硅基功率器件、宽禁带SiC功率器件的可靠性设计及优化研究、功率半导体器件测试分析；硅基霍尔集成电路传感器设计

   

080903-微电子学与固体电子学

功率半导体器件
宽禁带半导体器件
高性能传感器电路

2009-09--2013-06   中国科学院大学   博士学历

   

2004-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员

1)   陆江等；一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件  授权公告号：CN207993870U

2)   陆江等；一种绝缘栅双极晶体管                  授权公告号：CN207624704U 

3)   陆江等；一种霍尔基片结构及霍尔传感器          授权公告号：CN207624732U 

4)   陆江等；用于TO-3封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置     授权公告号：CN204389541U

5)   陆江等；适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号：CN204347072U

6)   陆江等；三管腿通孔封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置    授权公告号：CN204303799U

7)   陆江等；三单元130毫米功率器件模块动态特性的测试装置       授权公告号：CN203069689U

8)   陆江等；34毫米半桥连接功率器件模块动态特性的测试装置      授权公告号：CN203025260U

9)   陆江等；两单元62毫米功率器件模块动态特性的测试装置        授权公告号：CN203025321U

10)  陆江等；一种功率半导体器件结电容测试装置              授权公告号：CN202141762U

11)  陆江等；一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管            申请公布号：CN108155229A 

12)  陆江等；一种绝缘栅双极晶体管                     申请公布号：CN108122964A 

13)  陆江等；一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件        申请公布号：CN108122990A

