080903-微电子学与固体电子学
0805Z2-半导体材料与器件
070205-凝聚态物理

微电子学与固体电子学
半导体材料与器件
凝聚态物理

2007-07--2012-06   中国科学院上海技术物理研究所   博士

   

2019-01~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2012-07~2018-12,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员
2007-07~2012-06,中国科学院上海技术物理研究所, 博士

   

（1） 硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术, 一等奖, 省级, 2017

（ 1 ） 一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置及调控方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110793644A

（ 2 ） 一种适用于曲面成像的焦平面探测器及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110631715A

（ 3 ） 一种校正红外焦平面探测器电路面形的结构, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110487203A

（ 4 ） 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN206282822U

（ 5 ） 一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106784133A

（ 6 ） 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106449377A

（ 7 ） 一种用于碲镉汞材料的腐蚀液及配制方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104032304A

（ 8 ） 基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104032375A

（ 9 ） 一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN203128690U

（ 10 ） 一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103088410A

（ 11 ） 一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102732952A

（ 12 ） 一种可连续生长多层膜的防止母液残留的液相外延石墨舟, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102383190A

（ 13 ） 一种制备InAsSb量子点的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102386073A

（ 14 ） 一种全自动控制的液相外延设备及控制方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102677162A

   

（1） Close-Spaced Sublimation of CdZnTe:In Films for Solar Energy Water Splitting, ENERGY & FUELS, 2021, 第 6 作者
（2） Electrical properties of plasma-free ultra-low-temperature ALD ZnS passivation on p-type HgCdTe, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2021, 第 2 作者
（3） Room-Temperature Anisotropic Plasma Mirror and Polarization-Controlled Optical Switch Based on Type-II Weyl Semimetal WP2, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 通讯作者
（4） Analysis of dark current generated by long-wave infrared HgCdTe photodiodes with different implantation shapes, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2019, 第 3 作者
（5） Annealing of Au doped HgCdTe covered by electron beam evaporated CdTe, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 3 作者
（6） 金属框结构对碲镉汞红外焦平面调制传递函数的影响, Influence of Metal Frame Structure on Modulation Transfer Function of HgCdTe Infrared Focal Plane, 光学学报, 2018, 第 4 作者
（7） MTF measurement and analysis of linear array HgCdTe infrared detectors, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者
（8） 真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响, 红外与毫米波学报, 2018, 第 1 作者
（9） 真空退火的CdTe /Au掺杂HgCdTe界面状态的影响, Annealing of Au doped HgCdTe covered by electron beam evaporated CdTe, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 3 作者
（10） A Study on ALD ZnS passivation of HgCdTe IRFPAs detectors, INFRARED TECHNOLOGY AND APPLICATIONS XLIV, 2018, 
（11） ZnS thin films grown by atomic layer deposition on GaAs and HgCdTe substrate at very low temperature, Infrared Physics & Technology, 2017, 通讯作者
（12） 硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征, Growth and Characterization of ZnS Thin Films by Atomic Layer Deposition, 红外, 2017, 第 1 作者
（13） Passivation effect of atomic layer deposition of al2o3 film on hgcdte infrared detectors, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 第 3 作者
（14） GaSb量子点液相外延生长, GaSb Quantum Dots growth by Liquid Phase Epitaxy, 红外与毫米波学报, 2013, 第 4 作者
（15） GaSb Quantum Dots growth by Liquid Phase Epitaxy, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 4 作者
（16） InAsSb长波红外薄膜材料的LPE生长及特性研究, 2012, 第 1 作者
（17） 稀氮 Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件, Novel Dilute Ⅲ-ⅤInAsN and InSbN Medium-long Wave Infrared Photoelectric Materials and Devices, 红外, 2012, 第 3 作者
（18） 非致冷InAsSb中长波红外探测器研究评述, The Research on Uncooled InAsSb MWIR and LWIR Detectors, 中国电子科学研究院学报, 2010, 第 1 作者

   

（ 1 ） 碲镉汞晶体位错形成机理的三维动态逆向研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2020-12