0805Z2-半导体材料与器件
070205-凝聚态物理

红外半导体材料与器件
锑化物超晶格红外器件

   

2022-10~2023-06,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2019-10~2022-09,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2016-08~2019-09,中国科学院半导体研究所, 博士后

   

（1） 高性能制冷红外焦平面探测器关键技术及应用, 一等奖, 省级, 2020

（ 1 ） 一种短波双色红外探测器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114122185A

（ 2 ） 红外探测器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN113972296A

（ 3 ） 一种红外探测器及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113488558A

（ 4 ） 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113358677A

（ 5 ） 焦平面红外探测器芯片、探测器和制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113130676A

（ 6 ） 利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113113511A

（ 7 ） 互补势垒超晶格长波红外探测器, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113035992A

（ 8 ） GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113013289A

（ 9 ） 红外探测器光陷阱结构的制备方法, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109802004A

（ 10 ） 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法, 专利授权, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108899379A

（ 11 ） 一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法, 专利授权, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN108648987A

（ 12 ） 一种雪崩光电二极管及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN104465853B

（ 13 ） InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法, 发明专利, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN106024931A

（ 14 ） 一种雪崩光电二极管及其制作方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104465853A

（ 15 ） 一种半导体光电器件的表面钝化方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104409525A

（ 16 ） InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103887360A

   

