080903-微电子学与固体电子学

高可靠器件与电路，辐射效应机理及评估
高可靠器件与电路质量及可靠性

2005-09--2008-07   中国原子能科学研究院   硕士
2001-09--2005-07   河北工业大学   本科

   

2023-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 高级工程师一级
2017-07~2022-12,中国科学院微电子研究所, 高级工程师/副主任
2009-05~2017-07,中国科学院微电子研究所, 高级工程师/管理部（兼质量部部长）
2008-08~2009-05,中国电子技术标准化研究所, 检验项目负责人

   

（1） 高可靠大容量SOI随机静态存取存储器技术及应用, 二等奖, 部委级, 2022

（ 1 ） 辐射效应测试方法及系统, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN115112966A

（ 2 ） 单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114912334A

（ 3 ） 一种二次谐波测量方法及测量仪器, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114839168A

（ 4 ） 一种二次谐波测量方法及测量仪器, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114813662A

（ 5 ） 一种单片三维集成器件和单片三维集成电路, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114823715A

（ 6 ） 一种单片异质集成结构及制备方法, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114823714A

（ 7 ） 一种Si基SiC晶圆及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114823479A

（ 8 ） 一种半导体功率器件及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 9 作者, 专利号: CN114823890A

（ 9 ） 一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114818581A

（ 10 ） 一种寄生双极晶体管放大系数的测量方法及装置, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114814507A

（ 11 ） 一种半导体功率器件及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114823889A

（ 12 ） 一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114818237A

（ 13 ） 一种处理半导体激光器的方法, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114724937A

（ 14 ） 单光子源器件及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114695613A

（ 15 ） 一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114646617A

（ 16 ） 一种半导体缺陷表征的方法、装置、系统、设备及介质, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114636677A

（ 17 ） 多传感芯片融合的设备状态监测系统、方法和电子设备, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: 202311395954 .2

（ 18 ） 应用于时间数字转换电路的信号处理装置和方法, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: 202311394216.6

（ 19 ） 一种应用于时间数字转换芯片的时钟处理, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: 202311393627 .3

   

（1） 加扰技术对模数转换器性能的影响, Effect of Injecting Dither on A/D Converter Performance, 微电子学, 2022, 第 6 作者
（2） 基于静态输入检测的ADC单粒子效应测试系统, A Single Event Effect Test System for Analog-to-Digital Converter with Static Inputs, 微电子学, 2022, 第 6 作者
（3） 一种流水线型ADC的时序改进技术研究, Study on a Timing Optimization Technique for Pipelined ADC, 微电子学, 2022, 第 6 作者
（4） 高速模数转换器的关键测量技术, A Key Measurement Technique of High Speed ADC, 微电子学, 2022, 第 6 作者
（5） 集成电路的通用单粒子效应测试系统设计, Design of a general test system for integrated circuit Single Event Effect, 太赫兹科学与电子信息学报, 2021, 第 5 作者
（6） 复杂数字电路中的单粒子效应建模综述, Review of Modeling for Single Event Effect in Complex Digital Circuits, 微电子学, 2016, 第 3 作者
（7） The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 7 作者
（8） Simulation of the sensitive region to SEGR in power MOSFETs, Simulation of the sensitive region to SEGR in power MOSFETs, 半导体学报, 2012, 第 5 作者

   

（ 1 ） 空间混合辐射场下电子器件的中子单粒子效应研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 2 ） 超低噪声运算放大电路研究, 负责人, 中国科学院计划, 2023-01--2025-12
（ 3 ） 晶圆级单晶二维层状半导体材料制备及相关高性能异质结构器件集成, 参与, 中国科学院计划, 2020-03--2024-08
（ 4 ） SOI集成电路技术研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 5 ） 电子开关-BTS740S2, 参与, 国家任务, 2019-12--2021-12
（ 6 ） CSOI KFZ材料、器件研究, 负责人, 国家任务, 2019-12--2022-12
（ 7 ） I2C总线控制器, 参与, 国家任务, 2019-09--2021-12
（ 8 ） 抗辐照场效应晶体管贯标贯彻国J标建设项目, 负责人, 国家任务, 2018-12--2021-12
（ 9 ） 32通道电压转换器, 参与, 国家任务, 2018-09--2020-12
（ 10 ） 双通道12位A/D转换器, 参与, 国家任务, 2018-07--2021-10
（ 11 ） 超深亚微米器件的空间效应机理研究, 负责人, 国家任务, 2011-01--2016-12
（ 12 ） 0.13-0.35微米抗辐照产品设计与设计服务平台建设, 参与, 国家任务, 2009-01--2021-08