邓惠勇 中国科学院上海技术物理研究所 研究员 博导
电子邮件： hydeng@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市玉田路500号中科院上海技术物理研究所
邮政编码： 200083


个人简介：

邓惠勇，中科院上海技术物理研究所研究员、博导，国家重点研发计划首席科学家。美国Florida 州立大学访问学者。长期研究半导体光电探测材料与器件，主持承担了国家重点研发计划（重点专项项目首席），国家基础加强计划课题，国家基金委面上和青年基金项目，国家前沿创新主题项目，以及国家重点研发计划子课题，3项上海市科委自然科学基金项目和1项中科院前沿创新等项目，以第一或通讯作者在PRB、APL等国际权威期刊发表论文30余篇，论文数据被Landolt-Bornstein手册收录为基本光学参数，授权国家发明专利8项（第1发明人），受邀作国际学术邀请报告4次。上海市电子学会理事，上海市有色金属学会半导体材料专业委员会委员, 2023年度“中国科学十大进展”终选专家。

研究领域

半导体光电成像传感材料与器件；

高纯锗红外/X光探测材料与器件


招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理
招生方向
半导体光电材料与器件

教育背景

2003-09--2006-06   中国科学院研究生院   博士
2000-09--2003-06   武汉理工大学   硕士
1996-09--2000-06   武汉理工大学   本科

工作经历

   
工作简历
2020-12~现在, 中科院上海技术物理研究所, 研究员
2010-12~2020-11,中科院上海技术物理研究所, 副研究员
2010-03~2011-03,美国Florida州立大学, 访问学者
2006-07~2010-11,中科院上海技术物理研究所, 助理研究员
社会兼职
2023-12-01-今,上海市电子学会, 理事
2021-04-01-今,上海有色金属学会半导体材料专业委员会, 委员

专利与奖励

   
专利成果
[1] 邓惠勇, 潘昌翊, 殷子薇, 谢经辉, 张祎, 李世民, 王超, 戴宁. 一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法. CN: CN108428764B, 2019-07-23.

出版信息

   
发表论文
（1） Characterization of deep-level defects in highly-doped silicon with asymmetric structure by transient capacitance spectroscopy, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2023, 通讯作者
（2） Two-dimensional perovskite (PEA)2PbI4 two-color blue-green photodetector, Nanomaterials, 2022, 通讯作者
（3） Few-layered MoS2 Based Vertical van der Waals p-n Homojunction by Highly-efficient N-2 Plasma Implantation, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2022, 通讯作者
（4） 近表面加工技术制备的高性能Ge：B 阻挡杂质带探测器, 红外与毫米波学报, 2022, 通讯作者
（5） Temperature induced electrical transport in n-Bi2Te3/p-InAs thermoelectric heterojunctions, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2022, 通讯作者
（6） Dark-Current-Blocking Mechanism in BIB Far-Infrared Detectors by Interfacial Barriers, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 通讯作者
（7） DNA-based functionalization of two-dimensional MoS2 FET biosensor for ultrasensitive detection of PSA, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2021, 通讯作者
（8） Bio-Separated and Gate-Free 2D MoS2 Biosensor Array for Ultrasensitive Detection of BRCA1, NANOMATERIALS, 2021, 通讯作者
（9） Observation of gain operation mode in Ge:B BIB THz detector, AIP ADVANCES, 2021, 通讯作者
（10） Ultrafast and highly sensitive dual-channel FET photodetector based on two-dimensional MoS2 homojunction, ACS Applied Materials & Interfaces, 2021, 通讯作者

科研活动

   
科研项目
（ 1 ） 用于太阳能电池的InAsSb红外光伏器件的研究, 负责人, 国家任务, 2009-01--2011-12
（ 2 ） InAsSb红外光伏太阳能电池的研究, 负责人, 地方任务, 2008-10--2010-10
（ 3 ） 红外光区太阳电池的研究, 负责人, 中国科学院计划, 2008-11--2010-11
（ 4 ） InAsSb量子点的制备及其多激子产生效应的研究, 负责人, 地方任务, 2012-07--2015-06
（ 5 ） 基于碲锌镉晶体的X射线探测器的研究, 负责人, 研究所自主部署, 2013-01--2015-06
（ 6 ） GaAs:Te长波长BIB探测器的研究, 负责人, 研究所自主部署, 2013-07--2015-06
（ 7 ） 碲锌镉面阵探测器材料与器件研究, 负责人, 国家任务, 2016-07--2020-06
（ 8 ） 高质量柔性Bi2Te3薄膜的制备及其红外光电性质的研究, 负责人, 地方任务, 2016-07--2019-06
（ 9 ） XXX信号检测的探测器和探测技术, 负责人, 国家任务, 2018-07--2020-12
（ 10 ） XXX材料设计及表征技术研究, 负责人, 国家任务, 2019-12--2024-12
（ 11 ） 多结阻挡杂质带结构的Ge:B甚长波红外探测器的制备与探测机理研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 12 ） 高分辨多元高纯锗同步辐射能谱探测器及读出电子学系统研究, 负责人, 国家任务, 2023-12--2028-11
参与会议
（1）MoS2 two-dimensional FET device and biological application   International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD) 2021   2021-12-06
（2）Microstructure and Optical Properties of InAsSb Infrared Films   International Conference on NANOSCIENCE & MATERIALS WORLD (NSMW 2019)    2019-11-18
（3）Implantation-induced lattice strains and defects in InAs0.93Sb0.07 Films   Global Scientific Event on Atomic, Molecular, and Optical Physics (GSEAMO-2019)   2019-07-17
（4）新型X射线高能探测器-CdZnTe   第284期东方科技论坛   2016-11-07
（5）热处理对InAs表面电荷累积层的影响机理   第十七届全国凝聚态光学性质学术会议（OPCM’2014）   2014-07-20
（6）Optical and Photovoltaic Properties of InAsSb Infrared Films   International Photonics and OptoElectronics Meetings (POEM)   2011-11-02