狄增峰 男 上海微系统与信息技术研究所
电子邮件:zfdi@mail.sim.ac.cn
通信地址:上海市长宁路865号8号楼605室
邮政编码:200050

研究领域

离子与固体相互作用,新型半导体材料,SOI材料与器件,微纳机构操控

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
SOI材料与器件

教育背景

2001-09--2006-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 硕博连读
1997-09--2001-06 南京大学 本科

工作经历

   
工作简历
2010-09--2012-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 研究员
2006-09--2010-08 美国 Los Alamos 国家实验室 博士后

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 全国优秀博士学位论文,一等奖,国家级,2008
(2) 中国科学院优秀博士学位论文,一等奖,部委级,2007
(3) 中国科学院院长奖特别奖,特等奖,部委级,2006
专利成果
[1] 狄增峰, 郭旺, 薛忠营. 石墨烯连续膜的干法转移方法. CN: CN113666364A, 2021-11-19.

[2] 狄增峰, 郑鹏荣, 董林玺, 薛忠营. 一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法. CN: CN109055896B, 2021-08-20.

[3] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种介电材料的制备方法及半导体结构. CN: CN113078044A, 2021-07-06.

[4] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种顶栅结构的制备方法及半导体结构. CN: CN113078053A, 2021-07-06.

[5] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种电极层的制备方法及半导体结构. CN: CN113078054A, 2021-07-06.

[6] 张苗, 狄增峰, 薛忠营, 王晨, 田子傲, 陈玉龙. TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法. CN: CN113072099A, 2021-07-06.

[7] 张苗, 王雅斓, 李攀林, 薛忠营, 狄增峰. 一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法. CN: CN111129113B, 2021-06-25.

[8] 狄增峰, 郑鹏荣, 董林玺, 薛忠营. 在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法. CN: CN109055895B, 2020-09-15.

[9] 狄增峰, 马喆, 薛忠营, 张苗, 梅永丰. 基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法. CN: CN108933183B, 2020-07-31.

[10] 张苗, 陈玉龙, 狄增峰, 薛忠营, 贾鹏飞. 一种二维材料层及制备方法. CN: CN110117780A, 2019-08-13.

[11] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 张苗, 王曦. 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法. CN: CN110065271A, 2019-07-30.

[12] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 孙银波, 马骏, 张苗, 王曦. 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法. CN: CN110065939A, 2019-07-30.

[13] 狄增峰, 李攀林, 王天波, 薛忠营, 张苗. 二维材料生长的定位观测方法. CN: CN109883950A, 2019-06-14.

[14] 张苗, 王雅斓, 李攀林, 狄增峰, 薛忠营. 石墨烯纳米带的转移方法. CN: CN109850877A, 2019-06-07.

[15] 狄增峰, 韩晓雯, 高敏, 吴宇峰, 胡涛. 无源滤波器及其制备方法. CN: CN109841939A, 2019-06-04.

[16] 张苗, 李攀林, 刘运启, 王天波, 薛忠营, 狄增峰. 晶圆级石墨烯薄膜的转移方法. CN: CN109824032A, 2019-05-31.

[17] 狄增峰, 韩晓雯, 高敏, 王雅澜, 吴宇峰, 胡涛. 柔性光刻胶软模板及其制备方法. CN: CN109799676A, 2019-05-24.

[18] 狄增峰, 刘冠宇, 张苗, 薛忠营. 低势垒高度肖特基二极管及其制备方法. CN: CN109509705A, 2019-03-22.

[19] 狄增峰, 刘冠宇, 杨悦昆, 张苗, 薛忠营. 高敏感度中红外光电探测器及其制备方法. CN: CN109473506A, 2019-03-15.

[20] 狄增峰, 杨悦昆, 刘冠宇, 郑鹏荣, 薛忠营, 张苗. 具有石墨烯的器件及其制备方法. CN: CN109473507A, 2019-03-15.

[21] 狄增峰, 杨悦昆, 薛忠营, 张苗. 高密度锗纳米线的制备方法. CN: CN109280903A, 2019-01-29.

[22] 张苗, 高敏, 韩晓雯, 贾鹏飞, 薛忠营, 狄增峰. 一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法. CN: CN108862252A, 2018-11-23.

[23] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种晶体管结构及其制备方法. CN: CN108649029A, 2018-10-12.

