基本信息
冯婕  女  硕导  中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件: fengjie@ms.xjb.ac.cn
通信地址: 新疆乌鲁木齐市新市区科学二街181号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
085600-材料与化工
招生方向
光电器件与光电系统辐射效应机理与抗辐射加固技术研究

教育背景

2009-09--2014-06   中国科学院光电技术研究所   博士

工作经历

   
工作简历
2016-01~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2014-07~2016-01,安徽科技学院, 助教
2009-09~2014-06,中国科学院光电技术研究所, 博士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 星用光电成像器件的辐射效应与抗辐射加固研究, 一等奖, 省级, 2018
专利成果
( 1 ) 一种基于星对角距平均测量误差的星敏感器辐射损伤外场评估方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110108151.9

( 2 ) 一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111541853A

( 3 ) 互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN108401151B

( 4 ) 一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111220867A

( 5 ) 一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN107273694B

( 6 ) 一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: ZL 202010385703.6

( 7 ) 一种基于紫外探测器质子位移效应的辐照试验测试方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110907033A

( 8 ) 一种基于星对角距测量精度的星敏感器辐射损伤实验室评估方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110702098A

( 9 ) 一种基于极限探测星等灵敏度的星敏感器辐射损伤评估方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110702097A

( 10 ) 一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110361618A

( 11 ) 一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN107144755B

( 12 ) 快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN107063329B

( 13 ) 辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN106840613B

( 14 ) 基于递归算法的图像传感器单粒子效应瞬态亮斑识别方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108537809A

( 15 ) 辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN106998466B

( 16 ) 一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107197236A

出版信息

   
发表论文
(1) 强辐射环境下CMOS图像传感器噪声对相机分辨率的影响, 原子能与科学技术, 2022, 通讯作者
(2) Investigation of random telegraph signal in CMOS image sensors irradiated by protons., JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者
(3) Effect of Total Ionizing Dose Damage on 8-Transistor CMOS Star Sensor Performance, SEMICONDUCTORS, 2021, 第 1 作者
(4) Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors, Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors, CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2021, 第 5 作者
(5) Effect of proton radiation on 8T CMOS image sensors for space applications, RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2021, 第 2 作者
(6) 10MeV Proton Radiation Effect on 8-Transistor CMOS Star Sensor Performance, 原子能科学技术, 2021, 第 1 作者
(7) Degradation Characteristics of Proton Irradiated 8T CMOS Image Sensor, 原子能科学技术, 2021, 通讯作者
(8) Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 6 作者
(9) Displacement damage effects induced by fast neutron in backside-illuminated CMOS image sensors, JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 4 作者
(10) CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理, Degradation mechanism of star sensor performance caused by radiation damage of CMOS image sensor, 红外与激光工程, 2020, 第 1 作者
(11) Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors, RESULTS IN PHYSICS, 2020, 第 5 作者
(12) A study of hot pixels induced by proton and neutron irradiations in charge coupled devices, RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 第 5 作者
(13) 0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应, Radiation effects of 0.18 μm CMOS APS by proton irradiation, 红外与激光工程, 2020, 第 4 作者
(14) Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 第 6 作者
(15) Total ionizing dose effects in pinned photodiode complementary metal-oxide-semiconductor transistor active pixel sensor, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 4 作者
(16) CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律, Generation and Annealing of Hot Pixels of CMOS Image Sensor Induced by Proton, 发光学报, 2018, 第 4 作者
(17) 不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析, Influence of Proton With Different Fluence Rates on Parameters of CCD, 现代应用物理, 2018, 第 1 作者
(18) Radiation Effects Due to 3 MeV Proton Irradiations on Back-Side Illuminated CMOS Image Sensors, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 第 5 作者
(19) CMOS传感器辐射损伤对视觉位姿测量系统性能的影响机制, Influence mechanism of CMOS sensor radiation damage on the performance of visual position and attitude measurement system, 红外与激光工程, 2017, 第 1 作者
(20) 1MeV电子辐照对HgCdTe材料红外透射光谱的影响, 现代应用物理, 2017, 第 7 作者
(21) CMOS 图像传感器辐射损伤对视觉位姿测量系统性能的影响, 红外与激光工程, 2017, 第 1 作者
(22) 基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法, 现代应用物理, 2017, 第 3 作者
(23) Analysis of proton and gamma-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 6 作者
(24) 基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法, 现代应用物理, 2017, 第 1 作者
(25) CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究, 现代应用物理, 2017, 第 6 作者
(26) CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理, Degradation mechanism for photon transfer curve of CMOS image sensor after irradiation, 光学精密工程, 2017, 第 1 作者
发表著作
( 1 ) 光学设计手册, Handbook of Optical Design, 机械工业出版社, 2018-01, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 质子瞬态效应导致星敏感器伪星点产生机理及识别方法研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
( 2 ) CMOS图像传感器空间辐射损伤对星敏感器性能影响研究, 负责人, 中国科学院计划, 2016-09--2020-08
( 3 ) 基于CMOS APS的星敏感器空间辐射损伤传递机制研究, 负责人, 国家任务, 2019-01--2021-12
( 4 ) CMOS图像传感器辐射损伤对高分辨率遥感相机性能影响研究, 负责人, 地方任务, 2018-01--2020-12
( 5 ) LEO轨道环境精细建模及地面模拟实验, 负责人, 企业委托, 2020-09--2023-12
( 6 ) 星敏感器空间辐射效应机理研究, 负责人, 地方任务, 2020-06--2022-06
( 7 ) 强核辐射环境下电子系统抗辐射加固技术, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2022-12
参与会议
(1)CMOS APS 电离总剂量效应对星敏感器性能影响机理   第四届全国辐射物理学术交流会   2021-07-27
(2) Effect of Total Ionizing Dose Damage and Displacement Damage on 8-Transistor CMOS Star Sensor Performance   第四届电子元器件辐射效应国际会议(ICREED)   2021-05-28
(3)辐射导致星敏感器性能退化的机理研究   第十三届抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会   2019-07-22
(4)Space radiation damage transmission mechanism of star sensor based on CMOS APS   第三届电子元器件辐射效应国际会议(ICREED)   2019-05-29
(5)Space radiation damage transmission mechanism of star sensor based on CMOS APS   第三届电子元器件辐射效应国际会议(ICREED)   2019-05-29