基本信息

常虎东  男   博士  硕士生导师 中国科学院微电子研究所
电子邮件: changhudong@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
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招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
研究方向
无源集成器件与异构集成电路
新材料新结构半导体器件

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种异构集成HEMT器件结构, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110600443B

( 2 ) 一种电加热4D打印合件及打印方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112477140A

( 3 ) 用于构建CNTFET小信号模型的电路结构及参数提取方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112434482A

( 4 ) 一种可变形天线及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112290198A

( 5 ) 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法, 专利授权, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN108682663B

( 6 ) 一种超导纳米线结构及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112117375A

( 7 ) 石墨烯降低GaN基HEMT热阻的散热结构及制备方法, 专利授权, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN109192710B

( 8 ) 一种GaN基增强型场效应器件及其制作方法, 专利授权, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN108258035B

( 9 ) 一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管, 专利授权, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN106298947B

( 10 ) 一种异构集成射频放大器结构, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110620556A

( 11 ) 一种GaAs衬底上的外延转移方法及制得的半导体器件, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110600417A

( 12 ) 一种衬底上的InP外延转移方法及制得的半导体器件, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110600385A

( 13 ) 硅基异构集成材料及其制备方法、半导体器件, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110600362A

( 14 ) 晶圆异构对准方法及装置, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110600414A

( 15 ) 一种双栅MOSFET结构及其制备方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106298878B

( 16 ) 一种硅衬底上外延GaAs的方法及制得的半导体器件, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110534409A

( 17 ) 化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法及异构集成器件, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110534473A

( 18 ) 硅基半导体与化合物半导体异构集成方法及异构集成器件, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110534417A

( 19 ) 一种硅衬底上外延InP半导体的方法及制得的半导体器件, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110517948A

( 20 ) 一种环栅场效应晶体管及其制备方法, 专利授权, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN106711194B

( 21 ) 一种类Fin结构III-V族半导体场效应晶体管及其制备方法, 专利授权, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN106328522B

( 22 ) DUAL-GATE PMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH InGaAs CHANNEL, null, 2019, 专利号: US20190229182(A1)

( 23 ) 一种三维集成CMOS集成单元, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106098689B

( 24 ) 一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106531683B

( 25 ) 一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法, 专利授权, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN106298886B

( 26 ) 一种氧化物介质的原子层沉积方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106756878B

( 27 ) 硅基InGaAs沟道双栅CMOS器件, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN106601740B

( 28 ) 共源共栅放大电路及功率放大器, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106330109B

( 29 ) 应用于III-V族衬底的复合栅介质层及其制作方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105097901B

( 30 ) 一种半导体器件参数提取装置及方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN104573283B

( 31 ) InP基MOSHEMT结构及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN106711211A

( 32 ) 一种用于双栅器件的键合方法, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106449450A

( 33 ) 一种InP衬底MOSCAP的结构及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106298780A

( 34 ) 具有微纳结构钝化层的半导体器件, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106159049A

( 35 ) 一种臭氧钝化高k/Ge界面同时改善高k栅介质的方法, 发明专利, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN106158615A

( 36 ) 新型图形化衬底结构及器件, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106159051A

( 37 ) 在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104733285A

( 38 ) 一种化合物半导体器件的去嵌入方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104635135A

( 39 ) 一种支持多频段的可调谐高效功率放大器, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN204013405U

( 40 ) 一种采用原位臭氧氧化制备氧化锗界面修复层的方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103681289A

( 41 ) 一种高介电常数氧化物的制备方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103628037A

( 42 ) 一种LTE高效射频功率放大器, 实用新型, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203942502U

( 43 ) 一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103903964A

( 44 ) 一种低温晶圆键合方法, 发明专利, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103832970A

( 45 ) 一种锗纳米线叠层结构的制作方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103700582A

( 46 ) 一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103700578A

( 47 ) 一种锗纳米线结构的制作方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103693615A

( 48 ) 一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法, 发明专利, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103700581A