[24] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 狄增峰, 薛忠营, 贾鹏飞, 张苗. 一种绝缘体上石墨烯的制备方法. CN: CN107887319A, 2018-04-06.

[25] 薛忠营, 赵兰天, 赵清太, 俞文杰, 狄增峰, 张苗. 场效应晶体管结构及其制备方法. CN: CN107871780A, 2018-04-03.

[26] 狄增峰, 马骏, 张苗, 王刚, 贾鹏飞, 汪子文, 王曦. 一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法. CN: CN107653446A, 2018-02-02.

[27] 张苗, 高敏, 韩晓雯",null,"狄增峰. 一种转移石墨烯的方法. CN: CN107098339A, 2017-08-29.

[28] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 汪子文, 张苗. 一种转移石墨烯的方法. CN: CN105088179B, 2017-08-15.

[29] 狄增峰, 汪子文, 王刚, 郑晓虎, 戴家赟, 薛忠营, 张苗, 王曦. 一种在绝缘衬底上直接制备层数可控石墨烯的方法. CN: CN106927459A, 2017-07-07.

[30] 狄增峰, 汪子文, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 张苗, 王曦. 一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法. CN: CN106904600A, 2017-06-30.

[31] 狄增峰, 汪子文, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 张苗, 王曦. 一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法. CN: CN106904599A, 2017-06-30.

[32] 张波, 孟骁然, 俞文杰, 狄增峰, 张苗. 利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法. CN: CN106711019A, 2017-05-24.

[33] 张波, 孟骁然, 俞文杰, 狄增峰, 张苗. SiGeSn材料及其制备方法. CN: CN106328502A, 2017-01-11.

[34] 狄增峰, 马骏, 张苗, 薛忠营, 贾鹏飞, 汪子文, 王刚, 王曦. 一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法. CN: CN106276873A, 2017-01-04.

[35] 狄增峰, 王刚, 李金华, 刘宣勇, 陈达, 郭庆磊, 马骏, 薛忠营, 张苗. 一种对医用钛材料表面进行改性的方法. CN: CN105983132A, 2016-10-05.

[36] 张苗, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 王刚, 孙银波, 狄增峰, 王曦. 一种应变量子点的制备方法及应变量子点. CN: CN105977145A, 2016-09-28.

[37] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 王刚, 马骏, 张苗, 王曦. 一种去除石墨烯上光刻胶的方法. CN: CN105895522A, 2016-08-24.

[38] 李伟, 狄增峰, 齐功民, 张苗, 母志强, 王曦. 锗银复合材料及其在光电器件中的应用. CN: CN105866983A, 2016-08-17.

[39] 狄增峰, 李伟, 齐功民, 张苗, 母志强, 王曦. 基于表面等离子体的硅基光源. CN: CN105742443A, 2016-07-06.

[40] 狄增峰, 王刚, 陈达, 郭庆磊, 马骏, 郑晓虎, 戴家赟, 薛忠营, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法. CN: CN105655242A, 2016-06-08.

[41] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法. CN: CN103137538B, 2016-04-20.

[42] 张波, 侯春雷, 孟骁然, 狄增峰, 张苗. 一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法. CN: CN105448690A, 2016-03-30.

[43] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 郭庆磊, 母志强, 孙高迪. 吸附剥离制备绝缘体上材料的方法. CN: CN105428300A, 2016-03-23.

[44] 张苗, 陈达, 王刚, 郭庆磊, 母志强, 孙高迪, 薛忠营, 狄增峰. 利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法. CN: CN105428302A, 2016-03-23.

[45] 张苗, 陈达, 王刚, 郭庆磊, 孙高迪, 母志强, 薛忠营, 狄增峰. 利用微波退火技术低温制备GOI的方法. CN: CN105428301A, 2016-03-23.

[46] 狄增峰, 孙高迪, 陈达, 郭庆磊, 叶林, 董林玺, 张苗. 应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法. CN: CN105321821A, 2016-02-10.

[47] 狄增峰, 戴家赟, 叶林, 汪子文, 薛忠营, 张苗. 纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法. CN: CN105174268A, 2015-12-23.

[48] 薛忠营, 王天波, 贾鹏飞, 狄增峰, 张苗. 一种绝缘体上石墨烯的制备方法. CN: CN105129785A, 2015-12-09.

[49] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 陈达, 马骏, 张苗. 一种绝缘体上材料的制备方法. CN: CN105140171A, 2015-12-09.

