide Bandgap Photoelectric Materials and Devices, 人工晶体学报, 2020, 第 3 作者
（15） Polarization Enhanced AlGaN Solar-Blind Ultraviolet Detectors, Photonics Research, 2020, 第 1 作者
（16） Suppressing the luminescence of V-cation-related point-defect in AlGaN grown by MOCVD on HVPE-AlN, Applied Surface Science, 2020, 第 1 作者
（17） Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps, CrystEngCom, 2019, 第 1 作者
（18） 量子随机数高斯噪声信号发生器, Quantum random number Gaussian noise signal generator, 光学精密工程, 2019, 第 4 作者
（19） The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition, CrystEngCom, 2018, 第 1 作者

（1） GaN-based photodetector, World Scientific, 2017-03, 第 其他 作者

   

（ 1 ） 掺杂自诱导增强Si基AlGaN深紫外LED研究, 负责人, 国家任务, 2021-01--2023-12
（ 2 ） 宽禁带半导体极紫外探测器关键技术, 负责人, 国家任务, 2022-11--2025-10
（ 3 ） XXX研究, 负责人, 国家任务, 2022-10--2025-10
（ 4 ） 石墨烯晶圆衬底上高品质氮化物的制备与生长机制研究, 负责人, 国家任务, 2020-06--2025-05
（ 5 ） 中国科学院青年创新促进会会员, 负责人, 中国科学院计划, 2023-01--2026-12
（ 6 ） 中国科学院特别研究助理项目, 负责人, 中国科学院计划, 2019-07--2022-07
（ 7 ） AlGaN基半导体紫外激光材料与器件研究, 负责人, 地方任务, 2023-01--2025-12
（ 8 ） 聚光人才计划项目, 负责人, 研究所自主部署, 2022-09--2025-08
（ 9 ） GaN基micro-LED日盲紫外光通信, 负责人, 研究所自主部署, 2020-10--2022-10
（ 10 ） AlGaN基日盲紫外同质集成芯片研究, 负责人, 研究所自主部署, 2022-01--2022-12
（ 11 ） xxx研究, 负责人, 地方任务, 2023-05--2026-04