基本信息

卜建辉  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: bujianhui@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

研究领域

半导体器件模型与参数提取、半导体器件可靠性

招生信息

微电子学与固定电子学

招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
高可靠性器件与集成技术

教育背景

2006-09--2011-07   中国科学院微电子研究所   博士
2002-09--2006-07   西安交通大学   学士

工作经历

2021-08~至今,中国科学院微电子研究所, 研究员

2016-03~2021-07,中国科学院微电子研究所, 副研究员

2013.11~至今,中国科学院微电子研究所,硅器件中心模型部部长

2011-07~2016-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员


社会兼职
2010-10-01-今,IEEE会员,
2008-05-04-2017-05-04,中国科学院微电子所团委委员,

专利与奖励

   
专利成果
[1] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 任洪宇, 卜建辉, 赵发展. 一种SRAM-PUF单元结构、存储器以及上电模式的控制方法. CN: CN113689907A, 2021-11-23.

[2] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108270429B, 2021-10-15.

[3] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108270429B, 2021-10-15.

[4] 韩添, 赵发展, 蔡小五. 一种电流检测电路及方法. CN: CN113281551A, 2021-08-20.

[5] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种无片外电容线性稳压电路. CN: CN213934662U, 2021-08-10.

[6] 陆芃, 任洪宇",null,"刘凡宇, 李多力, 卜建辉",null,"赵发展. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN113224167A, 2021-08-06.

[7] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 王磊, 卜建辉, 赵发展, 韩郑生. 一种自动校验数据的SRAM安全存储系统及其方法. CN: CN112908394A, 2021-06-04.

[8] 李垌帅, 卜建辉, 王成成, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件建模方法及装置. CN: CN112883675A, 2021-06-01.

[9] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种瞬时响应线性稳压器. CN: CN112860002A, 2021-05-28.

[10] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种SRAM的版图布局方法及装置. CN: CN112765926A, 2021-05-07.

[11] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质. CN: CN112685989A, 2021-04-20.

[12] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935581B, 2021-04-13.

[13] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935581B, 2021-04-13.

[14] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生, 曹硕. 一种场发射显示像素单元. CN: CN112509895A, 2021-03-16.

[15] 王可为, 卜建辉, 黄杨, 罗家俊, 韩郑生. 半导体器件的阈值电压提取方法及装置. CN: CN112067964A, 2020-12-11.

[16] 王可为, 卜建辉, 黄杨, 罗家俊, 韩郑生. 半导体器件的阈值电压提取方法及装置. CN: CN112067964A, 2020-12-11.

[17] 卜建辉, 王可为, 李多力, 李博, 李彬鸿, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置. CN: CN112052636A, 2020-12-08.

[18] 卜建辉, 王可为, 李多力, 李博, 李彬鸿, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置. CN: CN112052637A, 2020-12-08.

[19] 高林春, 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 倪涛, 李多力, 卜建辉, 张颢译, 王可, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置. CN: CN112053968A, 2020-12-08.

[20] 高立博, 闫珍珍, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种集成电路电路图设计的保护方法. CN: CN112052465A, 2020-12-08.

[21] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[22] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[23] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[24] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[25] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[26] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[27] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊. 一种半导体器件模型的建模方法及装置. CN: CN111680465A, 2020-09-18.

[28] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置. CN: CN111680466A, 2020-09-18.

[29] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊. 一种半导体器件模型的建模方法及装置. CN: CN111680465A, 2020-09-18.

[30] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置. CN: CN111680466A, 2020-09-18.

[31] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备. CN: CN111370401A, 2020-07-03.

[32] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备. CN: CN111370401A, 2020-07-03.

[33] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备. CN: CN111341770A, 2020-06-26.

[34] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备. CN: CN111341770A, 2020-06-26.

[35] 高立博, 卜建辉, 高见头, 赵发展, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置. CN: CN111291480A, 2020-06-16.

[36] 陆江",null,"蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN108122964B, 2020-06-16.

[37] 高立博, 卜建辉, 高见头, 赵发展, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置. CN: CN111291480A, 2020-06-16.

[38] 陆江",null,"蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN108122964B, 2020-06-16.

[39] 蔡小五, 高悦欣, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 夏瑞瑞, 罗家俊. 一种双向触发的ESD保护器件. CN: CN111199971A, 2020-05-26.

