基本信息

卜建辉  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: bujianhui@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

研究领域

半导体器件模型与参数提取、半导体器件可靠性

招生信息

微电子学与固定电子学

招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
高可靠性器件与集成技术

教育背景

2006-09--2011-07   中国科学院微电子研究所   博士
2002-09--2006-07   西安交通大学   学士

工作经历

2021-08~至今,中国科学院微电子研究所, 研究员

2016-03~2021-07,中国科学院微电子研究所, 副研究员

2013.11~至今,中国科学院微电子研究所,硅器件中心模型部部长

2011-07~2016-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员


社会兼职
2010-10-01-今,IEEE会员,
2008-05-04-2017-05-04,中国科学院微电子所团委委员,

专利与奖励

   
专利成果
[1] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 任洪宇, 卜建辉, 赵发展. 一种SRAM-PUF单元结构、存储器以及上电模式的控制方法. CN: CN113689907A, 2021-11-23.

[2] 陆芃, 任洪宇",null,"刘凡宇, 李多力, 卜建辉, 刘海南, 赵发展. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN113224167A, 2021-08-06.

[3] 韩添, 赵发展, 蔡小五. 一种电流检测电路及方法. CN: CN113281551A, 2021-08-20.

[4] 李垌帅, 卜建辉, 王成成, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件建模方法及装置. CN: CN112883675A, 2021-06-01.

[5] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 王磊, 卜建辉, 赵发展, 韩郑生. 一种自动校验数据的SRAM安全存储系统及其方法. CN: CN112908394A, 2021-06-04.

[6] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质. CN: CN112685989A, 2021-04-20.

[7] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种SRAM的版图布局方法及装置. CN: CN112765926A, 2021-05-07.

[8] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种无片外电容线性稳压电路. CN: CN213934662U, 2021-08-10.

[9] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种瞬时响应线性稳压器. CN: CN112860002A, 2021-05-28.

[10] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生, 曹硕. 一种场发射显示像素单元. CN: CN112509895A, 2021-03-16.

[11] 卜建辉, 王可为, 李多力, 李博, 李彬鸿, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置. CN: CN112052636A, 2020-12-08.

[12] 卜建辉, 王可为, 李多力, 李博, 李彬鸿, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置. CN: CN112052637A, 2020-12-08.

[13] 高林春, 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 倪涛, 李多力, 卜建辉, 张颢译, 王可, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置. CN: CN112053968A, 2020-12-08.

[14] 高立博, 闫珍珍, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种集成电路电路图设计的保护方法. CN: CN112052465A, 2020-12-08.

[15] 王可为, 卜建辉, 黄杨, 罗家俊, 韩郑生. 半导体器件的阈值电压提取方法及装置. CN: CN112067964A, 2020-12-11.

[16] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊. 一种半导体器件模型的建模方法及装置. CN: CN111680465A, 2020-09-18.

[17] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置. CN: CN111680466A, 2020-09-18.

[18] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[19] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[20] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[21] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备. CN: CN111341770A, 2020-06-26.

[22] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备. CN: CN111370401A, 2020-07-03.

[23] 高立博, 卜建辉, 高见头, 赵发展, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置. CN: CN111291480A, 2020-06-16.

[24] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构. CN: CN111129006A, 2020-05-08.

[25] 蔡小五, 高悦欣, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 夏瑞瑞, 罗家俊. 一种双向触发的ESD保护器件. CN: CN111199971A, 2020-05-26.

[26] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种时序特性获取方法、装置及电子设备. CN: CN110263417A, 2019-09-20.

[27] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备. CN: CN110263399A, 2019-09-20.

[28] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种生成手册数据的方法及装置. CN: CN110196934A, 2019-09-03.

[29] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935582A, 2019-06-25.

[30] 蔡小五, 罗家俊, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 陆江, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962098A, 2019-07-02.

[31] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962099A, 2019-07-02.

[32] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935581B, 2021-04-13.

[33] 闫珍珍, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 刘梦新, 罗家俊, 韩郑生. 一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法. CN: CN109948186A, 2019-06-28.

[34] 闫珍珍, 刘海南, 郭燕萍, 许婷, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 异步复位触发器验证电路以及集成电路验证装置. CN: CN109884516A, 2019-06-14.

[35] 卜建辉, 宋李梅, 王成成, 罗家俊, 韩郑生. 一种VDMOS器件建模方法及模型. CN: CN109815576A, 2019-05-28.

[36] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109860098A, 2019-06-07.

[37] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109841561A, 2019-06-04.

[38] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109786374A, 2019-05-21.

[39] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109801847A, 2019-05-24.

