基本信息

王芳芳 女 硕导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: wangfangfang@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市虹口区玉田路500号
邮政编码: 200083
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学0805Z2-半导体材料与器件070207-光学
招生方向
II类超晶格红外探测器的研究红外探测材料的分子束外延生长研究红外探测材料与器件关系研究
教育背景
2008-03--2011-06 同济大学 博士学位2004-09--2007-07 河南大学 硕士学位2000-09--2004-07 河南大学 学士学位
工作经历
工作简历
2017-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员2011-06~2017-09,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员2008-03~2011-06,同济大学, 博士学位2004-09~2007-07,河南大学, 硕士学位2000-09~2004-07,河南大学, 学士学位
专利与奖励
奖励信息
(1) 基于InAs衬底的16微米甚长波超晶格红外探测器暗电流机理及其抑制研究, 二等奖, 研究所(学校), 2018(2) 新型InAs基甚长波InAs/GaSb II类超晶格生长探索, 三等奖, 研究所(学校), 2016
专利成果
( 1 ) 一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN110707528A( 2 ) 一种含有天线耦合器的圆偏振单模太赫兹量子级联激光器, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN110707527A( 3 ) 一种含有高效率衍射光栅的单模太赫兹量子级联激光器, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN110690647A( 4 ) 用于测量太赫兹量子级联激光器增益的器件及测量方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109244822A( 5 ) 一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106409937A( 6 ) 无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN205810841U( 7 ) 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN205542814U( 8 ) 一种无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105789364A( 9 ) 一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105789355A( 10 ) 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105514189A( 11 ) 基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103500765A
出版信息
发表论文
(1) Gain measurement of terahertz quantum cascade laser via a master-oscillator power-amplifier configuration, Journal of Crystal Growth, 2019, 第 3 作者(2) ICP etching for InAs-based InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared detectors, Infrared Physics & Technology, 2018, 第 4 作者(3) Highly efficient power extraction in terahertz quantum cascade laser via a grating coupler, Applied Physics Letters, 2018, 第 3 作者(4) Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection, Optics Express, 2017, 第 1 作者(5) High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates, Semicond. Sci. Technol., 2017, 第 3 作者(6) MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices LWIR materials and photodetectors with barrier structures, Journal of Crystal Growth, 2017, 第 3 作者(7) 太赫兹二级分布反馈量子级联激光器中的模式竞争与功率特性, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者(8) InAs-based type-II superlattice long wavelength photodetectors, Proc. Of SPIE, 2016, 第 1 作者(9) Terahertz master-oscillator power-amplifier quantum cascade lasers, Applied Physics Letters, 2016, 第 2 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 2k×2k大规模高分辨长波超晶格红外焦平面器件关键工艺技术研究, 负责人, 研究所自选, 2019-01--2020-12
参与会议
(1)InAs/GaSb II类超晶格长波红外探测器研究 第十二届全国分子束外延学术会议 2017-08-15(2)Investigation of long-wave type-II InAs/GaAsSb superlattice photodiodes grown on InAs substrates by molecular beam epitaxy 2016-09-04