[40] 蔡小五, 高悦欣, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 夏瑞瑞, 罗家俊. 一种双向触发的ESD保护器件. CN: CN111199971A, 2020-05-26.

[41] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构. CN: CN111129006A, 2020-05-08.

[42] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构. CN: CN111129006A, 2020-05-08.

[43] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种时序特性获取方法、装置及电子设备. CN: CN110263417A, 2019-09-20.

[44] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备. CN: CN110263399A, 2019-09-20.

[45] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种时序特性获取方法、装置及电子设备. CN: CN110263417A, 2019-09-20.

[46] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备. CN: CN110263399A, 2019-09-20.

[47] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种生成手册数据的方法及装置. CN: CN110196934A, 2019-09-03.

[48] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种生成手册数据的方法及装置. CN: CN110196934A, 2019-09-03.

[49] 蔡小五, 罗家俊, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 陆江, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962098A, 2019-07-02.

[50] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962099A, 2019-07-02.

[51] 蔡小五, 罗家俊, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 陆江, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962098A, 2019-07-02.

[52] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962099A, 2019-07-02.

[53] 闫珍珍, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 刘梦新, 罗家俊, 韩郑生. 一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法. CN: CN109948186A, 2019-06-28.

[54] 闫珍珍, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 刘梦新, 罗家俊, 韩郑生. 一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法. CN: CN109948186A, 2019-06-28.

[55] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935582A, 2019-06-25.

[56] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935582A, 2019-06-25.

[57] 闫珍珍, 刘海南, 郭燕萍, 许婷, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 异步复位触发器验证电路以及集成电路验证装置. CN: CN109884516A, 2019-06-14.

[58] 闫珍珍, 刘海南, 郭燕萍, 许婷, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 异步复位触发器验证电路以及集成电路验证装置. CN: CN109884516A, 2019-06-14.

[59] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109860098A, 2019-06-07.

[60] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109860098A, 2019-06-07.

[61] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109841561A, 2019-06-04.

[62] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109841561A, 2019-06-04.

[63] 卜建辉, 宋李梅, 王成成, 罗家俊, 韩郑生. 一种VDMOS器件建模方法及模型. CN: CN109815576A, 2019-05-28.

[64] 卜建辉, 宋李梅, 王成成, 罗家俊, 韩郑生. 一种VDMOS器件建模方法及模型. CN: CN109815576A, 2019-05-28.

[65] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109801847A, 2019-05-24.

[66] 宿晓慧, 李博, 李彬鸿, 黄杨, 李多力, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 一种SOI器件结构及其制备方法. CN: CN109801847A, 2019-05-24.

[67] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109786374A, 2019-05-21.

[68] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109786374A, 2019-05-21.

[69] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种片上测试单元及结构. CN: CN109752645A, 2019-05-14.

[70] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种片上测试单元及结构. CN: CN109752645A, 2019-05-14.

[71] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109742071A, 2019-05-10.

[72] 卜建辉, 罗家俊, 王成成, 高见头, 赵发展, 李多力, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742145A, 2019-05-10.

[73] 卜建辉, 罗家俊, 高见头, 李彬鸿, 李博, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742085A, 2019-05-10.

[74] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109742071A, 2019-05-10.

[75] 卜建辉, 罗家俊, 王成成, 高见头, 赵发展, 李多力, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742145A, 2019-05-10.

[76] 卜建辉, 罗家俊, 高见头, 李彬鸿, 李博, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742085A, 2019-05-10.

[77] 卜建辉, 李多力, 蔡小五, 罗家俊, 韩郑生. 一种P型隧穿场效应晶体管及其制作方法. CN: CN108807523A, 2018-11-13.

[78] 卜建辉, 李多力, 蔡小五, 罗家俊, 韩郑生. 一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法. CN: CN108807522A, 2018-11-13.

[79] 卜建辉, 李多力, 蔡小五, 罗家俊, 韩郑生. 一种P型隧穿场效应晶体管及其制作方法. CN: CN108807523A, 2018-11-13.

[80] 卜建辉, 李多力, 蔡小五, 罗家俊, 韩郑生. 一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法. CN: CN108807522A, 2018-11-13.

