140100-集成电路科学与工程

CMOS器件与集成工艺，功率器件与集成工艺

1994-09--1997-07   南开大学   硕士
1990-09--1994-07   南开大学   学士

   

2009-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 正高级工程师/先导中心副主任
2004-06~2009-08,微电子研究所与华润微电子晶圆制造合作项目, PIE经理/副厂长
2001-04~2006-01,中国科学院微电子研究所, 副研究员/一室副室主任
1997-08~2001-04,中国科学院微电子中心, 研究实习员/助理研究员
1994-09~1997-07,南开大学, 硕士
1990-09~1994-07,南开大学, 学士

   

（1） 中国科学院科技促进发展奖, 部委级, 2022
（2） 北京市科学技术奖, 一等奖, 省级, 2019
（3） 中国电子信息科技创新团队奖, 一等奖, 部委级, 2019
（4） 北京市科学技术奖, 一等奖, 省级, 2016
（5） 2014年度中国科学院杰出科技成就奖, 部委级, 2014

   

（1） Undoping Strained Ge Quantum Well with Two Million Highly Hole Mobility, ACS Applied Materials & Interfaces, 2023, 第 5 作者
（2） Demonstration of Germanium Vertical Gate_x0002_All-Around Field-Effect Transistors Featured by Self-Aligned High �� Metal Gates with Record High Performance, ACS Nano, 2023, 第 10 作者
（3） Interface investigation on SiGe/Si multilayer structures: influence of different epitaxial process conditions, ACS Applied Materials & Interfaces, 2023, 第 5 作者
（4） Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) for Co0.65Ti0.35 as a single barrier/liner in local Co interconnects, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2022, 第 10 作者
（5） Insertion of Hafnium Interlayer to Improve the Thermal Stability of Ultrathin TiSix in TiSix/n+-Si Ohmic Contacts, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 8 作者
（6） Thermal stability of SOT-MTJ thin films tuning by multiple interlayer couplings, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2021, 第 5 作者
（7） Investigation of negative DIBL effect for ferroelectric-based FETs to improve MOSFETs and CMOS circuits, Microelectronics Journal, 2021, 第 7 作者
（8） Low atomic number silicon nitride films for transmission electron microscopy, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 第 5 作者
（9） Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology, Microelectronics Engineering, 2016, 第 9 作者
（10） Junction Control by Carbon and Phosphorus Co-Implantation in Pre-Amorphized Germanium, ECS Journal of Solid state science and tehchnology, 2016, 第 9 作者
（11） Thermal atomic layer deposition of TaAlC with TaCl5 and TMA as precursors, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 7 作者
（12） Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 14��nm node FinFETs, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2016, 第 7 作者
（13） Ion-Implanted TiN Metal Gate With Dual Band-Edge Work Function and Excellent Reliability for Advanced CMOS Device Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 7 作者
（14） Improved Short Channel Effect Control in Bulk FinFETs With Vertical Implantation to Form Self-Aligned Halo and Punch-Through Stop Pocket, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 2015, 第 6 作者
（15） Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014, 第 5 作者
（16） Self-assembling morphologies of symmetrical PS-b-PMMA in different sized confining grooves, RSC Advances, 2014, 第 7 作者
（17） Characterization of DC, analog/RF, and low frequency noise in silicon-on-insulator nMOSFETs with different body-contact structures, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2013, 
（18） Impact of TaN as wet etch stop layer on device characteristics for dual metal HKMG last integration CMOSFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 第 8 作者
（19） SOI Technology for Radio-Frequency Integrated-Circuit Applications, IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 

（ 1 ） 三维集成电路制造技术, Manufacturing Technology of 3D Transistors and ICs, 电子工业出版社, 2022-07, 第 其他 作者

   

（ 1 ） 兼容VCT 技术的MRAM存储单元设计与片上集成工艺研究, 参与, 其他, 2023-01--2025-12
（ 2 ） 关键工艺共性技术, 负责人, 中国科学院计划, 2022-11--2025-10