基本信息
卜建辉  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: bujianhui@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

研究领域

半导体器件模型与参数提取、半导体器件可靠性

招生信息

微电子学与固定电子学

招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
高可靠性器件与集成技术

教育背景

2006-09--2011-07   中国科学院微电子研究所   博士
2002-09--2006-07   西安交通大学   学士

工作经历

2021-08~至今,中国科学院微电子研究所, 研究员

2016-03~2021-07,中国科学院微电子研究所, 副研究员

2013.11~至今,中国科学院微电子研究所,硅器件中心模型部部长

2011-07~2016-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员


社会兼职
2010-10-01-今,IEEE会员,
2008-05-04-2017-05-04,中国科学院微电子所团委委员,

专利与奖励

   
专利成果
[1] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种生成手册数据的方法及装置. CN: CN110196934B, 2021-07-13.

[2] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109786374B, 2021-07-13.

[3] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032B, 2021-07-13.

[4] 高立博, 卜建辉, 王成成, 罗家俊, 韩郑生. 一种电路图迁移方法和装置. CN: CN108170953B, 2021-07-13.

[5] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 王磊, 卜建辉, 赵发展, 韩郑生. 一种自动校验数据的SRAM安全存储系统及其方法. CN: CN112908394A, 2021-06-04.

[6] 李垌帅, 卜建辉, 王成成, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件建模方法及装置. CN: CN112883675A, 2021-06-01.

[7] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种瞬时响应线性稳压器. CN: CN112860002A, 2021-05-28.

[8] 卜建辉, 李多力, 蔡小五, 罗家俊, 韩郑生. 一种P型隧穿场效应晶体管及其制作方法. CN: CN108807523B, 2021-04-27.

[9] 卜建辉, 李多力, 蔡小五, 罗家俊, 韩郑生. 一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法. CN: CN108807522B, 2021-04-27.

[10] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质. CN: CN112685989A, 2021-04-20.

[11] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 陆江, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935581B, 2021-04-13.

[12] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109860098B, 2021-04-13.

[13] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生, 曹硕. 一种场发射显示像素单元. CN: CN112509895A, 2021-03-16.

[14] 闫珍珍, 刘海南, 郭燕萍, 许婷, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 异步复位触发器验证电路以及集成电路验证装置. CN: CN109884516B, 2021-01-12.

[15] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039365B, 2021-01-12.

[16] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039364B, 2021-01-12.

[17] 王可为, 卜建辉, 黄杨, 罗家俊, 韩郑生. 半导体器件的阈值电压提取方法及装置. CN: CN112067964A, 2020-12-11.

[18] 卜建辉, 王可为, 李多力, 李博, 李彬鸿, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置. CN: CN112052636A, 2020-12-08.

[19] 卜建辉, 王可为, 李多力, 李博, 李彬鸿, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置. CN: CN112052637A, 2020-12-08.

[20] 高林春, 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 倪涛, 李多力, 卜建辉, 张颢译, 王可, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置. CN: CN112053968A, 2020-12-08.

[21] 高立博, 闫珍珍, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种集成电路电路图设计的保护方法. CN: CN112052465A, 2020-12-08.

[22] 卜建辉, 罗家俊, 高见头, 李彬鸿, 李博, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742085B, 2020-10-16.

[23] 卜建辉, 李莹, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件统计模型的建模方法及装置. CN: CN107480331B, 2020-10-16.

[24] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊. 一种半导体器件模型的建模方法及装置. CN: CN111680465A, 2020-09-18.

[25] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置. CN: CN111680466A, 2020-09-18.

[26] 蔡小五, 高悦欣, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 夏瑞瑞, 罗家俊. 一种双向触发的ESD保护器件. CN: CN111199971A, 2020-05-26.

[27] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构. CN: CN111129006A, 2020-05-08.

[28] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 陆江, 曾传滨, 卜建辉, 赵海涛. 一种ESD钳位电路及集成电路. CN: CN107863339B, 2020-01-21.

[29] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. 中国: CN109962098A, 20190702.

[30] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置. CN: CN107238786B, 2019-10-25.

[31] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 一种包含自加热效应的SOI电阻建模方法及装置. CN: CN106446420B, 2019-10-18.

[32] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种时序特性获取方法、装置及电子设备. CN: CN110263417A, 2019-09-20.

[33] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备. CN: CN110263399A, 2019-09-20.

[34] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962099A, 2019-07-02.

[35] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962099A, 2019-07-02.

[36] 闫珍珍, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 刘梦新, 罗家俊, 韩郑生. 一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法. CN: CN109948186A, 2019-06-28.

[37] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109860098A, 2019-06-07.

[38] 卜建辉, 宋李梅, 王成成, 罗家俊, 韩郑生. 一种VDMOS器件建模方法及模型. CN: CN109815576A, 2019-05-28.

[39] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109801847A, 2019-05-24.

[40] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109786374A, 2019-05-21.

[41] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种片上测试单元及结构. CN: CN109752645A, 2019-05-14.

[42] 卜建辉, 罗家俊, 王成成, 高见头, 赵发展, 李多力, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742145A, 2019-05-10.

