基本信息

邓惠勇 中国科学院上海技术物理研究所 研究员 博导
电子邮件: hydeng@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市玉田路500号中科院上海技术物理研究所
邮政编码: 200083

研究领域

半导体光电材料与器件;

红外成像传感材料与器件;

凝聚态物理

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
070205-凝聚态物理
招生方向
半导体光电材料与器件
红外成像传感材料与器件
凝聚态物理

教育背景

2003-09--2006-06   中科院上海技术物理研究所   博士
2000-09--2003-06   武汉理工大学   硕士
1996-09--2000-06   武汉理工大学   本科

工作经历

   
工作简历
2020-12~现在, 中科院上海技术物理研究所, 研究员
2010-12~2020-11,中科院上海技术物理研究所, 副研究员
2010-03~2011-03,美国Florida州立大学, 访问学者
2006-07~2010-11,中科院上海技术物理研究所, 助理研究员
社会兼职
2021-04-01-今,上海有色金属学会半导体材料专业委员会, 委员

专利与奖励

   
专利成果
[1] 潘昌翊, 邓惠勇, 汪越, 殷子薇, 窦伟, 刘赤县, 张祎, 姚晓梅, 戴宁. 一种MoS 2 和GaAs异质结红外探测器及制备方法. CN: CN113690338A, 2021-11-23.
[2] 潘昌翊, 邓惠勇, 汪越, 殷子薇, 窦伟, 刘赤县, 张祎, 姚晓梅, 戴宁. 一种MoS2和GaAs异质结红外探测器及制备方法. 202110930615.4, 2021-08-13.
[3] 潘昌翊, 邓惠勇, 牟浩, 殷子薇, 汪越, 窦伟, 张祎, 姚晓梅, 戴宁. 一种多结型锗基长波红外探测器及制备方法. 202110930626.2, 2021-08-13.
[4] 邓惠勇, 汪越, 刘赤县, 窦伟, 单玉凤, 殷子薇, 戴宁. 一种Ge长波红外太赫兹探测器阵列和制备方法. 202110930315.6, 2021-08-13.
[5] 邓惠勇, 张祎, 殷子薇, 窦伟, 单玉凤, 张宗坤, 潘昌翊, 戴宁. 一种双面环形Ge基长波红外和太赫兹探测器和制备方法. 202010623567.X, 2020-07-01.
[6] 邓惠勇, 潘昌翊, 殷子薇, 谢经辉, 张祎, 李世民, 王超, 戴宁. 一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法. CN: CN108428764B, 2019-07-23.
[7] 任平, 邓惠勇, 戴宁. 一种铜锌锡硫薄膜的制备方法. CN: CN105648492A, 2016-06-08.
[8] 邓惠勇, 刘雨从, 黄勇, 郭建华, 胡古今, 戴宁. 一种制备InAs 0.2 Sb 0.8 量子点的方法. 中国: CN103911152A, 2014.07.09.
[9] 邓惠勇, 刘雨从, 黄勇, 郭建华, 胡古今, 戴宁. 一种制备InAs 0.2 Sb 0.8 量子点的方法. CN: CN103911152A, 2014-07-09.
[10] 邓惠勇, 郭建华, 刘雨从, 胡古今, 戴宁. 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法. 中国: CN103898600A, 2014-07-02.
[11] 邓惠勇, 郭建华, 邱锋, 张云, 胡古今, 俞国林, 戴宁. 一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法. 中国: CN103276451A, 2013.09.04.
[12] 邓惠勇, 郭建华, 邱锋, 孙艳, 刘从峰, 俞国林, 戴宁. 一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法. 中国: CN103088409A, 2013-05-08.
[13] 邓惠勇, 郭建华, 王奇伟, 邱锋, 孙常鸿, 吕英飞, 孙艳, 胡淑红, 胡古今, 陈鑫, 俞国林, 戴宁. 一种制备InAsSb量子点的方法. 中国: CN102386073A, 2012.03.21.
[14] 王奇伟, 于清华, 何家玉, 邓惠勇, 戴宁. 一种防止母液大面积残留的液相外延石墨舟. 中国: CN101586252B, 2011.11.02.