[81] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. CN: CN207993870U, 2018-10-19.

[82] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. CN: CN207993870U, 2018-10-19.

[83] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 张国欢, 罗家俊. 一种霍尔基片结构及霍尔传感器. CN: CN207624732U, 2018-07-17.

[84] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. 中国: CN207624704U, 2018-07-17.

[85] 陆江",null,"蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN207624704U, 2018-07-17.

[86] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 张国欢, 罗家俊. 一种霍尔基片结构及霍尔传感器. CN: CN207624732U, 2018-07-17.

[87] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. 中国: CN207624704U, 2018-07-17.

[88] 陆江",null,"蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN207624704U, 2018-07-17.

[89] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗瞬态效应的选通器. CN: CN108233904A, 2018-06-29.

[90] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗瞬态效应的选通器. CN: CN108233904A, 2018-06-29.

[91] 高立博, 卜建辉, 王成成, 罗家俊, 韩郑生. 一种电路图迁移方法和装置. CN: CN108170953A, 2018-06-15.

[92] 高立博, 卜建辉, 王成成, 罗家俊, 韩郑生. 一种电路图迁移方法和装置. CN: CN108170953A, 2018-06-15.

[93] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管. CN: CN108155229A, 2018-06-12.

[94] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管. CN: CN108155229A, 2018-06-12.

[95] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. CN: CN108122990A, 2018-06-05.

[96] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN108122964A, 2018-06-05.

[97] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. CN: CN108122990A, 2018-06-05.

[98] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN108122964A, 2018-06-05.

[99] 刘梦新",null,"赵发展",null,"罗家俊. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.

[100] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.

[101] 刘梦新",null,"赵发展",null,"罗家俊. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.

[102] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.

[103] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039362A, 2018-05-15.

[104] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039365A, 2018-05-15.

[105] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039364A, 2018-05-15.

[106] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039362A, 2018-05-15.

[107] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039365A, 2018-05-15.

[108] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039364A, 2018-05-15.

[109] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 陆江, 曾传滨, 卜建辉, 赵海涛. 一种ESD钳位电路及集成电路. CN: CN107863339A, 2018-03-30.

[110] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 陆江, 曾传滨, 卜建辉, 赵海涛. 一种ESD钳位电路及集成电路. CN: CN107863339A, 2018-03-30.

[111] 卜建辉, 李莹, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件统计模型的建模方法及装置. CN: CN107480331A, 2017-12-15.

[112] 卜建辉, 李莹, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件统计模型的建模方法及装置. CN: CN107480331A, 2017-12-15.

[113] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置. CN: CN107238786A, 2017-10-10.

[114] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置. CN: CN107238786A, 2017-10-10.

[115] 卜建辉, 王成成, 卢剑, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件的热阻提取方法. CN: CN106802385A, 2017-06-06.

[116] 卜建辉, 王成成, 卢剑, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件的热阻提取方法. CN: CN106802385A, 2017-06-06.

[117] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 一种电路器件版图. CN: CN206163482U, 2017-05-10.

[118] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 一种电路器件版图. CN: CN206163482U, 2017-05-10.

[119] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 一种包含自加热效应的SOI电阻建模方法及装置. CN: CN106446420A, 2017-02-22.

[120] 卜建辉, 李莹, 罗家俊, 韩郑生. 一种包含自加热效应的SOI电阻建模方法及装置. CN: CN106446420A, 2017-02-22.

[121] 卜建辉, 李彬鸿, 罗家俊, 韩郑生. 一种热阻获取方法. CN: CN106093744A, 2016-11-09.

[122] 卜建辉, 李彬鸿, 罗家俊, 韩郑生. 一种热阻获取方法. CN: CN106093744A, 2016-11-09.

[123] 卜建辉, 高立博, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种分立器件的版图比对原理图验证方法及装置. CN: CN105844012A, 2016-08-10.

[124] 卜建辉, 高立博, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种分立器件的版图比对原理图验证方法及装置. CN: CN105844012A, 2016-08-10.

[125] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种验证后仿真提取文件正确性的方法. CN: CN105205257A, 2015-12-30.

[126] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种验证后仿真提取文件正确性的方法. CN: CN105205257A, 2015-12-30.

[127] 卜建辉, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI基的PN结建模方法. CN: CN105138795A, 2015-12-09.

