基本信息
郭亚楠 女 中国科学院半导体研究所
电子邮件： ynguo@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：100083
研究领域
深紫外半导体光电材料与器件
招生信息
招生专业
0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
深紫外半导体光电材料与器件
日盲紫外LED和激光器
极性氮化物半导体材料
日盲紫外LED和激光器
极性氮化物半导体材料
教育背景
2012-09--2017-06 中国科学院半导体研究所 工学博士
2008-09--2012-06 厦门大学 学士学位
2008-09--2012-06 厦门大学 学士学位
工作经历
工作简历
2022-09~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2017-07~2022-09,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2017-07~2022-09,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
专利与奖励
奖励信息
（1） 中国科学院青年创新促进会会员, 一等奖, 院级, 2023
（2） 青年创芯奖, 特等奖, 研究所（学校）, 2022
（2） 青年创芯奖, 特等奖, 研究所（学校）, 2022
专利成果
（ 1 ） 一种AlGaN基紫外激光器的生长方法, 发明授权, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN113445130B
（ 2 ） 极性交替AlN模板的制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113539791A
（ 3 ） AlGaN薄膜的制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113437186A
（ 4 ） 一种AlGaN基紫外激光器的生长方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113445130A
（ 5 ） 一种AlN薄膜的制备方法, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113451457A
（ 6 ） 高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111710595A
（ 7 ） 极性可控的高质量AlN模板制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111676451A
（ 8 ） 高质量低应力AlN图形模板的制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111710594A
（ 9 ） 提高LED倒装芯片光提取效率的方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111710765B
（ 10 ） 具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111710762B
（ 11 ） 反极性垂直发光二极管及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110808319B
（ 12 ） 基于紫外LED杀菌新风系统, 实用新型, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN211204334U
（ 13 ） 基于紫外LED杀菌新风系统及应用, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110657545A
（ 14 ） 紫外LED匀光装置, 实用新型, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN211214531U
（ 15 ） 紫外LED匀光装置及其应用, 发明授权, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN110680937B
（ 16 ） 紫外LED匀光装置及其应用, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110680937A
（ 17 ） 一种基于多孔外延模板的紫外发光二极管及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108922947A
（ 18 ） 一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108878604A
（ 19 ） 基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110269950A
（ 20 ） LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110098297A
（ 21 ） 紫外LED抗静电硅基板的封装结构, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108091646A
（ 22 ） 高光出射效率的LED芯片及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107068826A
（ 23 ） 一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106531871A
（ 24 ） 一种LED芯片的图形化基板及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106505130A
（ 25 ） LED倒装基板的结构, 实用新型, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN206236704U
（ 26 ） 隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法, 专利授权, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106328778A
（ 2 ） 极性交替AlN模板的制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113539791A
（ 3 ） AlGaN薄膜的制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113437186A
（ 4 ） 一种AlGaN基紫外激光器的生长方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113445130A
（ 5 ） 一种AlN薄膜的制备方法, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113451457A
（ 6 ） 高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111710595A
（ 7 ） 极性可控的高质量AlN模板制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111676451A
（ 8 ） 高质量低应力AlN图形模板的制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111710594A
（ 9 ） 提高LED倒装芯片光提取效率的方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111710765B
（ 10 ） 具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111710762B
（ 11 ） 反极性垂直发光二极管及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110808319B
（ 12 ） 基于紫外LED杀菌新风系统, 实用新型, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN211204334U
（ 13 ） 基于紫外LED杀菌新风系统及应用, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110657545A
（ 14 ） 紫外LED匀光装置, 实用新型, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN211214531U
（ 15 ） 紫外LED匀光装置及其应用, 发明授权, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN110680937B
（ 16 ） 紫外LED匀光装置及其应用, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110680937A
（ 17 ） 一种基于多孔外延模板的紫外发光二极管及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108922947A
（ 18 ） 一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108878604A
（ 19 ） 基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110269950A
