基本信息
闫珍珍  女  硕导  中国科学院微电子研究所
email: yanzhenzhen@ime.ac.cn
address: 北京市朝阳区北土城西路3号
postalCode:

招生信息

   
招生专业
140100-集成电路科学与工程
招生方向
高可靠性器件与集成技术

教育背景

2006-09--2008-06   天津大学   硕士学位
2002-09--2006-07   天津大学   学士学位

工作经历

   
工作简历
2019-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2011-08~2019-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2008-07~2011-07,中国科学院微电子研究所, 研究实习员
2006-09~2008-06,天津大学, 硕士学位
2002-09~2006-07,天津大学, 学士学位

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种集成电路延时确定方法、装置及设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115146569A

( 2 ) 一种电路分析方法、装置、设备及存储介质, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115081365A

( 3 ) 一种集成电路延时确定方法、装置及设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: 202210879491 .6

( 4 ) 一种电路分析方法、装置、设备及存储介质, 2022, 第 2 作者, 专利号: 202210698106 .8

( 5 ) 一种行译码电路的设计方法及相关设备, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114595658A

( 6 ) 一种译码电路的生成方法及相关设备, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114595659A

( 7 ) 一种新型单粒子加固触发器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114531145A

( 8 ) 一种单粒子加固触发器电路, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114531138A

( 9 ) 一种新型抗单粒子翻转触发器电路, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114531146A

( 10 ) 一种抗单粒子翻转锁存器电路, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114531144A

( 11 ) 一种单粒子翻转加固锁存器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114531147A

( 12 ) 一种改进结构抗单粒子翻转触发器电路及触发器, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114520646A

( 13 ) 一种抗单粒子翻转触发器电路及触发器, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114520645A

( 14 ) 一种新式单粒子加固触发器电路, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114520644A

( 15 ) 一种存储器的仿真验证方法和装置, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114356736A

( 16 ) 一种单粒子翻转加固锁存器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210032024 .X

( 17 ) 一种改进结构抗单粒子翻转触发器电路及触发器, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210032173 .6

( 18 ) 一种新型单粒子加固触发器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210031220 .5

( 19 ) 一种抗单粒子翻转触发器电路及触发器, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210031255 .9

( 20 ) 一种SRAM的版图布局方法及装置, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112765926A

( 21 ) 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112685989A

( 22 ) 一种集成电路电路图设计的保护方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112052465A

( 23 ) 一种时序特性获取方法、装置及电子设备, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110263417A

( 24 ) 一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110263399A

( 25 ) 一种生成手册数据的方法及装置, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110196934A

( 26 ) 一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109948186A

( 27 ) 异步复位触发器验证电路以及集成电路验证装置, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109884516A

( 28 ) 一种片上测试单元及结构, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109752645A

( 29 ) 一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102314538A

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 专项项目三课题1高温SOI集成电路技术, 参与, 国家任务, 2024-01--2030-12
( 2 ) 所长基金“极端环境关键核心芯片及辐射平台建设”项目 “面向航空发动机和深地油气勘探的高温SOI系列芯片”课题, 参与, 研究所自主部署, 2023-11--2025-10
( 3 ) 亚阈值电路单元延时模型研究, 负责人, 其他, 2020-11--2025-11
( 4 ) 青年创新促进项目, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2023-12
( 5 ) I2C总线控制器, 参与, 其他国际合作项目, 2019-09--2022-12
( 6 ) 双通道12位A/D转换器, 参与, 国家任务, 2018-07--2022-10