[128] 卜建辉, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI基的PN结建模方法. CN: CN105138795A, 2015-12-09.

[129] 解冰清, 李博, 毕津顺, 罗家俊, 卜建辉. 一种直流-交流逆变器的控制方法. CN: CN105099254A, 2015-11-25.

[130] 解冰清, 李博, 毕津顺, 罗家俊, 卜建辉. 一种直流-交流逆变器的控制方法. CN: CN105099254A, 2015-11-25.

[131] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOSVAR的建模方法. CN: CN105045999A, 2015-11-11.

[132] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOSVAR的建模方法. CN: CN105045999A, 2015-11-11.

[133] 卜建辉, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种限制器件模型适用温度范围的方法. CN: CN104992005A, 2015-10-21.

[134] 卜建辉, 赵博华, 罗家俊, 韩郑生. 一种限制器件模型适用温度范围的方法. CN: CN104992005A, 2015-10-21.

[135] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOIMOSFET器件的建模方法. CN: CN104951599A, 2015-09-30.

[136] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOIMOSFET器件的建模方法. CN: CN104951599A, 2015-09-30.

[137] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOIMOSFET器件的建模方法. CN: CN104951599A, 2015-09-30.

[138] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOIMOSFET器件的建模方法. CN: CN104951599A, 2015-09-30.

[139] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种BTS型栅SOI器件的建模方法. CN: CN103955574A, 2014-07-30.

[140] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种H型栅SOI器件的建模方法. CN: CN103955570A, 2014-07-30.

[141] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种BTS型栅SOI器件的建模方法. CN: CN103955574A, 2014-07-30.

[142] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种H型栅SOI器件的建模方法. CN: CN103955570A, 2014-07-30.

[143] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种BTS型栅SOI器件的建模方法. CN: CN103955574A, 2014-07-30.

[144] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种BTS型栅SOI器件的建模方法. CN: CN103955574A, 2014-07-30.

[145] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种H型栅SOI器件的建模方法. CN: CN103955570A, 2014-07-30.

[146] 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种H型栅SOI器件的建模方法. CN: CN103955570A, 2014-07-30.

[147] 卜建辉, 曾传滨, 张刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种环形振荡器测试系统. CN: CN203688739U, 2014-07-02.

[148] 卜建辉, 曾传滨, 张刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种环形振荡器测试系统. CN: CN203688739U, 2014-07-02.

[149] 卜建辉, 曾传滨, 张刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种环形振荡器测试系统. CN: CN203688739U, 2014-07-02.

[150] 卜建辉, 曾传滨, 张刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种环形振荡器测试系统. CN: CN203688739U, 2014-07-02.

[151] 李书振, 卜建辉, 毕津顺, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法. CN: CN103792438A, 2014-05-14.

[152] 李书振, 卜建辉, 毕津顺, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法. CN: CN103792438A, 2014-05-14.

[153] 李书振, 卜建辉, 毕津顺, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法. CN: CN103792438A, 2014-05-14.

[154] 李书振, 卜建辉, 毕津顺, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法. CN: CN103792438A, 2014-05-14.

[155] 卜建辉, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的STI应力效应建模方法及装置. CN: CN103778297A, 2014-05-07.

[156] 卜建辉, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的STI应力效应建模方法及装置. CN: CN103778297A, 2014-05-07.

[157] 卜建辉, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的STI应力效应建模方法及装置. CN: CN103778297A, 2014-05-07.

[158] 卜建辉, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的STI应力效应建模方法及装置. CN: CN103778297A, 2014-05-07.

[159] 卜建辉, 李莹, 毕津顺, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法. CN: CN103411997A, 2013-11-27.

[160] 卜建辉, 李莹, 毕津顺, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法. CN: CN103411997A, 2013-11-27.

[161] 卜建辉, 李莹, 毕津顺, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法. CN: CN103411997A, 2013-11-27.

[162] 卜建辉, 李莹, 毕津顺, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法. CN: CN103411997A, 2013-11-27.

[163] 卜建辉, 李莹, 毕津顺, 李书振, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法. CN: CN103411997A, 2013-11-27.

[164] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN103378140A, 2013-10-30.

[165] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN103378140A, 2013-10-30.

[166] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN103378140A, 2013-10-30.

