140100-集成电路科学与工程

磁随机存储、自旋电子学、
新型纳米存储器件与集成技术

   

（ 1 ） MRAM存储单元及其写入方法、读取方法和制备方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116669526A

（ 2 ） 一种磁性隧道结及其制造方法、存储单元, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN112563411B

（ 3 ） 磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN110061127B

（ 4 ） SOT-MRAM存储单元及其制备方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116456807A

（ 5 ） 一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法、制备方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN115884602A

（ 6 ） 存算一体单元及逻辑功能可重构的存算一体电路, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114244348A

（ 7 ） 自旋霍尔器件、霍尔电压的获取方法及最大池化的方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114184833A

（ 8 ） 存储器电路及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113744776A

（ 9 ） 一种存储器件及其制造方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111459864B

（ 10 ） 一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113707803A

（ 11 ） SOT-MRAM存储单元及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113690366A

（ 12 ） 一种存储器件, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110061002B

（ 13 ） 存储单元及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113328034A

（ 14 ） 基于底电极垂直向电压控制的SOT-MRAM及制造、写入方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113224232A

（ 15 ） 基于底电极平行向电压控制的SOT-MRAM及制造方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113178518A

（ 16 ） 一种MTJ及其驱动方法和制作方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112928206A

（ 17 ） 一种基于MTJ的真随机数发生器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112835556A

（ 18 ） 一种磁性隧道结及其制造方法、存储单元, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112563411A

（ 19 ） 一种存储器件, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112054033A

（ 20 ） 一种磁性随机存储器及其制造方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111952438A

（ 21 ） 一种刻蚀方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111063798A

（ 22 ） STT-MRAM参考单元及其制备方法及包含该参考单元的芯片, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110277490A

（ 23 ） 基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110277115A

（ 24 ） 磁性单粒子探测装置及其制造方法、磁性单粒子探测方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110161113A

（ 25 ） 隧穿磁电阻传感器的调控方法及系统, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110109039A

（ 26 ） 信号检测装置以及系统, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110058314A

（ 27 ） 一种磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110061128A

（ 28 ） 磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110061127A

（ 29 ） 一种多态存储器及其制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109904309A

（ 30 ） 一种半导体器件单元以及图像识别装置, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109768065A

（ 31 ） 一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109742229A

（ 32 ） 一种磁阻式随机存储器及其制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109713118A

（ 33 ） 自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及写入方法、装置, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109585644A

（ 34 ） 一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109449285A

   

（1） Field-free magnetic switching dependence on lateral interfaces in synthetic antiferromagnets by ion implantation, Applied Physics Letters, 2024, 
（2） Manipulation of Synthetic Antiferromagnetic Skyrmion by Reduced Voltage via Design of Double Interface Structure, IEEE Electron Device Letters, 2024, 
（3） XOR spin logic operated by unipolar current based on field-free spin���orbit torque switching induced by a lateral interface, Rare Metals, 2024, 
（4） Enhancement of Magnetic and Electric Transport Performance of Perpendicular Spin-Orbit Torque Magnetic Tunnel Junction by Stop-on-MgO Etching Process, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 第 2 作者  通讯作者
（5） Local Manipulation of Skyrmion Nucleation in Microscale Areas of a Thin Film with Nitrogen-Ion Implantation, ACS Applied materials & interfaces, 2023, 
（6） Tuning crystal orientation and chiral spin order in Mn3Ge by annealing process and ion implantation, Nanotechnoloty, 2023, 
（7） Different correlations between spin Hall angle measured by the 2nd harmonic method and by the critical current density due to dimension effect in W/Ta multilayers, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2022, 第 11 作者  通讯作者
（8） Field-Free Deterministic Writing of Spin-Orbit Torque Magnetic Tunneling Junction by Unipolar Current, Ieee Electron Device Letters, 2022, 第 2 作者  通讯作者
（9） Temperature response of non-hysteresis magnetic switching by electrical current, JOURNALOFMATERIALSSCIENCEMATERIALSINELECTRONICS, 2022, 第 2 作者  通讯作者
（10） Current controlled non-hysteresis magnetic switching in the absence of magnetic field, Applied Physics Letters, 2022, 第 2 作者  通讯作者
（11） All-Linear Multistate Magnetic Switching Induced by Electrical Current, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2021, 第 1 作者
（12） Thermal stability of SOT-MTJ thin films tuning by multiple interlayer couplings, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2021, 第 8 作者  通讯作者
（13） Estimating spin Hall angle in heavy metal/ferromagnet heterostructures, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2020, 第 2 作者
（14） Deterministic magnetic switching of perpendicular magnets by gradient current density, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2019, 第 1 作者
（15） Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 1 作者
（16） Switching of Exchange-Coupled Perpendicularly Magnetized Layers Under Spin-Orbit Torque, IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2018, 第 2 作者

Spintronics materials devices & applications, Wiley, 2022-08, 第 2 作者

   

（ 1 ） 含有锗硅沟道堆叠纳米片的CMOS器件集成技术探索研究, 负责人, 境内委托项目, 2024-01--2025-12
（ 2 ） 北京市科技创新新星, 负责人, 地方任务, 2023-10--2026-10
（ 3 ） 青苗计划交叉团队磁电存储器器件及集成研发项目, 负责人, 研究所自主部署, 2023-01--2025-12
（ 4 ） 兼容VCT技术的MRAM存储单元设计与片上集成工艺研究, 参与, 境内委托项目, 2023-01--2025-12
（ 5 ） 自旋轨道矩随机存取存储器研究, 参与, 境内委托项目, 2020-05--2022-02
（ 6 ） 中科院青年促进会, 负责人, 其他国际合作项目, 2020-01--2023-12
（ 7 ） 新型低温MRAM器件研究, 参与, 中国科学院计划, 2018-01--2023-12
（ 8 ） 利用电学方法调控CoNi纳米器件磁化翻转的研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12

（1）Integration of SOT-MRAM devices with CMOS compatible technology   2023-12-02
（2）无外场写入SOT-MRAM器件及其集成技术   “CPS青年学术平台”之第六届自旋量子态调控科技论坛   2023-09-17
（3）CMOS工艺兼容的SOT-MRAM器件集成研究    全国电子信息青年科学家论坛之第四届半导体青年学术会议    2023-05-06