基本信息
魏莹  女  硕导  中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件: weiying@ms.xjb.ac.cn
通信地址: 新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
辐射物理,电子器件TCAD仿真

教育背景

2005-09--2012-06   兰州大学   攻读硕博研究生,获得博士学位
2001-09--2005-06   兰州大学   攻读本科,获得学士学位

工作经历

   
工作简历
2020-11~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2013-01~2020-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
2012-07~2012-12,中国科学院新疆理化技术研究所, 项目聘用
2005-09~2012-06,兰州大学, 攻读硕博研究生,获得博士学位
2001-09~2005-06,兰州大学, 攻读本科,获得学士学位

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 星用光电成像器件的辐射效应与抗辐射加固研究, 一等奖, 省级, 2018
专利成果
( 1 ) 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: 202011125626.7

( 2 ) 一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: 202011125363.X

出版信息

   
发表论文
(1) Effect of proton radiation on 8T CMOS image sensors for space applications, RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2021, 第 5 作者
(2) 总剂量辐射效应对体硅n-FinFET 1/f噪声特性的影响, 航天微电子, 2021, 第 1 作者
(3) 电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真, SIMULATIONS OF THE TOTAL IONIZATION DOSE EFFECT ON 4T CMOS IMAGE SENSOR DARK CURRENT, 数值计算与计算机应用, 2020, 第 1 作者
(4) The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs, RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 第 5 作者
(5) 体效应对超深亚微米 SOI器件总剂量效应的影响, The Impact of Body Effect on TID of Ultra Deep Sub Micron SOI Devices, 电子学报, 2019, 第 5 作者
(6) Comprehensive study on hot carrier reliability of radiation hardened H-gate PD SOI NMOSFET after gamma radiation, RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2019, 第 5 作者
(7) The Effect of Total Ionizing Dose Response on Hot Carrier Injection of 22nm Bulk nFinFET, Journal of Semiconductors, 2019, 第 1 作者
(8) Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 第 3 作者
(9) Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor, Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor, 中国物理B:英文版, 2018, 第 8 作者
(10) The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 7 作者
(11) 沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究, Effect of Channel Width on NBTI in 65nm PMOSFET, 电子学报, 2018, 第 4 作者
(12) Hot-Carrier Effect on TID Irradiated Short-Channel UTTB FD-SOI n-MOSFETs, IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC), 2018, 第 6 作者
(13) Total Ionizing Dose Effects on Time-dependent Dielectric Breakdown in PMOS Capacitance Based on 65nm Process, RADECS Workshop, 2018, 第 1 作者
(14) 质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响, 现代应用物理, 2017, 第 4 作者
(15) 辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真, 现代应用物理, 2017, 第 1 作者
(16) Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process, ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 第 6 作者
(17) 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应, 物理学报, 2016, 第 6 作者
(18) Laser-Induced Single Event Transients in Local Oxidation of Silicon and Deep Trench Isolation Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors, Laser-Induced Single Event Transients in Local Oxidation of Silicon and Deep Trench Isolation Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors, 中国物理快报(英文版), 2015, 第 5 作者
(19) Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 6 作者
(20) 质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析, 物理学报, 2015, 第 8 作者
(21) Laser-Induced Single Event Transients in Local Oxidation of Silicon and Deep Trench Isolation Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors, Laser-Induced Single Event Transients in Local Oxidation of Silicon and Deep Trench Isolation Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 5 作者
(22) Hot-carrier effects on irradiated deep submicron NMOSFET, Journal of Semiconductors, 2014, 第 8 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 总剂量辐射陷阱电荷对对堆叠高k栅介质经时击穿特性的影响机制, 负责人, 国家任务, 2019-01--2021-12
( 2 ) 标准单元库总剂量效应建模技术, 参与, 国家任务, 2020-01--2021-12
( 3 ) CSOI器件总剂量效应机理及模型研究, 参与, 国家任务, 2019-01--2022-12