[167] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN103378140A, 2013-10-30.

[168] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN103378140A, 2013-10-30.

[169] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN103378140A, 2013-10-30.

[170] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. NMOS和PMOS器件结构及设计方法. CN: CN103151385A, 2013-06-12.

[171] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. NMOS和PMOS器件结构及设计方法. CN: CN103151385A, 2013-06-12.

[172] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. NMOS和PMOS器件结构及设计方法. CN: CN103151385A, 2013-06-12.

[173] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. NMOS和PMOS器件结构及设计方法. CN: CN103151385A, 2013-06-12.

[174] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. NMOS和PMOS器件结构及设计方法. CN: CN103151385A, 2013-06-12.

[175] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI H型栅MOS器件的建模方法. CN: CN102982215A, 2013-03-20.

[176] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI H型栅MOS器件的建模方法. CN: CN102982215A, 2013-03-20.

[177] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI H型栅MOS器件的建模方法. CN: CN102982215A, 2013-03-20.

[178] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI H型栅MOS器件的建模方法. CN: CN102982215A, 2013-03-20.

[179] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI H型栅MOS器件的建模方法. CN: CN102982215A, 2013-03-20.

[180] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI MOS器件的建模方法. CN: CN102789530A, 2012-11-21.

[181] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI MOS器件的建模方法. CN: CN102789530A, 2012-11-21.

[182] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI MOS器件的建模方法. CN: CN102789530A, 2012-11-21.

[183] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI MOS器件的建模方法. CN: CN102789530A, 2012-11-21.

[184] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI MOS器件的建模方法. CN: CN102789530A, 2012-11-21.

[185] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. SOI MOS器件的建模方法. CN: CN102789530A, 2012-11-21.

[186] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. 一种PN结结深测算方法. CN: CN102738030A, 2012-10-17.

[187] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. 一种PN结结深测算方法. CN: CN102738030A, 2012-10-17.

[188] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. 一种PN结结深测算方法. CN: CN102738030A, 2012-10-17.

[189] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. 一种PN结结深测算方法. CN: CN102738030A, 2012-10-17.

[190] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. 一种PN结结深测算方法. CN: CN102738030A, 2012-10-17.

[191] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. 一种PN结结深测算方法. CN: CN102738030A, 2012-10-17.

[192] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102708268A, 2012-10-03.

[193] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102708268A, 2012-10-03.

[194] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102708268A, 2012-10-03.

[195] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102708268A, 2012-10-03.

[196] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102708268A, 2012-10-03.

[197] 卜建辉, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102708268A, 2012-10-03.

[198] 卜建辉, 毕津顺, 梅博, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102646147A, 2012-08-22.

[199] 卜建辉, 毕津顺, 梅博, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102646147A, 2012-08-22.

[200] 卜建辉, 毕津顺, 梅博, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102646147A, 2012-08-22.

[201] 卜建辉, 毕津顺, 梅博, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102646147A, 2012-08-22.

[202] 卜建辉, 毕津顺, 梅博, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102646147A, 2012-08-22.

[203] 卜建辉, 毕津顺, 梅博, 罗家俊, 韩郑生. MOS器件的建模方法. CN: CN102646147A, 2012-08-22.

[204] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法. CN: CN102375896A, 2012-03-14.

[205] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法. CN: CN102375896A, 2012-03-14.

[206] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法. CN: CN102375896A, 2012-03-14.

[207] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法. CN: CN102375896A, 2012-03-14.

[208] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法. CN: CN102375896A, 2012-03-14.

[209] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法. CN: CN102375896A, 2012-03-14.

[210] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOI体电阻建模方法. CN: CN102298655A, 2011-12-28.

[211] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOI体电阻建模方法. CN: CN102298655A, 2011-12-28.

[212] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOI体电阻建模方法. CN: CN102298655A, 2011-12-28.

[213] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOI体电阻建模方法. CN: CN102298655A, 2011-12-28.

[214] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOI体电阻建模方法. CN: CN102298655A, 2011-12-28.

[215] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种SOI体电阻建模方法. CN: CN102298655A, 2011-12-28.

[216] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生, 罗家俊. 一种电路辐照性能仿真方法及设备. CN: CN102289546A, 2011-12-21.

