080903-微电子学与固体电子学
0805Z2-半导体材料与器件
070205-凝聚态物理

红外探测技术，半导体材料物理与技术，半导体器件物理，分子束外延生长

2009-09--2014-06   中国科学院上海技术物理研究所   博士

   

（ 1 ） 一种超高真空束源炉坩埚除气装置, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111534797A

（ 2 ） 超高真空束源炉坩埚除气装置, 外观设计, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN212533100U

（ 3 ） 一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构及制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111223948A

（ 4 ） 一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构, 实用新型, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN211208457U

（ 5 ） 基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器, 实用新型, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN208904041U

（ 6 ） 一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器, 发明专利, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108417661A

（ 7 ） 一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法, 发明专利, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106409937A

（ 8 ） 无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器, 实用新型, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN205810841U

（ 9 ） 一种无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105789364A

（ 10 ） 一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105789355A

（ 11 ） 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构及制备方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105514189A

（ 12 ） 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN205542814U

（ 13 ） 基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103500765A

   

（1） InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究, Studies on the surface treatment of InAs/GaSb type-���super-lattice long-wave infrared detectors, 红外与毫米波学报, 2023, 第 5 作者
（2） 偏振集成红外光电探测器研究进展与应用, 光电工程, 2023, 第 7 作者
（3） 基于多层薄膜的长波红外InAs/GaSbⅡ类超晶格焦平面光响应调控研究, Tuning the optical response of long-wavelength InAs/GaSb Type-���superlattices infrared focal plane arrays with multi-coatings, 红外与毫米波学报, 2022, 第 4 作者
（4） 面向高工作温度应用的带间级联红外光电器件, Interband cascaded infrared optoelectronic devices for high operating temperature applications, 红外与毫米波学报, 2022, 第 4 作者
（5） Fabrication of a 1024��1024 format long wavelength infrared focal plane array based on type-II superlattice and barrier enhanced structure, INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY, 2021, 第 2 作者
（6） InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光敏元蚀刻表面特性, Fabrication and characteristics of InAs/GaSb Type-���superlattice infrared detector pixel mesas, 红外与毫米波学报, 2021, 第 2 作者
（7） Reduced thermal conductivity of epitaxial GaAsSb on InP due to lattice mismatch induced biaxial strain, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 第 5 作者
（8） Effects of etching processes on surface dark current of long-wave infrared InAs/GaSb superlattice detectors, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2020, 第 2 作者
（9） InAs/GaAsSb Type-II Superlattice LWIR Focal Plane Arrays Detectors Grown on InAs Substrates, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2020, 第 3 作者
（10） Evaluating interface roughness and micro-fluctuation potential of InAs/GaSb superlattices by mid-infrared magnetophotoluminescence, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 2 作者
（11） Investigation of a noise source and its impact on the photocurrent performance of long-wave-infrared InAs/GaSb type-II superlattice detectors, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 7 作者  通讯作者
（12） High-Speed Mid-Infrared Interband Cascade Photodetector Based on InAs/GaAsSb Type-II Superlattice, JOURNALOFLIGHTWAVETECHNOLOGY, 2020, 第 7 作者
（13） High-speed mid-wave infrared interband cascade photodetector at room temperature, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 7 作者
（14） Mid-wavelength interband cascade infrared photodetectors with two and three stages, INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY, 2020, 第 3 作者
（15） Fabrication and Characterization of InAs/GaSb type-II Superlattice Long-Wavelength Infrared Detectors Aiming High Temperature Sensitivity, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2020, 第 2 作者  通讯作者
