基本信息

陆芃 男 中国科学院微电子研究所
电子邮件: lupeng@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号,中国科学院微电子研究所
邮政编码:
电子邮件: lupeng@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号,中国科学院微电子研究所
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
纳米场效应晶体管,集成工艺,可靠性
教育背景
2014-05--2020-06 美国加州大学洛杉矶分校 博士2012-09--2014-04 美国加州大学洛杉矶分校 硕士2010-09--2012-06 英国格拉斯哥大学 一等荣誉学士2008-09--2012-06 天津大学 学士
工作经历
工作简历
2014-05~2020-06,美国加州大学洛杉矶分校, 博士2012-09~2014-04,美国加州大学洛杉矶分校, 硕士2010-09~2012-06,英国格拉斯哥大学, 一等荣誉学士2008-09~2012-06,天津大学, 学士
专利与奖励
奖励信息
(1) 中国科学院青年创新促进会会员, 院级, 2023
出版信息
发表论文
(1) Silicon-Controlled Rectifier With Adjustable Holding Voltage and Strong Radiation Tolerance for ESD Protection, IEEE Transactions on Electron Devices, 2025, 第 3 作者 通讯作者(2) Electrostatic Discharge and Failure Model of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, 2025, 第 7 作者 通讯作者(3) Low-Thermal-Budget Construction of Carbon Nanotube p-FET on Silicon n-FET toward 3D CMOS FET Circuits with High Noise Margins and Ultra-Low Power Consumption, Advanced Functional Materials, 2025, 第 11 作者 通讯作者(4) Single event effects in carbon nanotube electronics, Nano Research, 2025, 第 8 作者 通讯作者(5) Quantification and Mechanism Analysis of Total-Ionizing-Dose Effect in Top-Gate CNT FETs, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2025, 第 2 作者 通讯作者(6) Investigation and Improvement of the Bias Temperature Instability in Carbon Nanotube Transistors, ACS Applied Electronic Materials, 2024, 第 2 作者(7) Texture Exposure of Unconventional (101)Zn Facet: Enabling Dendrite-Free Zn Deposition on Metallic Zinc Anodes, Advanced Energy Materials, 2024, 第 5 作者(8) The Drain Bias Modulation Effect of Random Telegraph Noise in Gate-All-Around FETs for Cryogenic Applications, IEEE Electron Device Letters, 2024, 第 2 作者 通讯作者(9) Wood-Like Low-Tortuosity Thick Electrode for Micro-Redoxcapacitor with Ultrahigh Areal Energy Density and Steady Power Output, Advanced Functional Materials, 2024, 第 3 作者(10) High Temperature and Total Ionization Dose Synergetic Effect of Top-Gate CNT FET, IEEE NSREC, 2024, 第 2 作者 通讯作者(11) Enhancement of Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Properties by Proton Irradiation, IEEE NSREC, 2024, 第 2 作者 通讯作者(12) High-Voltage ESD Protection Devices With High Robustness of 13 kV and Strong Radiation Tolerance up to 200 krad(Si), IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 第 3 作者(13) Heavy Ion Displacement Damage Effect in Carbon Nanotube Field Effect Transistors, ACS Applied Materials & Interfaces, 2023, 第 1 作者(14) Ultra-high Energy Heavy Ion Irradiation Effects on Carbon Nanotubes, IEEE NSREC, 2023, 第 2 作者(15) Ultra-strong comprehensive radiation effect tolerance in carbon nanotube electronics, Small, 2022, 第 2 作者(16) Source/Drain Extension Doping Engineering for Variability Suppression and Performance Enhancement in 3-nm Node FinFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) COTS器件辐射损伤与电热损伤的同源性理论与应用研究, 负责人, 中国科学院计划, 2024-12--2029-11( 2 ) 高能重离子诱发碳纳米管重构效应机理研究, 负责人, 国家任务, 2024-01--2027-12( 3 ) 高能离子辐照损伤机理及其在宇航元器件和核能材料中的应用, 负责人, 国家任务, 2023-11--2028-11( 4 ) 面向极端环境的可操控全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2024-12