基本信息

杨美音  女  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: yangmeiyin@ime.ac.cn
通信地址: 北京朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

新型磁存储器

自旋电子器件、SOT-MRAM器件及其集成技术、 磁电耦合器件。

存算一体
新型存储器存算一体电路设计

招生信息

招收物理、材料、微电子专业背景的博士、硕士。

招生专业
140100-集成电路科学与工程
招生方向
磁随机存储、自旋电子学、
新型纳米存储器件与集成技术

教育背景

2008-09--北京科技大学   博士

工作经历

   
社会兼职
2024-11-01-今,博后导师, 导师

专利与奖励

   
专利成果
[1] 杨美音, 罗军, 崔岩, 许静. 一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法. CN: CN113707803A, 2021-11-26.

[2] 杨美音, 罗军, 崔岩, 许静. 基于底电极垂直向电压控制的SOT-MRAM及制造、写入方法. CN: CN113224232A, 2021-08-06.

[3] 杨美音, 罗军, 崔岩, 许静. 基于底电极平行向电压控制的SOT-MRAM及制造方法. CN: CN113178518A, 2021-07-27.

[4] 杨美音, 罗军, 崔岩, 许静. 一种磁性隧道结及其制造方法、存储单元. CN: CN112563411A, 2021-03-26.

[5] 杨美音, 崔岩, 罗军, 许静. 一种存储器件. CN: CN112054033A, 2020-12-08.

[6] 杨美音, 高建峰, 崔岩, 罗军, 许静. 一种磁性随机存储器及其制造方法. CN: CN111952438A, 2020-11-17.

[7] 杨美音, 崔岩, 罗军, 许静. 一种存储器件及其制造方法. CN: CN111459864B, 2021-11-30.

[8] 杨美音, 高建峰, 罗军, 崔岩, 许静. 一种刻蚀方法. CN: CN111063798A, 2020-04-24.

[9] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. STT-MRAM参考单元及其制备方法及包含该参考单元的芯片. CN: CN110277490A, 2019-09-24.

[10] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. 基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法. CN: CN110277115A, 2019-09-24.

[11] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. 磁性单粒子探测装置及其制造方法、磁性单粒子探测方法. CN: CN110161113A, 2019-08-23.

[12] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. 信号检测装置以及系统. CN: CN110058314A, 2019-07-26.

[13] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. 一种磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器. CN: CN110061128A, 2019-07-26.

[14] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. 磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器. CN: CN110061127A, 2019-07-26.

[15] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. 隧穿磁电阻传感器的调控方法及系统. CN: CN110109039A, 2019-08-09.

[16] 杨美音, 罗军, 王素梅, 许静, 李彦如, 李俊峰, 崔岩, 王文武, 叶甜春. 一种多态存储器及其制造方法. CN: CN109904309A, 2019-06-18.

[17] 杨美音, 罗军, 许静, 杨腾智, 李彦如, 李俊峰. 一种半导体器件单元以及图像识别装置. CN: CN109768065A, 2019-05-17.

[18] 杨美音, 罗军, 杨腾智, 许静. 一种磁阻式随机存储器及其制造方法. CN: CN109713118A, 2019-05-03.

[19] 杨美音, 罗军, 杨腾智, 许静. 一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法. CN: CN109742229A, 2019-05-10.

[20] 杨美音, 罗军. 自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及写入方法、装置. CN: CN109585644A, 2019-04-05.

[21] 杨美音, 罗军, 李彦如, 杨腾智, 许静, 李俊峰. 一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法. CN: CN109449285A, 2019-03-08.

[22] 杨美音, 崔岩, 罗军, 许静. 一种存储器件. CN: CN110061002B, 2021-09-21.

[23] 杨美音, 罗军, 李彦如. MRAM存储单元及其写入方法、读取方法和制备方法. CN: CN116669526A, 2023-08-29.

[24] 杨美音, 舒敬坤, 罗军, 李彦如. SOT-MRAM存储单元及其制备方法. CN: CN116456807A, 2023-07-18.

[25] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. 一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法、制备方法. CN: CN115884602A, 2023-03-31.

[26] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. 存算一体单元及逻辑功能可重构的存算一体电路. CN: CN114244348A, 2022-03-25.

[27] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. 自旋霍尔器件、霍尔电压的获取方法及最大池化的方法. CN: CN114184833A, 2022-03-15.

[28] 杨美音, 罗军. SOT-MRAM存储单元及其制备方法. CN: CN113690366A, 2021-11-23.

[29] 杨美音, 李文静, 叶力, 向清懿, 罗军, 高建峰. 存储器电路及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备. CN: CN113744776A, 2021-12-03.

[30] 杨美音, 罗军, 崔岩, 许静. 存储单元及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备. CN: CN113328034A, 2021-08-31.

[31] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静, 张骥. 一种基于MTJ的真随机数发生器. CN: CN112835556A, 2021-05-25.

