080903-微电子学与固体电子学

纳米场效应晶体管，集成工艺，可靠性

2014-05--2020-06   美国加州大学洛杉矶分校   博士
2012-09--2014-04   美国加州大学洛杉矶分校   硕士
2010-09--2012-06   英国格拉斯哥大学   一等荣誉学士
2008-09--2012-06   天津大学   学士

   

2014-05~2020-06,美国加州大学洛杉矶分校, 博士
2012-09~2014-04,美国加州大学洛杉矶分校, 硕士
2010-09~2012-06,英国格拉斯哥大学, 一等荣誉学士
2008-09~2012-06,天津大学, 学士

   

（1） 中国科学院青年创新促进会会员, 院级, 2023

   

（1） Texture Exposure of Unconventional (101)Zn Facet: Enabling Dendrite-Free Zn Deposition on Metallic Zinc Anodes, Advanced Energy Materials, 2024, 第 5 作者
（2） The Drain Bias Modulation Effect of Random Telegraph Noise in Gate-All-Around FETs for Cryogenic Applications, IEEE Electron Device Letters, 2024, 第 2 作者
（3） Wood-Like Low-Tortuosity Thick Electrode for Micro-Redoxcapacitor with Ultrahigh Areal Energy Density and Steady Power Output, Advanced Functional Materials, 2024, 第 3 作者
（4） High Temperature and Total Ionization Dose Synergetic Effect of Top-Gate CNT FET, IEEE NSREC, 2024, 第 2 作者
（5） Enhancement of Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Properties by Proton Irradiation, IEEE NSREC, 2024, 第 2 作者
（6） High-Voltage ESD Protection Devices With High Robustness of 13 kV and Strong Radiation Tolerance up to 200 krad(Si), IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 第 3 作者
（7） Heavy Ion Displacement Damage Effect in Carbon Nanotube Field Effect Transistors, ACS Applied Materials & Interfaces, 2023, 第 1 作者
（8） Ultra-high Energy Heavy Ion Irradiation Effects on Carbon Nanotubes, IEEE NSREC, 2023, 第 2 作者
（9） Ultra-strong comprehensive radiation effect tolerance in carbon nanotube electronics, Small, 2022, 第 2 作者
（10） Source/Drain Extension Doping Engineering for Variability Suppression and Performance Enhancement in 3-nm Node FinFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 第 1 作者

   

（ 1 ） 高能重离子诱发碳纳米管重构效应机理研究, 负责人, 国家任务, 2024-01--2027-12
（ 2 ） 高能离子辐照损伤机理及其在宇航元器件和核能材料中的应用, 负责人, 国家任务, 2023-11--2028-11
（ 3 ） 面向极端环境的可操控全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2024-12