（ 20 ） LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110098297A
（ 21 ） 紫外LED抗静电硅基板的封装结构, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108091646A
（ 22 ） 高光出射效率的LED芯片及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107068826A
（ 23 ） 一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106531871A
（ 24 ） 一种LED芯片的图形化基板及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106505130A
（ 25 ） LED倒装基板的结构, 实用新型, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN206236704U
（ 26 ） 隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法, 专利授权, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106328778A
出版信息
发表论文
（1） The Effects of Growth Parameters on the Stimulated Emission Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates, 发光学报, 2024, 第 2 作者 通讯作者
（2） High-Quality Nonpolar a-Plane AlGaN Film Grown on Si-Doped AlN Template by Metal Organic Chemical Vapor Deposition, Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2024, 第 2 作者 通讯作者
（3） Generation of stable ultraviolet optical ring lattices using monolithic AlN metasurfaces for cooling atoms, Optical Materials Express, 2024, 第 2 作者 通讯作者
（4） Lasing Threshold Reduction of AlGaN-Based Ultraviolet-C Laser Diodes Using Strain Relaxed Lower Cladding Layer, physica status solidi (a), 2024, 第 3 作者
（5） Monolithic integration of deep ultraviolet and visible light-emitting diodes for radiative sterilization application, Applied Physics Letters, 2024, 第 2 作者
（6） AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性, Ohmic Contact Characteristics of AlGaN-based Deep-ultraviolet Light-emitting-diodes with NiAu Transparent Electrode, 发光学报, 2023, 第 4 作者
（7） Effect of the Growth Interruption on the Surface Morphology and Crystalline Quality of MOCVD-Grown h-BN, CRYSTALS, 2023, 第 2 作者 通讯作者
（8） Improved crystallinity and surface morphology of a-plane AlN grown on high temperature annealed AlN/sapphire template by pulsed-flow mode metal-organic vapor phase epitaxy, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 第 2 作者 通讯作者
（9） On-chip parallel processing of quantum frequency comb, NPJ QUANTUM INFORMATION, 2023, 第 4 作者
（10） Unexpected Realization of N-Polar AlN Films on Si-Face 4H-SiC Substrates Using RF Sputtering and High-Temperature Annealing, CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2023, 第 2 作者 通讯作者
（11） Growth mode modulation and crystalline quality improvement of highly relaxed n-Al0.6Ga0.4N on high-temperature-annealing AlN/sapphire template via SiH4-pretreatment, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2023, 第 3 作者
（12） Mitigating fast thermal instability by engineered laser sweep in AlN soliton microcomb generation, Mitigating fast thermal instability by engineered laser sweep in AlN soliton microcomb generation, 光子学研究:英文版, 2023, 第 4 作者
（13） Effects of nitrogen flux and RF sputtering power on the preparation of crystalline a-plane AlN films on r-plane sapphire substrates, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 2 作者 通讯作者
（14） 量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响, Effect of Barrier Height on Modulation Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes, 发光学报, 2022, 第 2 作者
（15） Fundamental linewidth of an AlN microcavity Raman laser, Optics Letters, 2022, 第 5 作者
（16） 275 nm Deep Ultraviolet AlGaN-Based Micro-LED Arrays for Ultraviolet Communication, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2022, 第 2 作者
（17） Two-Inch Wafer-Scale Exfoliation of Hexagonal Boron Nitride Films Fabricated by RF-Sputtering, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2022, 第 7 作者
（18） 紫外LED研究进展, Recent progress of ultraviolet light-emitting diodes, 科技导报, 2021, 第 3 作者
（19） Ultraviolet communication technique and its application, Ultraviolet communication technique and its application, 半导体学报:英文版, 2021, 第 2 作者
（20） Self-frequency shift of AlN-on-sapphire Kerr solitons, OPTICS LETTERS, 2021, 第 3 作者
（21） Polarity tuning of crystalline AlN films utilizing trace oxygen involved sputtering and post-high-temperature annealing, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2021, 第 2 作者 通讯作者
（22） Comprehensive study of crystalline AlN/sapphire templates after high-temperature annealing with various sputtering conditions, Comprehensive study of crystalline AlN/sapphire templates after high-temperature annealing with various sputtering conditions, 半导体学报:英文版, 2020, 第 3 作者