[32] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静, 张骥. 一种MTJ及其驱动方法和制作方法. CN: CN112928206A, 2021-06-08.

[33] 杨美音, 罗军, 崔岩, 许静. 一种磁性隧道结及其制造方法、存储单元. CN: CN112563411B, 2023-08-08.

[34] 崔岩, 罗军, 杨美音, 许静. 磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器. CN: CN110061127B, 2023-08-08.

出版信息

   
发表论文
(1) Materials, Processes, Devices and Applications of Magnetoresistive Random Access Memory, International Journal of Extreme Manufacturing, 2025, 第 1 作者
(2) Field-free magnetic switching dependence on lateral interfaces in synthetic antiferromagnets by ion implantation, Applied Physics Letters, 2024, 
(3) Manipulation of Synthetic Antiferromagnetic Skyrmion by Reduced Voltage via Design of Double Interface Structure, IEEE Electron Device Letters, 2024, 
(4) XOR spin logic operated by unipolar current based on field-free spin���orbit torque switching induced by a lateral interface, Rare Metals, 2024, 
(5) Enhancement of Magnetic and Electric Transport Performance of Perpendicular Spin-Orbit Torque Magnetic Tunnel Junction by Stop-on-MgO Etching Process, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 第 2 作者  通讯作者
(6) Local Manipulation of Skyrmion Nucleation in Microscale Areas of a Thin Film with Nitrogen-Ion Implantation, ACS Applied materials & interfaces, 2023, 
(7) Tuning crystal orientation and chiral spin order in Mn3Ge by annealing process and ion implantation, Nanotechnoloty, 2023, 
(8) Different correlations between spin Hall angle measured by the 2nd harmonic method and by the critical current density due to dimension effect in W/Ta multilayers, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2022, 第 11 作者  通讯作者
(9) Field-Free Deterministic Writing of Spin-Orbit Torque Magnetic Tunneling Junction by Unipolar Current, Ieee Electron Device Letters, 2022, 第 2 作者  通讯作者
(10) Temperature response of non-hysteresis magnetic switching by electrical current, JOURNALOFMATERIALSSCIENCEMATERIALSINELECTRONICS, 2022, 第 2 作者  通讯作者
(11) Current controlled non-hysteresis magnetic switching in the absence of magnetic field, Applied Physics Letters, 2022, 第 2 作者  通讯作者
(12) All-Linear Multistate Magnetic Switching Induced by Electrical Current, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2021, 第 1 作者
(13) Thermal stability of SOT-MTJ thin films tuning by multiple interlayer couplings, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2021, 第 8 作者  通讯作者
(14) Estimating spin Hall angle in heavy metal/ferromagnet heterostructures, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2020, 第 2 作者
(15) Deterministic magnetic switching of perpendicular magnets by gradient current density, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2019, 第 1 作者
(16) Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 1 作者
(17) Switching of Exchange-Coupled Perpendicularly Magnetized Layers Under Spin-Orbit Torque, IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2018, 第 2 作者
发表著作
(1) Spintronics materials devices & applications, Wiley, 2022-08, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于存内计算机制的高能效推断训练电路设计, 负责人, 国家任务, 2024-11--2027-11
( 2 ) 晶圆器件测试, 负责人, 国家任务, 2024-11--2027-11
( 3 ) 量子启发式自旋存算一体系统, 负责人, 地方任务, 2024-10--2026-10
( 4 ) 北京市科技创新新星, 负责人, 地方任务, 2023-10--2026-10
( 5 ) 青苗计划交叉团队磁电存储器器件及集成研发项目, 负责人, 研究所自主部署, 2023-01--2025-12
( 6 ) 兼容VCT技术的MRAM存储单元设计与片上集成工艺研究, 参与, 境内委托项目, 2023-01--2025-12
( 7 ) 自旋轨道矩随机存取存储器研究, 参与, 境内委托项目, 2020-05--2022-02
( 8 ) 中科院青年促进会, 负责人, 其他国际合作项目, 2020-01--2023-12
( 9 ) 新型低温MRAM器件研究, 参与, 中国科学院计划, 2018-01--2023-12
( 10 ) 利用电学方法调控CoNi纳米器件磁化翻转的研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12
参与会议
(1)Integration of SOT-MRAM devices with CMOS compatible technology   2023-12-02
(2)无外场写入SOT-MRAM器件及其集成技术   “CPS青年学术平台”之第六届自旋量子态调控科技论坛   2023-09-17
(3)CMOS工艺兼容的SOT-MRAM器件集成研究    全国电子信息青年科学家论坛之第四届半导体青年学术会议    2023-05-06

指导学生

已指导学生

舒敬坤  硕士研究生  085400-电子信息  

现指导学生

徐硕  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李子昭  硕士研究生  085400-电子信息  

刘丽莎  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

于安琪  硕士研究生  085403-集成电路工程  

刘禹辰  硕士研究生  085403-集成电路工程