新型存储器

招生专业

140100-集成电路科学与工程

085403-集成电路工程

招生方向

新型存储器

2019-09--2022-06   中国科学院微电子研究所   博士
2016-09--2019-06   西安电子科技大学   硕士
2012-09--2016-06   南京邮电大学   学士

   

2025-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2022-07~2025-09,中国科学院微电子研究所, 博士后

   

（ 1 ） 一种实现可重构存储模式切换的方法及存储器件, 发明专利, 2026, 第 2 作者, 专利号: CN121415831A

（ 2 ） 一种非对称结构场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2025, 第 1 作者, 专利号: CN121194485A

（ 3 ） 一种HfO2基铁电场效应晶体管的制备方法, 发明专利, 2025, 第 1 作者, 专利号: CN121174539A

（ 4 ） 铁电场效应晶体管存储器及其制备方法, 发明专利, 2025, 第 1 作者, 专利号: CN121152214A

（ 5 ） 铁电场效应晶体管存储器及其制备方法, 发明专利, 2025, 第 1 作者, 专利号: CN121126789A

（ 6 ） 铁电电容器双退火工艺、制备方法以及铁电电容器, 发明专利, 2025, 第 1 作者, 专利号: CN121075948A

（ 7 ） 一种基于环栅结构的铁电场效应晶体管的存储器件, 发明专利, 2025, 第 1 作者, 专利号: CN120201724A

（ 8 ） 一种立体电容器及其制作方法、铁电存储器, 发明专利, 2025, 第 1 作者, 专利号: CN120187281A

（ 9 ） 基于脉冲的数据保持方法、装置、存储介质及计算机设备, 发明专利, 2025, 第 1 作者, 专利号: CN120183457A

（ 10 ） 一种氧化铪基铁电电容器, 实用新型, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN221449031U

（ 11 ） 反铁电存储器, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN111769122A

（ 12 ） 一种HfO2基铁电电容器及其制备方法和HfO2及铁电存储器, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN111668372A

（ 13 ） HfO2基铁电电容器及制备方法、存储器, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115249766A

（ 14 ） 一种铁电存储器及其制备方法、应用, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114927525A

（ 15 ） 一种半导体器件制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114628233A

（ 16 ） 一种半导体器件的制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114628236A

（ 17 ） 一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114628235A

（ 18 ） 一种铁电半导体器件的制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114628234A

（ 19 ） 一种铁电半导体器件的制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114606469

   

（1） A Fully BEOL-compatible (300℃ Annealing) IGZO FeFET with Ultra-high Memory Window (10V) and Prominent Endurance (10^9 ), IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2025, 第 2 作者  通讯作者
（2） Fatigue of ferroelectric field effect transistor: mechanisms and optimization strategies, Journal of Semiconductors, 2025, 第 2 作者  通讯作者
（3） A 256 Kbit Hf0.5Zr0.5O2-based FeRAM Chip with Scaled Film Thickness(sub8nm), Low Thermal Budget(350℃), 100% Initial Chip Yield, Low Power Consumption(0.7pJ/bit at 2V write voltage), and Prominent Endurance (>10^12), IEEE Intentional Electron Devices Meeting (IEDM), 2024, 第 1 作者
（4） Demonstration of Large MW and Prominent Endurance in a Hf0.5Zr0.5O2 FeFET With IGZO Channel Utilizing Postdeposition Annealing, IEEE Electron Device Letters, 2024, 第 2 作者  通讯作者
（5） Stress effects of interconnecting metals on back-end-of-line compatible Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric capacitors, IEEE Electron Device Letters, 2023, 第 1 作者
（6） Freely switching between ferroelectric and resistive switching in Hf0.5Zr0.5O2 films and its application on high accuracy on-chip deep neural networks, Science China Information Sciences, 2023, 第 1 作者
（7） Stabilizing Remanent Polarization during Cycling in HZO‐Based Ferroelectric Device by Prolonging Wake‐up Period, Advanced Electronic Materials, 2021, 第 1 作者
（8） Wake‐Up Effect in HfO2‐Based Ferroelectric Films, Advanced Electronic Materials, 2021, 第 1 作者

   

（ 1 ） HfO2基铁电存储器, 参与, 国家任务, 2025-01--2029-12
（ 2 ） 面向多模态DRAM应用的垂直环形沟道（CAA）铪基铁电晶体管研究, 负责人, 国家任务, 2024-01--2026-12