基本信息
刘利宁 女 中国科学院半导体研究所
电子邮件： lnliu@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：
电子邮件： lnliu@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
080901-物理电子学
招生方向
半导体光电探测器
半导体集成光电子器件
半导体集成光电子器件
教育背景
2013-09--2017-08 香港大学 博士
2010-09--2013-06 华南理工大学 硕士
2006-09--2010-07 华南理工大学 学士
2010-09--2013-06 华南理工大学 硕士
2006-09--2010-07 华南理工大学 学士
工作经历
工作简历
2023-05~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2017-11~2021-11,美国西北大学, 博士后
2013-09~2017-08,香港大学, 博士
2010-09~2013-06,华南理工大学, 硕士
2006-09~2010-07,华南理工大学, 学士
2017-11~2021-11,美国西北大学, 博士后
2013-09~2017-08,香港大学, 博士
2010-09~2013-06,华南理工大学, 硕士
2006-09~2010-07,华南理工大学, 学士
出版信息
发表论文
（1） Beta-Ga2O3 Air-Channel Field-Emission Nanodiode with Ultrahigh Current Density and Low Turn-On Voltage, Nano Letters, 2024, 第 3 作者 通讯作者
（2） Low frequency noise in Beta-Ga2O3 based nanoelectronic devices, Applied Physics Letters, 2023, 第 1 作者
（3） Antimonide-based high operating temperature infrared photodetectors and focal plane arrays: a review and outlook, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2023, 第 3 作者 通讯作者
（4） Toward sub-micron pixels for short-wave infrared imaging, Semiconductor Science and Technology, 2022, 第 4 作者
（5） Strategy for Addressing the Low Quantum Efficiency of Nanowire Photodetectors, ACS Photonics, 2022, 第 4 作者
（6） Single beta-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si, Applied Physics Letters, 2022, 第 1 作者
（7） Transparent dual-band ultraviolet photodetector based on graphene/p-GaN/AlGaN heterojunction, Optics Express, 2022, 第 4 作者 通讯作者
（8） Highly sensitive SWIR detector array based on nanoscale phototransistors integrated on CMOS readout, Applied Physics Letters, 2020, 第 1 作者
（9） Surface Passivation Using Lanthanide Oxynitrides for GaAs Metal-Oxide-Semiconductor Applications, IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 第 1 作者
（10） Advances in La-Based High-k Dielectrics for MOS Applications, Coatings, 2019, 第 1 作者
（11） GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor with Nd-based high-k Oxynitrides as gate dielectric and passivation layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 第 1 作者
（12） Improved electrical properties and reliability of GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor by using LaAlON passivation layer, Physica Status Solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 2017, 第 1 作者
（13） High-performance GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor by using NbAlON as high-k gate dielectric, Applied Physics Letters, 2017, 第 1 作者
（14） Effects of Y incorporation in TaON gate dielectric on electrical performance of GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor, Physica Status Solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 2016, 第 1 作者
（15） Passivation of oxide traps and interface states in GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor by LaTaON passivation layer and fluorine incorporation, Applied Physics Letters, 2015, 第 1 作者
（16） Passivation of oxide traps in gallium arsenide (semiconductor) metal-oxide-semiconductor capacitor with high-k dielectric by using fluorine incorporation, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2015, 第 1 作者
（2） Low frequency noise in Beta-Ga2O3 based nanoelectronic devices, Applied Physics Letters, 2023, 第 1 作者
（3） Antimonide-based high operating temperature infrared photodetectors and focal plane arrays: a review and outlook, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2023, 第 3 作者 通讯作者
（4） Toward sub-micron pixels for short-wave infrared imaging, Semiconductor Science and Technology, 2022, 第 4 作者
（5） Strategy for Addressing the Low Quantum Efficiency of Nanowire Photodetectors, ACS Photonics, 2022, 第 4 作者
（6） Single beta-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si, Applied Physics Letters, 2022, 第 1 作者
（7） Transparent dual-band ultraviolet photodetector based on graphene/p-GaN/AlGaN heterojunction, Optics Express, 2022, 第 4 作者 通讯作者
（8） Highly sensitive SWIR detector array based on nanoscale phototransistors integrated on CMOS readout, Applied Physics Letters, 2020, 第 1 作者
（9） Surface Passivation Using Lanthanide Oxynitrides for GaAs Metal-Oxide-Semiconductor Applications, IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 第 1 作者
（10） Advances in La-Based High-k Dielectrics for MOS Applications, Coatings, 2019, 第 1 作者
（11） GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor with Nd-based high-k Oxynitrides as gate dielectric and passivation layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 第 1 作者
（12） Improved electrical properties and reliability of GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor by using LaAlON passivation layer, Physica Status Solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 2017, 第 1 作者
（13） High-performance GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor by using NbAlON as high-k gate dielectric, Applied Physics Letters, 2017, 第 1 作者
（14） Effects of Y incorporation in TaON gate dielectric on electrical performance of GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor, Physica Status Solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 2016, 第 1 作者
（15） Passivation of oxide traps and interface states in GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor by LaTaON passivation layer and fluorine incorporation, Applied Physics Letters, 2015, 第 1 作者
（16） Passivation of oxide traps in gallium arsenide (semiconductor) metal-oxide-semiconductor capacitor with high-k dielectric by using fluorine incorporation, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2015, 第 1 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） XXXXX红外成像工艺研究, 负责人, 其他, 2023-07--2025-10
（ 2 ） 趋于单光子探测的高增益、低功耗InGaAs异质结光电晶体管基础研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
（ 2 ） 趋于单光子探测的高增益、低功耗InGaAs异质结光电晶体管基础研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12