080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

集成电路先导工艺技术

2003-07--2007-07   大连理工大学   博士
2001-09--2003-07   大连理工大学   硕士
1997-09--2001-07   大连交通大学   学士

   

2009-11~现在, 中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心, 副研究员/正高级工程师
2007-09~2009-10,中芯国际集成电路制造有限公司，逻辑技术发展中心, 资深工艺研发工程师
2003-07~2007-07,大连理工大学, 博士
2001-09~2003-07,大连理工大学, 硕士
1997-09~2001-07,大连交通大学, 学士

   

（ 1 ） 一种研磨垫清洗方法和装置, 2016, 第 1 作者, 专利号: ZL201110066718.7

（ 2 ） 后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110149722.X

（ 3 ） 提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110125319.3

（ 4 ） 化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201010567260.9

（ 5 ） 化学机械平坦化后清洗晶圆的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110149721.5

（ 6 ） 提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201010607041.9

（ 7 ） 化学机械抛光设备及其预热方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201010599278.7

（ 8 ） 提高后栅工程中金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201110005058.1

（ 9 ） 提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201110005057.7

（ 10 ） 提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201010571656.0

   

（1） pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology, Nanoscale Research Letters, 2017, 第 4 作者
（2） Application of Atomic Layer Deposition Tungsten (ALD W) as Gate Filling Metal for 22 nm and Beyond Nodes CMOS Technology, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2014, 第 3 作者
（3） ALD W CMP for HKMG, ECS Trans., 2013, 第 1 作者
（4） HfSiON High-k Layer Compatibility Study with TetraMethyl Ammonium Hydroxide (TMAH) Solution, Electrochemical and Solid-State Letters, 2012, 第 1 作者

   

（ 1 ） 非制冷红外探测器关键技术研究, 参与, 地方任务, 2018-12--2020-12
（ 2 ） 先进动态随机存储器核心专利布局与关键技术开发, 负责人, 中国科学院计划, 2020-04--2022-12

（1）ALD W metal gate CMP   2014-05-14
（2）ALD W CMP characteristic for HKMG integration   2013-10-29
（3）Dummy Poly Silicon Gate Removal by Wet Chemical Etching   2011-03-11