14)  陆江；一种绝缘栅双极晶体管                      申请公布号：CN106783946A 

15)  陆江；一种槽型栅功率场效应晶体管                  申请公布号：CN106505099A 

16)  陆江；一种绝缘栅双极晶体管                     申请公布号：CN106409887A

17) 陆江； 一种绝缘栅双极晶体管                    申请公布号：CN106409899A 

[1] 陆江. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN114256340A, 2022-03-29.
[2] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935581B, 2021-04-13.
[3] 刘佳维, 陆江, 白云, 田晓丽, 陈宏, 汤益丹, 杨成樾, 刘新宇. 一种SiC功率MOSFET器件. CN: CN112103345A, 2020-12-18.
[4] 冯旺, 田晓丽, 杨雨, 白云, 陆江, 刘新宇. N沟道SiC IGBT器件的制作方法. CN: CN111508837A, 2020-08-07.
[5] 陆江. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN108122964B, 2020-06-16.
[6] 田晓丽, 冯旺, 杨雨, 陆江, 白云, 刘新宇. 抗闩锁绝缘栅双极晶体管器件. CN: CN111223922A, 2020-06-02.
[7] 田晓丽, 冯旺, 杨雨, 陆江, 白云, 杨成樾, 刘新宇. 一种碳化硅绝缘栅双极晶体管及其制作方法. CN: CN111048580A, 2020-04-21.
[8] 胡爱斌, 朱阳军, 卢烁今, 王波, 陆江. 一种IGBT结构及其制作方法. CN: CN110061047A, 2019-07-26.
[9] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 陆江, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962098A, 2019-07-02.
[10] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962099A, 2019-07-02.
[11] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935582A, 2019-06-25.
[12] 韩忠霖, 白云, 陈宏, 杨成樾, 陆江, 汤益丹, 田晓丽, 王臻星, 刘新宇. 一种双沟槽SS-SiC MOSFET结构. CN: CN109768091A, 2019-05-17.
[13] 宋瓘, 白云, 陈宏, 汤益丹, 杨成樾, 田晓丽, 陆江, 刘新宇. 一种4H-SiC MOSFET功率器件及其制造方法. CN: CN109616523A, 2019-04-12.
[14] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. CN: CN207993870U, 2018-10-19.
[15] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 张国欢, 罗家俊. 一种霍尔基片结构及霍尔传感器. CN: CN207624732U, 2018-07-17.
[16] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. 中国: CN207624704U, 2018-07-17.
[17] 陆江. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN207624704U, 2018-07-17.
[18] 杨尊松, 王立新, 肖超, 宋李梅, 孙博韬, 陆江, 罗小梦, 罗家俊. 一种超结器件. CN: CN207587736U, 2018-07-06.
[19] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管. CN: CN108155229A, 2018-06-12.
[20] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. CN: CN108122990A, 2018-06-05.
[21] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN108122964A, 2018-06-05.
[22] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039362A, 2018-05-15.
[23] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039365A, 2018-05-15.
[24] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039364A, 2018-05-15.
[25] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 陆江, 曾传滨, 卜建辉, 赵海涛. 一种ESD钳位电路及集成电路. CN: CN107863339A, 2018-03-30.
[26] 杨尊松, 王立新, 肖超, 宋李梅, 孙博韬, 陆江, 罗小梦, 罗家俊. 一种超结器件. CN: CN106847920A, 2017-06-13.
[27] 杨尊松, 王立新, 肖超, 宋李梅, 陆江, 罗小梦, 罗家俊. 一种高压超结VDMOS. CN: CN106847919A, 2017-06-13.
[28] 杨尊松, 王立新, 罗小梦, 宋李梅, 肖超, 陆江, 罗家俊, 韩郑生. 一种超结器件耐压层的制备方法. CN: CN106816376A, 2017-06-09.
[29] 陆江. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN106783946A, 2017-05-31.
[30] 杨尊松, 王立新. 一种超结器件. CN: CN106711189A, 2017-05-24.
[31] 滕渊, 朱阳军, 卢烁今, 田晓丽. IGBT器件及其制作方法. CN: CN106711204A, 2017-05-24.
[32] 陆江. 一种槽型栅功率场效应晶体管. CN: CN106505099A, 2017-03-15.
[33] 滕渊, 朱阳军, 卢烁今, 田晓丽. 一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法. CN: CN106486361A, 2017-03-08.
[34] 陆江. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN106409887A, 2017-02-15.
[35] 陆江. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN106409899A, 2017-02-15.
[36] 朱阳军, 褚为利, 陆江. 功率半导体器件的高温测试方法. CN: CN104977517A, 2015-10-14.
[37] 褚为利, 朱阳军, 陆江, 卢烁今, 田晓丽. 结终端延伸的终端版图结构及其终端结构. CN: CN204632762U, 2015-09-09.
[38] 周宏宇, 刘刚, 陆江, 赵发展. SMD表面贴系列封装功率器件测试连接装置. CN: CN204462193U, 2015-07-08.
[39] 周宏宇, 赵发展, 陆江, 刘刚. TO-39封装功率器件测试连接装置. CN: CN204462194U, 2015-07-08.
[40] 陆江, 刘刚, 周宏宇, 赵发展. 用于TO-3封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置. CN: CN204389541U, 2015-06-10.
[41] 张文亮, 朱阳军, 陆江, 田晓丽, 卢烁今. 半导体器件、PIN二极管和IGBT的制作方法. CN: CN104701162A, 2015-06-10.
