微纳电子器件及先导工艺

   

140100-集成电路科学与工程

微纳电子器件及先导工艺

2024-12--中国科学院微电子研究所   正高级工程师（正研究员级）
2018-09--2021-06   中国科学院大学   工学博士
2013-04--2024-11   中国科学院微电子研究所   高级工程师 硕导
2007-04--2013-04   北方微电子公司（现北方华创）   产品经理
2004-09--2007-03   北京航空航天大学   工学硕士
2000-09--2004-06   武汉理工大学   工学学士

博士研究生

工学博士

   

2024-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 正高级工程师（正研究员级）
2013-04~2024-11,中国科学院微电子研究所, 高级工程师 硕导
2007-04~2013-04,北方微电子公司（现北方华创）, 产品经理

2025-04-30-2030-12-30,北京集成电路学会专家库科技界专家, 评审专家

   

（1） 院长奖特别奖, 特等奖, 院级, 2021
（2） 北京市优秀毕业生, 特等奖, 省级, 2021
（3） 三好学生标兵, 特等奖, 研究所（学校）, 2021
（4） 三好学生标兵, 特等奖, 研究所（学校）, 2021
（5） 校优秀毕业生, 特等奖, 研究所（学校）, 2021
（6） 国家奖学金, 特等奖, 部委级, 2020
（7） 唐立新奖, 特等奖, 研究所（学校）, 2020
（8） 荣誉奖学金特等奖, 特等奖, 研究所（学校）, 2020
（9） 三好学生标兵, 特等奖, 研究所（学校）, 2020
（10） 王守武奖学金, 一等奖, 研究所（学校）, 2020
（11） 荣誉奖学金特等奖, 特等奖, 研究所（学校）, 2019
（12） 先进工作者（十佳）, 特等奖, 研究所（学校）, 2015

（ 1 ） 一种微纳通孔的制备方法及具有微纳通孔的结构, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN 111115561 B

（ 2 ） 一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN 111146089 B

（ 3 ） 一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN 111370308 B

（ 4 ） 半导体制造方法和半导体结构, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114256143A

（ 5 ） 一种半导体反应腔的气路系统、控制方法及加工设备, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114256086A

（ 6 ） 电容器及其制备方法, 专利授权, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114256240A

（ 7 ） 一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114242652A

（ 8 ） 一种晶圆偏移检测方法、装置和刻蚀系统, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114203575A

（ 9 ） 一种倾斜检测装置、方法和机械臂系统, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114199193A

（ 10 ） 水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN111569963B

（ 11 ） 半导体器件及其制造方法、存储器、电子设备, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114141749A

（ 12 ） 一种半导体器件结构的制造方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114141710A

（ 13 ） 一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114141750A

（ 14 ） 制备双大马士革结构的方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114121779A

（ 15 ） 电容装置及其制备方法、存储器, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114121902A

（ 16 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114093943A

（ 17 ） 一种半导体结构、其制造方法及DRAM, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114093942A

（ 18 ） 一种晶体管器件、其形成方法和DRAM, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114093941A

（ 19 ） 一种接触孔及DRAM的制造方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114093833A

（ 20 ） 蜂窝状图形的制造方法以及DRAM的制造方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114093762A

（ 21 ） 一种硬掩模去除方法和DRAM的制造方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114068321A

（ 22 ） 一种半导体器件及其制备方法、电子设备, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114038911A

（ 23 ） 一种半导体结构及其制备方法、三维存储器, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114023745A

（ 24 ） 一种湿度传感器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114018991A

（ 25 ） 一种半导体器件的制备方法及半导体器件, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114005826A

（ 26 ） 一种栅极结构及其制造方法、半导体器件、芯片, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114005745A

（ 27 ） 半导体器件的隔离的形成方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113972163A

（ 28 ） 半导体接触结构、其制作方法及半导体存储器, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113964124A

（ 29 ） 静电吸盘及半导体工艺设备, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113948359A

（ 30 ） 静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113948438A

（ 31 ） 半导体存储器件及其制造方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113948493A

（ 32 ） 半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 发明专利, 2022, 专利号: CN113903739A