[43] 卜建辉, 王成成, 卢剑, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件的热阻提取方法. CN: CN106802385B, 2019-03-08.

[44] 卜建辉, 李彬鸿, 罗家俊, 韩郑生. 一种热阻获取方法. CN: CN106093744B, 2019-03-05.

[45] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. 中国: CN207993870U, 2018.10.19.

[46] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种验证后仿真提取文件正确性的方法. 中国: CN105205257B, 2018.08.21.

[47] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOSVAR的建模方法. 中国: CN105045999B, 2018.08.21.

[48] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 张国欢, 罗家俊. 一种霍尔基片结构及霍尔传感器. 中国: CN207624732U, 2018.07.17.

[49] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. 中国: CN108270429A, 2018.07.10.

[50] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管. 中国: CN108155229A, 2018.06.12.

[51] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOIMOSFET器件的建模方法. 中国: CN104951599B, 2018-11-02.

[52] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. 中国: CN207624704U, 2018-07-17.

[53] 卜建辉, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI基的PN结建模方法. 中国: CN105138795B, 2018-07-13.

[54] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗瞬态效应的选通器. 中国: CN108233904A, 2018-06-29.

[55] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. 中国: CN108122990A, 2018-06-05.

[56] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. 中国: CN108122964A, 2018-06-05.

[57] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. 中国: CN108039364A, 2018-05-15.

[58] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 一种电路器件版图. 中国: CN206163482U, 2017-05-10.

[59] 卜建辉, 高立博, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种分立器件的版图比对原理图验证方法及装置. 中国: CN105844012A, 2016-08-10.

[60] 解冰清, 李博, 毕津顺, 罗家俊, 卜建辉. 一种直流-交流逆变器的控制方法. 中国: CN105099254A, 2015-11-25.

[61] 卜建辉, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种限制器件模型适用温度范围的方法. 中国: CN104992005A, 2015-10-21.

[62] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种BTS型栅SOI器件的建模方法. 中国: CN103955574A, 2014-07-30.

[63] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种H型栅SOI器件的建模方法. 中国: CN103955570A, 2014-07-30.

[64] 卜建辉, 曾传滨, 张刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种环形振荡器测试系统. 中国: CN203688739U, 2014-07-02.

[65] 李书振, 卜建辉, 毕津顺, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法. 中国: CN103792438A, 2014-05-14.

[66] 卜建辉, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的STI应力效应建模方法及装置. 中国: CN103778297A, 2014-05-07.

[67] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. NMOS和PMOS器件结构及设计方法. 中国: CN103151385A, 2013.06.12.

[68] 卜建辉, 李莹, 毕津顺, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法. 中国: CN103411997A, 2013-11-27.

[69] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI H型栅MOS器件的建模方法. 中国: CN102982215A, 2013-03-20.

[70] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI MOS器件的建模方法. 中国: CN102789530A, 2012-11-21.

[71] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. 一种PN结结深测算方法. 中国: CN102738030A, 2012-10-17.

[72] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. 中国: CN102708268A, 2012-10-03.

[73] 卜建辉, 毕津顺, 梅博, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. 中国: CN102646147A, 2012-08-22.

[74] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法. 中国: CN102375896A, 2012-03-14.

[75] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOI体电阻建模方法. 中国: CN102298655A, 2011-12-28.

[76] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生, 罗家俊. 一种电路辐照性能仿真方法及设备. 中国: CN102289546A, 2011-12-21.

[77] 卜建辉, 毕津顺, 习林茂, 韩郑生. 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法. 中国: CN102236063A, 2011-11-09.

[78] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法. 中国: CN102214251A, 2011-10-12.

[79] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种对半导体器件进行提参建模的方法. 中国: CN102214252A, 2011-10-12.

[80] 卜建辉, 刘梦新, 刘刚, 卢烁今, 韩郑生. 一种采用环形栅结构的PMOS剂量计. 中国: CN101872023A, 2010.10.27.

[81] 卜建辉, 刘梦新, 刘刚, 卢烁今, 韩郑生. 基于阈值变化的剂量率远程在线自动测试系统及方法. 中国: CN101839990A, 2010-09-22.

[82] 卜建辉, 刘梦新, 刘刚, 卢烁今, 韩郑生. 基于恒流源的剂量率远程在线自动测试系统及方法. 中国: CN101839989A, 2010-09-22.

