080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学

相变存储器
阈值转变机理
新型非易失性存储器

2009-09--2015-10   上海大学   博士
2005-09--2009-06   武汉科技大学   学士

   

2017-11~2023-06,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员
2015-10~2017-10,中国工程物理研究院北京计算科学研究中心, 博士后
2009-09~2015-10,上海大学, 博士
2005-09~2009-06,武汉科技大学, 学士

   

（1） 2019年中国材料研究学会科学技术奖, 一等奖, 省级, 2019

（ 1 ） 相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN109935688B

（ 2 ） 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112397644A

（ 3 ） 一种石墨烯-相变材料结构、存储器单元及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111725396A

（ 4 ） 一种相变材料结构、存储器单元及其制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111725397A

（ 5 ） 一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202010058952.4

   

（1） Fabrication of stable multi-level resistance states in a Nb-doped Ge2Sb2Te5 device, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2023, 第 3 作者
（2） Toward the Speed Limit of Phase Change Memory, Advanced Materials, 2023, 第 2 作者
（3） Minimizing the Programming Power of Phase Change Memory by Using Graphene Nanoribbon Edge���Contact, ADVANCED SCIENCE, 2022, 第 13 作者
（4） Study of Er-Sb and Er-Te parental alloys used in phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2022, 第 11 作者
（5） Designing artificial carbon clusters using Ge2Sb2Te5/C superlattice-like structure for phase change applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 2 作者
（6） Phase-change memory based on matched Ge-Te, Sb-Te, and In-Te octahedrons: Improved electrical performances and robust thermal stability, INFOMAT, 2021, 第 3 作者
（7） Observing the spontaneous formation of a sub-critical nucleus in a phase-change amorphous material from ab initio molecular dynamics, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 11 作者
（8） High performance of Er-doped Sb2Te material used in phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 11 作者
（9） Rules of hierarchical melt and coordinate bond to design crystallization in doped phase change materials, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 第 11 作者
（10） Improving the performance of phase-change memory by grain refinement, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 11 作者
（11） Phase change memory based on Ta���Sb���Te alloy ���Towards a universal memory, MATERIALS TODAY PHYSICS, 2020, 第 5 作者
（12） Microscopic Mechanism of Carbon-Dopant Manipulating Device Performance in CGeSbTe-Based Phase Change Random Access Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 11 作者
（13） The effect of thickness on texture of Ge2Sb2Te5 phase-change films, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 8 作者
（14） Direct atomic insight into the role of dopants in phase-change materials, NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 第 2 作者
（15） Electrical switching properties and structural characteristics of GeSe-GeTe films, NANOSCALE, 2019, 第 11 作者
（16） Sc-Centered Octahedron Enables High-Speed Phase Change Memory with Improved Data Retention and Reduced Power Consumption, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 8 作者

   

（ 1 ） 三维相变存储芯片关键材料的AI筛选及实验验证, 负责人, 国家任务, 2023-03--2027-02
（ 2 ） Bi2X3基超晶格相变材料与器件及其低功耗高速阈值转变机理, 参与, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 3 ） 碳掺杂锗锑碲相变存储材料非晶形核、晶粒细化及低功耗的机理研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 4 ） 新型存储的物理机理研究, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
（ 5 ） 新一代高速低功耗嵌入式相变存储芯片, 参与, 地方任务, 2020-01--2024-12
（ 6 ） 相变材料与阈值转变开关材料优选及其阈值转变机理研究, 参与, 国家任务, 2019-01--2022-12