（23） Deep ultraviolet light-emitting diodes based on a well-ordered AlGaN nanorod array, PHOTONICS RESEARCH, 2019, 第 2 作者
（24） Exfoliation of AIN film using two-dimensional multilayer hexagonal BN for deep-ultraviolet light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 第 2 作者
（25） Deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance via nanoporous AlGaN template, OPTICS EXPRESS, 2019,
（26） Enhanced electrical performance by modulation-doping in AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes, MODERN PHYSICS LETTERS B, 2019, 第 6 作者
（27） Influence of Silicon-Doping in n-AlGaN Layer on the Optical and Electrical Performance of Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes, RUSSIAN JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A, 2019, 第 5 作者
（28） Study of the morphology evolution of AlN grown on nanopatterned sapphire substrate, Study of the morphology evolution of AlN grown on nanopatterned sapphire substrate, 半导体学报:英文版, 2019, 第 3 作者
（29） Reducing stimulated emission threshold power density of AlGaN/AlN multiple quantum wells by nano-trench-patterned AlN template, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 第 5 作者
（30） Facet Formation of AlGaN/AlN-based Multiple Quantum Wells by Laser Scribing, 2019 16TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING & 2019 INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA: IFWS), 2019, 第 3 作者
（31） Improved crystalline quality of Al-rich n-AlGaN by regrowth on nanoporous template fabricated by electrochemical etching, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 4 作者
（32） AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on sputter-deposited AlN templates with epitaxial AlN/AlGaN superlattices, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 第 7 作者
（33） Enhancing the light extraction of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes in the nanoscale, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 1 作者
（34） Deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN/AlN multiple-quantum-wells on nano-patterned AlN/sapphire templates with reduced threshold power density, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 第 4 作者
（35） The effect of AlN/AlGaN superlattices on crystal and optical properties of AlGaN epitaxial layers, The effect of AlN/AlGaN superlattices on crystal and optical properties of AlGaN epitaxial layers, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 第 4 作者
（36） Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 1 作者
（37） Sapphire substrate sidewall shaping of deep ultraviolet light-emitting diodes by picosecond laser multiple scribing, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017, 第 1 作者
（38） Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells, NANOSCALE, 2016, 第 6 作者
（39） Effect of AlN Buffer on the Properties of AlN Films Grown on Sapphire Substrate by MOCVD, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING: INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA: IFWS), 2016, 第 4 作者
（40） GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method, Solid state lighting (sslchina), 2015 12th china international forum, 2016, 第 5 作者
（41） Enhancement of Light Extraction on AlGaN-based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Using a Sidewall Reflection Method, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING: INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA: IFWS), 2016, 第 1 作者
（42） Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEEPHOTONICSJOURNAL, 2016, 第 5 作者
（43） Tailoring of Energy Band in Electron-Blocking Structure Enhancing the Efficiency of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 3 作者
（44） Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 5 作者
（45） 氮化物深紫外LED研究新进展, SCIENTIA SINICA PHYSICA, MECHANICA & ASTRONOMICA, 2015, 第 3 作者
（2） High-Quality Nonpolar a-Plane AlGaN Film Grown on Si-Doped AlN Template by Metal Organic Chemical Vapor Deposition, Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2024, 第 2 作者 通讯作者
（3） Generation of stable ultraviolet optical ring lattices using monolithic AlN metasurfaces for cooling atoms, Optical Materials Express, 2024, 第 2 作者 通讯作者
