140100-集成电路科学与工程

IGZO 3D DRAM
先进显示技术
氧化物薄膜晶体管

   

（ 1 ） 制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管, [[[", 第 4 作者, 专利号: [[[CN111696868A]]]

（ 2 ） 一种晶体管及存储器, 2023, 第 2 作者, 专利号: 2023102125617

（ 3 ） 一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113658881A

（ 4 ） 一种磁随机存储器数据写入方法及写入装置, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113643737A

（ 5 ） 一种像素电路、显示设备及像素补偿方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113487994A

（ 6 ） 一种栅极驱动电路、驱动方法及GOA电路, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113380172A

（ 7 ） 一种栅极驱动装置、驱动方法、栅极驱动设备和显示系统, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113380198A

（ 8 ） 一种显示阵列的驱动电路及驱动方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111445842B

（ 9 ） 一种像素电路、像素电路的驱动方法及显示装置, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113096589A

（ 10 ） 一种发光驱动电路、方法及显示驱动电路, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112992042A

（ 11 ） 薄膜晶体管的设计方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112307625A

（ 12 ） 基于氧化锌纳米线的压力传感器及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112271250A

（ 13 ） 基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112271247A

（ 14 ） 基于氧化物纳米线的压力传感器结构及其制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112271248A

（ 15 ） 一种模拟人工感知神经元的方法及电路, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111985633A

（ 16 ） 一种对检测到的信号进行处理的方法及电路, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111933197A

（ 17 ） 铟镓锌氧薄膜晶体管的掺杂方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111710609A

（ 18 ） 共面铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111682074A

（ 19 ） 一种二维材料超晶格器件及制作方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111653613A

（ 20 ） 一种双栅薄膜晶体管及其制作方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111640673A

（ 21 ） 一种形成金属引线的方法及二维材料器件, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111640662A

（ 22 ） 可应用于同时发光的像素电路及其驱动方法、显示装置, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111489696A

（ 23 ） 具有电压补偿功能的像素电路及其驱动方法、显示面板, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111489697A

（ 24 ） 一种多介质检测传感器及其制作方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111415993A

（ 25 ） 像素补偿电路及其控制方法、显示驱动装置、显示设备, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111383598A

（ 26 ） 光学晶体管及其制备方法, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN111048622A

（ 27 ） 阻变存储器的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110459676A

（ 28 ） 场效应晶体管及其制备方法, 2019, 专利号: CN110323277A

（ 29 ） 一种薄膜晶体管及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110190131A

（ 30 ） 纳米级晶体管及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110176489A

（ 31 ） 场效应晶体管制备方法及场效应晶体管, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110112073A

（ 32 ） 场效应晶体管及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110098256A

（ 33 ） 场效应晶体管制备方法及场效应晶体管, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110061063A

（ 34 ） 阻变存储器的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109920911A

（ 35 ） 阻变存储器, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109904314A

（ 36 ） 基于二维材料的晶体管及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109671781A

（ 37 ） 一种阻变存储器, 2019, 专利号: CN109585648A

（ 38 ） 一种阻变存储器, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109585648A

（ 39 ） 一种阻变存储器的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109524544A

（ 40 ） 无边框显示结构及无边框显示器, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109272957A

（ 41 ） 像素扫描的驱动电路及方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109243357A

（ 42 ） 基于纳米带的晶体管及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109119485A

（ 43 ） 一种用于测量二维半导体材料的磁阻的装置及其制作方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108807211A

（ 44 ） 像素补偿电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108806606A

（ 45 ） 像素补偿电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107967896A

（ 46 ） 一种阻变存储器的制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102569651A

   