（ 33 ） 一种多重图形化的方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113808938A

（ 34 ） 圆弧形鳍顶形成方法及鳍式场效应晶体管, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113808931A

（ 35 ） 一种二极管、探测器及探测器的制作方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111244193B

（ 36 ） 冷源MOS晶体管及制作方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113745314A

（ 37 ） 一种半导体器件及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113690219A

（ 38 ） 一种高光谱图像传感器单片集成方法、传感器及成像设备, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110867461B

（ 39 ） 一种堆叠纳米线/片器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113540246A

（ 40 ） 位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113540027A

（ 41 ） 电容器结构及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113517399A

（ 42 ） 金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113517219A

（ 43 ） 半导体位线接触件的制造方法、位线的制造方法及存储器, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113517218A

（ 44 ） 一种具有高深宽比结构的半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113517171A

（ 45 ） 集成组合件、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113496994A

（ 46 ） 约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113380942A

（ 47 ） 纳米线围栅MOS器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN108962750B

（ 48 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113299829A

（ 49 ） 一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113206091A

（ 50 ） 一种纳米网的制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113173553A

（ 51 ） 一种垂直纳米线阵列的制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113173557A

（ 52 ） 一种纳米线MIM阵列器件及制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113173555A

（ 53 ） 一种Z 2 -FET器件及其制备方法、一种半导体器件, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113178489A

（ 54 ） 一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112652664A

（ 55 ） 一种低噪声热电堆器件的制作方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112563403A

（ 56 ） 一种悬桥结构热电堆器件的制作方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112563402A

（ 57 ） 一种纳米森林结构的制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112520688A

（ 58 ） 内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110938434B

（ 59 ） 一种半导体器件及其制造方法、电子设备, 发明专利, 2021, 专利号: CN112186040A

（ 60 ） 堆叠纳米线环栅器件及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112151386A

（ 61 ） 一种电容结构及其制备方法和半导体器件, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112018090A

（ 62 ） 高吸收热电堆及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111969098A

（ 63 ） 高吸收纳米结构热电堆及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111964794A

（ 64 ） 高光谱图像传感器的单片集成方法、高光谱图像传感器及成像设备, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111952326A

（ 65 ） 闸阀控制电路、抽真空设备以及真空室, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111927748A

（ 66 ） 半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111900145A

（ 67 ） 半导体结构及制备方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111900164A

（ 68 ） 晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111900118A

（ 69 ） DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111883531A

（ 70 ） 一种半导体清洗设备及半导体清洗设备的紧急排水方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111799196A

（ 71 ） 一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111799331A

（ 72 ） 一种环栅半导体器件及制作方法、电子设备, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111710718A

（ 73 ） 一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111710716A

（ 74 ） 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111710713A

（ 75 ） 一种用于转移晶圆的机器臂, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111660309A

（ 76 ） 厚度测量装置、系统及测量方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111649680A

（ 77 ） 一种半导体机械卡盘的清洗干燥装置和方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111644414A

（ 78 ） DRAM器件及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111653567A

（ 79 ） 氧化钇薄膜的形成方法及系统, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111653477A

（ 80 ） 射频电源的谐波监控系统以及监控方法、半导体设备系统, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111600307A

（ 81 ） 半导体加工设备、沉积钝化层方法及PRAM制作方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111584411A

（ 82 ） 反应腔室泄漏监测方法以及装置、半导体设备系统, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111579172A

（ 83 ） 一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111577913A

（ 84 ） 一种隔离阀及半导体制造装置, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111577915A

（ 85 ） 热电堆及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111540824A

（ 86 ） 半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111446297A

（ 87 ） 一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111430281A

（ 88 ） 一种晶圆传输设备及传输控制方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111430288A

（ 89 ） 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111415902A

（ 90 ） 一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111370308A

（ 91 ） 衬底键合方法、三维集成基板及电路、电子设备和芯片, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111370321A

（ 92 ） 一种热电堆及其制备方法、探测器, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111207828A

（ 93 ） 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111180520A

（ 94 ） 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111180519A

（ 95 ） 一种微纳通孔的制备方法及具有微纳通孔的结构, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111115561A

（ 96 ） 一种STT-MRAM存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111081867A

