基本信息
高博 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: gaobo@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:
电子邮件: gaobo@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体器件与集成技术,可靠性研究,辐射效应、机理及加固技术
教育背景
2006-09--2011-07 中国科学院新疆理化技术研究所 博士
工作经历
工作简历
2020-05~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员2016-10~2020-05,北京中科新微特科技开发股份有限公司, 副总经理2011-07~2016-09,中国科学院微电子研究所, 副研究员2006-09~2011-07,中国科学院新疆理化技术研究所, 博士
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 一种器件热传导无损失效分析方法及装置, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106841240A( 2 ) 一种板级系统局部芯片辐照装置, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN205317864U( 3 ) 一种功率VDMOS器件低温远程在线测试系统, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103675639A( 4 ) 一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET及其加工方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103904119A( 5 ) 一种具有网状外延结构的超结MOSFET, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103904120A( 6 ) 一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN203588990U( 7 ) 封装元器件的高温存储架, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203521387U
出版信息
发表论文
(1) Failure analysis of multilayer-metal-packaged power devices for abnormal thermal response, 25th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2018, 第 3 作者(2) System Anslysis and PHM Methods for Power Devices Based on Physics-of-Failure, International Conference on Dependable Systems and Their Applications, 2017, 第 2 作者(3) 国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应, Single event effects for domestic radiation-hardened power MOSFET devices, 太赫兹科学与电子信息学报, 2016, 第 1 作者(4) Prognostics and Health Management for VDMOS Basedon Physics-of-Failure, 2016, 第 3 作者(5) Failure Analysis of the VDMOS Device with VSD and RDS (on) Exceeded Limit Based on Reliability Physics, 2016 Prognostics and System Health Management Conference (PHM-Chengdu), 2016, 第 2 作者(6) 半导体器件金铝键合的寿命研究, Study on the Lifetime of Gold-Aluminum Bonding in Semiconductor Devices, 微电子学, 2016, 第 3 作者(7) 半导体器件金铝键合的寿命研究, Study on the Lifetime of Gold-Aluminum Bonding in Semiconductor Devices, 微电子学, 2015, 第 3 作者(8) Effect of shell-tube dimensions on the reliability of power VDMOS by temperature cycling, 2014 10th International Conference on Reliability, Maintainability and Safety (ICRMS), 2014, 第 2 作者(9) 功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究, Investigation into Low Dose Rate Radiation Damage Effects of Radiation Hardened Power VDMOS Devices, 微电子学, 2013, 第 1 作者(10) PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究, Research on Enhanced Low Dose Rate Sensitivity Effect for PMOSFET Used in Space Dosimeter, 原子能科学技术, 2013, 第 1 作者(11) The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 1 作者 通讯作者(12) 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究, Single event effects of power VDMOS device used in satellites, 核技术, 2012, 第 2 作者(13) Research on the total dose effects for domestic VDMOS devices used in satellite, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 第 1 作者 通讯作者(14) 国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究, Research on the total dose effects for domestic VDMOS devices used in satellite, 物理学报, 2012, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 先进制程瓶颈技术路径研究, 参与, 境内委托项目, 2024-04--2026-04( 2 ) 高温封装与测试评价技术, 参与, 国家任务, 2024-01--2030-12( 3 ) 总剂量效应与单粒子效应协同机理研究, 参与, 国家任务, 2023-01--2026-12( 4 ) 空间辐射环境下Trench MOSFET的单粒子效应机理及其评估方法研究, 参与, 地方任务, 2020-07--2023-06( 5 ) 75W P沟道场效应晶体管, 参与, 国家任务, 2018-01--2021-12( 6 ) PMOS场效应管-RCS7382T2, 参与, 国家任务, 2017-01--2021-12( 7 ) MOS型场效应晶体管-兼容57160, 参与, 国家任务, 2017-01--2021-12( 8 ) 场效应晶体管-仿制7465, 参与, 国家任务, 2015-06--2021-05( 9 ) 场效应晶体管-仿制9150, 参与, 国家任务, 2015-06--2021-05
参与会议
(1)功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 2014-01-01(2)功率VDMOS器件瞬态剂量率辐照机理及加固方法 中国核学会学术年会 2013-09-11(3)国产抗辐照功率VDMOS器件在航天中应用 全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 2013-07-22(4)一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究 一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究 第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会 2012-08-15