主要从事金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD：Metal-organic Chemical Vapor Deposition）生长低维材料及其分析表征的研究。MOCVD是材料外延的重要方法，是半导体光电子研究领域内的重要基础设施。具体到应用器件，主要包括研究大功率应变量子阱半导体激光器材料的高质量外延生长、量子点与纳米线等低维材料的生长、1.55μm光通讯用激光器的生长以及高In组分低位错密度InGaAs探测器材料（探测波长大于2.5μm）的生长等。

拟招收有兴趣于薄膜材料生长的硕士研究生。主要从事高In组分大失配低位错密度的InGaAs探测器材料的生长与研究（获得国家基础研究“973”计划支持）。航天对地遥感和空间天文观测对高性能近红外核心探测器件有明确需求，在全球气候观测、农林普查、国土资源探测、环境监测、深空探测和天文观测等领域具有重大作用。延伸波长（大于2.5μm）的高质量InGaAs材料是高性能近红外探测器的瓶颈。因此，研究III-V族铟镓砷（InGaAs）近红外光电探测材料高质量生长的基础问题，获得近红外探测材料与器件的新机理、新结构、新方法，实现高性能航天级近红外InGaAs探测材料的研发，为航天应用提供科学支撑，应用广泛，其研究有重要的发展前景与意义。学生从事此方面的研究，能获得材料理论、MOCVD生长理论与实践、材料表征、器件分析等方面的系统训练，能够为日后从事材料类和光电子类事业积累大量的经验和研究素养。

070205-凝聚态物理

光电材料与器件，半导体光电子学

2002-08--2008-06 中国科学院半导体研究所 工学博士
1998-08--2002-07 清华大学 学士

2008年获得工学博士学位（中国科学院半导体研究所）
2002年获得工学学士学位（清华大学材料科学与工程系）

2008年获得工学博士学位（中国科学院半导体研究所）
2002年获得工学学士学位（清华大学材料科学与工程系）

   

2010-09--今 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 副研究员
2008-06--2010-08 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 助理研究员

与中科院半导体研究所、南京理工大学、重庆大学、上海技术物理研究所和上海微系统研究所等有着密切的研究合作和项目合作。

与中科院半导体研究所、南京理工大学、重庆大学、上海技术物理研究所和上海微系统研究所等有着密切的研究合作和项目合作。