基本信息
李炳辉  男  硕导  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
电子邮件: binghuili@163.com
通信地址: 吉林省长春市东南大路3888号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
分子束外延方法半导体材料生长与器件制备

教育背景

2003-09--2006-06   东北师范大学   硕士学位
1996-09--2000-06   吉林大学   学士学位

工作经历

   
工作简历
2010-09~现在, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 副研究员
2005-09~2010-09,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 助理研究员
2005-09~2010-09,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 助理研究员
2003-09~2006-06,东北师范大学, 硕士学位
2000-07~2005-09,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 研究实习员
1996-09~2000-06,吉林大学, 学士学位

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 宽禁带氧化物半导体载流子分离调控新策略及其应用, 一等奖, 省级, 2019
专利成果
( 1 ) 一种利用分子束外延技术制备P型氧化锌薄膜的方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111128683A

出版信息

   
发表论文
(1) 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战, Point defects: key issues for II-oxides wide-bandgap semiconductors development, 物理学报, 2019, 第 2 作者
(2) Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 通讯作者
(3) Eradicated unintentional incorporated donor-type impurities of ZnO, AIP ADVANCES, 2018, 通讯作者
(4) Controlled compensation via non-equilibrium electrons in Zn, scientific reports, 2018, 通讯作者
(5) Zn vacancies creation via (2 x 2) surface reconstruction, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 通讯作者
(6) Hot carriers induced quenching of defects luminescence in Si doped AlN with Al core, Journal of Luminescence, 2017, 通讯作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 宽带半导体点缺陷的光电特性表征仪器系统, 参与, 国家任务, 2018-01--2022-12
( 2 ) Purcell尺寸氧化锌基量子阱中激子腔量子行为研究, 负责人, 研究所自选, 2020-01--2020-12
( 3 ) 利用分子束外延方法在金属薄膜上制备氧化锌单晶薄膜, 负责人, 研究所自选, 2021-01--2021-12