基本信息

邓惠勇 中国科学院上海技术物理研究所 研究员 博导
电子邮件: hydeng@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市玉田路500号中科院上海技术物理研究所
邮政编码: 200083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
070205-凝聚态物理
招生方向
半导体材料与器件
红外天文探测技术

教育背景

2003-09--2006-06   中科院上海技术物理研究所   博士
2000-09--2003-06   武汉理工大学   硕士
1996-09--2000-06   武汉理工大学   本科

工作经历

   
工作简历
2020-12~现在, 中科院上海技术物理研究所, 研究员
2010-12~2020-11,中科院上海技术物理研究所, 副研究员
2010-03~2011-03,美国Florida州立大学, 访问学者
2006-07~2010-11,中科院上海技术物理研究所, 助理研究员

专利与奖励

   
专利成果
[1] 潘昌翊, 邓惠勇, 汪越, 殷子薇, 窦伟, 刘赤县, 张祎, 姚晓梅, 戴宁. 一种MoS2和GaAs异质结红外探测器及制备方法. 202110930615.4, 2021-08-13.

[2] 潘昌翊, 邓惠勇, 牟浩, 殷子薇, 汪越, 窦伟, 张祎, 姚晓梅, 戴宁. 一种多结型锗基长波红外探测器及制备方法. 202110930626.2, 2021-08-13.

[3] 邓惠勇, 汪越, 刘赤县, 窦伟, 单玉凤, 殷子薇, 戴宁. 一种Ge长波红外太赫兹探测器阵列和制备方法. 202110930315.6, 2021-08-13.

[4] 邓惠勇, 张祎, 殷子薇, 窦伟, 单玉凤, 张宗坤, 潘昌翊, 戴宁. 一种双面环形Ge基长波红外和太赫兹探测器和制备方法. 202010623567.X, 2020-07-01.

[5] 邓惠勇, 潘昌翊, 殷子薇, 谢经辉, 张祎, 李世民, 王超, 戴宁. 一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法. CN: CN108428764B, 2019-07-23.

[6] 邓惠勇, 刘雨从, 黄勇, 郭建华, 胡古今, 戴宁. 一种制备InAs 0.2 Sb 0.8 量子点的方法. 中国: CN103911152A, 2014.07.09.

[7] 邓惠勇, 郭建华, 刘雨从, 胡古今, 戴宁. 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法. 中国: CN103898600A, 2014-07-02.

[8] 邓惠勇, 郭建华, 邱锋, 张云, 胡古今, 俞国林, 戴宁. 一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法. 中国: CN103276451A, 2013.09.04.

[9] 邓惠勇, 郭建华, 邱锋, 孙艳, 刘从峰, 俞国林, 戴宁. 一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法. 中国: CN103088409A, 2013-05-08.

[10] 邓惠勇, 郭建华, 王奇伟, 邱锋, 孙常鸿, 吕英飞, 孙艳, 胡淑红, 胡古今, 陈鑫, 俞国林, 戴宁. 一种制备InAsSb量子点的方法. 中国: CN102386073A, 2012.03.21.

[11] 王奇伟, 于清华, 何家玉, 邓惠勇, 戴宁. 一种防止母液大面积残留的液相外延石墨舟. 中国: CN101586252B, 2011.11.02.

