基本信息
贾玉萍 女 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
电子邮件： ypjia@ciomp.ac.cn
通信地址： 吉林长春东南湖大路3888号
邮政编码：
电子邮件： ypjia@ciomp.ac.cn
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研究领域
本人主要从事基于宽禁带半导体结合二维材料的光电探测器与辐射探测器研究，其中包括材料生长及物性研究、器件研制及器件物理研究。
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体材料与器件
教育背景
2013-09--2016-07 中国科学院物理研究所 博士
2008-09--2011-03 北京航空航天大学 硕士
2004-09--2008-07 吉林大学 学士
2008-09--2011-03 北京航空航天大学 硕士
2004-09--2008-07 吉林大学 学士
学历
博士
学位
博士
工作经历
2016年7月至今，于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，开展半导体材料与器件研究
工作简历
2016-07~现在, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 副研究员
专利与奖励
奖励信息
（1） 吉林省自然科学奖一等奖, 一等奖, 省级, 2020
专利成果
[1] 蒋科, 孙晓娟, 黎大兵, 贲建伟, 张山丽, 贾玉萍, 刘明睿. 一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器及其制备方法. CN: CN113948604A, 2022-01-18.
[2] 黎大兵, 郭龙, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 陈洋, 石芝铭, 臧行. 基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器及其制备方法. CN: CN111370508B, 2021-11-16.
[3] 孙晓娟, 谢智伟, 黎大兵, 贾玉萍, 蒋科, 石芝铭. 一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器. CN: CN113284959A, 2021-08-20.
[4] 孙晓娟, 王加旺, 黎大兵, 蒋科, 贲建伟, 贾玉萍. 一种单光子探测器死时间设置与噪声滤除的系统. CN: CN112945379A, 2021-06-11.
[5] 黎大兵, 刘新科, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭, 蒋科, 贲建伟. 单片双波段集成式传感器及其制备方法. CN: CN110797430B, 2021-06-01.
[6] 黎大兵, 王星辰, 孙晓娟, 蒋科, 贾玉萍, 石芝铭, 陈洋, 臧行. 一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法. CN: CN112822351A, 2021-05-18.
[7] 贾玉萍, 黎大兵, 孙晓娟, 蒋科, 陈洋. 一种中子辐射探测器. CN: CN112599620A, 2021-04-02.
[8] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 陈洋. 一种半导体辐射电池. CN: CN112489848A, 2021-03-12.
[9] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 石芝铭, 刘新科, 陈洋. 一种基于氮化硼的紫外/红外双色探测器. CN: CN110649108B, 2021-01-26.
[10] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科. 一种多色柔性光电探测器及其制备方法. CN: CN112086529A, 2020-12-15.
[11] 贾玉萍, 黎大兵, 沈宇桐, 孙晓娟, 蒋科, 石芝铭. 一种光伏型紫外红外双色探测器及处理方法. CN: CN111952382A, 2020-11-17.
[12] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 陈洋, 石芝铭, 臧行, 张山丽. 一种360度超大广角紫外探测器. CN: CN111668336A, 2020-09-15.
[13] 黎大兵, 陈洋, 孙晓娟, 贾玉萍, 蒋科, 石芝铭, 臧行. 单层石墨烯的双面掺杂及多层石墨烯的双侧掺杂方法. CN: CN111333058A, 2020-06-26.
[14] 黎大兵, 开翠红, 孙晓娟, 贾玉萍, 蒋科, 石芝铭. 一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法. CN: CN111223788A, 2020-06-02.
[15] 黎大兵, 杨敏, 孙晓娟, 贾玉萍, 蒋科, 石芝铭, 刘新科, 陈洋. 一种制备同质集成光通信芯片的方法. CN: CN110600582A, 2019-12-20.
[16] 黎大兵, 刘新科, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭. 基于喷墨打印技术的分波段柔性光探测器及打印方法. CN: CN110581187A, 2019-12-17.
[17] 黎大兵, 刘新科, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭. 一种具有浮动场环终端结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法. CN: CN110364575A, 2019-10-22.
