基本信息
王芳芳  女  硕导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: wangfangfang@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市虹口区玉田路500号
邮政编码: 200083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
0805Z2-半导体材料与器件
070207-光学
招生方向
II类超晶格红外探测器的研究
红外探测材料的分子束外延生长研究
红外探测材料与器件关系研究

教育背景

2008-03--2011-06   同济大学   博士学位
2004-09--2007-07   河南大学   硕士学位
2000-09--2004-07   河南大学   学士学位

工作经历

   
工作简历
2017-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2011-06~2017-09,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员
2008-03~2011-06,同济大学, 博士学位
2004-09~2007-07,河南大学, 硕士学位
2000-09~2004-07,河南大学, 学士学位

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 基于InAs衬底的16微米甚长波超晶格红外探测器暗电流机理及其抑制研究, 二等奖, 研究所(学校), 2018
(2) 新型InAs基甚长波InAs/GaSb II类超晶格生长探索, 三等奖, 研究所(学校), 2016
专利成果
( 1 ) 一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN110707528A

( 2 ) 一种含有天线耦合器的圆偏振单模太赫兹量子级联激光器, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN110707527A

( 3 ) 一种含有高效率衍射光栅的单模太赫兹量子级联激光器, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN110690647A

( 4 ) 用于测量太赫兹量子级联激光器增益的器件及测量方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109244822A

( 5 ) 一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106409937A

( 6 ) 无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN205810841U

( 7 ) 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN205542814U

( 8 ) 一种无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105789364A

( 9 ) 一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105789355A

( 10 ) 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105514189A

( 11 ) 基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103500765A

出版信息

   
发表论文
(1) Gain measurement of terahertz quantum cascade laser via a master-oscillator power-amplifier configuration, Journal of Crystal Growth, 2019, 第 3 作者
(2) ICP etching for InAs-based InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared detectors, Infrared Physics & Technology, 2018, 第 4 作者
(3) Highly efficient power extraction in terahertz quantum cascade laser via a grating coupler, Applied Physics Letters, 2018, 第 3 作者
(4) Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection, Optics Express, 2017, 第 1 作者
(5) High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates, Semicond. Sci. Technol., 2017, 第 3 作者
(6) MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices LWIR materials and photodetectors with barrier structures, Journal of Crystal Growth, 2017, 第 3 作者
(7) 太赫兹二级分布反馈量子级联激光器中的模式竞争与功率特性, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者
(8) InAs-based type-II superlattice long wavelength photodetectors, Proc. Of SPIE, 2016, 第 1 作者
(9) Terahertz master-oscillator power-amplifier quantum cascade lasers, Applied Physics Letters, 2016, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 2k×2k大规模高分辨长波超晶格红外焦平面器件关键工艺技术研究, 负责人, 研究所自选, 2019-01--2020-12
参与会议
(1)InAs/GaSb II类超晶格长波红外探测器研究   第十二届全国分子束外延学术会议   2017-08-15
(2)Investigation of long-wave type-II InAs/GaAsSb superlattice photodiodes grown on InAs substrates by molecular beam epitaxy   2016-09-04