（16） Mid-wavelength interband cascade infrared photodetectors with two and three stages, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2020, 第 3 作者
（17） InAs/GaSbⅡ类超晶格台面的ICP刻蚀研究, Study on ICP dry etching of type���InAs/GaSb superlattices infrared focal plane arrays, 红外与毫米波学报, 2019, 第 4 作者
（18） InAs/GaSb superlattice interband cascade light emitting diodes with high output power and high wall-plug efficiency, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 4 作者
（19） InAs/GaSb II类超晶格台面的ICP刻蚀研究, Study on ICP dry etching of type II InAs/GaSb superlattices infrared focal plane arrays, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 4 作者
（20） Studies on InAs/GaAsSb mid-wavelength interband cascade infrared focal plane arrays, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 4 作者
（21） Higher performance long wavelength interband cascade photodetector compared with a PB pi BN device, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 5 作者
（22） Wet etching for InAs-based InAs/Ga(As)Sb superlattice long wavelength infrared detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 2 作者
（23） Light-harvesting for high quantum efficiency in InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices long wavelength infrared photodetectors, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 4 作者
（24） InAs/GaSb II类超晶格台面的ICP刻蚀研究, Study on ICP dry etching of type II InAs/GaSb superlattices infrared focal plane arrays, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 4 作者
（25） InAs基中红外带间级联激光器中的自加热效应（英文）, 红外与毫米波学报, 2019, 第 2 作者
（26） InAs基InAs/Ga（As）Sb Ⅱ类超晶格长波红外探测器湿法腐蚀研究, Wet etching for InAs-based InAs/Ga(As)Sb superlattice long wavelength infrared detectors, 红外与毫米波学报, 2019, 第 2 作者
（27） InAs基中红外带间级联激光器中的自加热效应, The effects of self-heating on mid-infrared interband cascade lasers grown on InAs substrates, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 2 作者
（28） Wet etching for InAs-based InAs/Ga(As)Sb superlattice long wavelength infrared detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 2 作者
（29） InAs/GaAsSb带间级联中波红外焦平面研究, Studies on InAs/GaAsSb mid-wavelength interband cascade infrared focal plane arrays, 红外与毫米波学报, 2019, 第 4 作者
（30） Structural design of long wavelength interband cascade photodetectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 4 作者
（31） Temperature-dependent photoluminescence of the InAs-based and GaSb-based type-II superlattices, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 2 作者
（32） ICP etching for InAs-based InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared detectors, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 5 作者
（33） Temperature-dependent photoluminescence of the InAs-based and GaSb-based type-II superlattices, INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY, 2018, 第 2 作者
（34） Investigation of deep level defects on Beryllium compensation doping of In0.53Ga0.47As/GaAs0.49Sb0.51 type-II superlattice photodiodes, OPTICS EXPRESS, 2018, 第 2 作者
（35） High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 1 作者
（36） InAs/GaSb II类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应, Real-time �� irradiation effects on long-wavelength InAs/GaSb type II superlattice infrared detector, 红外与毫米波学报, 2017, 第 4 作者
（37） Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection, OPTICS EXPRESS, 2017, 第 3 作者
（38） MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices LWIR materials and photodetectors with barrier structures, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 第 1 作者
（39） Real-time gamma irradiation effects on long-wavelength InAs/GaSb Type II superlattice infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 第 4 作者
（40） InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应, Real-time �� irradiation effects on long-wavelength InAs/GaSb Type ��� superlattice infrared detector, 红外与毫米波学报, 2017, 第 4 作者
（41） High quantum efficiency mid-wavelength interband cascade infrared photodetectors with one and two stages, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 3 作者
（42） High operation temperature mid-wavelength interband cascade infrared photodetectors grown on InAs substrate, INFRARED TECHNOLOGY AND APPLICATIONS XLII, 2016, 第 3 作者