出版信息

   
发表论文
(1) Two-dimensional perovskite (PEA)2PbI4 two-color blue-green photodetector, Nanomaterials, 2022, 通讯作者
(2) Few-layered MoS2 Based Vertical van der Waals p-n Homojunction by Highly-efficient N-2 Plasma Implantation, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2022, 通讯作者
(3) Temperature induced electrical transport in n-Bi2Te3/p-InAs thermoelectric heterojunctions, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2022, 通讯作者
(4) 近表面加工技术制备的高性能Ge:B 阻挡杂质带探测器, 红外与毫米波学报, 2022, 通讯作者
(5) Dark-Current-Blocking Mechanism in BIB Far-Infrared Detectors by Interfacial Barriers, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 通讯作者
(6) DNA-based functionalization of two-dimensional MoS2 FET biosensor for ultrasensitive detection of PSA, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2021, 通讯作者
(7) 阻挡杂质带甚长波红外探测器, Blocked impurity band very long wavelength infrared detector, 中国科学:物理学、力学、天文学, 2021, 通讯作者
(8) Bio-Separated and Gate-Free 2D MoS2 Biosensor Array for Ultrasensitive Detection of BRCA1, NANOMATERIALS, 2021, 通讯作者
(9) Observation of gain operation mode in Ge:B BIB THz detector, AIP ADVANCES, 2021, 通讯作者
(10) Ultrafast and highly sensitive dual-channel FET photodetector based on two-dimensional MoS2 homojunction, ACS Applied Materials & Interfaces, 2021, 通讯作者
(11) 长波红外显微成像光学系统的设计与仿真, Design and Simulation of Long-Wavelength Infrared Microscopic Imaging Optical System, 光学学报, 2020, 通讯作者
(12) CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及其欧姆接触性质, Au Film Electrodes on CdZnTe Surface:Preparation and Ohmic Contact Property, 无机材料学报, 2018, 第 6 作者
(13) Bulk photovoltaic effect at infrared wavelength in strained Bi2Te3 films, APL MATERIALS, 2016, 通讯作者
(14) Anomalous thermoelectricity in strained Bi 2 Te 3 films, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 通讯作者
(15) High-Quality Bi2Te3 Single Crystalline Films on Flexible Substrates and Bendable Photodetectors, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 通讯作者
(16) GROWTH AND MICROSTRUCTURES OF ULTRATHIN Bi2Te3 NANOPLATES BY MODIFIED HOT WALL EPITAXY, NANO, 2014, 通讯作者
(17) Evolution of Raman spectra in n -InAs wafer with annealing temperature, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 
(18) Surface Oxidation Properties in a Topological Insulator Bi_(2)Te_(3)Film, Surface Oxidation Properties in a Topological Insulator Bi_2Te_3 Film, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 通讯作者
(19) Microstructural characterization of Bi2Te3 thin films prepared by hot wall epitaxy, EIGHTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 2013, 第 2 作者
(20) Damage buildup and annealing characteristics in Be-implanted InAs0.93Sb0.07 film, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 
(21) LPE growth and characterization of mid-infrared InAs 0.85 Sb 0.15 film on InAs substrate, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 
(22) Temperature dependence of photoluminescence property in BaIn_2O_4, CHINESE OPTICS LETTERS, 2011, 通讯作者
(23) Thickness and mosaic morphology of InAs films grown by LPE supercooling technique, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2011, 
(24) Lattice expansion and evolution of damage buildup in Be-implanted InAs, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2011, 
(25) Electronic transitions and hybrid resonance in InAsSb films by reflectance spectra, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 
(26) Electrical Property of Infrared-Sensitive InAs Solar Cells, Electrical Property of Infrared-Sensitive InAs Solar Cells, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 通讯作者
(27) Ab Initio Study of Structural and Electronic Properties of Sodium Bromide, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 通讯作者
(28) InAs_(0.96)Sb_(0.04)红外薄膜的光学性质研究, 红外与毫米波学报, 2007, 第 1 作者
(29) Microstructure characterization of InAs0.93Sb0.07 films grown by ramp-cooled liquid phase epitaxy, MATERIALS CHARACTERIZATION, 2007, 
(30) High-lying interband transitions and optical properties of InAs1-xSbx films, PHYSICAL REVIEW B, 2006, 

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 用于太阳能电池的InAsSb红外光伏器件的研究, 负责人, 国家任务, 2009-01--2011-12
( 2 ) InAsSb红外光伏太阳能电池的研究, 负责人, 地方任务, 2008-10--2010-10
( 3 ) 红外光区太阳电池的研究, 负责人, 中国科学院计划, 2008-11--2010-11
( 4 ) InAsSb量子点的制备及其多激子产生效应的研究, 负责人, 地方任务, 2012-07--2015-06
( 5 ) 基于碲锌镉晶体的X射线探测器的研究, 负责人, 研究所自选, 2013-01--2015-06
( 6 ) GaAs:Te长波长BIB探测器的研究, 负责人, 研究所自选, 2013-07--2015-06
( 7 ) 碲锌镉面阵探测器材料与器件研究, 负责人, 国家任务, 2016-07--2020-06
( 8 ) 高质量柔性Bi2Te3薄膜的制备及其红外光电性质的研究, 负责人, 地方任务, 2016-07--2019-06
( 9 ) 面向XXX的探测器和探测技术, 负责人, 国家任务, 2018-07--2020-12
( 10 ) 太赫兹XXX研究, 负责人, 国家任务, 2019-12--2024-12
( 11 ) 多结阻挡杂质带结构的Ge:B甚长波红外探测器的制备与探测机理研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
参与会议
(1)MoS2 two-dimensional FET device and biological application   [1] Huiyong Deng, Yi Zhang, and Ning Dai   2021-12-06
(2)Microstructure and Optical Properties of InAsSb Infrared Films   International Conference on NANOSCIENCE & MATERIALS WORLD (NSMW 2019)    2019-11-18
(3)Implantation-induced lattice strains and defects in InAs0.93Sb0.07 Films   Global Scientific Event on Atomic, Molecular, and Optical Physics (GSEAMO-2019)   2019-07-17
(4)柔性Bi2Te3薄膜的外延技术与挠曲电效应   第26届上海半导体材料学术年会   2018-10-18
(5)Bi2Te3低维结构及光电响应   新型光电功能材料专题研讨会   2017-11-22
(6)新型X射线高能探测器-CdZnTe   第284期东方科技论坛   2016-11-07
(7)阻挡杂质带(BIB)甚长波红外探测器   上海市有色金属学会、金属学会半导体材料专业委员会学术年会(第23届)   2014-10-21
(8)热处理对InAs表面电荷累积层的影响机理   第十七届全国凝聚态光学性质学术会议(OPCM’2014)   2014-07-20
(9)InAsSb红外薄膜的制备与光电性质   上海市有色金属学会、金属学会半导体材料专业委员会2011年学术年会(第19届)   邓惠勇   2011-12-07
(10)Optical and Photovoltaic Properties of InAsSb Infrared Films   2011-11-02
(11)Optical and Photovoltaic Properties of InAsSb Infrared Films   邓惠勇,王奇伟,戴宁   2011-11-02

指导学生

已指导学生

郭建华  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘雨从  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王超  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

李世民  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

殷子薇  博士研究生  070205-凝聚态物理  

张祎  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张宗坤  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学