
郭炜 男 博导 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
电子邮件: guowei@nimte.ac.cn
通信地址: 浙江省宁市镇海区中官西路1219号
邮政编码:
电子邮件: guowei@nimte.ac.cn
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研究领域
1)氮化物宽禁带、超宽禁带半导体材料外延
2)AlGaN紫外光电子器件
3)GaN功率器件及集成
招生信息
欢迎物理、电子信息、半导体技术、材料科学方向相关的优秀博士生、硕士生加入团队
招生专业
080903-微电子学与固体电子学0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
宽禁带半导体,氮化镓光电子及电力电子器件
教育背景
2010-09--2014-12 北卡州立大学 博士学位2006-09--2010-06 上海交通大学 学士学位
工作经历
工作简历
2021-01~现在, 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 项目研究员2016-02~2020-12,中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 副研究员2015-02~2016-02,美国应用材料有限公司, 工艺工程师
社会兼职
2022-07-01-今,中科院青年创新促进会化材分会, 理事
2022-06-01-今,《光子学报》, 青年编委
2022-06-01-今,《光子学报》, 青年编委
专利与奖励
奖励信息
(1) 宁波市领军人才, 一等奖, 市地级, 2022(2) 浙江省杰青, 一等奖, 省级, 2021(3) 中国科学院青年创新促进会, 院级, 2019
专利成果
( 1 ) 一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210603401.0( 2 ) 一种空腔型体声波滤波器及其制作方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210395776.2( 3 ) HEMT器件及其自隔离方法、制作方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113394096A( 4 ) 紫外LED高反电极及其制备方法与应用, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113013305A( 5 ) 紫外发光二极管、紫外LED外延层结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113054063A( 6 ) 一种新型氮化物垂直结构激光器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114069387A( 7 ) 一种基于Ga 2 O 3 /GaN异质结的HEMT器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112968054A( 8 ) 紫外LED高反电极、紫外LED及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111864027A( 9 ) 一种III族氮化物半导体发光器件台面刻蚀方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111326611B( 10 ) AlGaN基紫外LED器件及其制备方法与应用, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110459652A( 11 ) 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Al m Ga 1 ‑ m N的方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106920739A( 12 ) 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Al m Ga 1 ‑ m N的方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106920739A( 13 ) 太阳能电池及其制造方法, 发明专利, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN100401532C
科研活动
科研项目
( 1 ) 含有反相畴的3D紫外LED界面调控及发光性能研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2020-12( 2 ) 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 负责人, 国家任务, 2016-07--2021-06( 3 ) 基于三维能带调控的AlGaN基紫外LED量子限阈Stark效应研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12( 4 ) 适用于超宽禁带半导体材料外延生长的紫外光照辅助MOCVD设备, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2021-12( 5 ) 第三代半导体衬底和外延材料研发及应用-2英寸氮化铝晶圆衬底制备及紫外光电器件研发与示范化应用, 参与, 地方任务, 2019-10--2022-09( 6 ) 基于极化场调控的平面自隔离GaN高电子迁移率晶体管研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12( 7 ) AlGaN基宽禁带半导体深紫外光电子器件, 负责人, 地方任务, 2022-01--2024-12( 8 ) 大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术, 参与, 国家任务, 2022-11--2025-10