出版信息

   
发表论文
[1] Yufeng Shan, Ziwei Yin, Yi Zhang, Changyi Pan, Huiyong Deng, Ning Dai. Ultrafast and highly sensitive dual-channel FET photodetector based on two-dimensional MoS2 homojunction. ACS Applied Materials & Interfaces[J]. 2022, 45(13): 54194-54203, [2] 潘昌翊, 姚晓梅, 胡桃, 王宇, 王超, 邓惠勇, 戴宁. 近表面加工技术制备的高性能Ge:B 阻挡杂质带探测器. 红外与毫米波学报[J]. 2022, 41(2): 389-394, [3] Pan, Changyi, Yin, Ziwei, Song, Zhiyong, Yao, Yao, Zhang, Yi, Hao, Jiaming, Kang, Tingting, Deng, Huiyong, Wu, Huizhen, Dai, Ning. Dark-Current-Blocking Mechanism in BIB Far-Infrared Detectors by Interfacial Barriers. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2021, 68(6): 2804-2809, http://dx.doi.org/10.1109/TED.2021.3072359.
[4] Zhang, Yi, Feng, Dezhi, Xu, Yi, Yin, Ziwei, Dou, Wei, Habiba, Um E, Pan, Changyi, Zhang, Zongkun, Mou, Hao, Deng, Huiyong, Mi, Xianqiang, Dai, Ning. DNA-based functionalization of two-dimensional MoS2 FET biosensor for ultrasensitive detection of PSA. APPLIED SURFACE SCIENCE[J]. 2021, 548: http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.149169.
[5] 潘昌翊, 牟浩, 张祎, 殷子薇, 姚尧, 邓惠勇, 吴惠桢, 戴宁. 阻挡杂质带甚长波红外探测器. 中国科学:物理学、力学、天文学[J]. 2021, 51(2): 17-31, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104245271.
[6] Pan, Changyi, Yin, Ziwei, Mou, Hao, Kang, Tingting, Deng, Huiyong, Wu, Huizhen, Dai, Ning. Observation of gain operation mode in Ge:B BIB THz detector. AIP ADVANCES[J]. 2021, 11(5): http://dx.doi.org/10.1063/5.0045189.
[7] Zhang, Yi, Jiang, Wei, Feng, Dezhi, Wang, Chenguang, Xu, Yi, Shan, Yufeng, Wang, Jianlu, Yin, Ziwei, Deng, Huiyong, Mi, Xianqiang, Dai, Ning. Bio-Separated and Gate-Free 2D MoS2 Biosensor Array for Ultrasensitive Detection of BRCA1. NANOMATERIALS[J]. 2021, 11(2): http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000622868900001.
[8] 王宇, 许阳阳, 刘爱云, 石旺舟, 胡古今, 牟浩, 潘昌翊, 邓惠勇, 戴宁. 长波红外显微成像光学系统的设计与仿真. 光学学报[J]. 2020, 40(6): 128-135, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7101641528.
[9] 谢经辉, 刘雨从, 王超, 殷子薇, 陈嘉栋, 邓惠勇, 沈悦, 王林军, 张建国, 戴宁. CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及其欧姆接触性质. 无机材料学报[J]. 2018, 33(3): 273-278, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674955566.
[10] Liu, Yucong, Chen, Jiadong, Wang, Chao, Deng, Huiyong, Zhu, DaMing, Hu, Gujin, Chen, Xiaoshuang, Dai, Ning. Bulk photovoltaic effect at infrared wavelength in strained Bi2Te3 films. APL MATERIALS[J]. 2016, 4(12): https://doaj.org/article/f74fa35d80fb42e892bc12b6313d9c09.
[11] Liu, Yucong, Chen, Jiadong, Deng, Huiyong, Hu, Gujin, Zhu, Daming, Dai, Ning. Anomalous thermoelectricity in strained Bi2Te3 films. SCIENTIFIC REPORTS[J]. 2016, 6: http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2375159.
[12] Liu, YuCong, Chen, JiaDong, Deng, HuiYong, Hu, GuJin, Chen, XiaoShuang, Dai, Ning. High-Quality Bi2Te3 Single Crystalline Films on Flexible Substrates and Bendable Photodetectors. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2016, 33(10): http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2374977.
[13] Guo, Jianhua, Liu, Yucong, Deng, Huiyong, Hu, Gujin, Li, Xiaonan, Yu, Guolin, Dai, Ning. GROWTH AND MICROSTRUCTURES OF ULTRATHIN Bi2Te3 NANOPLATES BY MODIFIED HOT WALL EPITAXY. NANO[J]. 2014, 9(6): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000342386800002.
[14] Deng, H Y, Guo, J H, Zhang, Y, Cong, R, Hu, G J, Yu, G L, Dai, N. Evolution of Raman spectra in n-InAs wafer with annealing temperature. APPLIED SURFACE SCIENCE[J]. 2014, 288: 40-43, http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.09.095.
[15] 郭建华, 邱锋, 张云, 邓惠勇, 胡古今, 李小南, 俞国林, 戴宁. Surface Oxidation Properties in a Topological Insulator Bi2Te3 Film. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2013, 30(10): 136-138, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000326492900034.
[16] Guo, Jianhua, Deng, Huiyong, Hu, Gujin, Li, Xiaonan, Yu, Guolin, Dai, Ning, Chu, J, Wang, C. Microstructural characterization of Bi2Te3 thin films prepared by hot wall epitaxy. EIGHTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONSnull. 2013, 9068: http://dx.doi.org/10.1117/12.2054129.
[17] Wang, Q W, Sun, C H, Hu, S H, Wei, L M, Wu, J, Sun, Y, Hu, G J, Yu, G, Chen, X, Deng, H Y, Dai, N. Damage buildup and annealing characteristics in Be-implanted InAs0.93Sb0.07 film. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS[J]. 2012, 285: 11-17, http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2012.05.003.
[18] Wang, Q W, Sun, C H, Hu, S H, He, J Y, Wu, J, Chen, X, Deng, H Y, Dai, N. LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH[J]. 2011, 327(1): 63-67, http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.05.007.
[19] Deng, Huiyong, Wang, Qiwei, Ren, Ping, Wu, Jie, Tao, Junchao, Chen, Xin, Dai, Ning. Temperature dependence of photoluminescence property in BaIn2O4. CHINESE OPTICS LETTERS[J]. 2011, 9(1): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=37408422.
[20] Deng, H Y, Wang, Q W, Wu, J, Hu, S H, Chen, X, Dai, N. Thickness and mosaic morphology of InAs films grown by LPE supercooling technique. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS[J]. 2011, 22(7): 811-814, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000291803100018.
[21] QWWang, CHSun, MChen. Lattice expansion and evolution of damage buildup in Be-implanted InAs. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B[J]. 2011, 269(21): http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&KeyUT=WOS:000296078600010&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&UsrCustomerID=3a85505900f77cc629623c3f2907beab.
[22] Deng, H Y, Wang, Q W, He, J Y, Sun, C H, Hu, S H, Chen, X, Dai, N. Electronic transitions and hybrid resonance in InAsSb films by reflectance spectra. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2010, 97(15): http://202.127.1.142/handle/181331/2064.
[23] Deng HuiYong, Wang QiWei, Tao JunChao, Wu Jie, Hu ShuHong, Chen Xin, Dai Ning. Electrical Property of Infrared-Sensitive InAs Solar Cells. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2010, 27(11): 95-98, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=35574324.
[24] 邓惠勇, 方维政, 洪学鹍, 戴宁. InAs_(0.96)Sb_(0.04)红外薄膜的光学性质研究. 红外与毫米波学报[J]. 2007, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1789420.
[25] Deng, H Y, Hong, X K, Fang, W Z, Dai, N. Microstructure characterization of InAs0.93Sb0.07 films grown by ramp-cooled liquid phase epitaxy. MATERIALS CHARACTERIZATION[J]. 2007, 58(3): 307-311, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000244797200015.
[26] Deng, HY, Dai, N. High-lying interband transitions and optical properties of InAs1-xSbx films. PHYSICAL REVIEW B[J]. 2006, 73(11): http://202.127.1.142/handle/181331/2612.