[40] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109742071A, 2019-05-10.

[41] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种片上测试单元及结构. CN: CN109752645A, 2019-05-14.

[42] 卜建辉, 罗家俊, 王成成, 高见头, 赵发展, 李多力, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742145A, 2019-05-10.

[43] 卜建辉, 罗家俊, 高见头, 李彬鸿, 李博, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742085A, 2019-05-10.

[44] 卜建辉, 李多力, 蔡小五, 罗家俊, 韩郑生. 一种P型隧穿场效应晶体管及其制作方法. CN: CN108807523A, 2018-11-13.

[45] 卜建辉, 李多力, 蔡小五, 罗家俊, 韩郑生. 一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法. CN: CN108807522A, 2018-11-13.

[46] 刘梦新, 刘海南, 赵发展",null,"罗家俊. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.

[47] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108270429B, 2021-10-15.

[48] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗瞬态效应的选通器. CN: CN108233904A, 2018-06-29.

[49] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.

[50] 高立博, 卜建辉, 王成成, 罗家俊, 韩郑生. 一种电路图迁移方法和装置. CN: CN108170953A, 2018-06-15.

[51] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. CN: CN108122990A, 2018-06-05.

[52] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. CN: CN207993870U, 2018-10-19.

[53] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 张国欢, 罗家俊. 一种霍尔基片结构及霍尔传感器. CN: CN207624732U, 2018-07-17.

[54] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. 中国: CN207624704U, 2018-07-17.

[55] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN108122964A, 2018-06-05.

[56] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN207624704U, 2018-07-17.

[57] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管. CN: CN108155229A, 2018-06-12.

[58] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN108122964B, 2020-06-16.

[59] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 陆江, 曾传滨, 卜建辉, 赵海涛. 一种ESD钳位电路及集成电路. CN: CN107863339A, 2018-03-30.

[60] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039362A, 2018-05-15.

[61] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039365A, 2018-05-15.

[62] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039364A, 2018-05-15.

[63] 卜建辉, 李莹, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件统计模型的建模方法及装置. CN: CN107480331A, 2017-12-15.

[64] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置. CN: CN107238786A, 2017-10-10.

[65] 卜建辉, 王成成, 卢剑, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件的热阻提取方法. CN: CN106802385A, 2017-06-06.

[66] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 一种电路器件版图. CN: CN206163482U, 2017-05-10.

[67] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 一种包含自加热效应的SOI电阻建模方法及装置. CN: CN106446420A, 2017-02-22.

[68] 卜建辉, 李彬鸿, 罗家俊, 韩郑生. 一种热阻获取方法. CN: CN106093744A, 2016-11-09.

[69] 卜建辉, 高立博, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种分立器件的版图比对原理图验证方法及装置. CN: CN105844012A, 2016-08-10.

[70] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种验证后仿真提取文件正确性的方法. CN: CN105205257A, 2015-12-30.

[71] 卜建辉, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI基的PN结建模方法. CN: CN105138795A, 2015-12-09.

[72] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOSVAR的建模方法. CN: CN105045999A, 2015-11-11.

[73] 解冰清, 李博, 毕津顺, 罗家俊, 卜建辉. 一种直流-交流逆变器的控制方法. CN: CN105099254A, 2015-11-25.

[74] 卜建辉, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种限制器件模型适用温度范围的方法. CN: CN104992005A, 2015-10-21.

[75] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOIMOSFET器件的建模方法. CN: CN104951599A, 2015-09-30.

[76] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种BTS型栅SOI器件的建模方法. CN: CN103955574A, 2014-07-30.

[77] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种H型栅SOI器件的建模方法. CN: CN103955570A, 2014-07-30.

[78] 卜建辉, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的STI应力效应建模方法及装置. CN: CN103778297A, 2014-05-07.

[79] 李书振, 卜建辉, 毕津顺, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法. CN: CN103792438A, 2014-05-14.

[80] 卜建辉, 曾传滨, 张刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种环形振荡器测试系统. CN: CN203688739U, 2014-07-02.

[81] 卜建辉, 李莹, 毕津顺, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法. CN: CN103411997A, 2013-11-27.

[82] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. NMOS和PMOS器件结构及设计方法. CN: CN103151385A, 2013-06-12.

[83] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI H型栅MOS器件的建模方法. CN: CN102982215A, 2013-03-20.

[84] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI MOS器件的建模方法. CN: CN102789530A, 2012-11-21.

[85] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102708268A, 2012-10-03.

[86] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. 一种PN结结深测算方法. CN: CN102738030A, 2012-10-17.

