080903-微电子学与固体电子学

射频微波器件与电路集成技术

2007-09--2011-01   北京航空航天大学   工学博士
2004-09--2007-04   北京航空航天大学   理学硕士
2000-09--2004-06   北京航空航天大学   理学学士

   

2016-01~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2012-10~2015-12,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2010-12~2012-09,中国科学院物理研究所, 博士后

   

（1） Si3N4/Al2O3 Stack Layer Passivation for InAlAs/InGaAsInP-based HEMTs with Good DC and RF Performances, Journal ofthe Electron Devices Society, 2018, 第 1 作者
（2） Comparative study of Si3N4-PECVD and Al2O3-ALD surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP based HEMTs, Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2018, 第 2 作者
（3） Analysis of passivation techniques in InPHEMTsand implementation of an analytical model of fT based on the small signal equivalent circuit, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 2 作者
（4） Ultra-thin 20 nm-PECVD-Si3N4 Surface Passivation in T-Shaped Gate InAlAs/InGaAsInP-Based HEMTs and Its Impact on DC and RF Performance, Solid State Electronics, 2016, 第 1 作者
（5） fT=260 GHz and fmax=607 GHz of 100 nm-gate In0.7Ga0.3As HEMTs with Gm,max=1441 mS/mm, Journal of Semiconductors, 2016, 第 2 作者
（6） fmax = 521 GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件, 第十三届全国MOCVD学术会议, 2014, 第 1 作者
（7） 100 nm gate length InAlAs/InGaAsInP-based HEMT with fT=249 GHz and fmax=415 GHz, Chinese Physics B, 2014, 第 2 作者

   

（ 1 ） InP基THz放大器研究, 主持, 国家级, 2018-01--2019-12
（ 2 ） InP基THz宽带功率放大器芯片, 主持, 国家级, 2018-01--2019-12
（ 3 ） 太赫兹HEMT器件基础研究, 参与, 国家级, 2015-01--2019-12

（1）fmax = 521 GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件   第十三届全国MOCVD学术会议   2014-05-19

现指导学生

杨哲  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学