0805Z2-半导体材料与器件
070205-凝聚态物理

红外半导体材料与器件
锑化物超晶格红外器件

   

2022-10~2023-06,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2019-10~2022-09,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2016-08~2019-09,中国科学院半导体研究所, 博士后

   

（1） 高性能制冷红外焦平面探测器关键技术及应用, 一等奖, 省级, 2020

（ 1 ） 一种短波双色红外探测器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114122185A

（ 2 ） 红外探测器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN113972296A

（ 3 ） 一种红外探测器及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113488558A

（ 4 ） 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113358677A

（ 5 ） 焦平面红外探测器芯片、探测器和制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113130676A

（ 6 ） 利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113113511A

（ 7 ） 互补势垒超晶格长波红外探测器, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113035992A

（ 8 ） GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113013289A

（ 9 ） 红外探测器光陷阱结构的制备方法, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109802004A

（ 10 ） 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法, 专利授权, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108899379A

（ 11 ） 一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法, 专利授权, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN108648987A

（ 12 ） 一种雪崩光电二极管及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN104465853B

（ 13 ） InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法, 发明专利, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN106024931A

（ 14 ） 一种雪崩光电二极管及其制作方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104465853A

（ 15 ） 一种半导体光电器件的表面钝化方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104409525A

（ 16 ） InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103887360A