[87] 卜建辉, 毕津顺, 梅博, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102646147A, 2012-08-22.

[88] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN103378140A, 2013-10-30.

[89] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生, 罗家俊. 一种电路辐照性能仿真方法及设备. CN: CN102289546A, 2011-12-21.

[90] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法. CN: CN102375896A, 2012-03-14.

[91] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOI体电阻建模方法. CN: CN102298655A, 2011-12-28.

[92] 卜建辉, 毕津顺, 习林茂, 韩郑生. 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法. CN: CN102236063A, 2011-11-09.

[93] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法. CN: CN102214251A, 2011-10-12.

[94] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种对半导体器件进行提参建模的方法. CN: CN102214252A, 2011-10-12.

[95] 卜建辉, 刘梦新, 刘刚, 卢烁今, 韩郑生. 一种采用环形栅结构的PMOS剂量计. CN: CN101872023A, 2010-10-27.

[96] 卜建辉, 刘梦新, 刘刚, 卢烁今, 韩郑生. 基于阈值变化的剂量率远程在线自动测试系统及方法. CN: CN101839990A, 2010-09-22.

[97] 卜建辉, 刘梦新, 刘刚, 卢烁今, 韩郑生. 基于恒流源的剂量率远程在线自动测试系统及方法. CN: CN101839989A, 2010-09-22.

[98] 许婷, 闫珍珍, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 郭燕萍, 高立博, 王成成. 一种集成电路延时确定方法、装置及设备. CN: CN115146569A, 2022-10-04.

[99] 李逸帆, 罗家俊, 韩郑生, 倪涛, 王娟娟, 高林春, 曾传滨, 钱频, 王玉娟, 卜建辉. 一种半导体器件自加热效应的散热测试方法及系统. CN: CN115184761A, 2022-10-14.

[100] 许婷, 闫珍珍, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 郭燕萍, 高立博, 王成成. 一种电路分析方法、装置、设备及存储介质. CN: CN115081365A, 2022-09-20.

[101] 许婷, 韩郑生, 闫珍珍, 郭燕萍, 高立博, 王成成, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊. 一种行译码电路的设计方法及相关设备. CN: CN114595658A, 2022-06-07.

[102] 许婷, 韩郑生, 闫珍珍, 郭燕萍, 王成成, 高立博, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊. 一种译码电路的生成方法及相关设备. CN: CN114595659A, 2022-06-07.

[103] 王菡滨, 毕津顺, 卜建辉, 赵发展, 颜刚平. 一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器. CN: CN114637039A, 2022-06-17.

[104] 闫珍珍, 韩郑生, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 许婷, 郭燕萍, 王成成, 赵发展, 罗家俊. 一种新型单粒子加固触发器电路. CN: CN114531145A, 2022-05-24.

[105] 闫珍珍, 韩郑生, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 许婷, 郭燕萍, 高立博, 赵发展, 罗家俊. 一种改进结构抗单粒子翻转触发器电路及触发器. CN: CN114520646A, 2022-05-20.

[106] 刘海南, 韩郑生, 闫珍珍, 杨婉婉, 卜建辉, 李多力, 郭燕萍, 许婷, 赵发展, 罗家俊. 一种单粒子加固触发器电路. CN: CN114531138A, 2022-05-24.

[107] 刘海南, 韩郑生, 闫珍珍, 杨婉婉, 卜建辉, 郭燕萍, 许婷, 王成成, 赵发展, 罗家俊. 一种新型抗单粒子翻转触发器电路. CN: CN114531146A, 2022-05-24.

[108] 闫珍珍, 韩郑生, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 李多力, 郭燕萍, 许婷, 赵发展, 罗家俊. 一种抗单粒子翻转触发器电路及触发器. CN: CN114520645A, 2022-05-20.

[109] 刘海南, 韩郑生, 闫珍珍, 杨婉婉, 卜建辉, 郭燕萍, 许婷, 高立博, 王成成, 赵发展. 一种抗单粒子翻转锁存器电路. CN: CN114531144A, 2022-05-24.

[110] 闫珍珍, 韩郑生, 刘海南, 卜建辉, 李多力, 许婷, 郭燕萍, 王成成, 高立博, 赵发展. 一种单粒子翻转加固锁存器电路. CN: CN114531147A, 2022-05-24.

[111] 刘海南, 韩郑生, 闫珍珍, 卜建辉, 李多力, 许婷, 郭燕萍, 高立博, 赵发展, 罗家俊. 一种新式单粒子加固触发器电路. CN: CN114520644A, 2022-05-20.

