基本信息
张心强  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: zhangxinqiang@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
085400-电子信息
招生方向
薄膜生长与设备
功能材料与器件
真空测量技术及器件

教育背景

2008-08--2011-06   北京有色金属研究总院   研究生/博士
2005-09--2008-04   北京航空航天大学   研究生/硕士
2001-09--2005-07   青岛科技大学   本科/学士学位

工作经历

   
工作简历
2021-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 正高级工程师
2019-01~2021-09,川北真空科技(北京)有限公司, 研究院副院长/真空规研究中心负责人
2018-07~2018-12,汉能控股集团, 高级经理
2014-04~2018-06,北京阿普徕德新材料科技有限公司, 总经理
2011-07~2014-04,北京有色金属研究总院, 研发室负责人
2008-08~2011-06,北京有色金属研究总院, 研究生/博士
2005-09~2008-04,北京航空航天大学, 研究生/硕士
2001-09~2005-07,青岛科技大学, 本科/学士学位

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种吸气/离子复合一体泵, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112901448A

( 2 ) 一种非蒸散型低温激活高温吸气合金及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112095035A

( 3 ) 用于清洗薄膜式真空规沉积物清除装置的清洗设备, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN212069751U

( 4 ) 一种具有防沉积结构的薄膜传感器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN211838489U

( 5 ) 真空规的捕集装置, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN211837044U

( 6 ) 陶瓷电极及具有该陶瓷电极的薄膜传感器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN211401537U

( 7 ) 用于清洗薄膜式真空规沉积物清除装置的清洗设备及方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111389815A

( 8 ) 陶瓷电极、具有其的薄膜传感器及该陶瓷电极的制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111220320A

( 9 ) 一种薄膜真空计, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN210603717U

( 10 ) 一种检测膜片式真空压力计沉积物的装置及其应用, 2020, 第 10 作者, 专利号: CN111141813A

( 11 ) 差分电容式压力检测装置, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111141424A

( 12 ) 电容式压力检测装置及传感器, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111122020A

( 13 ) 压差探测集成块, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN210464772U

( 14 ) 真空压力计响应时间测量装置, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN111044218A

( 15 ) 真空压力计响应时间测量装置及方法, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN111044219A

( 16 ) 导气垫圈, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN210322097U

( 17 ) 环形支撑结构及应用其的陶瓷电容式压力传感器, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110987281A

( 18 ) 压差探测集成块及其制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110567636A

( 19 ) 导气垫圈及其制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110411613A

( 20 ) 一种内加热型吸气剂元件和大抽速吸气剂泵, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN104728075B

( 21 ) 一种非蒸散型低温激活钛基吸气剂合金及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104745865A

( 22 ) 一种钛基吸气剂的制备工艺, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104745864A

( 23 ) 一种内加热型吸气剂元件和大抽速吸气剂泵, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104728075A

( 24 ) 带有保护层的Zr-Co-Re薄膜吸气剂及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103849835A

( 25 ) 一种InP/高κ栅介质堆栈结构及其制备方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103839984A

( 26 ) 一种高吸气性能薄膜吸气剂及制备方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103182297A

( 27 ) 一种单晶高k栅介质材料及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102732954A

( 28 ) 一种单晶高K栅介质材料及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102456725A

出版信息

   
发表论文
(1) Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La2Hf2O7 high-k gate dielectric films, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2013, 第 5 作者
(2) Epitaxial growth and characterization of Gd2O3-doped HfO2 film on Ge (001) substrates with zero interface layer, JOURNAL OF RARE EARTHS, 2013, 第 1 作者
(3) Ni/Zr—Co—Re堆栈层薄膜吸气剂的吸气性能及Ni作用机理研究, Gas absorption property and mechanism of Ni of the stack Ni/Zr-Co-Re getter film, 功能材料, 2013, 第 3 作者
(4) ZrCoRE薄膜的结构调控与吸气性能研究, Structure Modification and Sorption Characteristics of ZrCoRE Getter Films, RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2013, 第 4 作者
(5) Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La2Hf2O7 high-k gate dielectric films, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2013, 第 5 作者
(6) Epitaxial growth and characterization of Gd2O3-doped HfO2 film on Ge (001) substrates with zero interface layer, JOURNAL OF RARE EARTHS, 2013, 第 1 作者
(7) Ni/Zr—Co—Re堆栈层薄膜吸气剂的吸气性能及Ni作用机理研究, Gas absorption property and mechanism of Ni of the stack Ni/Zr-Co-Re getter film, 功能材料, 2013, 第 3 作者
(8) ZrCoRE薄膜的结构调控与吸气性能研究, Structure Modification and Sorption Characteristics of ZrCoRE Getter Films, RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2013, 第 4 作者
(9) Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析, Fabrication and Electronic Characterization of Epitaxial Gd_2O_3-Doped HfO_2 Dielectrics on Ge Substrates, 稀有金属, 2012, 第 1 作者
(10) Atomic configuration of the interface between epitaxial Gd doped HfO2 high k thin films and Ge (001) substrates, JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS, 2012, 第 1 作者
(11) Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析, Fabrication and Electronic Characterization of Epitaxial Gd_2O_3-Doped HfO_2 Dielectrics on Ge Substrates, 稀有金属, 2012, 第 1 作者
(12) Atomic configuration of the interface between epitaxial Gd doped HfO2 high k thin films and Ge (001) substrates, JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS, 2012, 第 1 作者
(13) Band structure and electronic characteristics of cubic La2O3 gate dielectrics epitaxially grown on InP substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 1 作者
(14) Fabrication and properties of Gd2O3-doped HfO2 high k film by Co-sputtering, RARE METALS, 2011, 第 2 作者
(15) Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
(16) Band structure and electronic characteristics of cubic La2O3 gate dielectrics epitaxially grown on InP substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 1 作者
(17) Fabrication and properties of Gd2O3-doped HfO2 high k film by Co-sputtering, RARE METALS, 2011, 第 2 作者
(18) Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
(19) Hetero-epitaxial growth of the cubic single crystalline HfO 2 film as high k materials by pulsed laser ablation, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2010, 第 1 作者
(20) Hetero-epitaxial growth of the cubic single crystalline HfO 2 film as high k materials by pulsed laser ablation, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2010, 第 1 作者
(21) 纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池, - Preparation of nc-Si : H film and HIT solar cell, 功能材料, 2007, 第 1 作者
(22) 纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池, - Preparation of nc-Si : H film and HIT solar cell, 功能材料, 2007, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 大尺寸超高真空分子束外延技术与装备, 负责人, 国家任务, 2022-12--2025-12
( 2 ) 叠层微储能器件研究, 负责人, 国家任务, 2022-07--2024-06
( 3 ) 电容式真空规的研发及产业化, 负责人, 国家任务, 2022-12--2024-11