基本信息
窦春萌 男 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: douchunmeng@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:
电子邮件: douchunmeng@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:
研究领域
存算一体、智能计算、混合信号电路
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学080902-电路与系统085400-电子信息
招生方向
新原理高效能智能计算芯片低功耗数模混合电路设计器件-电路-系统跨层次优化技术
教育背景
2009-10--2014-03 日本东京工业大学 博士2005-09--2009-06 南京大学 本科
工作经历
工作简历
2017-10~2018-09,新竹清华大学, 博士后2016-04~2017-06,中芯国际集成电路制造有限公司, 工程师2014-07~2016-06,英国剑桥大学, 博士后
专利与奖励
奖励信息
(1) 2023年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 三等奖, 研究所(学校), 2023
专利成果
[1] 窦春萌, 李智, 李伟增, 叶望, 王琳方, 安俊杰, 高行行, 郭婧蕊, 徐丽华, 汪令飞, 杨冠华, 李泠. 一种2T动态随机存储器单元多值写入电路及方法. CN: CN116721685A, 2023-09-08.[2] 王琳方, 窦春萌, 安俊杰, 叶望, 李伟增, 高行行, 李智, 李泠, 刘明. 基于电荷堆叠的逐次逼近型模数转换方法及电路. CN: CN115955243A, 2023-04-11.[3] 窦春萌, 安俊杰, 王琳方, 叶望, 李伟增, 高行行, 李泠, 刘明. 一种提高非易失性忆阻器型存储器稳定性的电路及存储器. CN: CN115482858A, 2022-12-16.[4] 尚大山, 李熠, 张握瑜, 陈佳, 许晓欣, 窦春萌, 王中锐. 一种基于忆阻器的存内计算阵列结构. CN: CN115376581A, 2022-11-22.[5] 呼红阳, 张君宇, 许晓欣, 窦春萌, 张义恒, 倪茂. 一种基于查找表的运算方法、装置、介质、及电子设备. CN: CN114996646A, 2022-09-02.[6] 王琳方, 窦春萌, 叶望, 安俊杰, 李伟增, 高行行, 刘琦, 李泠, 刘明. 基于局部乘-整体加结构的存内计算电路、存储器及设备. CN: CN114863964A, 2022-08-05.[7] 窦春萌, 李伟增, 王琳方, 叶望, 安俊杰, 高行行, 李泠, 刘明. 一种P沟道型逻辑存储单元及非易失性存储器. CN: CN114360594A, 2022-04-15.[8] 窦春萌, 王琳方, 叶望, 王雪红, 刘璟, 刘琦, 吕杭炳, 刘明. 一种灵敏放大器、存储器读取方法及存储器和电子设备. CN: CN111653300A, 2020-09-11.[9] 窦春萌, 叶望, 王琳方, 王雪红, 刘璟, 刘琦, 吕杭炳, 刘明. 一种字线译码电路、字线选通方法及存储器和电子设备. CN: CN111627481B, 2022-02-01.[10] 窦春萌, 王雪红, 钱其昌, 王琳方, 叶望, 刘琦, 刘璟, 刘明. 一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备. CN: CN112885392A, 2021-06-01.[11] 窦春萌, 王琳方, 王雪红, 叶望, 刘琦, 刘璟, 刘明. 一种动态钳位存内计算电路、存储器以及电子设备. CN: CN113517008A, 2021-10-19.[12] 窦春萌, 刘璟, 刘琦, 吕杭炳, 刘明. 实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列. CN: CN111028876B, 2021-11-12.[13] 钱其昌, 窦春萌, 刘琦, 张君宇, 刘璟, 吕杭炳, 刘明. 存内计算电路. CN: CN111028875B, 2021-11-12.[14] 刘琦, 魏劲松, 吴祖恒, 时拓, 窦春萌, 刘明, 张续猛. 基于1T1R结构的忆阻器及其制备方法、集成结构. CN: CN110867464A, 2020-03-06.
出版信息
发表论文
(1) A Flash-SRAM-ADC-Fused Plastic Computing-in-Memory Macro for Learning in Neural Networks in a Standard 14nm FinFET Process, IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 2024, (2) Reliability-Aware Ultra-Scaled IDG-InGaZnO-FET Compact Model to Enable Cross-layer Co-design for Highly Efficient Analog Computing in 2T0C-DRAM, International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023, (3) A 28-nm RRAM Computing-in-Memory Macro Using Weighted Hybrid 2T1R Cell Array and Reference Subtracting Sense Amplifier for AI Edge Inference, IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2023, 第 1 作者 通讯作者(4) Design Memristor-Based Computing-in-Memory for AI Accelerators Considering the Interplay between Devices, Circuits, and System, SCIENCE CHINA Information Sciences, 2022, 第 1 作者 通讯作者(5) RRAM Computing-in-Memory Using Transient Charge Transferring for Low-Power and Small-Latency AI Edge Inference, IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS), 2022, 第 1 作者 通讯作者(6) A 28nm Hybrid 2T1R RRAM Computing-in-Memory Macro for Energy-efficient AI Edge Inference, IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), 2022, 第 1 作者 通讯作者(7) Enabling RRAM-Based Brain-Inspired Computation by Co-design of Device, Circuit, and System, IEDM, 2021, 第 1 作者(8) Efficient and Robust Nonvolatile Computing-In-Memory based on Voltage Division in 2T2R RRAM with Input-Dependent Sensing Control, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2021, 第 3 作者 通讯作者(9) A 14 nm 100Kb 2T2R transpose RRAM with >150X resistance ratio enhancement and 27.95% reduction on energy-latency product using low-power near threshold read operation and fast data-line current stabling scheme, IEEE Symposium on VLSI Technology, 2021, 第 2 作者 通讯作者(10) Graphene overcoats for ultra-high storage density magnetic media, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 第 4 作者(11) Sparsity-Aware Clamping Readout Scheme for High Parallelism and Low Power Nonvolatile Computing-in-Memory based on Resistive Memory, IEEE ISCAS, 2021, 第 1 作者 通讯作者(12) A 4T2R RRAM Bit Cell for Highly Parallel Ternary Content Addressable Memory, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 5 作者 通讯作者(13) CMOS-integrated memristive non-volatile computing-in-memory for AI edge processors, NATURE ELECTRONICS, 2019, 第 2 作者(14) Nonvolatile Circuits-Devices Interaction for Memory, Logic and Artificial Intelligence, 2018 IEEE SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2018, 第 1 作者
发表著作
(1) Emerging NVM Circuit Techniques and Implementations for Energy-Efficient Systems, Springer, 2018-08, 第 3 作者(2) RRAM-based coprocessors for deep learning, Woodhead Publishing, 2020-05, 第 3 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 面向深度神经网络加速的高能效RRAM存内计算芯片技术研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12( 2 ) 新原理存储器件的存内计算关键技术研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2024-12( 3 ) 新型嵌入式阻变存储器, 参与, 国家任务, 2019-08--2023-07( 4 ) 存算一体计算芯片, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12( 5 ) 基于非易失存储器的存算一体智能计算架构, 负责人, 国家任务, 2022-10--2024-06
指导学生
现指导学生
马浩 硕士研究生 085403-集成电路工程
易峰 硕士研究生 085403-集成电路工程
项飞斌 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
丁亚欣 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
李智 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
周治道 硕士研究生 085400-电子信息
李伟增 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
徐盼 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
高行行 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学