080903-微电子学与固体电子学

300mm SOI材料及新型SOI器件
300mm直拉硅单晶晶体生长/缺陷动力学/缺陷工程
跨尺度/多场耦合下晶体生长过程的数值模拟

2007-04--2010-03   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
2004-09--2007-03   长春理工大学   硕士
2000-09--2004-07   长春理工大学   学士

   

2019-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2013-01~2018-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2010-06~2012-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2007-04~2010-03,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士
2004-09~2007-03,长春理工大学, 硕士
2000-09~2004-07,长春理工大学, 学士

   

（1） 上海市五一劳动奖章, 省级, 2019

（ 1 ） METHOD FOR CLEANING BONDING INTERFACE BEFORE BONDING, 2020, 第 1 作者, 专利号: US15/905, 339

（ 2 ） ANNEALING METHOD FOR IMPROVING BONDING STRENGTH, 2020, 第 1 作者, 专利号: US15/906, 074

（ 3 ） METHOD FOR PREPARING SUBSTRATE WITH INSULATED BURIED LAYER, 2019, 第 1 作者, 专利号: US15/905, 344

（ 4 ） METHOD FOR PREPARING SUBSTRATE WITH CARRIER TRAPPING CENTER, 2019, 第 1 作者, 专利号: US15/905, 492

   

（1） Investigation on boron diffusion effects in buried oxide of Si nanocrystals (Si NCs) embedded Silicon-on-Insulator, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2023, 通讯作者
（2） Determination of conduction type in high-resistivity silicon by combining spreading resistance profiling (SRP) with hydrofluoric acid treatment, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 通讯作者
（3） Investigation of Negative Bias Effect on Radiation Hardening for Double SOI Technology, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 通讯作者
（4） Analysis of Abnormal GIDL Current Degradation Under Hot Carrier Stress in DSOI-MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 通讯作者
（5） Investigation of microscale and nanoscale twin lamellae in monocrystalline silicon grown by Czochralski method, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2022, 通讯作者
（6） Investigation on time-dependent behavior of resistivity in high-resistivity silicon wafers, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2022, 通讯作者
（7） Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on Insulator MOSFET, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 通讯作者
（8） Melt convection and temperature distribution in 300mm Czochralski crystal growth with transverse magnetic field, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 通讯作者
（9） Investigation on the Transformation of B-Defect in As-Grown Czochralski Silicon Crystal during Annealing Process, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 通讯作者
（10） Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 通讯作者
（11） Investigation on surface smoothing of silicon-on-insulator with gas phase hydrogen chloride etching, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 通讯作者
（12） Characterization of grown-in defects in Si wafers by gas decoration, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 通讯作者
（13） Fabrication of silicon-on-insulator with high uniform top Si for silicon photonics applications, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 通讯作者
（14） Effects of boron doping on non-linear properties of SOI with embedded polycrystalline silicon layer for RF applications, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
（15） Comparative Investigation on Bias Dependent RF Performance of SOI Substrates, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 通讯作者
（16） Investigation on Evolution of Oxygen Precipitates in Bonded SOI Substrate, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 通讯作者
（17） Silicon on Insulator with Highly Uniform Top Si Fabricated by H/He Coimplantation, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2019, 通讯作者
（18） Effects of Low Boron Concentration on Electrical Properties of Commercial Trap-Rich High Resistivity SOI Substrate, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 通讯作者
（19） Fabrication and Characterization of Radiation Hardened SOI Wafers via Ion-Cut Technique, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 通讯作者
（20） Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, 中国物理快报英文版, 2018, 通讯作者
（21） Enhanced cracking in Si/B-doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructures via hydrogen trapping effect, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018, 通讯作者
（22） Investigation of radiation hardened SOI wafer fabricated by ion-cut technique, NUCLEAR INST. AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH, B, 2018, 通讯作者

   

（ 1 ） 全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)材料及其制备工艺中的基础问题研究, 负责人, 国家任务, 2021-01--2024-12
（ 2 ） 300mm特殊硅单晶晶体生长, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 3 ） 国家高层次人才特殊支持计划, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 4 ） 特种SOI晶圆及新型器件研究, 负责人, 国家任务, 2022-11--2026-10