基本信息
王磊  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: wangle@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体材料与器件
材料与器件可靠性
低维半导体材料与器件

教育背景

2007-09--2012-07   北京大学   研究生理学博士学位
2003-09--2007-07   南开大学   本科学士学位

工作经历

   
工作简历
2020-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2017-07~2020-07,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2012-07~2017-03,京东方科技集团股份有限公司, 高级研究员
2007-09~2012-07,北京大学, 研究生理学博士学位
2003-09~2007-07,南开大学, 本科学士学位

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 二零二二年度微电子研究所“先进工作者”, 特等奖, 研究所(学校), 2022
专利成果
( 1 ) 一种自动校验数据的SRAM安全存储系统及其方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112908394A

( 2 ) 一种非对称SRAM存储单元和SRAM存储器, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112802510A

( 3 ) 一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112802509A

( 4 ) 一种单光子光源的制备方法及元器件, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109713094A

( 5 ) 一种可检真空度的真空玻璃及系统, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109665725A

出版信息

   
发表论文
(1) Investigation on performance degradation mechanism of GaN p–i–n diode under proton irradiation, Applied Physics Letters, 2023, 
(2) Evolution and Mechanism of P-GaN Films Under Proton Irradiation and Its Influence on Electronic Device, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 
(3) Engineering and Microscopic Mechanism of Quantum Emitters Induced by Heavy Ions in hBN, ACS PHOTONICS, 2021, 
(4) Mechanism Analysis of Proton Irradiation-Induced Increase of 3-dB Bandwidth of GaN-Based Microlight-Emitting Diodes for Space Light Communication, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 
(5) Comparison of X-Ray and Proton Irradiation Effects on the Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Light-Emitting Diodes, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 
(6) X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管的影响, Influence of X-Ray and Heavy Ion Radiation on Properties of GaN-Based LEDs, 微处理机, 2019, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于石墨烯微尖场发射纳米真空管的hBN单光子源, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12