[217] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生, 罗家俊. 一种电路辐照性能仿真方法及设备. CN: CN102289546A, 2011-12-21.

[218] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生, 罗家俊. 一种电路辐照性能仿真方法及设备. CN: CN102289546A, 2011-12-21.

[219] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生, 罗家俊. 一种电路辐照性能仿真方法及设备. CN: CN102289546A, 2011-12-21.

[220] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生, 罗家俊. 一种电路辐照性能仿真方法及设备. CN: CN102289546A, 2011-12-21.

[221] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生, 罗家俊. 一种电路辐照性能仿真方法及设备. CN: CN102289546A, 2011-12-21.

[222] 卜建辉, 毕津顺, 习林茂, 韩郑生. 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法. CN: CN102236063A, 2011-11-09.

[223] 卜建辉, 毕津顺, 习林茂, 韩郑生. 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法. CN: CN102236063A, 2011-11-09.

[224] 卜建辉, 毕津顺, 习林茂, 韩郑生. 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法. CN: CN102236063A, 2011-11-09.

[225] 卜建辉, 毕津顺, 习林茂, 韩郑生. 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法. CN: CN102236063A, 2011-11-09.

[226] 卜建辉, 毕津顺, 习林茂, 韩郑生. 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法. CN: CN102236063A, 2011-11-09.

[227] 卜建辉, 毕津顺, 习林茂, 韩郑生. 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法. CN: CN102236063A, 2011-11-09.

[228] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法. CN: CN102214251A, 2011-10-12.

[229] 卜建辉, 毕津顺, 韩郑生. 一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法. CN: CN102214251A, 2011-10-12.

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[254] 卜建辉, 刘梦新, 刘刚, 卢烁今, 韩郑生. 基于阈值变化的剂量率远程在线自动测试系统及方法. CN: CN101839990A, 2010-09-22.

[255] 卜建辉, 刘梦新, 刘刚, 卢烁今, 韩郑生. 基于恒流源的剂量率远程在线自动测试系统及方法. CN: CN101839989A, 2010-09-22.

[256] 卜建辉, 刘梦新, 刘刚, 卢烁今, 韩郑生. 基于阈值变化的剂量率远程在线自动测试系统及方法. CN: CN101839990A, 2010-09-22.

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出版信息

   
发表论文
[1] Gao, Libo, Du, Chuanhua, Bu, Jianhui, Li, Jiangjiang, Ma, Quangang, Zhao, Fazhan, Zeng, Chao, Gao, Jiantou, Li, Duoli, Zeng, Chuanbin, Han, Zhengsheng, Luo, Jiajun. A transient ionizing radiation SPICE model for PDSOI MOSFET. MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS[J]. 2021, 63(8): 2103-2107, http://dx.doi.org/10.1002/mop.32317.
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[24] 卜建辉, 刘梦新, 胡爱斌, 韩郑生. SOI器件的增强短沟道效应模型. 半导体技术[J]. 2009, 34(6): 560-562, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=30562215.

科研活动

   
科研项目
( 1 ) XXX器件模型研究, 主持, 部委级, 2016-01--2018-12
( 2 ) XXXSOI工艺研究, 参与, 国家级, 2017-03--2019-12
( 3 ) 耐高温器件机理及实现关键技术, 主持, 研究所(学校), 2017-10--2019-09
( 4 ) XXXSOI技术研究, 主持, 部委级, 2019-01--2020-12
( 5 ) 典型电路模块元器件电离总剂量效应数字化设计, 主持, 研究所(学校), 2018-07--2019-03
( 6 ) 超低温环境典型元器件失效机理及特性评价技术研究, 主持, 国家级, 2019-01--2020-12
( 7 ) 可调控XXXSOI技术研究, 主持, 部委级, 2019-07--2022-06
( 8 ) 青促会, 主持, 部委级, 2020-01--2023-12
参与会议
(1)A Transient Ionizing Radiation Spice Model for PDSOI MOSFET   2019-06-20
(2)A low leakage current Tunneling-FET based on SOI   2018-10-16

指导学生

现指导学生

王可为  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

莫文韬  硕士研究生  085209-集成电路工程  

张华龙  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

高冕风  硕士研究生  085209-集成电路工程  

李垌帅  硕士研究生  085209-集成电路工程