存算一体、智能计算、混合信号电路

080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
085400-电子信息

新原理高效能智能计算芯片
低功耗数模混合电路设计
器件-电路-系统跨层次优化技术

2009-10--2014-03   日本东京工业大学   博士
2005-09--2009-06   南京大学   本科

   

2017-10~2018-09,新竹清华大学, 博士后
2016-04~2017-06,中芯国际集成电路制造有限公司, 工程师
2014-07~2016-06,英国剑桥大学, 博士后

   

（1） 2021年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 三等奖, 研究所（学校）, 2021
（2） 2020年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 三等奖, 研究所（学校）, 2020

（ 1 ） 一种字线译码电路、字线选通方法及存储器和电子设备, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN111627481B

（ 2 ） 实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111028876B

（ 3 ） 存内计算电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN111028875B

（ 4 ） 一种动态钳位存内计算电路、存储器以及电子设备, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113517008A

（ 5 ） 一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112885392A

（ 6 ） 一种灵敏放大器、存储器读取方法及存储器和电子设备, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111653300A

（ 7 ） 基于1T1R结构的忆阻器及其制备方法、集成结构, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110867464A

   

（1） RRAM Computing-in-Memory Using Transient Charge Transferring for Low-Power and Small-Latency AI Edge Inference, RRAM Computing-in-Memory Using Transient Charge Transferring for Low-Power and Small-Latency AI Edge Inference, 2022, 通讯作者
（2） A 28nm Hybrid 2T1R RRAM Computing-in-Memory Macro for Energy-efficient AI Edge Inference, IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), 2022, 通讯作者
（3） Design Memristor-Based Computing-in-Memory for AI Accelerators Considering the Interplay between Devices, Circuits, and System, SCIENCE CHINA Information Sciences, 2022, 通讯作者
（4） Enabling RRAM-Based Brain-Inspired Computation by Co-design of Device, Circuit, and System, IEDM, 2021, 第 1 作者
（5） Efficient and Robust Nonvolatile Computing-In-Memory based on Voltage Division in 2T2R RRAM with Input-Dependent Sensing Control, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2021, 通讯作者
（6） Graphene overcoats for ultra-high storage density magnetic media, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 第 4 作者
（7） A 14 nm 100Kb 2T2R transpose RRAM with >150X resistance ratio enhancement and 27.95% reduction on energy-latency product using low-power near threshold read operation and fast data-line current stabling scheme, IEEE Symposium on VLSI Technology, 2021, 通讯作者
（8） Sparsity-Aware Clamping Readout Scheme for High Parallelism and Low Power Nonvolatile Computing-in-Memory based on Resistive Memory, IEEE ISCAS, 2021, 通讯作者
（9） A 4T2R RRAM Bit Cell for Highly Parallel Ternary Content Addressable Memory, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 通讯作者
（10） CMOS-integrated memristive non-volatile computing-in-memory for AI edge processors, NATURE ELECTRONICS, 2019, 第 2 作者
（11） Nonvolatile Circuits-Devices Interaction for Memory, Logic and Artificial Intelligence, 2018 IEEE SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2018, 第 1 作者

（1） Emerging NVM Circuit Techniques and Implementations for Energy-Efficient Systems, Springer, 2018-08, 第 3 作者
（2） RRAM-based coprocessors for deep learning, Woodhead Publishing, 2020-05, 第 3 作者

   

（ 1 ） 面向深度神经网络加速的高能效RRAM存内计算芯片技术研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 2 ） 新原理存储器件的存内计算关键技术研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2024-12
（ 3 ） 新型嵌入式阻变存储器, 参与, 国家任务, 2019-08--2023-07
（ 4 ） 存算一体计算芯片, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
（ 5 ） 基于非易失存储器的存算一体智能计算架构, 负责人, 国家任务, 2022-10--2024-06

现指导学生

马浩  硕士研究生  085403-集成电路工程  

易峰  硕士研究生  085403-集成电路工程  

项飞斌  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

丁亚欣  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李智  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

周治道  硕士研究生  085400-电子信息  

李伟增  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

徐盼  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

高行行  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学