[42] 陆江, 赵发展, 周宏宇, 刘刚. 适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置. CN: CN204347072U, 2015-05-20.
[43] 陆江, 赵发展, 周宏宇, 刘刚. 三管腿通孔封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置. CN: CN204303799U, 2015-04-29.
[44] 温景超, 王立新, 周宏宇, 陆江, 韩郑生. 一种TO-3封装功率半导体器件热阻测试装置. CN: CN203824949U, 2014-09-10.
[45] 温景超, 王立新, 周宏宇, 陆江, 韩郑生. 一种SMD-0.5封装功率半导体器件热阻测试装置. CN: CN203773016U, 2014-08-13.
[46] 温景超, 王立新, 陆江, 韩郑生, 周宏宇. 一种TO-39封装功率半导体器件热阻测试装置. CN: CN203773017U, 2014-08-13.
[47] 张文亮, 朱阳军, 陆江, 赵佳, 左小珍. 一种沟槽型IGBT及其制造方法. CN: CN103872114A, 2014-06-18.
[48] 朱阳军, 董少华, 王任卿, 陆江. 一种测量双极性器件峰值结温分布的方法. CN: CN103868612A, 2014-06-18.
[49] 王任卿, 朱阳军, 陆江, 苏江. 一种基于SCR的集成电路静电保护器件. CN: CN103855153A, 2014-06-11.
[50] 朱阳军, 陆江, 董少华, 田晓丽, 王任卿. 一种测量MOSFET器件峰值结温分布的方法. CN: CN103852181A, 2014-06-11.
[51] 张文亮, 胡爱斌, 朱阳军, 陆江. 逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法. CN: CN103855204A, 2014-06-11.
[52] 董少华, 朱阳军, 陆江, 王任卿, 佘超群. 一种IGBT结壳热阻的测量方法. CN: CN103852483A, 2014-06-11.
[53] 喻巧群, 朱阳军, 胡爱斌, 陆江. 一种穿通型IGBT及其制作方法. CN: CN103854997A, 2014-06-11.
[54] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 张文亮, 陆江. 用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区. CN: CN103839993A, 2014-06-04.
[55] 田晓丽, 朱阳军, 吴振兴, 陆江. 一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法. CN: CN103839989A, 2014-06-04.
[56] 赵佳, 朱阳军, 陆江, 卢烁今, 田晓丽. 一种平面型IGBT结构的制备方法. CN: CN103839803A, 2014-06-04.
[57] 胡爱斌, 朱阳军, 卢烁今, 王波. 一种IGBT结构及其制作方法. CN: CN103839994A, 2014-06-04.
[58] 王波, 朱阳军, 陆江, 谈景飞, 褚为利, 张文亮. 一种绝缘互联散热板及功率模块. CN: CN103794580A, 2014-05-14.
[59] 吴振兴, 朱阳军, 谈景飞, 胡爱斌, 陆江, 喻巧群, 陈宏, 赵佳. FRD的制备方法. CN: CN103715083A, 2014-04-09.
[60] 田晓丽, 朱阳军, 陆江, 赵佳, 左小珍. 一种IGBT的版图. CN: CN203521422U, 2014-04-02.
[61] 张文亮, 朱阳军, 陆江, 谈景飞, 褚为利, 王波. 一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法. CN: CN103681261A, 2014-03-26.
[62] 左小珍, 朱阳军, 赵佳, 卢烁今, 田晓丽, 陆江, 吴振兴. 一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图. CN: CN103678744A, 2014-03-26.
[63] 温景超, 王立新, 陆江. 功率半导体器件热阻测试装置. CN: CN203414568U, 2014-01-29.
[64] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN103378140A, 2013-10-30.
[65] 褚为利, 朱阳军, 吴振兴, 陆江. 一种有源区金属与终端区形成电连接的版图. CN: CN203134806U, 2013-08-14.
[66] 佘超群, 朱阳军, 陆江, 成星, 高振鹏. 一种结电容测试装置. CN: CN203084083U, 2013-07-24.
[67] 陆江, 朱阳军, 高振鹏, 佘超群, 成星. 三单元130毫米功率器件模块动态特性的测试装置. CN: CN203069689U, 2013-07-17.
[68] 成星, 朱阳军, 陆江, 佘超群, 高振鹏. 用于两单元73毫米功率器件模块电容的测试装置. CN: CN203037746U, 2013-07-03.
[69] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今, 陆江. 一种半导体功率器件. 中国: CN203026509U, 2013-06-26.
[70] 陆江, 朱阳军, 佘超群, 成星, 高振鹏. 34毫米半桥连接功率器件模块动态特性的测试装置. CN: CN203025260U, 2013-06-26.
[71] 陆江, 朱阳军, 成星, 高振鹏, 佘超群. 两单元62毫米功率器件模块动态特性的测试装置. CN: CN203025321U, 2013-06-26.
[72] 成星, 陆江, 朱阳军, 佘超群, 高振鹏. 一种IGBT功率模块测试夹具. CN: CN202948032U, 2013-05-22.
[73] 成星, 朱阳军, 陆江, 卢烁今, 佘超群, 高振鹏. 一种用于62mm功率器件的结电容测试电路及装置. CN: CN202903894U, 2013-04-24.
[74] 高振鹏, 朱阳军, 陆江, 胡爱斌, 佘超群, 成星. 一种用于130mm功率器件的结电容测试电路及装置. CN: CN202854239U, 2013-04-03.
[75] 喻巧群, 朱阳军, 褚为利, 田晓丽, 吴振兴, 陆江. 用于半导体功率器件的终端. CN: CN102856356A, 2013-01-02.
[76] 陆江, 朱阳军, 苏江. 一种功率半导体器件结电容测试装置. CN: CN202141762U, 2012-02-08.
[77] 王任卿, 朱阳军, 陆江, 苏江. 一种基于SCR的集成电路静电保护器件. CN: CN102110686A, 2011-06-29.
[78] 蔡小五, 海潮和, 陆江, 王立新. 制备超结VDMOS器件的方法. CN: CN101515547B, 2011-02-16.
[79] 蔡小五, 赵发展, 海潮和, 陆江, 王立新. 功率VDMOS开启电压远程在线自动测试系统及方法. CN: CN101458292A, 2009-06-17.

   

[1] 刘佳维, 陆江, 白云, 成国栋, 左欣欣. SiC超结MOSFET的短路特性研究. 电源学报[J]. 2023, 第 2 作者21(01期): 208-212, VIP_JournalArticle.
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（1） 功率半导体器件基础, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 电子工业出版社, 2013-02, 第 2 作者

   

（ 1 ） 感性负载下MOS栅功率器件的动态雪崩失效机理及可靠性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12

现指导学生

刘佳维  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王光晨  硕士研究生  085209-集成电路工程  

康博  硕士研究生  085209-集成电路工程