（ 97 ） 一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111029258A

（ 98 ） 一种钽掩模的制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111009462A

（ 99 ） 一种半导体器件纳米线及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110896027A

（ 100 ） 一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110620033A

（ 101 ） 一种刻蚀方法及系统, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110190020A

（ 102 ） 一种高光谱图像传感器的单片集成方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110190078A

（ 103 ） 一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110174453A

（ 104 ） 纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110164762A

（ 105 ） RRAM存储单元的制备方法及RRAM存储单元, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110165051A

（ 106 ） 三维固态电容器的制造方法、三维固态电容器及电子设备, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110164851A

（ 107 ） 一种红外吸收薄膜结构及制作方法及其电子设备, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110137275A

（ 108 ） 一种红外吸收薄膜及其制备方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110137308A

（ 109 ） 一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110137073A

（ 110 ） 一种微电极及其形成方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110104609A

（ 111 ） 半导体器件和制作方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110061060A

（ 112 ） 半导体器件和制作方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110061060A

（ 113 ） 选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110002393A

（ 114 ） 冷源结构MOS晶体管及其制作方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109920842A

（ 115 ） 一种纳米线围栅器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109904234A

（ 116 ） 纳米线器件的制作方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109830525A

（ 117 ） MOS器件的制作方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109712892A

（ 118 ） 环栅纳米线晶体管及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109599335A

（ 119 ） 半导体器件与其制作方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109545748A

（ 120 ） 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2019, 专利号: CN109473468A

（ 121 ） MRAM及其制造方法及包括MRAM的电子设备, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109461756A

（ 122 ） 包括纳米线的器件与其制作方法, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108878422A

（ 123 ） 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108831926A

（ 124 ） 一种纳米线沟道制作方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108807149A

（ 125 ） 半导体器件与其制作方法, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108807278A

（ 126 ） 一种纳米线的制作方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108807170A

（ 127 ） 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108565218A

（ 128 ） 一种ITO薄膜的图案化方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108520856A

（ 129 ） 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108288647A

（ 130 ） 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108231584A

（ 131 ） 一种刻蚀方法, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105609415B

（ 132 ） 一种刻蚀方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105609415B

（ 133 ） 纳米线结构的制作方法, 专利授权, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107342312A

（ 134 ） 钒的氧化物各向异性刻蚀的方法, 专利授权, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107154331A

（ 135 ） 一种神经电极结构及其制造方法, 专利授权, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105963857A

（ 136 ） 一种高光谱图像传感器的单片集成方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105742306A

（ 137 ） 一种平坦化的方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105719964A

（ 138 ） 一种刻蚀方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105609415A

（ 139 ） 一种硅深孔刻蚀方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105584986A

（ 140 ） 一种MEMS横向刻蚀工艺的监测方法, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105347296A

（ 141 ） 一种反应腔室及半导体加工设备, 发明专利, 2015, 专利号: CN105097401A

（ 142 ） 一种自对准接触孔刻蚀工艺方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104465493A

（ 143 ） 刻蚀沟槽的方法, 发明专利, 2012, 专利号: CN102041508B

（ 144 ） 半导体结构及制造方法, 发明专利, 2009, 专利号: CN100468751C

   

