基本信息
杨涛 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： tyang@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：
电子邮件： tyang@ime.ac.cn
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研究领域
面向新原理装备、新工艺材料的集成电路先导工艺研发与评估验证
招生信息
硕士研究生
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
集成电路先导工艺技术
教育背景
2003-07--2007-07 大连理工大学 博士2001-09--2003-07 大连理工大学 硕士1997-09--2001-07 大连交通大学 学士
学历
研究生
学位
工学博士
工作经历
工作简历
2009-11~现在, 中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心, 副研究员/正高级工程师2007-09~2009-10,中芯国际集成电路制造有限公司，逻辑技术发展中心, 资深工艺研发工程师
社会兼职
2023-04-01-今,中关村集成电路材料产业技术创新联盟 专家咨询委员,
出版信息
发表论文
[1] Wang, Guilei, Luo, Jun, Liu, Jinbiao, Yang, Tao, Xu, Yefeng, Li, Junfeng, Yin, Huaxiang, Yan, Jiang, Zhu, Huilong, Zhao, Chao, Ye, Tianchun, Radamson, Henry H. pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology. NANOSCALE RESEARCH LETTERS[J]. 2017, 12(1): http://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2080-2.[2] Xu, Qiang, Luo, Jun, Wang, Guilei, Yang, Tao, Li, Junfeng, Ye, Tianchun, Chen, Dapeng, Zhao, Chao. Application of ALD W films as gate filling metal in 22 nm HKMG-last integration: Evaluation and improvement of the adhesion in CMP process. MICROELECTRONIC ENGINEERING[J]. 2015, 137: 43-46, http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2015.01.007.[3] Yang, T, Zhao, C, Xu, G B, Xu, Q X, Li, J F, Wang, W W, Yan, J, Zhu, H L, Chen, D P. HfSiON High-k Layer Compatibility Study with TetraMethyl Ammonium Hydroxide (TMAH) Solution. ELECTROCHEMICALANDSOLIDSTATELETTERS[J]. 2012, 15(5): H141-H144, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000301656700018.
科研活动
科研项目
（ 1 ） 先进动态随机存储器核心专利布局与关键技术开发, 负责人, 中国科学院计划, 2020-04--2022-12（ 2 ） 28-45nm光刻配套工艺, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2023-12（ 3 ） 28-45nm光刻关键配套工艺与微电子器件试制, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
参与会议
（1）ALD W metal gate CMP 2014-05-14（2）ALD W CMP characteristic for HKMG integration 2013-10-29（3）Dummy Poly Silicon Gate Removal by Wet Chemical Etching 2011-03-11