[50] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 汪子文, 薛忠营, 张苗. 一种制备无褶皱的石墨烯的方法. CN: CN105110324A, 2015-12-02.

[51] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 史晓华, 张苗. 一种褶皱状石墨烯的制备方法. CN: CN105060286A, 2015-11-18.

[52] 狄增峰, 孙高迪, 陈达, 郭庆磊, 母志强, 董林玺, 张苗. 一种绝缘体上应变薄膜结构及调节应变薄膜应力的方法. CN: CN104934294A, 2015-09-23.

[53] 张波, 侯春雷, 狄增峰, 张苗, 赵清太. 一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法. CN: CN104752182A, 2015-07-01.

[54] 张苗, 陈达, 薛忠营, 郭庆磊, 王刚, 母志强, 狄增峰. 一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法. CN: CN104752308A, 2015-07-01.

[55] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 陆子同. 剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法. CN: CN104752309A, 2015-07-01.

[56] 许宝建, 蔡奇, 金庆辉, 赵建龙, 叶林, 狄增峰. 一种基于锗纳米线场效应晶体管的生物传感器、方法及应用. CN: CN104730136A, 2015-06-24.

[57] 狄增峰, 王刚, 李金华, 刘宣勇, 陈达, 郑晓虎, 郭庆磊, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 锗基石墨烯的抗菌用途. CN: CN104686575A, 2015-06-10.

[58] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 叶林. 一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法. CN: CN104517883A, 2015-04-15.

[59] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 叶林, 母志强. 一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法. CN: CN104425341A, 2015-03-18.

[60] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 刘林杰, 母志强, 叶林. 一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法. CN: CN104425342A, 2015-03-18.

[61] 狄增峰, 叶林, 许宝建, 蔡奇, 王刚, 张苗. 一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法. CN: CN104332405A, 2015-02-04.

[62] 许宝建, 蔡奇, 金庆辉, 赵建龙, 叶林, 狄增峰. 一种锗材料表面稳定钝化的方法. CN: CN104241116A, 2014-12-24.

[63] 张苗, 母志强, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王曦. 一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法. CN: CN104157579A, 2014-11-19.

[64] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 汪子文, 张苗. 具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法. CN: CN104152991A, 2014-11-19.

[65] 许宝建, 蔡奇, 金庆辉, 赵建龙, 叶林, 狄增峰. 一种锗材料表面稳定钝化的方法. CN: CN104157554A, 2014-11-19.

[66] 狄增峰, 母志强, 郭庆磊, 叶林, 陈达, 张苗, 王曦. 张应变锗MSM光电探测器及其制作方法. CN: CN103985788A, 2014-08-13.

[67] 张苗, 陈达, 薛忠营, 王刚, 刘林杰, 郭庆磊, 母志强, 狄增峰. 一种超薄绝缘体上材料的制备方法. CN: CN103972148A, 2014-08-06.

[68] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 魏星, 王刚. 基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法. CN: CN103943547A, 2014-07-23.

[69] 狄增峰, 王刚, 李金华, 刘宣勇, 陈达, 郭庆磊, 叶林, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 锗基石墨烯的成骨促进用途. CN: CN103820387A, 2014-05-28.

[70] 张苗, 陈达, 薛忠营, 王刚, 郭庆磊, 叶林, 狄增峰. GOI结构的制备方法. CN: CN103646909A, 2014-03-19.

[71] 张苗, 陈达, 狄增峰, 叶林, 王刚, 郭庆磊, 母志强. 一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法. CN: CN103646853A, 2014-03-19.

[72] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 叶林. 一种SGOI结构的制备方法. CN: CN103646910A, 2014-03-19.

[73] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 卞剑涛, 王刚. 利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法. CN: CN103633010A, 2014-03-12.

[74] 张苗, 陈达, 薛忠营, 卞剑涛, 母志强, 狄增峰. 利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法. CN: CN103632930A, 2014-03-12.

[75] 狄增峰, 母志强, 郭庆磊, 叶林, 陈达, 张苗, 王曦. 应变结构及其制作方法. CN: CN103560157A, 2014-02-05.

[76] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 叶林, 王刚, 母志强. 一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法. CN: CN103474386A, 2013-12-25.

[77] 卞剑涛, 狄增峰, 张苗. 基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法. CN: CN103295964A, 2013-09-11.

[78] 卞剑涛, 狄增峰, 张苗. 基于混合晶向SOI的器件系统结构及制备方法. CN: CN103295951A, 2013-09-11.