( 49 ) 一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法, 发明专利, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103700620A

( 50 ) 一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103681245A

( 51 ) 一种氧化物介质的原子层沉积方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103668108A

( 52 ) 在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103646865A

( 53 ) 一种纳米线衬底结构及其制备方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103633123A

( 54 ) 一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103617319A

( 55 ) 一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103595385A

( 56 ) 一种硅基锗外延结构及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103022215A

( 57 ) 一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102938380A

( 58 ) 一种生长高介电常数电介质叠层的方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103311120A

( 59 ) 一种硅基锗外延结构及其应用, 发明专利, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103022214A

( 60 ) 一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103022135A

( 61 ) GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102983172A

( 62 ) 一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102969360A

( 63 ) 一种高迁移率III-V族半导体MOS场效应晶体管, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102931231A

( 64 ) MOS-HEMT器件及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102916043A

( 65 ) 一种绝缘体上锗衬底的减薄方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102420167A

( 66 ) 一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102610640A

( 67 ) 一种控制锗纳米微结构尺寸的方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102569027A

( 68 ) 源漏自对准的MOS器件及其制作方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102569399A

( 69 ) 一种III-V族半导体镍金属化制造方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102496567A

( 70 ) 一种制作结晶态高K栅介质材料的方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102437042A

( 71 ) 高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102194859A

( 72 ) 一种III-V族半导体MOS界面结构, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102244094A

