140100-集成电路科学与工程

射频微波器件与电路集成技术
二维电子器件，InP基HEMT工艺研究

2001-09--2006-07   北京大学   博士
1994-09--1998-07   西北大学   学士

   

2012-06~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2010-07~2012-06,北京大学, 博士后
2006-07~2010-07,西安交通大学, 讲师
2001-09~2006-07,北京大学, 博士
1998-07~2001-09,西安医科大学, 研究助理
1994-09~1998-07,西北大学, 学士

   

（ 1 ） 延迟链分析系统及方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116466558A

（ 2 ） 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN105789032B

（ 3 ） 基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105702477B

（ 4 ） 一种石墨烯图形化生长方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107311159A

（ 5 ） 一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107275218A

（ 6 ） 一种石墨烯器件的制造方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107275219A

（ 7 ） 一种悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构及其制造方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107275398A

（ 8 ） 一种基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管制造方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107256888A

（ 9 ） 一种基于双层光刻胶工艺的二维材料场效应管制造方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107134407A

（ 10 ） 减小金属与石墨烯接触电阻的方法及石墨烯FET器件, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105957807A

（ 11 ） 图形化石墨烯及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105948023A

（ 12 ） 金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105914158A

（ 13 ） 石墨烯场效应管的制备方法及形成的石墨烯场效应管, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105914148A

（ 14 ） 吸波材料制备方法及形成的吸波材料, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105907367A

（ 15 ） 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105895704A

（ 16 ） 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105789039A

（ 17 ） 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105762194A

（ 18 ） 基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105702477A

（ 19 ） 一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法, 2016, 专利号: CN103325836B

（ 20 ） 一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104495812A

（ 21 ） 一种将金属铜表面CVD的石墨烯向目标衬底表面转移的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104451591A

（ 22 ） 一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104451592A

（ 23 ） 可控清除石墨烯-金属接触区域残留光学光刻胶的方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104465328A

（ 24 ） 无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104465400A

（ 25 ） 一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104362092A

（ 26 ） 通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104319237A

（ 27 ） 一种石墨烯导电薄膜的制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103345979A

（ 28 ） 一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103456604A

（ 29 ） 一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103456607A

（ 30 ） 一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103441223A

（ 31 ） 一种石墨烯导电薄膜的制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103387230A

（ 32 ） 一种石墨烯导电薄膜的制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103345979A

（ 33 ） 一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103346088A

（ 34 ） 一种碳基场效应晶体管及其制备方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103325837A

（ 35 ） 一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103325836A

（ 36 ） 一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103311276A

   

（1） Stable p-type chemical doping of graphene with reduced contact resistance by single-layer perfluorinated polymeric sulfonic acid, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 7 作者
（2） Layer thickness influenced irradiation effects of proton beam on MoS2 field effect transistors, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者
（3） Reducing metal/graphene contact resistance via N, N-dimethylacetamide-assisted clean fabrication process, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 7 作者
（4） Effects of Charge Trapping at the MoS2-SiO(2)Interface on the Stability of Subthreshold Swing of MoS(2)Field Effect Transistors, MATERIALS, 2020, 第 4 作者
（5） A composite with a gradient distribution of graphene and its anisotropic electromagnetic reflection, RSC ADVANCES, 2020, 第 1 作者
（6） A de-embedding method with matrix rectification and influences of residual errors on model parameters extraction of InP HEMTs, INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING, 2020, 第 9 作者
（7） Controllable p-to-n Type Conductance Transition in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor by Interface Trap Engineering, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 5 作者
（8） Metal-Contact-Induced Transition of Electrical Transport in Monolayer MoS2: From Thermally Activated to Variable-Range Hopping, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 第 5 作者
（9） Reconfigurable Artificial Synapses between Excitatory and Inhibitory Modes Based on Single-Gate Graphene Transistors, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 第 4 作者
（10） A uniform stable P-type graphene doping method with a gold etching process, NANOTECHNOLOGY, 2019, 第 4 作者
（11） How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field-Effect Transistors?, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 3 作者
（12） Evidence of electric field-tunable tunneling probability in graphene and metal contact, NANOSCALE, 2017, 第 3 作者
（13） Carrier-Number-Fluctuation Induced Ultralow 1/f Noise Level in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 第 3 作者
（14） Abnormal Dirac point shift in graphene field-effect transistrors, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2016, 第 4 作者
（15） The two timescales in the charge trapping mechanism for the hysteresis behavior in graphene field effect transistors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 第 4 作者
（16） Intrinsic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene field-effect transistors, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 6 作者
（17） Characterization of the quality of metal-graphene contact with contact end resistance measurement, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 第 5 作者
（18） Depositing aluminum as sacrificial metal to reduce metal���graphene contact resistance, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 4 作者
（19） Intrinsic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene field-effect transistor, JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 2016, 第 6 作者
（20） Abnormal Dirac point shift in graphene field-effect transistors, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2016, 第 5 作者
（21） Towards a cleaner graphene surface in graphene field effect transistor via N,N-Dimethylacetamide, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2016, 第 4 作者
（22） Characterization of the quality of metal���graphene contact with contact end resistance measurement, APPLIED PHYSIC A, 2016, 第 5 作者
（23） The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity, CARBON, 2015, 第 4 作者
（24） The electrochemical transfer of CVD-graphene using agarose gel as solid electrolyte and mechanical support layer, CHEMICAL COMMUNICATIONS, 2015, 第 1 作者
（25） The Green Transfer of CVD Graphene by Electrochemical Method Using Agar-gel as Solid Electrolyte, Chem. Commun.,, 2015, 第 1 作者
（26） Effect of source-gate spacing on direct current and radio frequency characteristic of graphene field effect transistor, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 4 作者
（27） Hydroxyl-free buffered dielectric for graphene field-effect transistors, CARBON, 2015, 第 5 作者
（28） A more reliable measurement method for metal/graphene contact resistance, NANOTECHNOLOGY, 2015, 第 5 作者
（29） The Anistropy of Field Effect Mobility of CVD Graphene Grown on Copper Foil, SMALL, 2014, 第 1 作者
（30） Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
（31） Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
（32） Understanding Charge Transfer at PbS-Decorated Graphene Surfaces toward a Tunable Photosensor, ADVANCED MATERIALS, 2012, 第 1 作者
（33） Electrochemistry: An Efficient Way to Chemically Modify Individual Monolayers of Graphene, SMALL, 2012, 第 2 作者

   

（ 1 ） 片上太赫兹波形光电芯片研制, 参与, 国家任务, 2022-10--2026-09
（ 2 ） 太赫兹器件研究, 参与, 国家任务, 2019-12--2024-12
（ 3 ） 高频石墨烯器件及电路研究, 参与, 国家任务, 2018-01--2020-12