基本信息
陆江  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: lujiang@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 46012

研究领域

硅基功率器件、宽禁带SiC功率器件的可靠性设计及优化研究、功率半导体器件测试分析;硅基霍尔集成电路传感器设计


招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
功率半导体器件
宽禁带半导体器件
高性能传感器电路

教育背景

2009-09--2013-06   中国科学院大学   博士学历

工作经历

   
工作简历
2004-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员

专利与奖励

1)   陆江等;一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件  授权公告号:CN207993870U

2)   陆江等;一种绝缘栅双极晶体管                  授权公告号:CN207624704U 

3)   陆江等;一种霍尔基片结构及霍尔传感器          授权公告号:CN207624732U 

4)   陆江等;用于TO-3封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置     授权公告号:CN204389541U

5)   陆江等;适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号:CN204347072U

6)   陆江等;三管腿通孔封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置    授权公告号:CN204303799U

7)   陆江等;三单元130毫米功率器件模块动态特性的测试装置       授权公告号:CN203069689U

8)   陆江等;34毫米半桥连接功率器件模块动态特性的测试装置      授权公告号:CN203025260U

9)   陆江等;两单元62毫米功率器件模块动态特性的测试装置        授权公告号:CN203025321U

10)  陆江等;一种功率半导体器件结电容测试装置              授权公告号:CN202141762U

11)  陆江等;一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管            申请公布号:CN108155229A 

12)  陆江等;一种绝缘栅双极晶体管                     申请公布号:CN108122964A 

13)  陆江等;一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件        申请公布号:CN108122990A

14)  陆江;一种绝缘栅双极晶体管                      申请公布号:CN106783946A 

15)  陆江;一种槽型栅功率场效应晶体管                  申请公布号:CN106505099A 

16)  陆江;一种绝缘栅双极晶体管                     申请公布号:CN106409887A

17) 陆江; 一种绝缘栅双极晶体管                    申请公布号:CN106409899A 


出版信息

   
发表论文
(1) Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, Journal of Semiconductors, 2018, 第 1 作者
(2) Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance, Chin. Phys. B, 2017, 第 2 作者
发表著作
(1) 功率半导体器件基础, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 电子工业出版社, 2013-02, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 感性负载下MOS栅功率器件的动态雪崩失效机理及可靠性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12

指导学生

现指导学生

刘佳维  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王光晨  硕士研究生  085209-集成电路工程  

康博  硕士研究生  085209-集成电路工程