基本信息
毕大炜  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: davidb@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号8号楼510室
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
高可靠SOI集成电路技术

教育背景

2005-09--2010-05   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
2001-09--2005-06   中国科学技术大学   本科

工作经历

   
工作简历
2015-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2010-06~2014-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2005-09~2010-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士
2001-09~2005-06,中国科学技术大学, 本科
社会兼职
2018-09-01-2019-08-31,昆山市科学技术局, 副局长

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 2017-2019年度辐射物理领域十大科技进展奖, 一等奖, 部委级, 2019
(2) SOI专用技术与设备开发合作奖, 一等奖, 其他, 2019
专利成果
( 1 ) 微环电光调制器及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112230448A

( 2 ) MZ电光调制器及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112162446A

( 3 ) 一种测试MOS器件阱电阻的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104377143A

( 4 ) 一种SOI器件结构及其制作方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104362093A

( 5 ) 一种双栅SOI器件结构及其制作方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104201193A

( 6 ) 一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102494988A

( 7 ) 一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102437179A

出版信息

   
发表论文
(1) Analysis of DC Characteristics in PDSOI pMOSFETs Under the Combined Effect of NBTI and TID, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 通讯作者
(2) Radiation-hardened silicon photonic passive devices on a 3 μm waveguide platform under gamma and proton irradiation, Optics Express, 2022, 第 3 作者
(3) The characterization of the built-in bipolar junction transistor in H-gate PD-SOI NMOS, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2021, 通讯作者
(4) A Special Total-Ionizing-Dose-Induced Short Channel Effect in Thin-Film PDSOI Technology: Phenomena, Analyses, and Models, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 通讯作者
(5) Substrate effect on radiation-induced charge trapping in buried oxide for partially-depleted SOI NMOSFET, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2020, 通讯作者
(6) The characterization of the built-in bipolar junction transistor in H-gate PDSOI NMOS, Solid-State Electronics, 2020, 通讯作者
(7) 硅基光电子器件的辐射效应研究进展, Progress of radiation effects of silicon photonics devices, 物理学报, 2019, 第 3 作者
(8) The analysis of the anomalous hot-carrier effect in partially depleted SOI pMOSFETs fabricated on modified wafer, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 第 2 作者
(9) Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation, Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation, 中国物理B:英文版, 2018, 第 3 作者
(10) Influence of characteristics’ measurement sequence on total ionizing dose effect in PDSOI nMOSFET, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 2 作者
(11) Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation, Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation, 中国物理B:英文版, 2018, 第 3 作者
(12) Metastable Electron Traps in Modified Silicon-on-Insulator Wafer, Metastable Electron Traps in Modified Silicon-on-Insulator Wafer, 中国物理快报:英文版, 2018, 第 2 作者
(13) Research on the radiation hardened SOI devices with single-step Si ion implantation, Research on the radiation hardened SOI devices with single-step Si ion implantation, 中国物理B:英文版, 2018, 第 2 作者
(14) Bias dependence of TID induced single transistor latch for 0.13 mu m partially depleted SOI input/output NMOSFETs, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 第 5 作者
(15) Total-Ionizing-Dose Induced Coupling Effect in the 130-nm PDSOI I/O nMOSFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 6 作者
(16) Improving Total Dose Tolerance of Buried Oxides in SOI Wafers by Multiple-Step Si+ Implantation, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2014, 第 2 作者
(17) Investigating the degradation mechanisms caused by the TID effects in 130 nm PDSOI I/O NMOS, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2014, 第 6 作者
(18) Novel Si ion implantation technique for improving the radiation hardness of SOI pseudo-MOS transistor, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, 2014, 第 3 作者
(19) 离子注入改性SOI材料总剂量辐射退火效应和机理研究, 功能材料与器件学报, 2013, 第 2 作者
(20) Total Dose Irradiation-Induced Degradation of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator NMOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2013, 第 2 作者
(21) 深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响, 物理学报, 2012, 第 6 作者
(22) Influence of drain and substrate bias on the TID effect for deep submicron technology devices, Influence of drain and substrate bias on the TID effect for deep submicron technology devices, 半导体学报, 2012, 第 6 作者
(23) 0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应, Total ionizing dose effect of 0.18μm nMOSFETs, 物理学报, 2011, 第 6 作者
(24) Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 第 6 作者
(25) Silicon-on-Insulator-on-Cavity-Structured Micropressure Sensor, SENSORS AND MATERIALS, 2011, 第 6 作者
(26) Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory, Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory, 中国物理B, 2011, 第 6 作者
(27) Analysis of bias effects on the total ionizing dose response in a 180 nm technology, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2011, 第 6 作者
(28) Gate length dependence of the shallow trench isolation leakage current in an irradiated deep submicron NMOSFET, Gate length dependence of the shallow trench isolation leakage current in an irradiated deep submicron NMOSFET, 半导体学报, 2011, 第 5 作者
(29) Radiation induced inter-device leakage degradation, Radiation induced inter-device leakage degradation, 中国物理C:英文版, 2011, 第 7 作者
(30) 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固, Total Dose Radiation Hardening Process for SIMOX material with Si Nanocrystals Formed by Si Ion Implantation, 功能材料与器件学报, 2011, 第 4 作者
(31) Impact of substrate bias on radiation-induced edge effects in MOSFETs, Impact of substrate bias on radiation-induced edge effects in MOSFETs, 中国物理:英文版, 2011, 第 7 作者
(32) Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation, Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation, 中国物理:英文版, 2011, 第 6 作者
(33) Influence of poly region extended into field oxide on total ionizing dose effect for deep submicron MOSFET, Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS.RADECS 2011 - 12th European Conference on Radiation and Its Effects on Component and Systems, Conference Proceedings, 2011, 第 7 作者
(34) FD SIMOX SOI材料的总剂量辐射加固机理及加固技术研究, 2010, 第 1 作者
(35) Pseudo—MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较, Comparison between Pseudo -MOS transistor and nMOS transistor in evaluating the resistant ability of SOI materials to total dose radiation, 功能材料与器件学报, 2010, 第 1 作者
(36) 超薄SIMOX材料的Pseudo—MOSFET电学表征, Pseudo -MOSFET Technique for electrical characterization of ultra - thin SIMOX materials, 功能材料与器件学报, 2010, 第 3 作者
(37) Total ionizing dose effects in high voltage devices for flash memory, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, 2010, 第 6 作者
(38) 浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展, Single event effect in floating gate memories, 功能材料与器件学报, 2010, 第 5 作者
(39) 抗总剂量辐射能力的比较, Comparison between Pseudo-MOS transistor and nMOS transistor in evaluating the resistant ability of SOl materials to total dose radiation, 功能材料与器件学报, 2010, 第 1 作者
(40) 用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 1 作者
(41) 浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 3 作者
(42) 注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 5 作者
(43) 应用于抗辐照SRAM的地址转换监控电路的设计, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 7 作者
(44) 硅离子注入进行二氧化硅总剂量加固机理, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 3 作者
(45) 注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 3 作者
(46) 利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文), 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2), 2007, 第 7 作者
(47) 利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能, Improved SOI material by Si ion implantation for radiation protection, 功能材料, 2007, 第 7 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 特殊晶体管定制工艺开发, 负责人, 国家任务, 2018-01--2020-12
( 2 ) 130nm高可靠SOI工艺建模建库技术研究, 参与, 地方任务, 2018-02--2020-06
( 3 ) 41424040503, 参与, 国家任务, 2016-01--2020-12
( 4 ) 江苏省企业院士工作站, 负责人, 地方任务, 2020-06--2022-05