（43） InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices: Growth and characterization, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 第 3 作者
（44） 320 x 256 dual-color mid-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice focal plane arrays, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 2 作者
（45） 320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器, 320��256 dual���color mid���wavelength infrared InAs/GaSb superlattice focal plane arrays, 红外与毫米波学报, 2015, 第 2 作者
（46） Studies on abrupt and gradual band gap hole barriers in InAs/GaSb superlattice long wavelength photodetectors, IMAGE SENSING TECHNOLOGIES: MATERIALS, DEVICES, SYSTEMS, AND APPLICATIONS II, 2015, 第 4 作者
（47） High performance InAs/GaSb superlattice long wavelength photodetectors based on barrier enhanced structures, SELECTED PAPERS FROM CONFERENCES OF THE PHOTOELECTRONIC TECHNOLOGY COMMITTEE OF THE CHINESE SOCIETY OF ASTRONAUTICS 2014, PT II, 2015, 第 4 作者
（48） 320 x 256 long wavelength infrared focal plane arrays based on type- II InAs/GaSb superlattice, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 6 作者
（49） Evolution of interfacial properties with annealing in InAs/GaSb superlattice probed by infrared photoluminescence, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 6 作者
（50） Interface layer control and optimization of InAs/GaSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 1 作者
（51） High Performance Long Wavelength Superlattice Photodetectors Based on Be Doped Absorber Region, High Performance Long Wavelength Superlattice Photodetectors Based on Be Doped Absorber Region, 中国物理快报：英文版, 2014, 第 3 作者
（52） High quality mid-wavelength infrared InAs/GaSb superlattices by exploring the optimum molecular beam epitaxy growth process, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2014, 第 1 作者
（53） High Performance Long Wavelength Superlattice Photodetectors Based on Be Doped Absorber Region, High Performance Long Wavelength Superlattice Photodetectors Based on Be Doped Absorber Region, Chinese Physics Letters, 2014, 第 3 作者
（54） InAs/GaSb type-II superlattice mid-wavelength infrared focal plane array detectors grown by molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 第 3 作者
（55） Long wavelength infrared detector based on Type-II InAs/GaSb superlattice, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 4 作者
（56） Fabrication and Characterization of InAs/GaSb Strained Layer Superlattice Infrared Focal Plane Array Detectors, 2013 38TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ), 2013, 第 3 作者
（57） Interface design and properties in InAs/GaSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy, INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PHOTOELECTRONIC DETECTION AND IMAGING 2013: INFRARED IMAGING AND APPLICATIONS, 2013, 第 1 作者
（58） 128 x 128 infrared focal plane arrays based on Type-II InAs/GaSb superlattice, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 4 作者
（59） The accurate measurement of background carrier concentration in short-period longwave InAs/GaSb superlattices on GaSb substrate, 6TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED OPTICAL MANUFACTURING AND TESTING TECHNOLOGIES: OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING, IMAGING, AND SOLAR ENERGY, 2012, 第 1 作者
（60） 128×128元InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面探测器, 128��128 infrared focal plane arrays based on Type-II InAs/GaSb superlattice, 红外与毫米波学报, 2012, 第 4 作者
（61） GaSb基的InAs/GaSbⅡ类超晶格背景载流子浓度的测量, Measurement of the background carrier concentration of type-��� InAs/ GaSb superlattices based on GaSb, 激光与红外, 2012, 第 1 作者

   

（ 1 ） 甚高灵敏超晶格长波红外探测器研究, 负责人, 中国科学院计划, 2019-01--2020-12
（ 2 ） 基于超晶格材料的新型高增益低噪声雪崩红外探测器结构研究, 负责人, 研究所自主部署, 2018-12--2019-12
（ 3 ） 甚高灵敏超晶格长波红外探测器研究, 负责人, 研究所自主部署, 2018-01--2020-12
（ 4 ） 高性能红外探测薄膜技术, 负责人, 国家任务, 2017-07--2019-06
（ 5 ） 高性能非制冷带间级联探测器结构的分子束外延生长研究, 负责人, 研究所自主部署, 2016-12--2018-12
（ 6 ） 基于量子结构调控的新型超晶格中/长波红外双色探测器研究, 负责人, 地方任务, 2016-07--2019-06
（ 7 ） 新型非制冷中波红外带间级联探测器研究, 参与, 国家任务, 2016-01--2020-12
（ 8 ） 超晶格中/长波双色红外探测材料研究, 负责人, 研究所自主部署, 2014-12--2016-12

（1）锑化物超晶格红外光电探测技术研发及产业化   地球到太空：从红外到太赫兹国际会议   2022-09-17