基本信息
魏星  男  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： xwei@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁区长宁路865号8号楼604房间
邮政编码：

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
300mm SOI材料
300mm直拉硅单晶晶体生长，跨尺度/多场耦合下晶体生长过程的数值模拟，晶体中的缺陷动力学/缺陷工程

教育背景

2007-04--2010-03   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
2004-09--2007-03   长春理工大学   硕士
2000-09--2004-07   长春理工大学   学士

工作经历

   
工作简历
2019-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2013-01~2018-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2010-06~2012-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2007-04~2010-03,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士
2004-09~2007-03,长春理工大学, 硕士
2000-09~2004-07,长春理工大学, 学士

专利与奖励

   
奖励信息
（1） 上海市五一劳动奖章, 省级, 2019
专利成果
（ 1 ） METHOD FOR CLEANING BONDING INTERFACE BEFORE BONDING, 2020, 第 1 作者, 专利号: US15/905, 339

（ 2 ） ANNEALING METHOD FOR IMPROVING BONDING STRENGTH, 2020, 第 1 作者, 专利号: US15/906, 074

（ 3 ） METHOD FOR PREPARING SUBSTRATE WITH INSULATED BURIED LAYER, 2019, 第 1 作者, 专利号: US15/905, 344

（ 4 ） METHOD FOR PREPARING SUBSTRATE WITH CARRIER TRAPPING CENTER, 2019, 第 1 作者, 专利号: US15/905, 492

出版信息

   
发表论文
（1） Effects of boron doping on non-linear properties of SOI with embedded polycrystalline silicon layer for RF applications, Solid State Electronics, 2020, 第 1 作者
（2） Fabrication of silicon-on-insulator with high uniform top Si for silicon photonics applications, Materials Science in Semiconductor Processing, 2020, 通讯作者
（3） Comparative Investigation on Bias Dependent RF Performance of SOI Substrates, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 通讯作者
（4） Investigation on Evolution of Oxygen Precipitates in Bonded SOI Substrate, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 通讯作者
（5） Silicon on Insulator with Highly Uniform Top Si Fabricated by H/He Coimplantation, Chinese Physics Letters, 2019, 通讯作者
（6） Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on Insulator Substrates, Chinese Physics Letters, 2018, 通讯作者
（7） Effects of Low Boron Concentration on Electrical Properties of Commercial Trap-Rich High Resistivity SOI Substrate, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 通讯作者
（8） Enhanced cracking in Si B-doped Si0.70Ge0.30 Si heterostructures via hydrogen trapping effect, Journal of Vacuum Science and Technology B, 2018, 第 1 作者
（9） Fabrication and Characterization of Radiation Hardened SOI Wafers via Ion-Cut Technique, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 通讯作者
（10） Investigation of radiation hardened SOI wafer fabricated by ion-cut technique, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B, 2018, 通讯作者

科研活动

   
科研项目
（ 1 ） 全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)材料及其制备工艺中的基础问题研究, 负责人, 国家任务, 2021-01--2024-12
（ 2 ） 300mm特殊硅单晶晶体生长, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 3 ） 国家高层次人才特殊支持计划, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12