主要研究第三代（宽禁带）半导体材料及光电子、电力电子器件的制备和应用。材料体系包括GaN、AlGaN、AlN等。重点研究方向：

1. AlGaN基深紫外LED和日盲探测器

2. GaN基新型功率器件

3. 宽禁带半导体设备开发

2010-09--2014-12   北卡州立大学   博士学位
2006-09--2010-06   上海交通大学   学士学位

2021-01~现在, 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 项目研究员
2016-02~2020-12,中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 副研究员
2015-02~2016-02,美国应用材料有限公司, 工艺工程师

   

（1） 中国科学院青年创新促进会, 院级, 2019
（2） 宁波市“3315 创新团队计划”, 市地级, 2018
（3） 宁波市镇海区2017年引进高层次人才创业项目, 市地级, 2017

[1] 郭炜. 一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法. 202210603401.0, 2022-05-31.
[2] 郭炜. 一种空腔型体声波滤波器及其制作方法. 202210395776.2, 2022-04-15.
[3] 蒋洁安, 徐厚强, 郭炜, 叶继春. 一种新型氮化物垂直结构激光器及其制备方法. CN: CN114069387A, 2022-02-18.
[4] 郭炜, 叶继春, 戴贻钧, 徐厚强. HEMT器件及其自隔离方法、制作方法. CN: CN113394096A, 2021-09-14.
[5] 郭炜, 叶继春, 徐厚强. 紫外发光二极管、紫外LED外延层结构及其制备方法. CN: CN113054063A, 2021-06-29.
[6] 徐厚强, 蒋洁安, 郭炜, 叶继春. 紫外LED高反电极及其制备方法与应用. CN: CN113013305A, 2021-06-22.
[7] 戴贻钧, 郭炜, 陈荔, 叶继春. 一种基于Ga 2 O 3 /GaN异质结的HEMT器件. CN: CN112968054A, 2021-06-15.
[8] 徐厚强, 蒋洁安, 郭炜, 叶继春. 一种III族氮化物半导体发光器件台面刻蚀方法. CN: CN111326611B, 2021-04-30.
[9] 郭炜, 叶继春, 李亮, 陈荔, 戴贻钧, 崔梅. 紫外LED高反电极、紫外LED及其制备方法. CN: CN111864027A, 2020-10-30.
[10] 莫海波, 郭炜, 蒋洁安, 高平奇, 叶继春. AlGaN基紫外LED器件及其制备方法与应用. CN: CN110459652A, 2019-11-15.
[11] 郭炜, 叶继春, 黄峰, 李俊梅, 孟凡平, 高平奇, 韩灿. 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Al m Ga 1 ‑ m N的方法. CN: CN106920739A, 2017-07-04.
[12] 郭炜, 叶继春, 黄峰, 李俊梅, 孟凡平, 高平奇, 韩灿. 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Al m Ga 1 ‑ m N的方法. 中国: CN106920739A, 2017-07-04.
[13] 黄添懋, 叶继春, 盛江, 郭炜. 太阳能电池及其制造方法. DE: CN100401532C, 2008-07-09.

   

（ 1 ） 含有反相畴的3D紫外LED界面调控及发光性能研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2020-12
（ 2 ） 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 负责人, 国家任务, 2016-07--2021-06
（ 3 ） 浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室开放课题, 负责人, 研究所自选, 2017-09--2018-09
（ 4 ） 基于三维能带调控的AlGaN基紫外LED量子限阈Stark效应研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12
（ 5 ） 适用于超宽禁带半导体材料外延生长的紫外光照辅助MOCVD设备, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2021-12
（ 6 ） 第三代半导体衬底和外延材料研发及应用-2英寸氮化铝晶圆衬底制备及紫外光电器件研发与示范化应用, 参与, 地方任务, 2019-10--2022-09
（ 7 ） 基于极化场调控的平面自隔离GaN高电子迁移率晶体管研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 8 ） AlGaN基宽禁带半导体深紫外光电子器件, 负责人, 地方任务, 2022-01--2024-12