郭炜  男  博士生导师  中国科学院宁波材料技术与工程研究所
电子邮件: guowei@nimte.ac.cn
通信地址: 浙江省宁市镇海区中官西路1219号
邮政编码:

研究领域

主要研究第三代(宽禁带)半导体材料及光电子、电力电子器件的制备和应用。材料体系包括GaN、AlGaN、AlN等。重点研究方向:

1. AlGaN基深紫外LED和日盲探测器

2. GaN基新型功率器件

3. 宽禁带半导体设备开发

教育背景

2010-09--2014-12   北卡州立大学   博士学位
2006-09--2010-06   上海交通大学   学士学位

工作经历

工作简历
2021-01~现在, 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 项目研究员
2016-02~2020-12,中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 副研究员
2015-02~2016-02,美国应用材料有限公司, 工艺工程师

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国科学院青年创新促进会, 院级, 2019
(2) 宁波市“3315 创新团队计划”, 市地级, 2018
(3) 宁波市镇海区2017年引进高层次人才创业项目, 市地级, 2017
专利成果
[1] 郭炜. 一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法. 202210603401.0, 2022-05-31.

[2] 郭炜. 一种空腔型体声波滤波器及其制作方法. 202210395776.2, 2022-04-15.

[3] 郭炜, 叶继春, 李亮, 陈荔, 戴贻钧, 崔梅. 紫外LED高反电极、紫外LED及其制备方法. CN: CN111864027A, 2020-10-30.

[4] 莫海波, 郭炜, 蒋洁安, 高平奇, 叶继春. AlGaN基紫外LED器件及其制备方法与应用. CN: CN110459652B, 2020-10-27.

[5] 郭炜, 叶继春, 黄峰, 李俊梅, 孟凡平, 高平奇, 韩灿. 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Al m Ga 1 ‑ m N的方法. 中国: CN106920739A, 2017-07-04.

[6] 黄添懋, 叶继春, 盛江, 郭炜. 太阳能电池及其制造方法. KR: CN103378185A, 2013-10-30.

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 含有反相畴的3D紫外LED界面调控及发光性能研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2020-12
( 2 ) 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 负责人, 国家任务, 2016-07--2021-06
( 3 ) 浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室开放课题, 负责人, 研究所自选, 2017-09--2018-09
( 4 ) 基于三维能带调控的AlGaN基紫外LED量子限阈Stark效应研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12
( 5 ) 适用于超宽禁带半导体材料外延生长的紫外光照辅助MOCVD设备, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2021-12
( 6 ) 第三代半导体衬底和外延材料研发及应用-2英寸氮化铝晶圆衬底制备及紫外光电器件研发与示范化应用, 参与, 地方任务, 2019-10--2022-09
( 7 ) 基于极化场调控的平面自隔离GaN高电子迁移率晶体管研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
( 8 ) AlGaN基宽禁带半导体深紫外光电子器件, 负责人, 地方任务, 2022-01--2024-12