[112] 郭燕萍, 韩郑生, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 王成成, 高立博, 赵发展, 罗家俊. 一种存储器的仿真验证方法和装置. CN: CN114356736A, 2022-04-15.

[113] 杨晨, 卜建辉, 刘艺璇, 刘海南, 赵发展. 基于VS的CNTFET模型参数方法及相关方法和设备. CN: CN116415388A, 2023-07-11.

[114] 张心怡, 卜建辉, 王可为, 李博, 李彬鸿, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生, 叶甜春. 确定热载流子效应最坏偏置点的方法、装置、介质及设备. CN: CN115704851A, 2023-02-17.

[115] 夏瑞瑞, 蔡小五, 赵发展, 刘海南, 卜建辉, 丁利强, 高悦欣, 高马利. 一种高边功率开关以及电子设备. CN: CN115513928A, 2022-12-23.

[116] 韩添, 赵发展, 蔡小五, 卜建辉, 单梁. 一种电流检测电路及方法. CN: CN113281551B, 2023-01-17.

[117] 周润发, 李博, 宿晓慧, 任洪宇, 郑中山, 卜建辉, 赵发展. 一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置. CN: CN115048895A, 2022-09-13.

[118] 苏泽鑫, 李博, 宿晓慧, 王磊, 卜建辉, 赵发展, 韩郑生. 一种具有老化检测和自毁功能的ATD电路模块. CN: CN114860626A, 2022-08-05.

[119] 苏泽鑫, 李博, 宿晓慧, 王磊, 卜建辉, 赵发展, 韩郑生. 一种可永久性自毁的ATD电路模块. CN: CN114863987A, 2022-08-05.

[120] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 王磊, 卜建辉, 赵发展, 韩郑生. 一种SRAM芯片安全性能的测试方法. CN: CN114792547A, 2022-07-26.

[121] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 王磊, 卜建辉, 赵发展, 韩郑生. 一种用于SRAM芯片的安全系统. CN: CN114792532A, 2022-07-26.

[122] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备. CN: CN111370401B, 2023-01-17.

出版信息

   
发表论文
[1] 李逸帆, 倪涛, 李晓静, 王娟娟, 高林春, 卜建辉, 李多力, 蔡小五, 许立达, 李雪勤, 王润坚, 曾传滨, 李博, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. Analytical workload dependence of self-heating effect for SOI MOSFETs considering two-stage heating process. 中国物理B:英文版[J]. 2023, 32(9): 522-529, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7110599035.
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[29] Bu Jianhui, Bi Jinshun, Song Limei, Han Zhengsheng. Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs. 半导体学报[J]. 2010, 27-29, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=32639401.
[30] Bu Jianhui, Bi Jinshun, Xi Linmao, Han Zhengsheng. Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction. 半导体学报[J]. 2010, 94001-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=35181571.
[31] 卜建辉, 毕津顺, 宋李梅, 韩郑生. 深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应. 微电子学[J]. 2010, 40(3): 461-463, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=34203840.
[32] 卜建辉, 刘梦新, 胡爱斌, 韩郑生. 部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置. 半导体技术[J]. 2009, 34(1): 65-68, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=29424619.
[33] 卜建辉, 刘梦新, 胡爱斌, 韩郑生. SOI器件的增强短沟道效应模型. 半导体技术[J]. 2009, 34(6): 560-562, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=30562215.

科研活动

   
科研项目
( 1 ) XXX器件模型研究, 主持, 部委级, 2016-01--2018-12
( 2 ) XXXSOI工艺研究, 参与, 国家级, 2017-03--2019-12
( 3 ) 耐高温器件机理及实现关键技术, 主持, 研究所(学校), 2017-10--2019-09
( 4 ) XXXSOI技术研究, 主持, 部委级, 2019-01--2020-12
( 5 ) 典型电路模块元器件电离总剂量效应数字化设计, 主持, 研究所(学校), 2018-07--2019-03
( 6 ) 超低温环境典型元器件失效机理及特性评价技术研究, 主持, 国家级, 2019-01--2020-12
( 7 ) 可调控XXXSOI技术研究, 主持, 部委级, 2019-07--2022-06
( 8 ) 青促会, 主持, 部委级, 2020-01--2023-12
参与会议
(1)A Transient Ionizing Radiation Spice Model for PDSOI MOSFET   2019-06-20
(2)A low leakage current Tunneling-FET based on SOI   2018-10-16

指导学生

现指导学生

王可为  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

莫文韬  硕士研究生  085209-集成电路工程  

张华龙  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

高冕风  硕士研究生  085209-集成电路工程  

李垌帅  硕士研究生  085209-集成电路工程