（4） Lasing Threshold Reduction of AlGaN-Based Ultraviolet-C Laser Diodes Using Strain Relaxed Lower Cladding Layer, physica status solidi (a), 2024, 第 3 作者
（5） Monolithic integration of deep ultraviolet and visible light-emitting diodes for radiative sterilization application, Applied Physics Letters, 2024, 第 2 作者
（6） AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性, Ohmic Contact Characteristics of AlGaN-based Deep-ultraviolet Light-emitting-diodes with NiAu Transparent Electrode, 发光学报, 2023, 第 4 作者
（7） Effect of the Growth Interruption on the Surface Morphology and Crystalline Quality of MOCVD-Grown h-BN, CRYSTALS, 2023, 第 2 作者 通讯作者
（8） Improved crystallinity and surface morphology of a-plane AlN grown on high temperature annealed AlN/sapphire template by pulsed-flow mode metal-organic vapor phase epitaxy, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 第 2 作者 通讯作者
（9） On-chip parallel processing of quantum frequency comb, NPJ QUANTUM INFORMATION, 2023, 第 4 作者
（10） Unexpected Realization of N-Polar AlN Films on Si-Face 4H-SiC Substrates Using RF Sputtering and High-Temperature Annealing, CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2023, 第 2 作者 通讯作者
（11） Growth mode modulation and crystalline quality improvement of highly relaxed n-Al0.6Ga0.4N on high-temperature-annealing AlN/sapphire template via SiH4-pretreatment, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2023, 第 3 作者
（12） Mitigating fast thermal instability by engineered laser sweep in AlN soliton microcomb generation, Mitigating fast thermal instability by engineered laser sweep in AlN soliton microcomb generation, 光子学研究:英文版, 2023, 第 4 作者
（13） Effects of nitrogen flux and RF sputtering power on the preparation of crystalline a-plane AlN films on r-plane sapphire substrates, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 2 作者 通讯作者
（14） 量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响, Effect of Barrier Height on Modulation Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes, 发光学报, 2022, 第 2 作者
（15） Fundamental linewidth of an AlN microcavity Raman laser, Optics Letters, 2022, 第 5 作者
（16） 275 nm Deep Ultraviolet AlGaN-Based Micro-LED Arrays for Ultraviolet Communication, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2022, 第 2 作者
（17） Two-Inch Wafer-Scale Exfoliation of Hexagonal Boron Nitride Films Fabricated by RF-Sputtering, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2022, 第 7 作者
（18） 紫外LED研究进展, Recent progress of ultraviolet light-emitting diodes, 科技导报, 2021, 第 3 作者
（19） Ultraviolet communication technique and its application, Ultraviolet communication technique and its application, 半导体学报:英文版, 2021, 第 2 作者
（20） Self-frequency shift of AlN-on-sapphire Kerr solitons, OPTICS LETTERS, 2021, 第 3 作者
（21） Polarity tuning of crystalline AlN films utilizing trace oxygen involved sputtering and post-high-temperature annealing, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2021, 第 2 作者 通讯作者
（22） Comprehensive study of crystalline AlN/sapphire templates after high-temperature annealing with various sputtering conditions, Comprehensive study of crystalline AlN/sapphire templates after high-temperature annealing with various sputtering conditions, 半导体学报:英文版, 2020, 第 3 作者
（23） Deep ultraviolet light-emitting diodes based on a well-ordered AlGaN nanorod array, PHOTONICS RESEARCH, 2019, 第 2 作者
（24） Exfoliation of AIN film using two-dimensional multilayer hexagonal BN for deep-ultraviolet light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 第 2 作者
（25） Deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance via nanoporous AlGaN template, OPTICS EXPRESS, 2019,
（26） Enhanced electrical performance by modulation-doping in AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes, MODERN PHYSICS LETTERS B, 2019, 第 6 作者
（27） Influence of Silicon-Doping in n-AlGaN Layer on the Optical and Electrical Performance of Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes, RUSSIAN JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A, 2019, 第 5 作者
（28） Study of the morphology evolution of AlN grown on nanopatterned sapphire substrate, Study of the morphology evolution of AlN grown on nanopatterned sapphire substrate, 半导体学报:英文版, 2019, 第 3 作者
（29） Reducing stimulated emission threshold power density of AlGaN/AlN multiple quantum wells by nano-trench-patterned AlN template, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 第 5 作者