（1） First Demonstration of Dual-Gate IGZO 2T0C DRAM with Novel Read Operation, One Bit Line in Single Cell, ION=1500 ��A/��m@VDS=1V and Retention Time>300s, 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022, 第 13 作者
（2） Inter-Layer Dielectric Engineering for Monolithic Stacking 4F2 -2T0C DRAM with Channel-All-Around (CAA) IGZO FET to Achieve Good Reliability (>10^4 s Bias Stress, >10^12 Cycles Endurance), 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022, 第 11 作者
（3） Vertical Channel-All-Around (CAA) IGZO FET under 50 nm CD with High Read Current of 32.8 ��A/��m (Vth + 1 V), Well-performed Thermal Stability up to 120 ��� for Low Latency, High-density 2T0C 3D DRAM Application, 2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2022, 第 11 作者
（4） Novel TFT-Based emission driver in high performance AMOLED display applications, ORGANIC ELECTRONICS, 2021, 第 11 作者
（5） Analytical Surface Potential-Based Compact Model for Independent Dual Gate a-IGZO TFT, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 0 作者
（6） A Novel Dynamic Time Method for Organic Light-Emitting Diode Degradation Estimation in Display Application, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 11 作者
（7） Understanding the adsorption behavior of small molecule in MoS2 device based on first-principles calculations, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2021, 第 4 作者
（8） Analog Monolayer MoS2 Transistor with Record-high Intrinsic Gain (> 100 dB) and Ultra-low Saturation Voltage (< 0.1 V) by Source Engineering, 2021 Symposium on VLSI Technology, 2021, 第 0 作者
（9） Spike Encoding with Optic Sensory Neurons Enable a Pulse Coupled Neural Network for Ultraviolet Image Segmentation, NANO LETTERS, 2020, 第 9 作者
（10） A New Surface Potential Based Compact Model for Independent Dual Gate a-IGZO TFT: Experimental Verification and Circuit Demonstration, 2020 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2020, 第 11 作者
（11） Study of Positive-Gate-Bias-Induced Hump Phenomenon in Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 11 作者
（12） Investigation of positive bias temperature instability for monolayer polycrystalline MoS2 field-effect transistors, Investigation of positive bias temperature instability for monolayer polycrystalline MoS2 field-effect transistors, SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2020, 第 6 作者
（13） Possible Luttinger liquid behavior of edge transport in monolayer transition metal dichalcogenide crystals, NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 第 15 作者
（14） In-pixel temperature sensor for high-luminance active matrix micro-light-emitting diode display using low-temperature polycrystalline silicon and oxide thin-film-transistors, JOURNAL OF THE SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY, 2020, 第 5 作者
（15） Understanding the transport mechanism of organic-inorganic perovskite solar cells: The effect of exciton or free-charge on diffusion length, ORGANIC ELECTRONICS, 2019, 第 3 作者
（16） Optimization of Electrical Properties of MoS2 Field-Effect Transistors by Dipole Layer Coulombic Interaction With Trap States, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2019, 第 10 作者
（17） Charge transport mechanism in low temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin-film transistors, AIP ADVANCES, 2019, 第 3 作者
（18） A Dual-Functional IGZO-Based Device With Schottky Diode Rectifying and Resistance Switching Behaviors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 0 作者
（19） Room Temperature-Processed a-IGZO Schottky Diode for Rectifying Circuit and Bipolar 1D1R Crossbar Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 第 0 作者
（20） Anomalous Positive Bias Stress Instability in MoS2 Transistors With High-Hydrogen-Concentration SiO2 Gate Dielectrics, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 11 作者
（21） Field-Dependent Mobility Enhancement and Contact Resistance in a-IGZO TFTs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 第 8 作者
（22） Thickness of accumulation layer in amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors by Kelvin Probe Force Microscopy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 11 作者
（23） Dynamic Time Evolutionary Aging Analysis for Device-Circuit Lifetime Estimation of Thin-Film Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 11 作者
（24） A Review for Compact Model of Thin-Film Transistors (TFTs), MICROMACHINES, 2018, 第 4 作者
（25） A New Velocity Saturation Model of MoS2 Field-Effect Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 11 作者
（26） A review for polaron dependent charge transport in organic semiconductor, ORGANIC ELECTRONICS, 2018, 第 3 作者
（27） A new surface-potential-based compact model for the MoS2 field effect transistors in active matrix display applications, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 6 作者
（28） Photoelectric Plasticity in Oxide Thin Film Transistors with Tunable Synaptic Functions, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 12 作者

   

（ 1 ） Micro-LED驱动关键技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2023-01--2024-12
（ 2 ） 基于原子层沉积氧化物半导体薄膜晶体管的 Micro-LED 驱动研究, 负责人, 国家任务, 2022-11--2025-10
（ 3 ） 高密度三维IGZO DRAM存储器ALD, 负责人, 境内委托项目, 2022-01--2024-12