070205-凝聚态物理
080903-微电子学与固体电子学

低维半导体光电特性

1999-09--2005-03   中国科学院上海技术物理研究所   博士
1995-09--1999-07   厦门大学   学士

   

2011-10~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 高级工程师
2005-03~2011-10,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员
1999-09~2005-03,中国科学院上海技术物理研究所, 博士
1995-09~1999-07,厦门大学, 学士

   

（1） High-performance ReS2 photodetectors enhanced by a ferroelectric field and strain field, RSC ADVANCES, 2022, 通讯作者
（2） Interface engineering of ferroelectric-gated MoS2 phototransistor, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2021, 通讯作者
（3） MoTe2 p-n Homojunctions Defined by Ferroelectric Polarization, ADVANCED MATERIALS, 2020, 第 8 作者
（4） Programmable transition metal dichalcogenide homojunctions controlled by nonvolatile ferroelectric domains, NATURE ELECTRONICS, 2020, 其他（合作组作者）
（5） Multifunctional MoS2 Transistors with Electrolyte Gel Gating, SMALL, 2020, 第 8 作者
（6） Ultrasensitive Hybrid MoS2-ZnCdSe Quantum Dot Photodetectors with High Gain, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 通讯作者
（7） A gate-free MoS2 phototransistor assisted by ferroelectrics, A gate-free MoS2 phototransistor assisted by ferroelectrics, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2019, 第 5 作者
（8） The ambipolar evolution of a high-erformance wse2 transistor assisted by a ferroelectric polymer, NANOTECHNOLOGY, 2018, 通讯作者
（9） A ferroelectric relaxor polymer-enhanced p-type WSe2 transistor, NANOSCALE, 2018, 第 5 作者
（10） Two-dimensional negative capacitance transistor with polyvinylidene fluoride-based ferroelectric polymer gating, NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS, 2017, 第 8 作者
（11） Highly sensitive visible to infrared MoTe2 photodetectors enhanced by the photogating effect., NANOTECHNOLOGY, 2016, 其他（合作组作者）
（12） Ferroelectric polymer tuned two dimensional layered MoTe2 photodetector, RSC ADVANCES, 2016, 第11作者
（13） Highly sensitive phototransistor based on GaSe nanosheets, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 通讯作者

   

（ 1 ） 利用石墨烯/铁电超薄膜/石墨烯隧道结实现宽波段 、高灵敏红外光电探测的机理研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12