[18] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 石芝铭, 刘新科. 一种实现氮化物可控成核的二维材料复合衬底制备系统. CN: CN110349840A, 2019-10-18.
[19] 黎大兵, 王勇, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭, 刘新科. 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法. CN: CN109888612A, 2019-06-14.
[20] 黎大兵, 程东碧, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭. 一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法. CN: CN109713091A, 2019-05-03.
[21] 孙晓娟, 吴忧, 黎大兵, 石芝铭, 贾玉萍. 一种原位生长Al等离激元提高AlGaN基PIN型探测器性能的方法. CN: CN109713083A, 2019-05-03.
[22] 黎大兵, 余恒炜, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭, 刘贺男. 基于主动淬灭主动恢复电路的单光子探测系统. CN: CN109443555A, 2019-03-08.
[23] 孙晓娟, 蒋科, 黎大兵, 贾玉萍, 石芝铭, 刘贺男. 一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法. CN: CN109378361A, 2019-02-22.
[24] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 石芝铭, 刘贺男, 贲建伟. 一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统. CN: CN109360798A, 2019-02-19.
[25] 黎大兵, 刘贺男, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭. 石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法. CN: CN109309131A, 2019-02-05.
[26] 黎大兵, 蒋科, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭, 刘贺男. 一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法. CN: CN109300980A, 2019-02-01.
[27] 孙晓娟, 黎大兵, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 李志明, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红, 张志伟. 一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法. 中国: CN107808819A, 2018-03-16.
[28] 黎大兵, 贲建伟, 孙晓娟, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 陈一仁, 蒋红. 一种获得高质量AlN模板的方法. CN: CN107768234A, 2018-03-06.
[29] 孙晓娟, 黎大兵, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 李志明, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红, 张志伟. 一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法. 中国: CN107703718A, 2018-02-16.
[30] 黎大兵, 孙晓娟, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 李志明, 陈一仁, 蒋红, 张志伟. 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法. CN: CN107681017A, 2018-02-09.
[31] 黎大兵, 贲建伟, 孙晓娟, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 陈一仁, 缪国庆. 一种集成热处理工艺的多腔室氮化物材料外延系统. 中国: CN107587189A, 2018-01-16.
[2] 黎大兵, 郭龙, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 陈洋, 石芝铭, 臧行. 基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器及其制备方法. CN: CN111370508B, 2021-11-16.
[3] 孙晓娟, 谢智伟, 黎大兵, 贾玉萍, 蒋科, 石芝铭. 一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器. CN: CN113284959A, 2021-08-20.
[4] 孙晓娟, 王加旺, 黎大兵, 蒋科, 贲建伟, 贾玉萍. 一种单光子探测器死时间设置与噪声滤除的系统. CN: CN112945379A, 2021-06-11.
[5] 黎大兵, 刘新科, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭, 蒋科, 贲建伟. 单片双波段集成式传感器及其制备方法. CN: CN110797430B, 2021-06-01.
[6] 黎大兵, 王星辰, 孙晓娟, 蒋科, 贾玉萍, 石芝铭, 陈洋, 臧行. 一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法. CN: CN112822351A, 2021-05-18.
[7] 贾玉萍, 黎大兵, 孙晓娟, 蒋科, 陈洋. 一种中子辐射探测器. CN: CN112599620A, 2021-04-02.
[8] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 陈洋. 一种半导体辐射电池. CN: CN112489848A, 2021-03-12.
[9] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 石芝铭, 刘新科, 陈洋. 一种基于氮化硼的紫外/红外双色探测器. CN: CN110649108B, 2021-01-26.
[10] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科. 一种多色柔性光电探测器及其制备方法. CN: CN112086529A, 2020-12-15.
[11] 贾玉萍, 黎大兵, 沈宇桐, 孙晓娟, 蒋科, 石芝铭. 一种光伏型紫外红外双色探测器及处理方法. CN: CN111952382A, 2020-11-17.
[12] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 陈洋, 石芝铭, 臧行, 张山丽. 一种360度超大广角紫外探测器. CN: CN111668336A, 2020-09-15.