（30） Facet Formation of AlGaN/AlN-based Multiple Quantum Wells by Laser Scribing, 2019 16TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING & 2019 INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA: IFWS), 2019, 第 3 作者
（31） Improved crystalline quality of Al-rich n-AlGaN by regrowth on nanoporous template fabricated by electrochemical etching, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 4 作者
（32） AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on sputter-deposited AlN templates with epitaxial AlN/AlGaN superlattices, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 第 7 作者
（33） Enhancing the light extraction of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes in the nanoscale, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 1 作者
（34） Deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN/AlN multiple-quantum-wells on nano-patterned AlN/sapphire templates with reduced threshold power density, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 第 4 作者
（35） The effect of AlN/AlGaN superlattices on crystal and optical properties of AlGaN epitaxial layers, The effect of AlN/AlGaN superlattices on crystal and optical properties of AlGaN epitaxial layers, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 第 4 作者
（36） Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 1 作者
（37） Sapphire substrate sidewall shaping of deep ultraviolet light-emitting diodes by picosecond laser multiple scribing, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017, 第 1 作者
（38） Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells, NANOSCALE, 2016, 第 6 作者
（39） Effect of AlN Buffer on the Properties of AlN Films Grown on Sapphire Substrate by MOCVD, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING: INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA: IFWS), 2016, 第 4 作者
（40） GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method, Solid state lighting (sslchina), 2015 12th china international forum, 2016, 第 5 作者
（41） Enhancement of Light Extraction on AlGaN-based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Using a Sidewall Reflection Method, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING: INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA: IFWS), 2016, 第 1 作者
（42） Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEEPHOTONICSJOURNAL, 2016, 第 5 作者
（43） Tailoring of Energy Band in Electron-Blocking Structure Enhancing the Efficiency of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 3 作者
（44） Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 5 作者
（45） 氮化物深紫外LED研究新进展, SCIENTIA SINICA PHYSICA, MECHANICA & ASTRONOMICA, 2015, 第 3 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） AlGaN基深紫外量子阱微腔耦合激子极化激元的相干辐射研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 2 ） 基于自注入锁定的周期性极化二阶非线性微腔中红外光频梳, 参与, 国家任务, 2023-01--2025-12
（ 3 ） 波长短于280纳米AlGaN基深紫外激光器关键技术, 负责人, 国家任务, 2022-11--2025-10
（ 4 ） 深紫外角度分辨光致发光系统, 负责人, 研究所自主部署, 2022-07--2025-07
（ 5 ） 高效率AlGaN深紫外发光器件基础研究, 参与, 国家任务, 2022-01--2026-12
（ 6 ） 石墨烯晶圆衬底上高品质氮化物的制备与生长机制研究, 负责人, 国家任务, 2020-06--2025-05
（ 7 ） 深紫外LED高效光提取技术研究, 负责人, 地方任务, 2020-06--2022-06
（ 8 ） 基于纳米多孔牺牲层的垂直结构AlGaN基深紫外LED关键技术研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 2 ） 基于自注入锁定的周期性极化二阶非线性微腔中红外光频梳, 参与, 国家任务, 2023-01--2025-12
（ 3 ） 波长短于280纳米AlGaN基深紫外激光器关键技术, 负责人, 国家任务, 2022-11--2025-10
（ 4 ） 深紫外角度分辨光致发光系统, 负责人, 研究所自主部署, 2022-07--2025-07
（ 5 ） 高效率AlGaN深紫外发光器件基础研究, 参与, 国家任务, 2022-01--2026-12
（ 6 ） 石墨烯晶圆衬底上高品质氮化物的制备与生长机制研究, 负责人, 国家任务, 2020-06--2025-05
（ 7 ） 深紫外LED高效光提取技术研究, 负责人, 地方任务, 2020-06--2022-06
（ 8 ） 基于纳米多孔牺牲层的垂直结构AlGaN基深紫外LED关键技术研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
参与会议
（1）High quality a-plane AlGaN films grown on high temperature annealed a-plane AlN/r-sapphire templates 2023-11-14
（2）AlGaN multiple quantum wells regrown on N-polar AlN/4H-SiC template fabricated by sputtering and high temperature annealing 2023-06-08
（3）4H-SiC衬底上AIN薄膜的极性调控和结晶改善研究 2022年第八届能源、材料与光子学会议 2022-07-24
（4）AlGaN 基深紫外 LED 的 p 型 GaN 接触层选区生长研究 第十六届全国MOCVD学术会议 2020-08-06
（2）AlGaN multiple quantum wells regrown on N-polar AlN/4H-SiC template fabricated by sputtering and high temperature annealing 2023-06-08
（3）4H-SiC衬底上AIN薄膜的极性调控和结晶改善研究 2022年第八届能源、材料与光子学会议 2022-07-24
（4）AlGaN 基深紫外 LED 的 p 型 GaN 接触层选区生长研究 第十六届全国MOCVD学术会议 2020-08-06