080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

半导体器件与集成技术
高可靠性器件辐射效应

2006-09--2011-07   中国科学院新疆理化技术研究所   博士

   

2020-05~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2016-10~2020-05,北京中科新微特科技开发股份有限公司, 副总经理
2011-07~2016-09,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2006-09~2011-07,中国科学院新疆理化技术研究所, 博士

   

（ 1 ） 一种器件热传导无损失效分析方法及装置, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106841240A

（ 2 ） 一种板级系统局部芯片辐照装置, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN205317864U

（ 3 ） 一种功率VDMOS器件低温远程在线测试系统, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103675639A

（ 4 ） 一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET及其加工方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103904119A

（ 5 ） 一种具有网状外延结构的超结MOSFET, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103904120A

（ 6 ） 一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN203588990U

（ 7 ） 封装元器件的高温存储架, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203521387U

   

（1） 国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应, Single event effects for domestic radiation-hardened power MOSFET devices, 太赫兹科学与电子信息学报, 2016, 第 1 作者
（2） 半导体器件金铝键合的寿命研究, Study on the Lifetime of Gold-Aluminum Bonding in Semiconductor Devices, 微电子学, 2015, 第 3 作者
（3） 功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究, Investigation into Low Dose Rate Radiation Damage Effects of Radiation Hardened Power VDMOS Devices, 微电子学, 2013, 第 1 作者
（4） PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究, Research on Enhanced Low Dose Rate Sensitivity Effect for PMOSFET Used in Space Dosimeter, 原子能科学技术, 2013, 第 1 作者
（5） Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, 半导体学报, 2012, 第 1 作者
（6） 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究, Single event effects of power VDMOS device used in satellites, 核技术, 2012, 第 2 作者
（7） Research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 第 6 作者
（8） 部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究, Research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory, 物理学报, 2012, 第 6 作者
（9） 双极电压比较器不同条件下总剂量辐射效应, Total Ionizing Dose Effect of Bipolar Voltage Comparator, 原子能科学技术, 2012, 第 6 作者
（10） Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, 半导体学报, 2012, 第 1 作者
（11） 静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究, Research on Total Dose Irradiation and Annealing Effect of Static Random Access Memory, 原子能科学技术, 2012, 第 5 作者
（12） 国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究, Research on the total dose effects for domestic VDMOS devices used in satellite, 物理学报, 2012, 第 1 作者
（13） SRAM型FPGA器件总剂量辐射效应及评估技术的研究, 2011, 第 1 作者
（14） Degradation and dose rate effects of bipolar linear regulator on ionizing radiation, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 第 7 作者
（15） PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究, Research on total dose irradiation and annealing effects of PDSOI CMOS SRAM, 核技术, 2011, 第 4 作者
（16） Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 第 1 作者
（17） 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究, Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array, 物理学报, 2011, 第 1 作者
（18） The enhanced low dose rate sensitivity of a linear voltage regulator with different biases, The enhanced low dose rate sensitivity of a linear voltage regulator with different biases, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2011, 第 6 作者
（19） 不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应, Total Dose Irradiation Effects of CMOS SRAM Under Different Bias Conditions, 微电子学, 2011, 第 6 作者
（20） 双极线性稳压器电离辐射剂量率效应及其损伤分析, Degradation and dose rate effects of bipolar linear regulator on ionizing radiation, 物理学报, 2011, 第 7 作者
（21） 星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究, Total Ionizing Dose Effects of DC-DC Power Converter Used in Satellite, 原子能科学技术, 2011, 第 1 作者
（22） Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET, Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET, 半导体学报, 2011, 第 5 作者
（23） 不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应, Ionizing Radiation Effect of Current-Feedback Amplifier Under Different Biases, 原子能科学技术, 2011, 第 5 作者
（24） Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 第 1 作者
（25） p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究, 物理学报, 2011, 第 1 作者
（26） The enhanced low dose rate sensitivity of a linear voltage regulator with different biases, The enhanced low dose rate sensitivity of a linear voltage regulator with different biases, 半导体学报, 2011, 第 6 作者
（27） Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应, Total-dose irradiation damage and annealing behavior of Altera SRAM-based FPGA, 强激光与粒子束, 2010, 第 1 作者
（28） Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, 半导体学报, 2010, 第 1 作者
（29） Dose-rate effects of low-dropout voltage regulator at various biases, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2010, 第 5 作者
（30） CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究, Research on the Total Dose Irradiation and Annealing Effects of CMOS SRAM, 核电子学与探测技术, 2010, 第 5 作者
（31） 线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应, Total Dose and Dose Rate Effects of Linear Voltage Regulator With Different Biases, 原子能科学技术, 2010, 第 4 作者
（32） 三端稳压器的总剂量效应, Total dose effect of three-terminal regulators, 核技术, 2010, 第 3 作者
（33） 线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应, 第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会, 2010, 第 4 作者
（34） 国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究, Total Dose Irradiation and Annealing Effects of Domestic Partially-Depleted SOI PMOSFET, 原子能科学技术, 2010, 第 5 作者
（35） 电荷耦合器件的^60Coγ射线和电子辐射损伤效应, Radiation Damage Effect on Charge-Coupled Devices During ~(60)Co Gamma Ray and Electron Irradiation, 原子能科学技术, 2010, 第 6 作者
（36） Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, 半导体学报, 2010, 第 1 作者
（37） 10位双极数模转换器的电离辐射效应, Ionizing Radiation Effect of a 10bit Bipolar D/A Converter, 固体电子学研究与进展, 2009, 第 4 作者
（38） 不同^60Co γ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应, Total Dose Effect of 10-bit Bipolar D/A Converter Under Different ^60Co γ Dose Rates, 原子能科学技术, 2009, 第 5 作者
（39） Altera SRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应, Total Ionizing Dose Effect for Altera SRAM-Based Field Programmable Gate Array, 原子能科学技术, 2009, 第 1 作者
（40） 12位双极数模转换器高低剂量率的辐射效应, Radiation effects of a 12-bit bipolar digital-to-analog converter under different dose rates, 核技术, 2008, 第 5 作者

   

（ 1 ） 空间辐射环境下Trench MOSFET的单粒子效应机理及其评估方法研究, 参与, 地方任务, 2020-07--2023-06
（ 2 ） 75W P沟道场效应晶体管, 参与, 国家任务, 2018-01--2021-12
（ 3 ） PMOS场效应管-RCS7382T2, 参与, 国家任务, 2017-01--2021-12
（ 4 ） MOS型场效应晶体管-兼容57160, 参与, 国家任务, 2017-01--2021-12
（ 5 ） 场效应晶体管-仿制7465, 参与, 国家任务, 2015-06--2021-05
（ 6 ） 场效应晶体管-仿制9150, 参与, 国家任务, 2015-06--2021-05

（1）功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究    第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)   2014-01-01
（2）功率VDMOS器件瞬态剂量率辐照机理及加固方法   中国核学会学术年会   2013-09-11
（3）国产抗辐照功率VDMOS器件在航天中应用   全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会   2013-07-22
（4）一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究 一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究    第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会   2012-08-15