[13] 黎大兵, 陈洋, 孙晓娟, 贾玉萍, 蒋科, 石芝铭, 臧行. 单层石墨烯的双面掺杂及多层石墨烯的双侧掺杂方法. CN: CN111333058A, 2020-06-26.
[14] 黎大兵, 开翠红, 孙晓娟, 贾玉萍, 蒋科, 石芝铭. 一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法. CN: CN111223788A, 2020-06-02.
[15] 黎大兵, 杨敏, 孙晓娟, 贾玉萍, 蒋科, 石芝铭, 刘新科, 陈洋. 一种制备同质集成光通信芯片的方法. CN: CN110600582A, 2019-12-20.
[16] 黎大兵, 刘新科, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭. 基于喷墨打印技术的分波段柔性光探测器及打印方法. CN: CN110581187A, 2019-12-17.
[17] 黎大兵, 刘新科, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭. 一种具有浮动场环终端结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法. CN: CN110364575A, 2019-10-22.
[18] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 石芝铭, 刘新科. 一种实现氮化物可控成核的二维材料复合衬底制备系统. CN: CN110349840A, 2019-10-18.
[19] 黎大兵, 王勇, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭, 刘新科. 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法. CN: CN109888612A, 2019-06-14.
[20] 黎大兵, 程东碧, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭. 一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法. CN: CN109713091A, 2019-05-03.
[21] 孙晓娟, 吴忧, 黎大兵, 石芝铭, 贾玉萍. 一种原位生长Al等离激元提高AlGaN基PIN型探测器性能的方法. CN: CN109713083A, 2019-05-03.
[22] 黎大兵, 余恒炜, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭, 刘贺男. 基于主动淬灭主动恢复电路的单光子探测系统. CN: CN109443555A, 2019-03-08.
[23] 孙晓娟, 蒋科, 黎大兵, 贾玉萍, 石芝铭, 刘贺男. 一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法. CN: CN109378361A, 2019-02-22.
[24] 黎大兵, 贾玉萍, 孙晓娟, 蒋科, 石芝铭, 刘贺男, 贲建伟. 一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统. CN: CN109360798A, 2019-02-19.
[25] 黎大兵, 刘贺男, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭. 石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法. CN: CN109309131A, 2019-02-05.
[26] 黎大兵, 蒋科, 孙晓娟, 贾玉萍, 石芝铭, 刘贺男. 一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法. CN: CN109300980A, 2019-02-01.
[27] 孙晓娟, 黎大兵, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 李志明, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红, 张志伟. 一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法. 中国: CN107808819A, 2018-03-16.
[28] 黎大兵, 贲建伟, 孙晓娟, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 陈一仁, 蒋红. 一种获得高质量AlN模板的方法. CN: CN107768234A, 2018-03-06.
[29] 孙晓娟, 黎大兵, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 李志明, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红, 张志伟. 一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法. 中国: CN107703718A, 2018-02-16.
[30] 黎大兵, 孙晓娟, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 李志明, 陈一仁, 蒋红, 张志伟. 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法. CN: CN107681017A, 2018-02-09.
[31] 黎大兵, 贲建伟, 孙晓娟, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 陈一仁, 缪国庆. 一种集成热处理工艺的多腔室氮化物材料外延系统. 中国: CN107587189A, 2018-01-16.
出版信息
发表论文
[1] Hang Zang, Zhiming Shi, JianWei Ben, Ke Jiang, Shanli Zhang, Liu, Mingrui, Tong Wu, Yuping Jia, Xiaojuan Sun, Dabing Li. Growth Mechanism and Electronic Property of Stacking Mismatch Boundaries in Wurtzite III-Nitride Materials. Physical Review B[J]. 2023, 107: 165308-, [2] Zang, Hang, Liu, Mingrui, Jia, Yuping, Jiang, Ke, Ben, Jianwei, Chen, Yang, Lv, Shunpeng, Sun, Xioajuan, Li, Dabing. Tunable piezoelectric and ferroelectric responses of Al1-xScxN: The role of atomic arrangement. 中国科学 物理学 力学 天文学[J]. 2023, 66(7): 277711-, [3] Zang, Hang, Ben, Jianwei, Jiang, Ke, Chen, Yang, Zhang, Shanli, Liu, Mingrui, Wu, Tong, Jia, Yuping, Sun, Xiaojuan, Li, Dabing. Growth mechanism and electronic properties of stacking mismatch boundaries in wurtzite III-nitride material. Physical Review B[J]. 2023, 107(16): 165308-, [4] 隋佳恩, 贲建伟, 臧行, 蒋科, 张山丽, 郭冰亮, 陈洋, 石芝铭, 贾玉萍, 黎大兵, 孙晓娟. 高温热处理a面AlN表面形貌演变机理. 发光学报[J]. 2021, 42(6): 810-817, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104814014.