出版信息

   
发表论文
[1] Gao, Libo, Du, Chuanhua, Bu, Jianhui, Li, Jiangjiang, Ma, Quangang, Zhao, Fazhan, Zeng, Chao, Gao, Jiantou, Li, Duoli, Zeng, Chuanbin, Han, Zhengsheng, Luo, Jiajun. A transient ionizing radiation SPICE model for PDSOI MOSFET. MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS[J]. 2021, 63(8): 2103-2107, http://dx.doi.org/10.1002/mop.32317.
[2] 李垌帅, 王芳, 王可为, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 90 nm PDSOI MOSFET热阻研究. 微电子学. 2021, 251-254, https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFQ&dbname=CJFDLAST2021&filename=MINI202102020&v=MjQ3ODc0SE5ETXJZOUhaSVI4ZVgxTHV4WVM3RGgxVDNxVHJXTTFGckNVUjd1ZlllZG1GeXpuVzd6T0tDVEZaN0c=.
[3] Huo, Qiang, Wu, Zhenhua, Wang, Xingsheng, Huang, Weixing, Yao, Jiaxin, Bu, Jianhui, Zhang, Feng, Li, Ling, Liu, Ming. Physics-Based Device-Circuit Cooptimization Scheme for 7-nm Technology Node SRAM Design and Beyond. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2020, 67(3): 907-914, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000519593800020.
[4] 王成成, 周龙达, 蒲石, 王芳, 杨红, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊, 卜建辉. 部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究. 航空科学技术. 2020, 31(1): 76-80, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100918157.
[5] Lai, Junhua, Su, Yali, Bu, Jianhui, Li, Binhong, Li, Bo, Zhang, Guohe. Study on Degradation Mechanisms of Thermal Conductivity for Confined Nanochannel in Gate-All-Around Silicon Nanowire Field-Effect Transistors. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2020, 67(10): 4060-4066, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000572635400021.
[6] Zhang, Guohe, Lai, Junhua, Su, Yali, Li, Binhong, Li, Bo, Bu, Jianhui, Yang, ChengFu. Study on the Thermal Conductivity Characteristics for Ultra-Thin Body FD SOI MOSFETs Based on Phonon Scattering Mechanisms. MATERIALS[J]. 2019, 12(16): https://doaj.org/article/0bf309f46ba54250a527e1c973b0a315.
[7] 卜建辉, 许高博, 李多力, 蔡小五, 王林飞, 韩郑生, 罗家俊. 一种新型隧穿场效应晶体管. 半导体技术[J]. 2019, 44(3): 185-188, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7001643479.
[8] 卜建辉. A low leakage current Tunneling-FET based on SOI. S3S. 2018, [9] 卜建辉. Total dose effects on 28nm FD-SOI CMOS transistors. S3S. 2018, [10] Zhang, Guohe, Yang, Jiangjiang, Jiang, Peilin, Bu, Jianhui, Li, Binhong, Li, Bo. Modeling the threshold voltage variation induced by channel random dopant fluctuation in fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2018, 57(10): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000444454900001.
[11] Li, B, Huang, Y B, Yang, L, Zhang, Q Z, Zheng, Z S, Li, B H, Zhu, H P, Bu, J H, Yin, H X, Luo, J J, Han, Z S, Wang, H B. Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2018, 88-90: 946-951, http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2018.07.020.
[12] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. A Simulation Model for the PN Junction Based on SOI. 2016, http://159.226.55.106/handle/172511/16326.
[13] 李莹, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. Analysis and optimization of Tunneling-FET based on SOI. 2016, http://159.226.55.106/handle/172511/16327.
[14] Bu Jianhui, Li Shuzhen, Luo Jiajun, Han Zhengsheng. The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs. Journal of Semiconductors[J]. 2014, 35(3): 034008-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089316.
[15] Bu Jianhui, Li Ying, Luo Jiajun, Han Zhengsheng. A Simulation Model for PDSOI MOSFETs. IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technologynull. 2014, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089333.
[16] 龚鸿雁, 卜建辉, 姜一波, 王帅, 杜寰, 韩郑生. 一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型. 微电子学[J]. 2013, 43(1): 130-133, [17] 卜建辉, 毕津顺, 宋李梅, 韩郑生. 深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应. 微电子学[J]. 2010, 40(3): 461-463, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=34203840.
[18] 卜建辉, 刘梦新, 胡爱斌, 韩郑生. 部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置. 半导体技术. 2009, 34(1): 65-68, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=29424619.
[19] 卜建辉, 刘梦新, 胡爱斌, 韩郑生. SOI器件的增强短沟道效应模型. 半导体技术. 2009, 34(6): 560-562, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=30562215.

科研活动

   
科研项目
( 1 ) XXX器件模型研究, 主持, 部委级, 2016-01--2018-12
( 2 ) XXXSOI工艺研究, 参与, 国家级, 2017-03--2019-12
( 3 ) 耐高温器件机理及实现关键技术, 主持, 研究所(学校), 2017-10--2019-09
( 4 ) XXXSOI技术研究, 主持, 部委级, 2019-01--2020-12
( 5 ) 典型电路模块元器件电离总剂量效应数字化设计, 主持, 研究所(学校), 2018-07--2019-03
( 6 ) 超低温环境典型元器件失效机理及特性评价技术研究, 主持, 国家级, 2019-01--2020-12
( 7 ) 可调控XXXSOI技术研究, 主持, 部委级, 2019-07--2022-06
( 8 ) 青促会, 主持, 部委级, 2020-01--2023-12
参与会议
(1)A Transient Ionizing Radiation Spice Model for PDSOI MOSFET   2019-06-20
(2)A low leakage current Tunneling-FET based on SOI   2018-10-16

指导学生

现指导学生

王可为  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

莫文韬  硕士研究生  085209-集成电路工程  

张华龙  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

高冕风  硕士研究生  085209-集成电路工程  

李垌帅  硕士研究生  085209-集成电路工程