出版信息

   
发表论文
(1) A 24 GHz Direct Conversion Receiver for FMCW Ranging Radar Based on Low Flicker Noise Mixer, ELECTRONICS, 2021, 第 5 作者
(2) Transition from Hopping to Band-like Transport in Weakly Coupled Multilayer MoS2 Field Effect Transistors, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 5 作者
(3) Effect of SiO2 capping layer on the ferroelectricity of Hf0.5Zr0.5O2 films, AIP ADVANCES, 2020, 第 4 作者
(4) Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Embedded Dual-Gate MoS2 Field Effect Transistors for Memory Merged Logic Applications, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 5 作者
(5) 基于90 nm SOI CMOS工艺的24 GHz信号发生器, 24 GHz Signal Generator Based on 90 nm SOI CMOS Technology, 湖南大学学报:自然科学版, 2020, 第 3 作者
(6) A 4-mW Temperature-Stable 28 GHz LNA with Resistive Bias Circuit for 5G Applications, ELECTRONICS, 2020, 第 5 作者
(7) Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Graphene, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 6 作者
(8) Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric, Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric, 中国物理快报:英文版, 2017, 第 3 作者
(9) Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs ChannelnMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric, Chin. Phys. Lett., 2017, 第 4 作者
(10) Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric, Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 第 3 作者
(11) Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 第 4 作者
(12) ALD Al2O3 passivation of Lg=100 nm metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs with Si-doped Schottky layers on GaAs substrates, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 
(13) High Performance InGaAs MOSFETs with an InGaP interface Control Layer and ALD-AL2O3 Gate Oxide for RF Switch Applications, CS-Mantech International Conference, 2017, 第 4 作者
(14) Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, J. Appl. Phys., 2017, 第 5 作者
(15) 100-nm gate-length enhancement mode InGaAs MOSFETs with InGaP interfacial layer and Al2O3 as gate oxide, 2016, 第 1 作者
(16) Coordination number modification at Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitride passivations, 2016, 第 2 作者
(17) Simulation study of an imulation study of an enhancement -mode n-type InGaAs MOSFETs with a low zero bias off-current, 2016, 第 1 作者
(18) 00-nm Gate-Length GaAs mHEMTs using Si-doped InP/InAlAs schottky layers and atomic layer deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz, 2016, 第 1 作者
(19) Positive bias temperature instability degradation of buried InGaAsChannel n-MOSFETs with InGaP barrier layer and Al2O3 dielectric, 2016, 第 2 作者
(20) MIM capacitors with various Al_2O_3 thicknesses for GaAs RFIC application, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 2 作者
(21) High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 4 作者
(22) Al2O3/GeOx gate stack on germanium substrate fabricated by in situ cycling ozone oxidation method, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 6 作者
(23) A NOVEL RF SWITCH DEVICE USING InGaAs MOSFET TECHNOLOGY, 2014 12TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2014, 
(24) High-Performance GaN-Based Light-Emitting Diodes on Patterned Sapphire Substrate with a Novel Patterned SiO2/Al2O3 Passivation Layer, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 8 作者
(25) High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and (NH4)2S surface passivation, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 4 作者
(26) The Microwave Characteristics of an In_(0.4)Ga_(0.6)As Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with an In_(0.49)Ga_(0.51)P Interfacial Layer, The Microwave Characteristics of an In_(0.4)Ga_(0.6)As Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with an In_(0.49)Ga_(0.51)P Interfacial Layer, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 2 作者
(27) High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCI and (NH4)2S surface passivation, High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCI and (NH4)2S surface passivation, 中国物理B:英文版, 2013, 第 4 作者
(28) A High Performance In0.7Ga0.3As MOSFET with an InP Barrier Layer for Radio-Frequency Application, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 1 作者
(29) High performance GaN-based LEDs on patterned sapphire substrate with patterned composite SiO2/Al2O3 passivation layers and TiO2/Al2O3 DBR backside reflector, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 6 作者
(30) 高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究, 2013, 第 1 作者
(31) Effect of the Si-doped In_(0.49)Ga_(0.51)P barrier layer on the device performance of In_(0.4)Ga_(0.6)As MOSFETs grown on semi-insulating GaAs substrates, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 1 作者
(32) Room temperature wafer bonding by surface activated ALD-Al2O3, SEMICONDUCTOR WAFER BONDING 12: SCIENCE, TECHNOLOGY, AND APPLICATIONS, 2012, 
(33) High-Quality Single Crystalline Ge(111)Growth on Si(111)Substrates by Solid Phase Epitaxy, High-Quality Single Crystalline Ge(111) Growth on Si(111) Substrates by Solid Phase Epitaxy, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 2 作者
(34) Source/Drain Ohmic Contact Optimization for GaSb pMOSFETs, 2012 IEEE 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT-2012), 2012, 
(35) 高迁移率In_(0.6)Ga_(0.4)As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究, Study on high mobility In_(0.6)Ga_(0.4)As channel MOSHEMT and MOSFET, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 通讯作者
(36) The Impact of HCl Precleaning and Sulfur Passivation on the Al_2O_3/Ge Interface in Ge Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 2 作者
(37) Solid Phase Reactions of Ni-GaAs Alloys for High Mobility III–V MOSFET Applications, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 2 作者
(38) GaSb p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Ni/Pt/Au Source/Drain Ohmic Contacts, GaSb p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Ni/Pt/Au Source/Drain Ohmic Contacts, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(39) 高迁移率In_(0.6)Ga_(0.4)As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究, Study on high mobility In_(0.6)Ga_(0.4)As channel MOSHEMT and MOSFET, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 通讯作者
(40) Annealing optimization of hydrogenated amorphous silicon suboxide film for solar cell application, Annealing optimization of hydrogenated amorphous silicon suboxide film for solar cell application, 半导体学报, 2011, 第 3 作者
(41) Annealing optimization of hydrogenated amorphous silicon suboxide film for solar cell application, Annealing optimization of hydrogenated amorphous silicon suboxide film for solar cell application, 半导体学报, 2011, 第 3 作者
(42) Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure, Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure, 中国物理快报:英文版, 2010, 第 5 作者
(43) Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 5 作者
(44) Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with ft and fmax of 185 GHz, Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with ft and fmax of 185 GHz, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2010, 第 5 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 大尺寸硅基氮化镓毫米波器件材料与器件集成技术, 参与, 地方任务, 2021-01--2023-06
( 2 ) 碳基栅介质沉积研究, 参与, 国家任务, 2022-01--2025-12