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 用于太阳能电池的InAsSb红外光伏器件的研究, 主持, 国家级, 2009-01--2011-12
( 2 ) InAsSb红外光伏太阳能电池的研究, 主持, 省级, 2008-10--2010-10
( 3 ) 红外光区太阳电池的研究, 主持, 部委级, 2008-11--2010-11
( 4 ) InAsSb量子点的制备及其多激子产生效应的研究, 主持, 省级, 2012-07--2015-06
( 5 ) 基于碲锌镉晶体的X射线探测器的研究, 主持, 市地级, 2013-01--2015-06
( 6 ) GaAs:Te长波长BIB探测器的研究, 主持, 市地级, 2013-07--2015-06
( 7 ) 碲锌镉面阵探测器材料与器件研究, 主持, 国家级, 2016-07--2020-06
( 8 ) 高质量柔性Bi2Te3薄膜的制备及其红外光电性质的研究, 主持, 省级, 2016-07--2019-06
( 9 ) 面向XXX的探测器和探测技术, 主持, 国家级, 2018-07--2020-12
( 10 ) XXX研究, 主持, 国家级, 2019-12--2024-12
参与会议
(1)Microstructure and Optical Properties of InAsSb Infrared Films   International Conference on NANOSCIENCE & MATERIALS WORLD (NSMW 2019)    2019-11-18
(2)Implantation-induced lattice strains and defects in InAs0.93Sb0.07 Films   Global Scientific Event on Atomic, Molecular, and Optical Physics (GSEAMO-2019)   2019-07-17
(3)柔性Bi2Te3薄膜的外延技术与挠曲电效应   第26届上海半导体材料学术年会   2018-10-18
(4)Bi2Te3低维结构及光电响应   新型光电功能材料专题研讨会   2017-11-22
(5)新型X射线高能探测器-CdZnTe   第284期东方科技论坛   2016-11-07
(6)阻挡杂质带(BIB)甚长波红外探测器   上海市有色金属学会、金属学会半导体材料专业委员会学术年会(第23届)   2014-10-21
(7)热处理对InAs表面电荷累积层的影响机理   第十七届全国凝聚态光学性质学术会议(OPCM’2014)   2014-07-20
(8)InAsSb红外薄膜的制备与光电性质   上海市有色金属学会、金属学会半导体材料专业委员会2011年学术年会(第19届)   邓惠勇   2011-12-07
(9)Optical and Photovoltaic Properties of InAsSb Infrared Films   2011-11-02
(10)Optical and Photovoltaic Properties of InAsSb Infrared Films   邓惠勇,王奇伟,戴宁   2011-11-02

指导学生

已指导学生

郭建华  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘雨从  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王超  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

李世民  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

殷子薇  博士研究生  070205-凝聚态物理  

张祎  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张宗坤  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学