基本信息
冯江河 中国科学院深圳先进技术研究院
电子邮件: jh.feng@siat.ac.cn
通信地址: 广东深圳市宝安区福永街道龙王庙工业区
邮政编码:
电子邮件: jh.feng@siat.ac.cn
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研究领域
从事结构设计、合成、解析和多尺度晶体生长工作,围绕半导体材料探索宽带隙的非线性光学性能和窄带隙热/电输运性能,具体研究方向有:
1.基于高功率激光输出的市场需求,开展非心晶体结构设计、材料合成和非线性光学性能及大尺寸晶体生长的研究;
2.面向低温热电材料市场的高速增长,探索制冷用热电新材料;
3.面向集成电路高热量问题,制备微型热电制冷器件;
4.基于单晶开展本征热电输运性能探索,利用下降法、提拉法、气相输运法、区熔法和助熔剂等多种方法生长热/电输运单晶,
招生信息
招生专业
070301-无机化学
招生方向
功能晶体,热电材料
教育背景
2021-04--中科院深圳先进技术研究院 副研究员2018-11--2021-03 南方科技大学 博士后2016-01--2018-11 中国科学院福建物质结构研究所 助理研究员2015-08--2018-07 中国科学院福建物质结构研究所 博士研究生2013-07--2015-12 中国科学院福建物质结构研究所 实习研究员2010-08--2013-07 中国科学院福建物质结构研究所 硕士研究生
工作经历
工作简历
2021-04~现在, 中科院深圳先进技术研究院, 副研究员2016-01~2018-11,中国科学院福建物质结构研究所, 助理研究员2013-07~2015-12,中国科学院福建物质结构研究所, 实习研究员
专利与奖励
奖励信息
(1) 2025年全国颠覆性技术创新大赛, , 其他, 2025
专利成果
( 1 ) 一种异质半导体材料集成多级制冷器件, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN202410688870.6( 2 ) 一种电解液和碲化铋制冷元件低接触电阻镍基合金阻挡层的制备方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN202410254433.3( 3 ) 一种p型碲化铟热电材料及其制备方法和热电发电器件, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN202211424531.4( 4 ) 一种多功能晶体生长装置, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114525590A( 5 ) 一种变温异质界面接触电阻率测试装置与测试方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114487607A( 6 ) 一种中高温热电发电器件的焊接集成技术与制具, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN113972314A( 7 ) 一种热电制冷器件效能测试装置与测试方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113466542A( 8 ) 各向异性大尺寸晶体及AgCrSe2的制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113564714A( 9 ) 晶体定向方法、装置及晶体加工方法, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113466542A( 10 ) 非线性光学晶体硫化磷镓银及其制备和用途, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108728900A
指导学生
现指导学生
肖源 硕士研究生 085600-材料与化工
崔海涛 硕士研究生 085600-材料与化工