140100-集成电路科学与工程

薄膜生长与设备，功能材料与器件，传感器技术及器件
薄膜生长与设备，功能材料与器件，传感器技术及器件

2008-08--2011-06   北京有色金属研究总院   研究生/博士
2005-09--2008-04   北京航空航天大学   研究生/硕士
2001-09--2005-07   青岛科技大学   本科/学士学位

   

2021-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 正高级工程师
2019-01~2021-09,川北真空科技(北京)有限公司, 研究院副院长/真空规研究中心负责人
2018-07~2018-12,汉能控股集团, 高级经理
2014-04~2018-06,北京阿普徕德新材料科技有限公司, 总经理
2011-07~2014-04,北京有色金属研究总院, 研发室负责人

   

（ 1 ） 一种真空规, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN202211006678.1

（ 2 ） 一种传感器用微小电流信号传输连接器, 实用新型, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN202021438379.1

（ 3 ） 一种真空规的捕集装置, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN202010140678.5

（ 4 ） 陶瓷电极及具有该陶瓷电极的薄膜传感器, 实用新型, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN202020248547.4

（ 5 ） 一种具有防沉积结构的薄膜传感器, 实用新型, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN202020256592.4

（ 6 ） 一种具有防沉积结构的薄膜传感器, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN202010140008.3

（ 7 ） 一种真空规阻挡机构和真空规系统, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: 202410621862.X

（ 8 ） 一种抑制沉积管及压力检测装置, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: 202210732135.1

（ 9 ） 压电式绝压真空计, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 202410309543.5

（ 10 ） 一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块及薄膜式真空规, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 202410245281.0

（ 11 ） 一种抑制沉积结构件及真空规, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: 2022116932176

（ 12 ） 散热结构及电容压力传感器, 发明专利, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111174966A

（ 13 ） 真空压力计响应时间测量装置, 发明专利, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN111044218A

（ 14 ） 电容式压力检测装置及传感器, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111122020A

（ 15 ） 一种检测膜片式真空压力计沉积物的装置及其应用, 发明专利, 2020, 第 10 作者, 专利号: CN111141813A

（ 16 ） 差分电容式压力检测装置, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111141424A

（ 17 ） 真空压力计响应时间测量装置及方法, 发明专利, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN111044219A

（ 18 ） 环形支撑结构及应用其的陶瓷电容式压力传感器, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110987281A

（ 19 ） 一种防沉积匀气环, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110987282A

（ 20 ） 一种薄膜真空计, 实用新型, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN210603717U

（ 21 ） 压差探测集成块, 实用新型, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN210464772U

（ 22 ） 压差探测集成块及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110567636A

（ 23 ） 导气垫圈及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110411613A

（ 24 ） 导气垫圈, 实用新型, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN210322097U

   

（1） Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La2Hf2O7 high-k gate dielectric films, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2013, 第 5 作者
（2） Epitaxial growth and characterization of Gd2O3-doped HfO2 film on Ge (001) substrates with zero interface layer, JOURNAL OF RARE EARTHS, 2013, 第 1 作者
（3） Ni／Zr—Co—Re堆栈层薄膜吸气剂的吸气性能及Ni作用机理研究, Gas absorption property and mechanism of Ni of the stack Ni/Zr-Co-Re getter film, 功能材料, 2013, 第 3 作者
（4） ZrCoRE薄膜的结构调控与吸气性能研究, Structure Modification and Sorption Characteristics of ZrCoRE Getter Films, RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2013, 第 4 作者
（5） Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La2Hf2O7 high-k gate dielectric films, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2013, 第 5 作者
（6） Epitaxial growth and characterization of Gd2O3-doped HfO2 film on Ge (001) substrates with zero interface layer, JOURNAL OF RARE EARTHS, 2013, 第 1 作者
（7） Ni／Zr—Co—Re堆栈层薄膜吸气剂的吸气性能及Ni作用机理研究, Gas absorption property and mechanism of Ni of the stack Ni/Zr-Co-Re getter film, 功能材料, 2013, 第 3 作者
（8） ZrCoRE薄膜的结构调控与吸气性能研究, Structure Modification and Sorption Characteristics of ZrCoRE Getter Films, RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2013, 第 4 作者
（9） Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析, Fabrication and Electronic Characterization of Epitaxial Gd_2O_3-Doped HfO_2 Dielectrics on Ge Substrates, 稀有金属, 2012, 第 1 作者
（10） Atomic configuration of the interface between epitaxial Gd doped HfO2 high k thin films and Ge (001) substrates, JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS, 2012, 第 1 作者
（11） Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析, Fabrication and Electronic Characterization of Epitaxial Gd_2O_3-Doped HfO_2 Dielectrics on Ge Substrates, 稀有金属, 2012, 第 1 作者
（12） Atomic configuration of the interface between epitaxial Gd doped HfO2 high k thin films and Ge (001) substrates, JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS, 2012, 第 1 作者
（13） Band structure and electronic characteristics of cubic La2O3 gate dielectrics epitaxially grown on InP substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 1 作者
（14） Fabrication and properties of Gd2O3-doped HfO2 high k film by Co-sputtering, RARE METALS, 2011, 第 2 作者
（15） Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
（16） Band structure and electronic characteristics of cubic La2O3 gate dielectrics epitaxially grown on InP substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 1 作者
（17） Fabrication and properties of Gd2O3-doped HfO2 high k film by Co-sputtering, RARE METALS, 2011, 第 2 作者
（18） Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
（19） Hetero-epitaxial growth of the cubic single crystalline HfO 2 film as high k materials by pulsed laser ablation, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2010, 第 1 作者
（20） Hetero-epitaxial growth of the cubic single crystalline HfO 2 film as high k materials by pulsed laser ablation, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2010, 第 1 作者
（21） 纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池, - Preparation of nc-Si : H film and HIT solar cell, 功能材料, 2007, 第 1 作者
（22） 纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池, - Preparation of nc-Si : H film and HIT solar cell, 功能材料, 2007, 第 1 作者

   

（ 1 ） 深硅刻蚀用薄膜规的研发, 参与, 国家任务, 2024-01--2025-12
（ 2 ） 10torr大量程高温高精度薄膜真空规, 负责人, 国家任务, 2023-06--2025-06
（ 3 ） 大尺寸超高真空分子束外延技术与装备, 负责人, 国家任务, 2022-12--2025-12
（ 4 ） 电容式真空规的研发及产业化, 负责人, 国家任务, 2022-12--2024-11
（ 5 ） 叠层微储能器件研究, 负责人, 国家任务, 2022-07--2024-06
（ 6 ） PECVD薄膜真空规的研发, 参与, 国家任务, 2022-01--2024-12

现指导学生

张鹏阳  硕士研究生  085400-电子信息  

林木勇  硕士研究生  085400-电子信息  

孟雨霏  硕士研究生  085403-集成电路工程