（1） Etching process prediction based on cascade recurrent neural network, Engineering Applications of Artificial Intelligence, 2025, 第 12 作者  通讯作者
（2） Modeling of SiNx Growth by Chemical Vapor Deposition in Nanosheet Indentation, SPIE, 2024, 第 3 作者
（3） Investigation of the Influence of Hardmask Morphology on Bowing Effect in Nano-scale Silicon Plasma Etching Process, SPIE, 2024, 第 2 作者
（4） Study of Precisely Controlled Selective Isotropic quasi-ALE of SiGe, SPIE, 2024, 第 2 作者
（5） First large-scale (68×25×5 nm3) atomistic modeling for accurate and efficient etching process based on machine learning molecular dynamics (MLMD), IEDM 2024, 2024, 第 10 作者  通讯作者
（6） Study of Selective Dry etching Si0.7Ge0.3 with Different Plasma Source in Process of Gate-all-around FET, SPIE, 2024, 
（7） Loading Effect during SiGe/SiStack Selective Isotropic Etching for Gate-All-Around Transistors, ACS applied electronic materials, 2024, 第 4 作者  通讯作者
（8） Modeling of Silicon Nitride Chemical Vapor Deposition in High Aspect Ratio Nano-scale Substrate Features, SPIE, 2024, 
（9） A Two-Step Dry Etching Model for Non-Uniform Etching Profile in Gate-All-Around Field-Effect Transistor Manufacturing, small, 2024, 第 2 作者
（10） Study of Selective Dry Etching Effects of 15-Cycle Si0.7Ge0.3/Si Multilayer Structure in Gate-All-Around Transistor Process, nanomaterials, 2023, 
（11） 面向水平 GAA 内侧墙模块的干法 Si0.7Ge0.3 选择性刻蚀研究, 真　空　科　学　与　技　术　学　报, 2023, 
（12） 环栅晶体管制备中 SiGe 选择性刻蚀技术综述, 材料导报, 2023, 
（13） Ferroelectric Vertical Gate-All-Around Field-Effect-Transistors With High Speed, High Density, and Large Memory Window, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 第 6 作者
（14） Modeling of SiN inner spacer deposition in gate-all-around nanosheet FET process, SPIE, 2022, 第 3 作者
（15） Scallop-shaped p-type FinFETs with improved short-channel effects immunity and driving current, MATERIALSSCIENCEINSEMICONDUCTORPROCESSING, 2022, 第 3 作者
（16） A Novel 3D NOR Flash With Single-Crystal Silicon Channel: Devices, Integration, and Architecture, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 第 3 作者
（17） Growth of high-quality epitaxy of GaAs on Si with engineered Ge buffer using MOCVD, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 9 作者
（18） Quantum Dot With a Diamond-Shaped Channel MOSFET on a Bulk Si Substrate, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 6 作者
（19） Fabrication and selective wet etching of Si0.2Ge0.8/Ge multilayer for Si0.2Ge0.8 channel gate-all-around MOSFETs, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 7 作者
（20） Optimization of Structure and Electrical Characteristics for Four-Layer Vertically-Stacked Horizontal Gate-All-Around Si Nanosheets Devices, NANOMATERIALS, 2021, 第 5 作者
（21） High Performance p-i-n Photodetectors on Ge-on-Insulator Platform, NANOMATERIALS, 2021, 第 8 作者
（22） The Effect of Doping on the Digital Etching of Silicon-Selective Silicon-Germanium Using Nitric Acids, NANOMATERIALS, 2021, 第 14 作者
（23） Optimization of zero-level interlayer dielectric materials for gate-all-around silicon nanowire channel fabrication in a replacement metal gate process, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 4 作者
（24） Investigation of ferroelectric field-effect transistors using a replacement metal gate process, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 4 作者
（25） Influence of Applied Stress on the Ferroelectricity of Thin Zr-Doped HfO2 Films, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 7 作者
（26） Cryogenic Transport Characteristics of P-Type Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs, NANOMATERIALS, 2021, 第 8 作者
（27） Study of selective isotropic etching Si1-xGex in process of nanowire transistors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 1 作者
（28） Strained Si0.2Ge0.8/Ge multilayer Stacks Epitaxially Grown on a Low-/High-Temperature Ge Buffer Layer and Selective Wet-Etching of Germanium, NANOMATERIALS, 2020, 第 6 作者
（29） Selective Digital Etching of Silicon-Germanium Using Nitric and Hydrofluoric Acids, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 6 作者
（30） The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O-2/He Plasmas for Thermopile Devices, MATERIALS, 2020, 第 2 作者
（31） Fabrication of Low Cost and Low Temperature Poly-Silicon Nanowire Sensor Arrays for Monolithic Three-Dimensional Integrated Circuits Applications, NANOMATERIALS, 2020, 第 6 作者
（32） Investigation on the formation technique of SiGe Fin for the high mobility channel FinFET device, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 8 作者
（33） Study of Isotropic and Si-Selective Quasi Atomic Layer Etching of Si1-xGex, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者