[5] Jia, Yuping, Shen, Yutong, Sun, Xiaojuan, Shi, Zhiming, Jiang, Ke, Wu, Tong, Liang, Hongwei, Cui, Xingzhu, Lu, Wei, Li, Dabing. Improved performance of SiC radiation detector based on metal-insulator-semiconductor structures. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT[J]. 2021, 997: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2021.165166.
[6] Shi, Zhiming, Qi, Zhanbin, Zang, Hang, Jiang, Ke, Chen, Yang, Jia, Yuping, Wu, Tong, Zhang, Shanli, Sun, Xiaojuan, Li, Dabing. Point Defects in Monolayer h-AlN as Candidates for Single-Photon Emission. ACS APPLIED MATERIALS AND INTERFACES[J]. 2021, 13(31): 37380-37387, [7] Jia, Yuping, Sun, Xiaojuan, Shi, Zhiming, Jiang, Ke, Wu, Tong, Liang, Hongwei, Cui, Xingzhu, Lu, Wei, Li, Dabing. Improved performance of SiC radiation detectors due to optimized ohmic contact electrode by graphene insertion. DIAMOND AND RELATED MATERIALS[J]. 2021, 115: http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108355.
[8] Jia, Yuping, Shi, Zhiming, Hou, Wantong, Zang, Hang, Jiang, Ke, Chen, Yang, Zhang, Shanli, Qi, Zhanbin, Wu, Tong, Sun, Xiaojuan, Li, Dabing. Elimination of the internal electrostatic field in two-dimensional GaN-based semiconductors. NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS[J]. 2020, 4(1): https://doaj.org/article/ef6627badb1d40bf9af2c56ce4c8aaaa.
[9] Fu, Ying Hao, Sun, Xiaojuan, Ben, Jianwei, Jiang, Ke, Jia, Yuping, Liu, Henan, Li, Zhiming, Li, Dabing. Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 18(11): 7527-7531, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000443946600035.
[10] Jia, Yuping, Sun, Xiaojuan, Shi, Zhiming, Jiang, Ke, Liu, Henan, Ben, Jianwei, Li, Dabing. Modulating the Surface State of SiC to Control Carrier Transport in Graphene/SiC. SMALL[J]. 2018, 14(26): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000436408800015.
[11] Li, DaBing, Sun, XiaoJuan, Jia, YuPing, Stockman, Mark I, Paudel, Hari P, Song, Hang, Jiang, Hong, Li, ZhiMing. Direct observation of localized surface plasmon field enhancement by Kelvin probe force microscopy. LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS[J]. 2017, 6(8): e17038-, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000408584200004.
[12] Jia, Yuping, Guo, Liwei, Lin, Jingjing, Yang, Junwei, Chen, Xiaolong. Direct growth of unidirectional spindle-shaped graphene nanoribbons on SiC. CARBON[J]. 2017, 114: 585-590, http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2016.12.045.
[13] Yang, Cui, Chen, Runkun, Jia, Yuping, Guo, Liwei, Chen, Jianing. Asymmetrical plasmon reflections in tapered graphene ribbons with wrinkle edges. CHINESE PHYSICS B[J]. 2017, 26(7): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000405130100020.
[14] Yang Chen, Ke Jiang, Hang Zang, Jianwei Ben, Shanli Zhang, Zhiming Shi, Yuping Jia, Wei L, Dabing Li, Xiaojuan Sun. In situ growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-responsivity ultraviolet photodetector. CARBON. http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2020.12.055.
