080903-微电子学与固体电子学

半导体器件与集成技术，可靠性研究，辐射效应、机理及加固技术

2006-09--2011-07   中国科学院新疆理化技术研究所   博士

   

2020-05~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2016-10~2020-05,北京中科新微特科技开发股份有限公司, 副总经理
2011-07~2016-09,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2006-09~2011-07,中国科学院新疆理化技术研究所, 博士

   

（ 1 ） 一种器件热传导无损失效分析方法及装置, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106841240A

（ 2 ） 一种板级系统局部芯片辐照装置, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN205317864U

（ 3 ） 一种功率VDMOS器件低温远程在线测试系统, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103675639A

（ 4 ） 一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET及其加工方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103904119A

（ 5 ） 一种具有网状外延结构的超结MOSFET, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103904120A

（ 6 ） 一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN203588990U

（ 7 ） 封装元器件的高温存储架, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203521387U

   

（1） Failure analysis of multilayer-metal-packaged power devices for abnormal thermal response, 25th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2018, 第 3 作者
（2） System Anslysis and PHM Methods for Power Devices Based on Physics-of-Failure, International Conference on Dependable Systems and Their Applications, 2017, 第 2 作者
（3） 国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应, Single event effects for domestic radiation-hardened power MOSFET devices, 太赫兹科学与电子信息学报, 2016, 第 1 作者
（4） Prognostics and Health Management for VDMOS Basedon Physics-of-Failure, 2016, 第 3 作者
（5） Failure Analysis of the VDMOS Device with VSD and RDS (on) Exceeded Limit Based on Reliability Physics, 2016 Prognostics and System Health Management Conference (PHM-Chengdu), 2016, 第 2 作者
（6） 半导体器件金铝键合的寿命研究, Study on the Lifetime of Gold-Aluminum Bonding in Semiconductor Devices, 微电子学, 2016, 第 3 作者
（7） 半导体器件金铝键合的寿命研究, Study on the Lifetime of Gold-Aluminum Bonding in Semiconductor Devices, 微电子学, 2015, 第 3 作者
（8） Effect of shell-tube dimensions on the reliability of power VDMOS by temperature cycling, 2014 10th International Conference on Reliability, Maintainability and Safety (ICRMS), 2014, 第 2 作者
（9） 功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究, Investigation into Low Dose Rate Radiation Damage Effects of Radiation Hardened Power VDMOS Devices, 微电子学, 2013, 第 1 作者
（10） PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究, Research on Enhanced Low Dose Rate Sensitivity Effect for PMOSFET Used in Space Dosimeter, 原子能科学技术, 2013, 第 1 作者
（11） The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 1 作者  通讯作者
（12） 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究, Single event effects of power VDMOS device used in satellites, 核技术, 2012, 第 2 作者
（13） Research on the total dose effects for domestic VDMOS devices used in satellite, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 第 1 作者  通讯作者
（14） 国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究, Research on the total dose effects for domestic VDMOS devices used in satellite, 物理学报, 2012, 第 1 作者

   

（ 1 ） 先进制程瓶颈技术路径研究, 参与, 境内委托项目, 2024-04--2026-04
（ 2 ） 高温封装与测试评价技术, 参与, 国家任务, 2024-01--2030-12
（ 3 ） 总剂量效应与单粒子效应协同机理研究, 参与, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 4 ） 空间辐射环境下Trench MOSFET的单粒子效应机理及其评估方法研究, 参与, 地方任务, 2020-07--2023-06
（ 5 ） 75W P沟道场效应晶体管, 参与, 国家任务, 2018-01--2021-12
（ 6 ） PMOS场效应管-RCS7382T2, 参与, 国家任务, 2017-01--2021-12
（ 7 ） MOS型场效应晶体管-兼容57160, 参与, 国家任务, 2017-01--2021-12
（ 8 ） 场效应晶体管-仿制7465, 参与, 国家任务, 2015-06--2021-05
（ 9 ） 场效应晶体管-仿制9150, 参与, 国家任务, 2015-06--2021-05

（1）功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究    第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)   2014-01-01
（2）功率VDMOS器件瞬态剂量率辐照机理及加固方法   中国核学会学术年会   2013-09-11
（3）国产抗辐照功率VDMOS器件在航天中应用   全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会   2013-07-22
（4）一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究 一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究    第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会   2012-08-15