（34） Experimental study of the ultrathin oxides on SiGe alloy formed by low-temperature ozone oxidation, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 9 作者
（35） Selective wet etching in fabricating SiGe nanowires with TMAH solution for gate-all-around MOSFETs, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 7 作者
（36） Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors, NANOMATERIALS, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（37） Fabrication technique of the Si0.5Ge0.5 Fin for the high mobility channel FinFET device, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 5 作者
（38） State of the Art and Future Perspectives in Advanced CMOS Technology, NANOMATERIALS, 2020, 第 10 作者
（39） A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm, MATERIALS, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（40） A High-Performance Source-Pocket Tunnel Field-Effect Transistor, 2019 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC), 2019, 第 12 作者
（41） High crystal quality strained Si0.5Ge0.5 layer with a thickness of up to 50 nm grown on the three-layer SiGe strain relaxed buffer, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第 6 作者
（42） Deep silicon etching for thermopile structures using a modified Bosch process, JOURNAL OF MICRO-NANOLITHOGRAPHY MEMS AND MOEMS, 2019, 第 2 作者
（43） FinFET With Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 5 作者
（44） Miniaturization of CMOS, MICROMACHINES, 2019, 第 9 作者
（45） Novel metallization processes for sub-100 nm magnetic tunnel junction devices, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2019, 第 11 作者
（46） 面向5nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究, Release of Stacked Nanowires for 5 nm CMOS Node: An Experimental Study, 真空科学与技术学报, 2018, 第 6 作者
（47） Improving sidewall roughness by combined RIE-Bosch process, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2018, 第 2 作者
（48） Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2018, 第 5 作者
（49） Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 5 作者
（50） In-memory direct processing based on nanoscale perpendicular magnetic tunnel junctions, NANOSCALE, 2018, 第 8 作者
（51） Technical Support Services at the Institute of Physics, SCIENCE, 2018, 第 1 作者  通讯作者
（52） The Challenges of Advanced CMOS Process from 2D to 3D, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2017, 第 5 作者
（53） The Challenges of Advanced CMOS Process from 2D to 3D, APPLIED SCIENCES, 2017, 第 5 作者
（54） Fabricating metal structures with taper angles and smooth sidewalls, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2017, 第 2 作者  通讯作者
（55） A Novel Nanofabrication Technique of Silicon-Based Nanostructures, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 第 4 作者
（56） Gate patterning in 14 nm and beyond nodes: from planar devices to three dimensional Finfet devicesLingkuan, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 第 5 作者
（57） Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs, ECS TRANSACTIONS, 2016, 第 7 作者
（58） FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin, 2016 IEEE International Electron Devices Meeting: IEDM 2016, San Francisco, California, USA, 3-7 December 2016, pages 452-929, v.2, 2016, 第 11 作者
（59） Gate patterning in 14 nm and beyond nodes: from planar devices to three dimensional Finfet devices, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 第 5 作者
（60） Damage free removal of nano-particles with DUAL-FLUID spray nozzle cleaning, 2016, 第 3 作者
（61） Atomic layer deposition assisted pattern transfer technology for ultra-thin block copolymer films, THIN SOLID FILMS, 2016, 第 4 作者
（62） Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 17 作者
（63） 单型掺杂柱电极的3D硅像素探测器的器件与制造工艺研究, 半导体光电, 2015, 第 4 作者
（64） CMOS-Compatible Top-Down Fabrication of Periodic SiO2 Nanostructures using a Single Mask, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2015, 第 4 作者
（65） A straightforward and CMOS-compatible nanofabrication technique of periodic SiO2 nanohole arrays, NANOTECHNOLOGY, 2015, 第 4 作者
（66） Mitigation of reverse short channel effect with multilayer TiN Ti TiN metal gates in gate last Pmosfets, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 22 作者
（67） Transistor gate line roughness formation and reduction in sub-30-nm gate patterning using multilayer hard mask structure, JOURNAL OF MICRO-NANOLITHOGRAPHY MEMS AND MOEMS, 2014, 第 4 作者

（1） 半导体干法刻蚀技术, 机械工业出版社, 2024-01, 第 4 作者

已指导学生

刘恩序  硕士研究生  085400-电子信息  

杨超然  硕士研究生  085400-电子信息  

现指导学生

夏龙锐  硕士研究生  085400-电子信息  

唐世杰  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学