[5] Jia, Yuping, Shen, Yutong, Sun, Xiaojuan, Shi, Zhiming, Jiang, Ke, Wu, Tong, Liang, Hongwei, Cui, Xingzhu, Lu, Wei, Li, Dabing. Improved performance of SiC radiation detector based on metal-insulator-semiconductor structures. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT[J]. 2021, 997: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2021.165166.
[6] Shi, Zhiming, Qi, Zhanbin, Zang, Hang, Jiang, Ke, Chen, Yang, Jia, Yuping, Wu, Tong, Zhang, Shanli, Sun, Xiaojuan, Li, Dabing. Point Defects in Monolayer h-AlN as Candidates for Single-Photon Emission. ACS APPLIED MATERIALS AND INTERFACES[J]. 2021, 13(31): 37380-37387, [7] Jia, Yuping, Sun, Xiaojuan, Shi, Zhiming, Jiang, Ke, Wu, Tong, Liang, Hongwei, Cui, Xingzhu, Lu, Wei, Li, Dabing. Improved performance of SiC radiation detectors due to optimized ohmic contact electrode by graphene insertion. DIAMOND AND RELATED MATERIALS[J]. 2021, 115: http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108355.
[8] Jia, Yuping, Shi, Zhiming, Hou, Wantong, Zang, Hang, Jiang, Ke, Chen, Yang, Zhang, Shanli, Qi, Zhanbin, Wu, Tong, Sun, Xiaojuan, Li, Dabing. Elimination of the internal electrostatic field in two-dimensional GaN-based semiconductors. NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS[J]. 2020, 4(1): https://doaj.org/article/ef6627badb1d40bf9af2c56ce4c8aaaa.
[9] Fu, Ying Hao, Sun, Xiaojuan, Ben, Jianwei, Jiang, Ke, Jia, Yuping, Liu, Henan, Li, Zhiming, Li, Dabing. Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 18(11): 7527-7531, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000443946600035.
[10] Jia, Yuping, Sun, Xiaojuan, Shi, Zhiming, Jiang, Ke, Liu, Henan, Ben, Jianwei, Li, Dabing. Modulating the Surface State of SiC to Control Carrier Transport in Graphene/SiC. SMALL[J]. 2018, 14(26): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000436408800015.
[11] Li, DaBing, Sun, XiaoJuan, Jia, YuPing, Stockman, Mark I, Paudel, Hari P, Song, Hang, Jiang, Hong, Li, ZhiMing. Direct observation of localized surface plasmon field enhancement by Kelvin probe force microscopy. LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS[J]. 2017, 6(8): e17038-, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000408584200004.
[12] Jia, Yuping, Guo, Liwei, Lin, Jingjing, Yang, Junwei, Chen, Xiaolong. Direct growth of unidirectional spindle-shaped graphene nanoribbons on SiC. CARBON[J]. 2017, 114: 585-590, http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2016.12.045.
[13] Yang, Cui, Chen, Runkun, Jia, Yuping, Guo, Liwei, Chen, Jianing. Asymmetrical plasmon reflections in tapered graphene ribbons with wrinkle edges. CHINESE PHYSICS B[J]. 2017, 26(7): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000405130100020.
[14] Yang Chen, Ke Jiang, Hang Zang, Jianwei Ben, Shanli Zhang, Zhiming Shi, Yuping Jia, Wei L, Dabing Li, Xiaojuan Sun. In situ growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-responsivity ultraviolet photodetector. CARBON. http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2020.12.055.
科研活动
科研项目
（ 1 ） 铁电极化诱导石墨烯PN结/碳化硅双色探测器研究, 主持, 国家级, 2021-01--2024-12
（ 2 ） 中国科学院青年创新促进会, 主持, 部委级, 2019-01--2022-12
（ 3 ） SiC的大尺寸全固态深海辐射探测器的研发, 参与, 部委级, 2019-01--2023-12
（ 2 ） 中国科学院青年创新促进会, 主持, 部委级, 2019-01--2022-12
（ 3 ） SiC的大尺寸全固态深海辐射探测器的研发, 参与, 部委级, 2019-01--2023-12