[79] 狄增峰, 王刚, 丁古巧, 张苗, 陈达, 马骏, 陆子同, 谢晓明. 层数可控石墨烯的生长方法. CN: CN103265021A, 2013-08-28.

[80] 狄增峰, 王刚, 张苗, 陈达, 叶林, 郭庆磊, 丁古巧, 谢晓明. 基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法. CN: CN103247520A, 2013-08-14.

[81] 张苗, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王刚. 具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法. CN: CN103219275A, 2013-07-24.

[82] 张苗, 陈达, 刘林杰, 狄增峰, 薛忠营. 基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法. CN: CN103219274A, 2013-07-24.

[83] 狄增峰, 郑晓虎, 王刚, 张苗, 王曦. 一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法. CN: CN103208425A, 2013-07-17.

[84] 狄增峰, 陈龙, 王刚, 魏星, 张苗, 王曦. 一种可控石墨烯阵列的制备方法. CN: CN103204455A, 2013-07-17.

[85] 狄增峰, 陈龙, 魏星, 张苗, 王曦. 一种可控硅纳米线阵列的制备方法. CN: CN103208413A, 2013-07-17.

[86] 姜海涛, 张苗, 狄增峰, 卞建涛, 王曦. 一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法. CN: CN103187248A, 2013-07-03.

[87] 姜海涛, 张苗, 狄增峰, 卞剑涛, 王曦. 一种制备GOI的方法. CN: CN103165511A, 2013-06-19.

[88] 薛忠营, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈达. 一种嵌入超晶格制备应变Si的方法. CN: CN103165408A, 2013-06-19.

[89] 薛忠营, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈达. 一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法. CN: CN103165420A, 2013-06-19.

[90] 姜海涛, 狄增峰, 张苗, 卞剑涛, 王曦. 一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法. CN: CN103165512A, 2013-06-19.

[91] 薛忠营, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈达. 一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法. CN: CN103165409A, 2013-06-19.

[92] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137546A, 2013-06-05.

[93] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137547A, 2013-06-05.

[94] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137539A, 2013-06-05.

[95] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法. CN: CN103137547A, 2013-06-05.

[96] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. CN: CN103137539A, 2013-06-05.

[97] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137537A, 2013-06-05.

[98] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法. CN: CN103137546A, 2013-06-05.

[99] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. CN: CN103137565A, 2013-06-05.

[100] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. CN: CN103137537A, 2013-06-05.

[101] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法. CN: CN103137538A, 2013-06-05.

[102] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137565A, 2013-06-05.

[103] 狄增峰, 郭庆磊, 梅永丰, 张苗, 黄高山, 郑晓虎. 一种制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导. CN: CN103058129A, 2013-04-24.

[104] 狄增峰, 郭庆磊, 梅永丰, 张苗, 黄高山. 基于图形识别在衬底上集成多种材料的方法. CN: CN103065937A, 2013-04-24.

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出版信息

   
发表论文
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[51] 刘卫丽, 狄增峰, 张苗, 骆苏华, 宋志棠, 朱剑豪, 林成鲁. Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理. 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集[J]. 2005, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55851.
[52] 狄增峰, 张苗, 吴雁军, 安正华, 朱鸣, 刘卫丽, 林成鲁. 超薄SOI上应变锗硅材料的生长. 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集[J]. 2003, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55999.

科研活动

   
科研项目
(1) 高迁移率III/V-OI 新型材料探索研究,主持,部委级,2012-01--2015-12
(2) 纳电子时代的高端SOI基材料,主持,部委级,2011-10--2014-09
(3) 高迁移率绝缘体上锗新型材料研究,主持,市地级,2011-10--2013-09
(4) 氢离子注入各种晶向单晶硅中表面剥离机理研究,主持,部委级,2010-09--2013-09
(5) 22nm关键工艺技术先导研究与平台建设-新型混晶SOI与GOI高迁移率器件工艺开发,主持,专项级,2009-01--2012-12
参与会议
(1) Strain relaxation of nano-laminate SiGe in Si/SiGe/Si heterostructure under proton irradiation,2009-04,Zengfeng Di, Yongqiang Wang, Michael Nastasi, G. Bisognin, and M. Berti
(2) Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage,2008-08,Zengfeng Di, Yongqiang Wang, Michael Nastasi, Lin Shao, Jung-kun Lee, and N. David, Theodore