（1） Dark current simulation and analysis for InAs/GaSb long wavelength infrared barrier detectors, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2022, 通讯作者
（2） Growth of high material quality InAs/GaSb type-II superlattice for long-wavelength infrared range by molecular beam epitaxy, 中国物理B, 2022, 第 9 作者
（3） Wet etching and passivation of GaSb-based very long wavelength infrared detectors, Wet etching and passivation of GaSb-based very long wavelength infrared detectors, CHINESE PHYSICS B, 2022, 第 10 作者
（4） Growth and photo-electronic characteristics of short/mid wave dual-band infrared detectors based on GaSb bulk and InAs/GaSb superlattices, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2021, 第 8 作者
（5） MBE growth of mid-wavelength infrared photodetectors based on high quality InAs/AlAs/InAsSb superlattice, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 第 6 作者
（6） Progress of long wavelength infrared focal plane arrays based on antimonide compounds superlattice, SCIENTIA SINICA-PHYSICA MECHANICA & ASTRONOMICA, 2021, 第 6 作者
（7） High-Performance Anodic Vulcanization-Pretreated Gated P+-pi-M-N+ InAs/GaSb Superlattice Long-Wavelength Infrared Detector, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2021, 第 5 作者
（8） 锑化物超晶格长波红外焦平面探测器研究进展, Progress of long wavelength infrared focal plane arrays based on antimonide compounds superlattice, 中国科学：物理学、力学、天文学, 2021, 第 6 作者
（9） The investigations to eliminate the bias dependency of quantum efficiency of InGaAsSb nBn photodetectors for extended short wavelength infrared detection, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
（10） High-performance midwavelength infrared detectors based on InAsSb nBn design, High-performance midwavelength infrared detectors based on InAsSb nBn design, CHINESE PHYSICS B, 2020, 第 4 作者
（11） Investigation of active-region doping on InAs/GaSb long wave infrared detectors, Investigation of active-region doping on InAs/GaSb long wave infrared detectors, CHINESE PHYSICS B, 2020, 第 2 作者
（12） 基于锑化物二类超晶格的多色红外探测器研究进展, Research Progress in Antimonide-Based Type-Ⅱ Superlattice Multi-Color Infrared Detectors, 人工晶体学报, 2020, 第 1 作者
（13） Sulfide treatment passivation of mid-/long-wave dual-color infrared detectors based on type-ii inas/gasb superlattices, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 第 3 作者
（14） Growth and characterization of type-II superlattice photodiodes with cutoff wavelength of 12 mu m on 4-in. wafer, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 第 8 作者
（15） High quantum efficiency long-/long-wave dual-color type-II InAs/GaSb infrared detector, CHINESE PHYSICS B, 2019, 第 6 作者
（16） Wide spectrum responsivity detectors from visible to mid-infrared based on antimonide, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2019, 第 5 作者
（17） High performance nBn detectors based on InGaAsSb bulk materials for short wavelength infrared detection, AIP ADVANCES, 2019, 第 5 作者
（18） Visible-extended mid-infrared wide spectrum detector based on InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL), INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 9 作者
（19） Extended-wavelength InGaAsSb infrared unipolar barrier detectors, AIP ADVANCES, 2018, 第 4 作者
（20） Digitally grown AlInAsSb for high gain separate absorption, grading, charge, and multiplication avalanche photodiodes, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 第 10 作者
（21） Bias-selectable mid-/long-wave dual band infrared focal plane array based on Type-II InAs/GaSb superlattice, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
（22） Significantly extended cutoff wavelength of very long-wave infrared detectors based on InAs/GaSb/InSb/GaSb superlattices, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 通讯作者
（23） Significantly extended cutoff wavelength of very long-wave infrared detectors based on InAs/GaSb/InSb/GaSb superlattices, APPL. PHYS. LETT., 2017, 第 1 作者
（24） Very long wavelength infrared focal plane arrays with 50% cutoff wavelength based on type-II InAs/GaSb superlattice, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 4 作者
（25） Etching mask optimization of InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infared 640×512 focal plane array, CHINESE PHYSICS. B, 2017, 第 7 作者
（26） Etching mask optimization of InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infared 640 x 512 focal plane array, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 7 作者
（27） 320 _ 256 Short-/Mid-Wavelength dual-color infrared focal plane arrays based on Type-II InAs/GaSb superlattice, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 第 4 作者
（28） 320 x 256 high operating temperature mid-infrared focal plane arrays based on type-II InAs/GaSb superlattice, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 第 5 作者
（29） 锑化物纳米结构的中红外激光器与探测器的新进展, Recent Advances of Mid-Infrared Lasers and Detectors in Antimonide-Based Nanostructures, 中国基础科学, 2017, 第 2 作者
（30） l Investigation of dark current mechanisms on type-II InAs/GaSb superlattice very long wavelength infrared detectors, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 2 作者
（31） Low Crosstalk Three-Color Infrared Detector by Controlling the Minority Carriers Type of InAs/GaSb Superlattices for Middle-Long and Very-Long Wavelength, Low Crosstalk Three-Color Infrared Detector by Controlling the Minority Carriers Type of InAs/GaSb Superlattices for Middle-Long and Very-Long Wavelength, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 第 1 作者
（32） Very high quantum efficiency in InAs/GaSb superlattice for very long wavelength detection with cutoff of 21 µm, APPLIEDPHYSICSLETTERS, 2016, 第 1 作者
（33） Investigations of quantum efficiency in type-II InAs/GaSb very long wavelength infrared superlattice detectors, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 第 2 作者
（34） 中波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器, In As / Ga Sb Superlattices Mid-Wavelength Infrared Focal Plane Array Detectors, 航空兵器, 2015, 第 5 作者
（35） Sulfurizing Method for Passivation Used in InAs/GaSb Type-II Superlattice Photodetectors, INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY AND APPLICATION 2014: INFRARED TECHNOLOGY AND APPLICATIONS, 2014, 第 4 作者

   

（ 1 ） 锑化物超宽光谱多波段光电探测器件及性能, 负责人, 国家任务, 2019-12--2024-11
（ 2 ） 基于锑化物超晶格的背景限制长波红外探测器研究, 负责人, 国家任务, 2021-01--2023-12
（ 3 ） 锑化物超晶格长波红外探测器铍掺杂改性研究, 负责人, 研究所自主部署, 2023-01--2025-12
（ 4 ） 甚长波红外探测器, 负责人, 国家任务, 2020-12--2024-12
（ 5 ） 宽光谱锑化物能带工程调控与结构设计, 负责人, 国家任务, 2023-06--2027-06