从事InP基HEMT器件的研究开发工作，具有丰富的器件工艺开发经验和扎实的器件物理理论基础。目前的主要研究方向是提高HEMT器件性能，减小器件噪声系数，提高高频特性等。

招收对InP基器件物理、器件工艺、器件模型、器件数学仿真等方面有浓厚兴趣的硕士研究生。

080903-微电子学与固体电子学

InP器件研究，InP电路研究
二维材料器件与集成研究

2005-09--2010-07   曼彻斯特大学   博士学历
2000-09--2003-07   北京大学物理学院   理学硕士学位
1996-09--2000-07   北京大学物理学院   学士学位

2012年加入中国科学院微电子研究所高频高压中心InP化合物半导体课题组至今。现任高级工程师（副研），硕士导师，中心器件物理表征测试平台负责人。

2012-05~2023-03,中科院微电子研究所, 高级工程师（副研）