基本信息
张卫华  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: zhangweihua@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

教育背景

2004-09--2007-07   西安电子科技大学   硕士
1996-09--2000-07   天津大学   学士

工作经历

   
工作简历
2013-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2009-05~2013-03,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司, Senior Engineer
2004-09~2007-07,西安电子科技大学, 硕士
2000-08~2009-04,中电科第五十四研究所, 工程师
1996-09~2000-07,天津大学, 学士

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种碳基集成电路设计自动化方法及系统装置, 2023, 第 3 作者, 专利号: 2023103577325

( 2 ) 逐次逼近型数模转换器数据处理方法、装置和电子设备, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN115664421A

( 3 ) 逐次逼近型数模转换器数据处理方法、装置和电子设备, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN 115664421 A

( 4 ) 一种标准单元库全模型的测试方法及测试系统, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN108830008B

( 5 ) 工艺设计工具包开发方法、装置、电子设备及存储介质, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112270146A

( 6 ) 一种工艺设计工具包的测试方法及装置, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109214023A

( 7 ) 一种标准单元库全模型的测试方法及测试系统, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108830008A

( 8 ) 一种标准单元库的创建方法及系统, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107784136A

出版信息

   
发表论文
(1) Design of a high performance CNFET 10T SRAM cell at 5nm technology node, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2023, 第 6 作者
(2) Design of a variable precision CORDIC coprocessor for RISC-V architecture based on FinFET process, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2023, 第 3 作者
(3) LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用, The Apply of LOD Effects and WPE Effect in Nanometer Process PDK, 微电子学与计算机, 2019, 第 5 作者
(4) 基于40nm CMOS工艺的电平转换器的设计及优化, 半导体技术, 2015, 第 4 作者