140100-集成电路科学与工程

新型微电子器件与材料的微观结构分析

2008-09--2013-01   中国科学院物理研究所   博士
2005-09--2008-07   中国科学院新疆理化技术研究所   硕士
2000-09--2004-07   浙江大学   学士

   

2017-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2013-02~2017-01,北京有色金属研究总院, 工程师/高级工程师
2008-09~2013-01,中国科学院物理研究所, 博士
2005-09~2008-07,中国科学院新疆理化技术研究所, 硕士
2000-09~2004-07,浙江大学, 学士

   

（1） HfO2-based Junctionless FeFET Array on FDSOI Platform for NAND Memory Applications, Electron Device Letters, 2023, 第 2 作者
（2） Stress Effects of Interconnecting Metals on Back-End-of-Line Compatible Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Capacitors, Electron Device Letters, 2023, 第 2 作者
（3） A stable rhombohedral phase in ferroelectric Hf(Zr)1+xO2 capacitor with ultralow coercive field, Science, 2023, 第 6 作者
（4） Precrystallization Engineering of Hf0.5Zr0.5O2 Film in Back-End-of-Line Compatible Ferroelectric Device for Enhanced Remnant Polarization and Endurance, Electron Device Letters, 2023, 第 2 作者
（5） Flexible Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric thin films on polyimide with improved ferroelectricity and high flexibility., Nano Research, 2021, 第 2 作者
（6） Robust Breakdown Reliability and Improved Endurance in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Using Grain Boundary Interruption., IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 第 2 作者
（7） In situ electron holography for characterizing Li ion accumulation in the interface between electrode and solid-state-electrolyte, Journal of Materials Chemistry A, 2021, 第 1 作者
（8） Improved multi-bit storage reliablity by design of ferroelectric modulated anti-ferroelectric memory,, IEEE International Electron Devices Meeting, 2021, 第 2 作者
（9） In Situ TEM Observation of Resistance Switching in Titanate Based Device, Scientific Reports, 2014, 第 1 作者
（10） Electron holography characterization as a method for measurements of diameter and mean inner potential of hollow nanomaterials, Nano Scale, 2012, 第 1 作者

   

（ 1 ） 十三五科教基础设施项目 “下一代集成电路技术与器件研发测试平台——7nm及以下集成电路先导技术创新平台”, 参与, 其他, 2019-12--2025-12